上海贝岭发动机点火<span style='color:red'>IGBT</span>车规级预驱芯片SAQ3100开始批量交付
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上海贝岭发动机点火IGBT车规级预驱芯片SAQ3100开始批量交付

　　引言　　聚焦汽车电子核心技术突破!上海贝岭开始批量交付车规级发动机点火IGBT专用栅极驱动芯片SAQ3100，为汽油燃油发动机动力系统安全稳定运行再添关键芯片保障!　　PART.1 概述　　该芯片专为发动机点火IGBT驱动场景定制开发，核心优势显著：不仅能精准实现IGBT通断控制，更集成线圈电流精准调控、火花事件抑制等核心功能，为汽油燃油发动机动力系统提供可靠的芯片级支撑。较传统分立驱动方案，具有体积小、集成保护功能等优势。图1 点火IGBT分立与集成驱动方案比较　　作为发动机点火系统的“核心控制中枢”，SAQ3100控制原理是：当输入信号为高电平时，芯片即刻启动输出驱动IGBT，同步开启线圈充电流程;通过RA引脚的可编程电流设计，可灵活调控输入引脚电流(IIN)，精准适配不同场景需求，实现充电过程的精细化管控。　　为保障复杂车载环境下的稳定运行，SAQ3100内置多重防护与优化设计：　　•输入尖峰滤波　　内置输入尖峰滤波器，可精准过滤持续时间<13微秒的干扰信号，有效规避误触发风险，大幅提升信号传输稳定性;　　•可编程驻留时间控制　　集成最大驻留时间计时器，若输入信号持续时间超设定阈值，将自动关闭IGBT;驻留时间可通过CSSD引脚外接电容灵活调节，完美适配不同车型点火系统需求;　　•软关断抑火花　　当计时超最大驻留时间后，芯片自动进入软关断模式(SSD)——通过逐步降低IGBT栅极电压，缓慢减小集电极电流，实现线圈平稳放电，从根源上抑制火花事件;此过程中将暂时忽略输入信号变化，确保软关断流程稳定完成;　　•集电极电流限制　　充电过程中，通过点火IGBT发射极的感应电阻采集信号，经VSENSE引脚输入芯片后，可精准限制IGBT集电极电流(Ic)，进一步筑牢点火系统安全防线。　　PART.2 重要参数　　•车规标准：AEC-Q100, Grade-0　　•环境温度：-40℃~150℃，适配机舱高温恶劣环境　　•输入电压：4~26VDC　　•输出电压：6.5VDC　　•ESD能力：2kV　　•封装形式：SOP8　　PART.3 典型应用　　结合功能特性，SAQ3100典型应用场景广泛，涵盖：汽车传统汽油发动机点火IGBT预驱、增程发动机点火IGBT预驱、摩托车发动机点火IGBT预驱、汽油发电机点火IGBT预驱等。典型应用电路如下：图2 SAQ3100典型应用电路　　值得一提的是，依托已批量销售的BLG3040、BLQ3040A等发动机点火IGBT系列产品，上海贝岭已构建起汽车发动机点火应用的组合产品方案，可为客户提供“一站式”选型服务，大幅提升客户效率与便利性。表1 上海贝岭汽车发动机点火应用相关产品信息
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发布时间：2026-01-21 13:17 阅读量：374 继续阅读>>
长晶科技|卓越FST 3.0 <span style='color:red'>IGBT</span>平台模块赋能光伏储能领域
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长晶科技|卓越FST 3.0 IGBT平台模块赋能光伏储能领域

　　随着全球能源转型的加速，光伏发电与储能系统已成为构建新型电力系统的关键。作为电力电子系统的 “核心心脏” 与 “智能开关”，功率IGBT模块的性能直接决定了整个系统的效率、可靠性及综合成本。　　长晶科技基于FST G3.0工艺平台推出IGBT半桥模块，优化器件在导通损耗和开关损耗表现的综合性能，保证恶劣环境下的运行可靠性，为光伏逆变器、PCS 等应用场景提供高效率、强稳定性的核心技术支撑。　　01 产品介绍　　长晶科技推出的1200V IGBT半桥模块系列，包含450A、600A与900A三种电流规格，搭载自主研发的FST 3.0 IGBT芯片，具有高功率密度、低损耗及高可靠性的特点，可全面覆盖光伏储能系统需求。　　同时长晶科技与国内头部驱动厂商合作推出按产品参数特性定制的驱动板，可提供配合调试支持服务。　　02 电性参数　　长晶科技1200V IGBT半桥模块产品具有卓越的性能设计　　◆ 针对开关特性，通过优化栅电荷(Qg)，实现了开关应力与损耗之间的平衡，提升不同栅极驱动设计的兼容性，并减轻散热系统承受的压力。　　◆ 针对通态性能，产品在高温下表现出显著的低VCE(sat)，在系统运行时转化为更低的导通损耗。　　◆ 综合芯片选用条件，表现出更低的FOM值(定义见下图)，性能优秀同时兼具成本优势。FOM值定义 = VCE(sat)[V] · Eoff[mJ] · Active Area[cm2]　　03 竞争优势　　1.饱和降压　　长晶科技FST 3.0 IGBT采用先进的微沟槽栅(1.6μm Pitch)场截止结构，发射极效率优化，有效提升了功率密度。　　同测试平台条件下，VCE(sat)基本达到国际主流友商第七代产品优秀水平，高电流900A产品MCF900N120T3E3较竞品饱和压降降低5%~6%，实现高温系统下优异的通态损耗性能。　　2.关断损耗　　基于同平台双脉冲测试得到TJ=150℃时的关断损耗Eoff，结果如下图所示。　　测定条件：VCE=600V, IC=450A,Rg=1.3 Ω, VGE=±15V, Inductive Load　　测定条件：VCE=600V,IC=600A,Rg=7Ω, VGE=±15V, Inductive Load　　长晶FST 3.0 IGBT在高温条件下实现了开关应力与关断损耗之间的平衡，这一特性确保了模块在光伏储能系统特定工况下的运行效率与长期稳定性。　　长晶科技将致力于高效功率模块的研发与创新，持续推动电力电子系统朝着更小尺寸、更高效率、更可靠稳定且更具成本竞争力的方向不断升级!
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发布时间：2026-01-13 14:39 阅读量：357 继续阅读>>
火热报名中！罗姆车载应用端的低压MOSFET和高压<span style='color:red'>IGBT</span>
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火热报名中！罗姆车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT

　　罗姆的产品体系丰富全面，涵盖小信号、低压及高压MOSFET等多种类型，能够精准匹配并满足不同市场的多样化需求，其应用场景广泛，涉及工控、光伏以及车载等关键领域。　　本次将重点为大家介绍罗姆专为汽车应用打造的低压MOSFET与高压IGBT产品。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　- MOSFET系列产品　　1. 封装技术发展及介绍　　2. 产品阵容及封装优势　　3. 全球化生产及产能布局　　- IGBT系列产品　　1. 产品发展路线图　　2. 产品阵容及封装优势　　二、研讨会主题　　车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT　　三、研讨会时间　　2026年1月21日上午10点　　四、研讨会讲师倪敏(高级经理)　　2010年加入罗姆，现任罗姆半导体(上海)有限公司 中国技术中心高级经理。 统管中国华东区车载功率器件的技术支持团队。　　多年来负责中国区大客户的技术支持和应用解决方案提供，并在车载市场，有着丰富经验。特别对功率器件相关行业有深入了解和独特见解，曾多次在各种电子行业大型展会以及专业技术研讨会上发表技术报告。2021年6月Bodo's功率系统封面故事中发表《Hybrid IGBT在图腾柱PFC中的应用》。　　相关产品页面：　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/d55b1db91ee7385d739f4192ec1a0b1e/mid/858　　· 实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/6aa5e3445235ef744f85ce2c43ff6290/mid/858　　· MOSFET产品列表：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/93367cfdb506c0187bbd05b16b1f2f69/mid/858　　· IGBT产品列表：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/fb4747ae60a02064853d185b8304a15e/mid/858　　相关产品资料　　面向车载应用的产品目录:https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250317/3a8104a096ca6d2a3921557a3300518a.pdf　　晶体管的种类和特征:https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20240710/153c68e9e5a02025c88252f3c3516b00.pdf　　罗姆功率半导体产品概要:https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250122/b6f2be0a6c2155a4e0d393fef33533cc.pdf
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发布时间：2026-01-08 15:35 阅读量：361 继续阅读>>
士兰微新品 | D6封装FS5+ <span style='color:red'>IGBT</span> 1400V600A INPC三电平模块
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士兰微新品 | D6封装FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块

　　新品　　士兰微电子推出新一代组串电站逆变模块解决方案，采用与国际TOP友商最先进芯片技术对标的FS5+ IGBT芯片技术，最大化光伏电能转换效率;搭配士兰自主开发的D6封装，全面支持2000V系统应用需求。　　产品型号　　SGM600TL14D6TFD　　产品拓扑　　产品特点　　采用FS5+ 1400V IGBT 技术，损耗低，效率高，降低系统成本　　长时持续运行工况Tjop 175℃　　集成1400V SiC SBD　　1.1倍标称BV下限管控，适配于工业新能源应用　　5000m海拔下，安规满足2kV系统电压要求，封装可兼容PV输入1500V系统和PV输入2000V系统　　采用最优的封装技术及材料，满足长时175℃高可靠性要求　　高功率密度，高效率，模块支持输出功率高　　有一体焊接针和压接针两种方案可选，满足不同客户的安装要求　　应用领域　　光伏　　储能　　开发背景　　光伏电站的BOS成本逐年下降，为降低光伏电站的BOS成本，行业主要围绕两大技术路径持续优化：一是提升逆变器单机功率，以减少设备数量、节约安装空间;二是增加组件串联数量，以提升直流侧电压、节省线缆并减少逆变器用量。在此趋势下，士兰微电子自主开发了新一代功率模块，具备高功率密度、低运行损耗和高可靠性等优势，可有效支持高电压、大功率逆变器的技术进阶，助力光伏产业持续降低BOS成本，推动行业向更高效、更经济的方向发展。
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发布时间：2025-12-19 11:02 阅读量：517 继续阅读>>
上海贝岭650V FBL系列<span style='color:red'>IGBT</span> 赋能伺服控制器
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上海贝岭650V FBL系列IGBT 赋能伺服控制器

　　一、概述　　中国产业升级持续提速，制造业智能化、自动化迈入新阶段，市场对高精度电机控制器的需求日益迫切。伺服控制器作为精准控制与自动化生产的核心部件，其市场规模正随产业升级浪潮持续扩大。在机器人等热门领域，高性能伺服控制器是实现设备精准动作、复杂任务执行的关键支撑。功率器件作为伺服控制器的核心组成，直接决定产品的功率输出、控制精度与运行可靠性。依托多年设计与生产积淀，上海贝岭针对性优化产品参数，面向高性能伺服控制器场景推出 650V FBL 系列 IGBT 产品。该系列产品电流等级覆盖 8A-30A，可充分匹配伺服控制器的核心性能需求。　　二、伺服控制器应用拓扑　　伺服控制器的控制核心基于闭环反馈控制，微处理器(MCU)通过实时对比上位机给出的指令信号和电流、位置传感器反馈的电流、位置信号，动态调节输出功率，使得电机能够精准执行位置、速度或力矩指令。由隔离驱动器驱动和六颗绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)组成的三相逆变桥是精准控制的核心。图1 伺服控制器拓扑图　　三、贝岭IGBT技术平台　　650V FBL系列产品基于贝岭G2 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的4代产品工艺，采用微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，使得产品在导通压降Vce(sat) 与开关损耗Esw之间取得良好折衷，以及优秀的短路能力;终端采用优化的“FLR+场板技术”，可实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。　　四、650V FBL系列产品核心优势　　能效领跑——低饱和压降Vce(sat)和低正向压降VF　　在伺服控制器应用中，典型开关频率范围为8-16kHz，IGBT和与其并联的快恢复二极管(Fast Recovery Diode, FRD)的导通损耗Econ占器件总体损耗的比例较高。IGBT的导通压降Vce(sat)和FRD的正向压降VF是影响导通损耗Econ的关键参数。图2和图3分别展示了在节温25℃和125℃时，贝岭 FBL系列产品和市场主流IGBT系列产品导通压降Vce(sat)典型值的对比;图4和图5分别展示了在节温25℃和125℃时，FRD正向压降VF典型值的对比。在常温，高温下，贝岭 FBL系列产品的IGBT饱和压降和FRD正向压降均优于竞品，可直接减少伺服控制器导通损耗，不仅能降低设备运行时的能耗成本，还能减轻散热模块负担，缩小设备体积，延长整机寿命，提高系统可靠性。图2 25℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比图3 125℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比　　*数据测试条件为相同封装，栅-发射极电压Vge为15V，测试电流Ic为各产品标称电流值图4 25℃时 FRD正向压降VF典型值对比图5 125℃时 FRD正向压降VF典型值对比　　*数据测试条件为相同封装，测试电流IF为各产品标称电流值　　动态性能升级——低开关损耗Esw　　IGBT作为开关器件，其在应用中的开关损耗也不容忽视，图6 展示了在节温25℃时，贝岭FBL系列产品与竞品的开关损耗对比。在器件开通时刻电压压摆率相同的条件下，贝岭 FBL系列产品的开关损耗与竞品接近，其中10A 和30A 产品更具优势，可更好地适配伺服控制器高频开关需求，使得电机启停、转速调节响应更快，设备执行精准动作时更流畅，减少控制偏差。图6 25℃时 IGBT开关损耗对比　　*数据测试条件为相同封装，栅-发射极电压Vge为15V/0V，测试电流Ic为各产品标称电流值，相同开通电压压摆率　　抗短路能力强劲——超长耐受　　贝岭650V FBL系列IGBT产品针对伺服控制器应用，着重优化器件的短路耐受能力，器件可在高栅极驱动电压(18V)和高节温(175℃)的双高条件下，依旧维持较长的短路时长，保障伺服控制器的安全运行。图7展示了BLG30T65FBL在420V 母线电压下(栅极驱动电压18V、节温175℃)，器件短路耐受波形。即便在高温、高电压的恶劣工况下，也能避免器件因短路损坏，减少伺服控制器突发停机，降低产线运维成本。图7 BLG30T65FBL高温、高栅压下短路耐受波形　　五、贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭针对伺服控制器、通用变频器、工业缝纫机、跑步机、通用风机、园林工具等应用设计有多条650V IGBT产品线，涵盖电流等级8A-80A器件，欢迎垂询!具体型号参考表1。在高压伺服驱动器中，除了核心的功率器件，高效可靠的电源管理和信号处理芯片同样是确保系统稳定、可靠运行的关键，上海贝岭可提供电机控制相关的完整配套解决方案，具体型号参考表2。表1 功率器件选型列表表2 贝岭电机控制系统选型列表
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发布时间：2025-12-02 11:36 阅读量：492 继续阅读>>
不同因素对<span style='color:red'>IGBT</span>温敏参数dv/dt有什么影响
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不同因素对IGBT温敏参数dv/dt有什么影响

　　绝缘栅极双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称 IGBT)作为一种重要的功率半导体器件，在现代电力电子系统中发挥着关键作用。在实际应用中，IGBT 的温敏参数 dv/dt 影响了器件的开关速度和稳定性。本文将探讨不同因素对 IGBT 温敏参数 dv/dt 的影响，并分析其在电力电子领域中的重要性。　　1. IGBT 温敏参数 dv/dt 的定义　　在 IGBT 工作过程中，dv/dt 是指栅源电压(Gate-Source Voltage)随时间的变化率，即斜率。温敏参数 dv/dt 表示了 IGBT 在不同温度下对斜率变化的敏感程度，通常会影响到器件的耐受能力、开关速度以及噪声等性能。　　2. 结构设计对 dv/dt 的影响　　IGBT 的结构设计是影响其温敏参数 dv/dt 的重要因素之一。以下是几个主要方面：　　2.1 掺杂浓度：掺杂浓度的变化会影响 IGBT 的电场分布和载流子输运特性，从而对 dv/dt 产生影响。　　2.2 漏极区域：漏极区域的结构设计对电场分布和损耗情况有较大影响，进而影响了 dv/dt 参数的表现。　　2.3 网格结构：IGBT 栅极网格结构的设计也会对电场分布和响应速度产生重要影响，进而影响温敏参数 dv/dt 的性能。　　3. 材料属性对 dv/dt 的影响　　IGBT 的材料属性是决定器件性能的关键因素之一，对温敏参数 dv/dt 也有显著影响。　　3.1 半导体材料：IGBT 的半导体材料的选择直接影响了器件的导电性能和电场分布特性，从而影响 dv/dt 参数的表现。　　3.2 绝缘层材料：绝缘层材料的性能和质量对于电场分布和漏电流的抑制起着重要作用，进而影响了温敏参数 dv/dt 的性能。　　4. 工作条件对 dv/dt 的影响　　IGBT 在不同工作条件下，其温敏参数 dv/dt 的表现也会有所差异。　　4.1 温度：是最主要影响 IGBT 温敏参数 dv/dt 的因素之一。随着温度升高，器件特性可能发生变化，导致 dv/dt 参数受到影响。　　4.2 工作频率：高频率的工作条件下，IGBT 开关速度要求更高，对 dv/dt 的敏感度也会增加，需要更高的性能来保证器件稳定可靠地工作。　　5. 外部环境对 dv/dt 的影响　　外部环境因素也会对 IGBT 温敏参数 dv/dt 产生影响。　　5.1 湿度：高湿度环境可能导致器件绝缘层性能下降，导致电场分布不均匀和漏电流增加，进而影响了 dv/dt 参数的稳定性。　　5.2 电磁干扰：强电磁干扰环境下，可能会产生额外的噪声和干扰，影响 IGBT 的工作状态和敏感度，从而对温敏参数 dv/dt 造成影响。　　6. 综合影响分析和应对措施　　综合考虑以上因素对 IGBT 温敏参数 dv/dt 的影响，可以通过以下措施来应对：　　6.1 优化结构设计：在设计阶段注重优化结构设计，提高器件的耐受能力和响应速度，降低温敏参数 dv/dt 的波动性。　　6.2 选择合适材料：合理选择半导体材料和绝缘层材料，确保其性能符合要求，以降低温度和外部环境变化对 dv/dt 的影响。　　6.3 控制工作条件：在实际应用中，控制器件的工作温度、频率和电压范围，使其处于合适的工作条件下，减小 dv/dt 参数的波动和不稳定性。　　6.4 环境监测与保护：对环境因素进行监测和评估，采取有效的绝缘和防护措施，保持器件在良好的工作环境下，减少外部环境因素对 dv/dt 参数的干扰。　　IGBT 温敏参数 dv/dt 是影响器件稳定性和性能的重要指标之一，在实际应用中需要充分考虑各种因素对其影响。通过优化结构设计、选择合适材料、控制工作条件和做好环境监测与保护等措施，可以有效降低温敏参数 dv/dt 的波动性，提高器件的可靠性和稳定性。
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发布时间：2025-11-14 14:48 阅读量：582 继续阅读>>
上海贝岭安规级<span style='color:red'>IGBT</span>功率器件通过UL1557认证！
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上海贝岭安规级IGBT功率器件通过UL1557认证！

　　近日，上海贝岭自主研发的安规级IGBT功率器件-BLG15T65FUA系列产品成功通过UL1557认证。这一突破标志着产品在安全性、可靠性表现上达到了先进水平，为进军高端安规级工业市场拿到了关键“通行证”，为电力电子设备的安全稳定运行注入强劲信心。　　详细介绍　　UL1557认证：功率半导体器件的"安全证书"　　UL1557认证是美国保险商实验室专门针对半导体器件安全制定的认证标准。该认证通过对产品的架构设计、材料选择、制造工艺等多个维度进行严格测试评估，确保产品在过流、过压、过热等极端条件下仍能保持安全可靠。　　BLG15T65FUA系列：性能与安全的完美融合　　本次通过认证的BLG15T65FUA系列绝缘栅双极晶体管，不仅满足UL1557认证的严格要求，更在性能参数上表现出色：：　　高耐压能力：650V耐压等级，适应严苛工作环境　　低导通损耗：优化器件结构，显著降低导通压降;　　快速开关特性：提升系统效率，减少开关损耗;　　宽安全工作区：确保在复杂工作条件下稳定可靠　　应用价值：为多个领域注入新动力　　BLG15T65FUA系列获得UL1557认证，将为以下应用领域带来更可靠的选择：　　新能源领域：光伏逆变器、风电变流器　　工业控制：电机驱动、变频器、UPS电源　　智能家电：变频空调、冰箱、洗衣机　　展望未来　　BLG15T65FUA系列通过UL1557认证，是上海贝岭在功率半导体领域的重要里程碑，更是持续追求卓越的新起点。未来，上海贝岭将继续践行用“芯”创造美好生活的使命，为客户提供更安全、更可靠、更高效的半导体解决方案。
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发布时间：2025-11-03 10:22 阅读量：740 继续阅读>>
上海贝岭650V80A <span style='color:red'>IGBT</span>在光伏逆变器上的应用
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上海贝岭650V80A IGBT在光伏逆变器上的应用

　　当今世界的主要能源来源还是化石能源，而化石能源在使用后会排出大量的污染物，严重影响到人类的健康问题。太阳能因其取之不尽用之不竭且无环境污染等优点，已经成为人类追求新能源的首选;太阳能的应用非常广泛，其中最主要的发电应用有光热发电、光伏发电等;在太阳能的多种应用中，光伏发电是目前世界上最为普遍的一种方式。　　光伏逆变器是太阳能发电系统的心脏，它将太阳能电池板产生的直流电转化为符合电网电能质量要求的交流电，其性能直接影响发电效率、电网兼容性和系统可靠性。　　绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点，具有大电流、高电压、易驱动等良好的特性，广泛应用于光伏逆变器。上海贝岭一直积极研发新一代的IGBT技术，为满足市场终端需求，推出650V/80A IGBT单管BLG80T65FDH7，助力客户光伏逆变器应用高效率、高可靠性设计。　　典型应用拓扑　　上海贝岭IGBT单管BLG80T65FDH7，额定电流80A，耐压650V，对目前主流户用光伏逆变器拓扑Heric等都有很好的匹配， 同时也适用于三相NPC1和NPC2(横管)的应用。　　表1 主流光伏逆变拓扑　　BLG80T65FDH7 产品特点　　上海贝岭BLG80T65FDH7采用新一代微沟槽多层场截止IGBT技术，通过微沟槽结构增加载流子注入效率，优化导通压降;场截止层加速关断时的载流子抽取，降低开关损耗;多层场截止结构提高高温稳定性;同时内部采用超快速软恢复二极管进行反并联。技术特性精准匹配光伏逆变器对高效、高频、高可靠性的需求。　　性能特点：　　优化开通损耗和关断损耗，开关频率高　　低导通压降Vce(sat)，减小器件的导通损耗　　Vce(sat)正温度系数，易于并联使用　　高BVces耐压能力　　低VF和快软恢复二极管　　HV-H3TRB加严可靠性验证，保证极端运行环境下使用寿命　　符合175℃结温的工业级和车规级考核标准　　BLG80T65FDH7 产品核心优势　　4.1 效率优势——低饱和压降Vce(sat)　　光伏应用中IGBT的导通损耗占总损耗比例较大，影响导通损耗的主要参数为VCE(sat)，常温25℃和高温175℃下贝岭BLG80T65FDH7导通压降达到国际大厂水平，且比竞品略低。且随着结温上升，VCE(sat)正温度系数，有利于解决并联应用中的均流和热平衡问题。　　图4.1 VGE=15V 饱和压降对比　　4.2 动态性能升级——低开关损耗　　在光伏逆变应用中，单管IGBT一般设计工作在20kHz左右，并且有高频化的趋势，因此降低IGBT开关损耗也尤为重要，上海贝岭BLG80T65FDH7降低导通压降，同时优化了开关损耗，如图4.2所示， BLG80T65FDH7开启损耗和竞品相差不大，关断损耗比竞品略低，总开关损耗略小于竞品，性能达到国际大厂 S5系列水平。　　图4.2 IGBT开关损耗对比　　4.3 IGBT合封二极管——较低VF 和Qrr　　BLG80T65FDH7合封较低VF的二极管，有利于降低二极管续流过程的导通损耗。如表2所示，贝岭IGBT合封二极管VF和竞品相差不大。　　表2 IGBT合封二极管压降对比　　相同测试条件下，BLG80T65FDH7合封二极管 Qrr比竞品更小，在高频应用中损耗更小，更有优势。　　图4.3 IGBT合封二极管Qrr对比　　4.4 温升表现良好——板级温升测试　　上海贝岭BLG80T65FDH7基于优异的器件设计，各项参数和功率器件国际大厂I公司接近，部分参数更优，为光伏应用通过系统测试提供了保障。如图4.4，在常温环境下，上海贝岭BLG80T65FDH7和I公司产品在10kW光伏逆变平台测试，壳温基本一致，产品性能满足客户的需求。　　图4.4 IGBT壳温对比　　上海贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭功率器件产品系列齐全，包括MOSFET、IGBT等产品，满足客户各类光伏逆变器设计需求，具体型号参考表3：　　表3 功率器件选型表　　上海贝岭IC器件选型方案　　上海贝岭在光伏逆变器领域产品配套齐全，除功率器件以外，还可以提供各类电源管理IC和信号链IC供客户选择，具体型号参考表4：　　表 4 IC器件选型表
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发布时间：2025-08-06 16:05 阅读量：845 继续阅读>>
硅<span style='color:red'>IGBT</span>与碳化硅MOSFET的优缺点
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硅IGBT与碳化硅MOSFET的优缺点

　　随着电力电子技术的不断发展，硅IGBT和碳化硅MOSFET作为主要功率开关器件，在电力变换、驱动等领域都扮演着重要角色。两者在性能、功耗、效率等方面有着不同特点，本文将探讨硅IGBT和碳化硅MOSFET的特性，并对它们的优缺点进行详细对比分析。　　1. 硅IGBT的优缺点　　优点：　　低导通压降：硅IGBT具有较低的导通压降，能够减少功耗和散热需求。　　稳定性强：在高温、高电压条件下仍能保持稳定工作。　　成熟技术：已经经过长期发展和改进，技术相对成熟，生产工艺稳定。　　缺点：　　开关速度慢：IGBT的开关速度较慢，导致在高频应用中性能受限。　　功耗较高：由于导通压降存在，会产生一定的功耗损耗。　　温升较高：在高负载情况下容易产生较高的温度升高，需要额外散热处理。　　2. 碳化硅MOSFET的优缺点　　优点：　　高开关速度：碳化硅MOSFET具有极快的开关速度，适合高频应用。　　低导通损耗：由于导通特性优秀，功耗损耗较低。　　低温升：在高负载情况下温升较低，对散热要求不高。　　缺点：　　价格较高：碳化硅器件相对硅IGBT价格较高，成本较大。　　新技术：相对硅IGBT，碳化硅器件的生产工艺和技术较新，仍在不断完善中。　　抗干扰能力差：对于电磁干扰的抵抗能力相对较弱。　　3. 对比分析　　性能比较：　　开关速度：碳化硅MOSFET具有更快的开关速度，适合高频应用;而硅IGBT则速度较慢。　　功耗：在功耗方面，碳化硅MOSFET表现较优，而硅IGBT存在一定的功耗损失。　　稳定性：硅IGBT在高温高压条件下的稳定性较好，而碳化硅MOSFET则更适合高频、高效率应用。　　成本和可靠性：　　成本：硅IGBT的成本相对较低，技术相对成熟，生产规模大;而碳化硅MOSFET的价格较高，因为生产工艺和材料技术要求较高。　　可靠性：硅IGBT在长期应用中表现出稳定的可靠性，且故障率较低;碳化硅MOSFET作为新技术，其长期稳定性尚待进一步验证。　　应用领域：　　硅IGBT：电力电子、工业变频器、风力发电等领域，对稳定性和成本要求较高。　　碳化硅MOSFET：高频变换器、电动汽车驱动系统、太阳能逆变器等需要高效率、高频率开关的领域。
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发布时间：2025-06-06 11:31 阅读量：1456 继续阅读>>
捷捷微电MOSFET&<span style='color:red'>IGBT</span>双杀，微型逆变器效率狂飙200%
行业新闻

捷捷微电MOSFET&IGBT双杀，微型逆变器效率狂飙200%

　　微型逆变器作为光伏发电系统的核心组件，其性能与功率器件的选型密切相关。捷捷微电针对不同功率需求，提供了基于MOSFET和IGBT的多样化解决方案。本文结合两种典型架构，分析其器件选型特点及适用场景。　　宽功率范围(250W-2000W)　　架构1采用MOSFET实现高效调制，覆盖功率范围广，支持反激拓扑等设计。关键器件参数如下：　　特点：　　高压MOSFET(650V)：如JMH65R系列，支持高功率密度设计，适用于调制电路。　　低压低阻MOSFET(150V)：如JMSH15系列，导通电阻低至9.9mΩ，优化反激拓扑效率。　　针对高功率段(>800W)，架构1引入IGBT以降低导通损耗，提升系统可靠性：　　特点：　　高耐压(650V)与低饱和压降(1.7V)，平衡开关损耗与导通性能，适用于高频调制场景。　　中低功率范围(250W-800W)　　架构2专注于中低功率段，采用全桥拓扑设计，全系使用MOSFET以实现更高效率：　　特点：　　低压MOSFET(80V)：如JMSL/JMSH系列，导通电阻低至2.4mΩ，支持全桥拓扑的高频开关需求。　　紧凑封装(TO-252/PDFN)：优化空间布局，适配小型化设计。　　对比与选型建议　　功率覆盖：　　架构1(250W-2000W)：MOSFET+IGBT组合，适合宽范围功率需求，高功率段依赖IGBT的低损耗特性。　　架构2(250W-800W)：全MOSFET方案，以高集成度满足中低功率场景。　　拓扑适配：　　架构1支持反激拓扑，架构2适配全桥拓扑，需根据系统设计要求选择。　　效率与成本：　　低压MOSFET(如80V/150V)在低功率段效率更优，而IGBT在高功率段更具成本效益。　　捷捷微电始终致力于为工程师伙伴提供更灵活、更贴心的产品选择。无论是中小功率的轻量化设计，还是高功率场景下的稳定需求，我们通过多样化的MOSFET与IGBT组合方案，让您能够轻松匹配项目中的功率目标、电路结构以及成本规划。选型时，只需聚焦核心需求——高效率的MOSFET可赋能轻载场景，而高可靠性的IGBT则能扛起大功率重任。两种技术路线相辅相成，助您在性能与成本之间找到最优解，让每一款微型逆变器都能高效运行、长久稳定。
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发布时间：2025-05-30 10:13 阅读量：1218 继续阅读>>

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