三星<span style='color:red'>HBM</span>产品KHAA84901B-JC17介绍！
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三星HBM产品KHAA84901B-JC17介绍！

　　三星公司是韩国最大的跨国企业之一，成立于1938年，总部位于首尔。公司业务涵盖电子产品、半导体、通信设备、家电、金融、化学等多个领域。三星电子是三星集团旗下最大的子公司，主要生产智能手机、平板电脑、电视、笔记本电脑等电子产品。三星半导体则是全球最大的DRAM和NAND闪存生产商之一。　　下面AMEYA360详细介绍一下三星HBM产品KHAA84901B-JC17的详细信息：　　特点　　加速、扩展并确保超级计算和AI技术　　超级计算和基于AI技术的发展需要高水准的内存，以满足行业对带宽、容量和效率的需求。　　HBM2E Flashbolt 能够提升 AI 的能力，通过其扩展的容量处理更多大数据，并提供高带宽。　　针对上文提及的“HBM2E”，跟随AMEYA360一起来了解一下“什么是HBM2E”，HBM2E，全称为高带宽内存(High Bandwidth Memory)，是一种新型DRAM(动态随机存取内存)解决方案。它使用了基于TSV(Through-Silicon Via，硅通孔)和芯片堆叠技术的堆叠DRAM架构。简而言之，就是将多个内存芯片垂直堆叠成一个矩阵，并将此堆栈放置于处理器或GPU旁边。这种设计使得HBM2E可以在非常小的空间内提供极高的带宽和低功耗。　　技术参数　　- 容量 : 16 Gb　　- 架构 : 1024　　- 速率 : 3.6 Gbps　　- 刷新 : 32 ms　　- 封装 : MPGA　　稳定供货数量 ：25KP/M(限制数量)　　MOQ ：5KP        如需选购KHAA84901B-JC17产品，请邮件至amall@ameya360.com或通过拨打热线电话021-34792258选购!
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发布时间：2024-06-28 13:15 阅读量：1457 继续阅读>>
台积电准备生产<span style='color:red'>HBM</span>4基础芯片：采用N12FFC+和N5制程技术
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台积电准备生产HBM4基础芯片：采用N12FFC+和N5制程技术

　　针对当前人工智能(AI)市场的需求，预计新一代HBM4存储将与当前的HBM产品有几项主要的变化，其中最重要的就是内存堆栈链接接口标准，将从原本就已经很宽的1024比特，进一步转向倍增到超宽的2048比特，这使得HBM4内存堆栈链接将不再像往常一样，芯片供应商将需要采用比现在更先进的封装方法，来容纳堆栈链接接口超宽的内存。　　在日前举办的2024年欧洲技术研讨会上，台积电提供了有关接下来将为HBM4制造的基础芯片一些新细节。未来HBM4将使用逻辑制程来生产，由于台积电计划采用其N12和N5制程的改良版，借以完成这项任务。相较于存储供应商目前没有能力可以经济的生产如此先进的基础芯片，这一发展预计使得台积电借此也能在HBM4制造中占据有利地位。　　据报道，针对第一波HBM4的生产，台积电准备使用两种制程技术，包括N12FFC+和N5。根据台积电设计与技术平台高级总监表示，正在与主要HBM存储合作伙伴(美光、三星、SK海力士)合作，在先进节点上达成HBM4的全堆栈集成。其中，在N12FFC+生产的基础芯片方面是具有成本效益的做法，而N5制程技术生产的基础芯片，则可以在HBM4的性能需求下，以更优异的功耗性能提供更多基础芯片。　　报道指出，台积电认为，他们的N12FFC+制程非常适合实现HBM4性能，使存储供应商能够建构12层堆栈 (48GB) 和16层堆栈 (64GB)，每堆栈带宽超过2TB/s。另外，台积电也正在针对HBM4通过CoWoS-L和CoWoS-R先进封装进行优化，达到HBM4的接口超过2000个互连，以达到信号完整性。　　另外，N12FFC+技术生产的HBM4基础芯片，将有助于使用台积电的CoWoS-L或CoWoS-R先进封装技术构建系统级封装 (SiP)，该技术可提供高达8倍标线尺寸的中介层，空间足够容纳多达12个HBM4内存堆栈。根据台积电的数据，目前HBM4可以在14mA电流下达到6GT/s的数据传输速率。　　至于在N5制程方面，存储制造商也可以选择采用台积电的N5制程来生产HBM4基础芯片。N5制程建构的基础芯片将封装更多的逻辑，消耗更少的功耗，并提供更高的性能。其最重要的好处是这种先进的制程技术可以达到非常小的互连间距，约6~9微米。这将使得N5基础芯片与直接键合结合使用，进而使HBM4能够在逻辑芯片顶部进行3D堆栈。直接键合可以达到更高的内存性能，这对于总是寻求更大内存带宽的AI和高性能计算(HPC)芯片来说预计将是一个巨大的提升。
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发布时间：2024-05-20 15:34 阅读量：592 继续阅读>>
SK海力士宣布与台积电合作开发<span style='color:red'>HBM</span>4
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SK海力士宣布与台积电合作开发HBM4

　　集微网4月19日消息，SK海力士今日宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录(MOU)。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。　　SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的方式，公司将实现存储器产品性能的新突破。”　　两家公司将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片(BaseDie)进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片(CoreDie)堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。　　* 硅通孔(TSV，ThroughSiliconVia)：在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术。　　SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E(第五代HBM产品)都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片，但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑(Logic)工艺。若在基础裸片采用超细微工艺可以增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化(Customized)HBM产品。　　与此同时，双方将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS**技术融合，共同应对HBM相关客户的要求。　　** CoWoS(ChiponWafer onSubstrate)：台积电独有的制程工艺，是一种在称为硅中阶层(Interposer)的特殊基板上搭载并连接GPU、xPU等逻辑芯片和HBM的封装方式。其技术在2D封装基板上集成逻辑芯片和垂直堆叠(3D)的HBM，并整合成一个模组，因此也被称为2.5D封装技术 。　　SK海力士AI Infra担当社长金柱善表示：“通过与台积电的合作伙伴关系，公司不仅将开发出最高性能的HBM4，还将积极拓展与全球客户的开放性合作(OpenCollaboration)。今后，公司将提升客户定制化存储器平台(CustomMemoryPlatform)的竞争力，以巩固公司‘面向AI的存储器全方位供应商’的地位。”　　台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示：“多年来，台积电与SK海力士已经建立了稳固的合作伙伴关系。通过与此融合了最先进的逻辑工艺和HBM产品，向市场提供了全球领先的AI解决方案。展望新一代HBM4，我们相信两家公司也通过密切合作提供最佳的整合产品，为我们的共同客户开展新的AI创新成为关键推动力。”
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发布时间：2024-04-19 11:03 阅读量：638 继续阅读>>
三星独家供货英伟达12层<span style='color:red'>HBM</span>3E内存
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三星独家供货英伟达12层HBM3E内存

　　据媒体报道，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E，后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。在日前的GTC 2024中，黄仁勋曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证(JENSEN APPROVED)"的签名。SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。　　今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H(12层堆叠)HBM3E DRAM内存。　　据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。　　同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。　　在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。　　据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20 petaflops的AI性能。
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发布时间：2024-03-25 16:30 阅读量：801 继续阅读>>
三星发布其首款36GB <span style='color:red'>HBM</span>3E 12H DRAM
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三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM

　　三星电子宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。目前，三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，预计于今年下半年开始大规模量产。　　据介绍，三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。相比HBM3 8H，HBM3E 12H搭载于人工智能应用后，预计人工智能训练平均速度可提升34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍¹。　　HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。据悉，HBM3E 12H产品的垂直密度比其HBM3 8H产品提高了20%以上。　　三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示，当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而新产品HBM3E 12H正是为了满足这种需求而设计的，这一新的存储解决方案是公司研发多层堆叠HBM核心技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。
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发布时间：2024-02-29 14:18 阅读量：1781 继续阅读>>
传英伟达向SK海力士和美光大量预购<span style='color:red'>HBM</span>3内存
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传英伟达向SK海力士和美光大量预购HBM3内存

　　据消息人士透露，英伟达除了大量预定台积电产能外，还投入了巨资以确保其 HBM3 内存的供应。该公司从美光和 SK 海力士那里预购了价值介于 700 亿至 1 万亿韩元的 HBM3 内存。虽然目前没有公开关于这些款项具体用途的信息，但业内人士普遍认为这是为了确保 2024 年 HBM 供应的稳定。　　此外，还有业内人士透露，三星电子、SK 海力士、美光三大存储公司明年的 HBM 产能已完全售罄。业内人士预计，在AI领域半导体公司的激烈竞争推动下，HBM市场有望在未来两年内迎来爆发式增长。　　据悉，英伟达正在筹备两款搭载HBM3E内存的新品：分别是配备高达141GB HBM3E内存的H200 GPU和GH200超级芯片。这两款产品的推出无疑将进一步提升英伟达对HBM内存的需求。　　H200 是目前世界上最强的 AI 芯片，也是世界上首款采用 HBM3e 的 GPU，基于 NVIDIAHopper 架构打造，与 H100 相互兼容，可提供 4.8 TB/s 速度。　　在人工智能方面，英伟达表示，HGX H200 在 Llama 2(700 亿参数 LLM)上的推理速度比 H100 快了一倍。HGX H200 将以 4 路和 8 路的配置提供，与 H100 系统中的软件和硬件兼容。它将适用于每一种类型的数据中心(本地、云、混合云和边缘)，并由 Amazon Web Services、Google Cloud、Microsoft Azure 和 Oracle Cloud Infrastructure 等部署，将于 2024 年第二季度推出。　　英伟达一直是人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域的领先者。英伟达的决策表明其对高带宽内存(HBM3)供应的重视，这将有助于确保其未来产品的高性能和竞争力。
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发布时间：2024-01-02 16:50 阅读量：1408 继续阅读>>
三星计划于2025年推出新一代内存<span style='color:red'>HBM</span>4
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三星计划于2025年推出新一代内存HBM4

　　三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。　　他透露，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF(非导电粘合膜)组装技术和HCB(混合键合)技术，以应用于该产品。　　此外，三星还计划提供尖端的定制交钥匙封装服务，公司今年年初为此成立了AVP(高级封装)业务团队，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。　　行业机构预测，2023年HBM需求量将年增58%，2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而备受青睐，存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。　　虽然HBM4技术将有重大突破，但它的推出时间并不会很快，因此讨论其应用和普及还为时过早。业内人士指出，当前HBM市场主要以HBM2e为主，未来HBM3和HBM3e将成为主流。　　据悉，HBM芯片是一种高带宽内存芯片，被广泛应用于高性能计算、数据中心、人工智能等领域。HBM芯片采用3D堆叠工艺，将多个DRAM芯片堆叠在一起，以实现更高的内存带宽和容量，同时减小了芯片面积，降低了功耗和成本。
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发布时间：2023-10-13 09:20 阅读量：1370 继续阅读>>

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