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永铭电容器为英飞凌Cool<span style='color:red'>MOS</span>™ 8赋能：提升服务器性能的强劲后盾

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永铭电容器为英飞凌CoolMOS™ 8赋能：提升服务器性能的强劲后盾

　　01、英飞凌推出CoolMOS™ 8硅基MOSFET　　随着电力电子技术的进步，高效能和高功率密度解决方案的需求不断增加。英飞凌新推出的CoolMOS™ 8相较CoolMOS™ 7，显著提升了功率密度和效率，关断损耗降低10%、输出电容减少50%、热阻降低14%，在数据中心和可再生能源等领域表现出色。　　02、永铭电容器在服务器中的应用　　在数据中心中，电源效率和散热性能是提升系统整体性能的关键因素。使用英飞凌CoolMOS™ 8所设计的2.7kW PSU评估板专为数据中心服务器打造，凭借卓越的低功耗和出色的散热表现，为数据中心提供了高效的电源解决方案。　　为实现最佳的电源管理效果，电容器性能同样重要。永铭电容器在服务器电源应用中可提供以下支持：　　输入端(AC部分)解决方案：永铭液态牛角铝电解电容器CW3 450V 1200μF产品拥有大容量储能的同时还具备小尺寸的卓越优势，能够完美嵌入数据中心服务器电源方案中。　　输出端解决方案：永铭导电聚合物固态铝电解电容器NPL 16V 390μF产品，其低ESR和高频性能，能够快速响应电流变化，降低噪声并提升服务器效率。　　03、结语　　永铭电容助力英飞凌CoolMOS™ 8功率器件，显著提升服务器运行效率和速度。上海永铭电子不仅提供高品质的电容产品，还为客户提供全面的电容技术支持，以上产品已实现批量生产，确保快速供货能力。

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永铭电容器

发布时间：2024-09-03 09:51 阅读量：295 继续阅读>>

罗姆第4代SiC <span style='color:red'>MOS</span>FET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型

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罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型

　　日前，搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这款功率模块经由罗姆和正海集团的合资公司—上海海姆希科半导体有限公司批量供货给吉利旗下Tier1厂商——宁波威睿电动汽车技术有限公司。　　吉利和罗姆自2018年以来持续开展技术交流，并于2021年缔结了以SiC功率器件为核心的战略伙伴关系，合作至今。这次，作为合作成果，上述3种车型的主机逆变器搭载了罗姆的SiC MOSFET。无论哪种车型，以SiC MOSFET为核心的罗姆电源解决方案都将有助于延长车辆续航距离以及提高性能。　　罗姆正在推进SiC器件的开发，计划于2025年推出第5代SiC MOSFET，同时也提前了第6代及第7代产品的市场投入计划。并且，通过构筑SiC供应体制，实现以裸芯片、分立器件和模块等各种形态供货，从而促进SiC的普及，为实现可持续发展社会做出贡献。　　关于采用了罗姆“EcoSiC™”的极氪车型极氪的“X”车型虽然是小型SUV，但最大输出功率300kW以上，续航距离400km以上，性价比高，在中国以外的地区也受到关注。另外，小型货车类型的“009”除了智能驾驶舱之外，还搭载了140kWh的大容量电池，最大续航距离达822km。并且，作为旗舰车型的运动旅行车类型的“001”，由于双电动机最大输出达400kW以上，续航距离超580km，拥有4轮独立控制机构等，作为高性能EV被广泛关注。　　关于极氪极氪是浙江吉利控股集团有限公司旗下高端智能电动品牌，2021年3月，浙江极氪智能科技有限公司成立。极氪是一家以智能化、数字化、数据驱动的智能出行科技公司，秉承用户型企业理念，聚焦智能电动出行前瞻技术的研发，构建科技生态圈与用户生态圈，以“共创极致体验的出行生活”为使命，从产品创新、用户体验创新到商业模式创新，致力于为用户带来极致的出行体验。极氪的诞生区别于传统造车与新势力模式，实现智能纯电的快速进化，开拓纯电发展第三赛道的“极氪模式”。极氪致力于建立新型用户关系，实现与用户共创，根据用户需求与创造力得以持续进化，实现企业与用户平等融合。　　更多信息请访问网站：https://www.zeekrlife.com/　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信器等的众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括SiC功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。欲了解更多信息，请访问罗姆官网(https://www.rohm.com.cn/)　　市场背景与第4代SiC MOSFET 近年来，为了实现“碳中和”和其他减轻环境负荷的目标，就需要进一步普及下一代电动汽车(xEV)，这就推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车(EV)领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的主驱逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对SiC功率元器件寄予厚望。　　罗姆于2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来，作为SiC元器件领域的领军企业，一直在推动先进产品的技术开发。目前，罗姆将这些SiC元器件命名为“EcoSiC™”品牌，并正在不断扩展其产品群。目前不仅可提供裸芯片，还可提供分立封装和模块等多种形态产品。欲了解更多信息，请访问罗姆官网上的SiC介绍页面(https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices)。　　关于罗姆的EcoSiC™ EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　支持信息罗姆拥有在公司内部进行电机测试的设备，可在应用层面提供强力支持。此外，为了加快第4代SiC MOSFET的评估和应用普及，罗姆官网上还提供各种支持资源。通过下面的链接，可以查看SPICE模型等各种设计模型、主要应用的仿真电路(ROHM Solution Simulator)和评估板(Evaluation Board)等信息。　　https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet#supportInfo

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罗姆

发布时间：2024-08-30 11:34 阅读量：379 继续阅读>>

上海雷卯：<span style='color:red'>MOS</span>FET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥？

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上海雷卯：MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥？

　　作为上海雷卯电子的一名资深工程师，我经常被问及MOSFET器件的参数计算问题。在本文中，我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ(结温)、TA(环境温度)和TC(外壳温度)。　　1. MOSFET温度参数的重要性　　在电力电子应用中，温度是影响MOSFET性能和寿命的关键因素。过高的温度会导致器件性能下降，甚至损坏。因此，了解和计算这些温度参数对于确保MOSFET器件的稳定运行至关重要。　　2. 温度参数定义TJ、TA、TC　　l TJ(结温)(Junction Temperature)：是指 MOSFET 芯片内部 PN 结的温度。它是 MOSFET 工作时所能承受的最高温度限制，超过这个温度可能会导致器件性能下降、损坏甚至失效。　　l TA(环境温度)(Ambient Temperature)”，指 MOSFET 所处的周围环境的温度。　　TC(外壳温度)Case Temperature)：MOSFET外壳表面的温度。计算结温需要用到热阻参数，下面介绍热阻参数。　　3. 热阻定义及计算　　热阻(Rθ)是衡量热量传递难易程度的参数。　　l 结到壳的热阻(RθJC)：表示从 MOSFET 的结(Junction)到壳(Case)的热阻。　　l 壳到环境的热阻(RθCA)：表示从 MOSFET 的壳到周围环境的热阻。　　l 结到环境的热阻(RθJA)：RθJA = RθJC + RθCA。　　MOSFET 通常会给出结到壳(RθJC)、结到环境(RθJA)等热阻参数。热阻可以通过数据手册获取。　　4. TJ、TA、TC 三个温度参数关系　　TJ(结温)= TC(壳温)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC); 公式1　　TC(壳温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(壳到环境的热阻 RθCA);公式2　　代入公式1，综合可得：　　TJ(结温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC + 壳到环境的热阻 RθCA)　　其中功率损耗(Pd)主要由导通损耗和开关损耗组成。　　导通损耗 = I² × Rds(on) (其中 I 是导通电流，Rds(on) 是导通电阻)　　开关损耗的计算较为复杂，通常需要考虑开关频率、驱动电压等因素，并且可能需要参考 MOSFET 的数据手册提供的公式或曲线。　　5.温度计算实例　　以下为您提供几个 MOSFET 温度参数计算的实际案例：　　例一：　　一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.1Ω，导通电流 Id 为 10A，结到环境的热阻 RθJA 为 50°C/W，环境温度 TA 为 25°C。首先计算功率损耗：P = Id²×RDS(on) = 10²×0.1 = 10W　　然后计算结温：TJ = TA + P×RθJA = 25 + 10×50 = 525°C　　例二：　　另一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.05Ω，导通电流 Id 为 5A，结到壳的热阻 RθJC 为 2°C/W，壳到环境的热阻 RθCA 为 30°C/W，环境温度 TA 为 20°C。　　先计算导通损耗：P = Id²×RDS(on) = 5²×0.05 = 1.25W　　由于热阻是串联的，总热阻 RθJA = RθJC + RθCA = 2 + 30 = 32°C/W结温 TJ = TA + P×RθJA = 20 + 1.25×32 = 60°C　　例三：　　某 MOSFET 在高频开关应用中，开关损耗为 5W，导通损耗为 3W，结到环境热阻 RθJA 为 60°C/W，环境温度 TA 为 30°C。　　总功率损耗 P = 5 + 3 = 8W　　结温 TJ = TA + P×RθJA = 30 + 8×60 = 510°C　　6.结论　　通过上述计算，我们可以看到，MOSFET的结温可能达到非常高的水平。一般来说，MOSFET 所能承受的最高结温是有限制的，在设计和使用时，需要确保结温不超过这个极限值，因此，设计合适的散热方案和监控温度是至关重要的。作为上海雷卯电子的工程师，我们始终致力于提供高性能的MOSFET器件，并为客户提供准确的参数计算指导，以确保器件的长期稳定运行。　　请注意，本文中的计算仅为示例，实际应用中应根据具体的器件参数和工作条件进行计算。上海雷卯电子提供的器件数据手册和技术支持将帮助您更准确地进行温度参数的计算和评估。　　雷卯电子专业为客户提供电磁兼容EMC的设计服务，提供实验室做摸底免费测试，为客户高效，控本完成设计，能快速通过EMC的项目，提高产品可靠性尽力。

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MOSFET

发布时间：2024-08-23 11:15 阅读量：325 继续阅读>>

ROHM：支持PSIM™的第4代SiC <span style='color:red'>MOS</span>FET仿真模型

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ROHM：支持PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用的电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可从ROHM官网下载模型文件，轻松进行系统级评估。这一进展使得在更广泛的产业领域中进行高效设计和评估成为可能，并能进一步推动功率元器件的使用。　　PSIM™的特点　　稳健、高速的功率转换器和电机驱动仿真　　通过直观的GUI，轻松创建主电路和控制电路　　可与Altair多物理场仿真平台联动，比如可利用CFD耦合进行高保真度温度预测　　发布的产品

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ROHM

发布时间：2024-08-21 13:41 阅读量：358 继续阅读>>

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pmos管工作原理及详解

　　PMOS管是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的一种类型，属于场效应管。PMOS管在集成电路中具有重要作用，常用于数字电路和模拟电路中，广泛应用于逻辑门、存储器单元等电路中。　　1.工作原理　　1. 结构组成　　PMOS管由P型衬底(Substrate)、P型掺杂漏极(Source)、漏极(Drain)以及控制栅极(Gate)构成。在N型衬底上形成P型沟道，通过栅极施加电压来控制沟道导通情况。　　2. 原理简述　　沟道关闭状态：当栅极对源极施加正电压时，形成P-N结反向偏置，使得P型沟道被击穿，PMOS管截止。　　沟道导通状态：当栅极对源极施加负电压时，栅极与源极间的电场将P型沟道吸引，沟道形成导通通道，PMOS管导通。　　3. 工作原理　　导通状态：当栅极电压低于源极电压，P型沟道被吸引，电流从漏极到源极流动，PMOS管处于导通状态。　　截止状态：当栅极电压高于源极电压，P型沟道被击穿，无法形成导通通道，PMOS管处于截止状态。　　2.特点与优势　　1. 低功耗　　由于PMOS管在禁止区域消耗功率较小，适合设计低功耗电路。　　2. 高噪声容限　　相较于NMOS管，PMOS管具有更高的噪声容限，适合在噪声环境下工作。　　3. 抗静电能力强　　PMOS管抗静电能力较强，不易受外界干扰而损坏。　　4. 适用范围广　　PMOS管适用于CMOS电路、开关电路、放大电路等多种电路中，具有广泛的应用领域。　　3.应用领域　　1. 数字电路：PMOS管常用于逻辑门、存储单元等电路中，起到信号放大、传输和控制的作用。　　2. 模拟电路：PMOS管可用于放大器、滤波器等电路中，实现信号处理和调节功能。　　3. CMOS电路：在CMOS(互补金属氧化物半导体)中，PMOS管与NMOS管结合使用，构成数字逻辑电路、微处理器等芯片中的关键部分。　　4. 消费电子产品：PMOS管被广泛应用于手机、平板电脑、电视机等消费电子产品中，用于控制电路、功率管理等方面。　　5. 电源管理：在电源管理系统中，PMOS管用于开关电源、稳压器等电路中，提供电路的开关和调节功能。

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pmos管

发布时间：2024-08-21 11:06 阅读量：333 继续阅读>>

英飞凌600 V Cool<span style='color:red'>MOS</span>™ 8 新一代硅基<span style='color:red'>MOS</span>FET技术助力电力电子行业变革

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英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革

　　在日新月异的电力电子行业，对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET，英飞凌进行了巨大的研发投入，以重新定义系统集成标准，使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。　　在英飞凌，CoolMOS™ 8的推出意味着这些投入已经取得了成效。它是一项先进的MOSFET技术，集成快速体二极管，能够让设计人员和工程师前所未有地获益。该技术是对英飞凌现有宽禁带半导体技术的有力补充，将对数据中心、可再生能源和消费电子等行业产生深远影响。　　在了解关键特性和益处之前，我们先来看看CoolMOS™ 8的起源。CoolMOS™ 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术，旨在取代现有的高/低功率开关电源(SMPS)的CoolMOS™ 7产品系列。它是CoolGaN™和CoolSiC™宽禁带半导体技术的有力补充。该产品组合将使设计人员能够满足不同类型的电力电子应用需求。CoolMOS™ 8主要面向消费和工业终端市场;这意味着，该系列并未包含适用于汽车应用的器件。汽车应用的设计人员可以继续使用现有的车规级CoolMOS™ 7器件。　　CoolMOS™ 8的创新之处在于，该系列所有器件中都集成了快速体二极管，使得设计人员能将该系列产品用于目标应用中的所有主要拓扑。600 V CoolMOS™ 8产品系列具有完善的产品组合，英飞凌最先将供应直插封装、表面贴装和顶部冷却(TSC)器件。CoolMOS™ 8 MOSFET还比同类竞品具有更高的电流处理能力，且拥有最小的导通电阻(RDS(on))与面积乘积。　　但这对设计人员和工程师意味着什么呢?CoolMOS™ 8在最终面向消费和工业市场推出后，将大大简化英飞凌客户的产品选型;因为相比已有的CoolMOS™ 7产品系列，它的产品数量减少了50%以上。在CoolMOS™ 7产品系列下，拥有快速体二极管的器件通过在产品名称中包含“FD”来进行区分。CoolMOS™ 8系列下的所有产品都拥有快速体二极管(无论导通电阻(RDS(on))值为何)，这意味着它无需再遵循之前的命名规则。　　当前供应的600 V CoolMOS™ 8产品组合(2024年)　　CoolMOS™ 8 的关键特性　　上面我们回顾了一些产品开发背景和原理，现在我们来看看CoolMOS™ 8的一些关键特性。这包括用于谐振拓扑的最佳快速体二极管性能，先进芯片焊接技术，以及创新的顶部冷却(TSC)封装技术。　　相比CoolMOS™ 7系列同类器件，CoolMOS™ 8技术的关断损耗(Eoss)降低10%，输出电容(Coss)降低50%。CoolMOS™ 8器件相比CoolMOS™ 7还将热阻降低至少14%，大大改进了热性能。能够实现这一改进，是因为使用了英飞凌专有的互连技术(.XT)，该技术提高了将硅芯片连接至引线框架时的热导率。这些性能优势使得CoolMOS™ 8比CoolMOS™ 7 具有更高效率。　　(3.3 kW)LLC级与(2.5 kW)PFC级之间的相对效率比较　　CoolMOS™ 8 MOSFET采用的创新ThinTOLL 8 × 8封装，相比ThinPAK 8 × 8封装具有更优的性能，有助于保持引脚兼容性。ThinTOLL 8 × 8封装占板面积小，有助于实现高功率密度;且充分利用了英飞凌先进的互连技术，提高了热性能。ThinTOLL封装尽管尺寸小巧，但在电路板温度循环试验中的故障率与采用TOLL封装的器件非常接近，且二者具有几乎相同的性能因数。　　新ThinTOLL 8 × 8封装与ThinPAK 8 × 8封装的尺寸比较　　封装的升级不仅有助于实现大批量组装和改进电路板设计，还通过帮助实现高引脚数器件的全自动处理，使得在成本高昂的组装工厂进行光学焊接检测更容易。凭借在最近七年里累计交付的超过67亿颗器件中，仅有过5次现场故障，CoolMOS™ 8无疑巩固了英飞凌在可靠性方面的卓越声誉。　　对系统集成的益处　　CoolMOS™ 8对系统集成的益处，可通过英飞凌利用该系列器件进行的参考设计来证明。例如，一台3.3 kW高频率和超紧凑整流器可达到97.5%的效率，以及95 W/in3的功率密度，尺寸为1U时也是如此。能达到如此高的工作效率和功率密度，是因为在设计中联合使用了CoolMOS™ 8、CoolSiC™及CoolGaN™ 技术;它采用了创新的集成式平面磁性结构，并对图腾柱功率因数校正(PFC)级和半桥GaN LLC DC/DC功率变换级进行完全数字化控制。　　单独提供的2.7 kW配套评估板展示了利用无桥图腾柱PFC和LLC DC/DC功率变换级构建的高效率(>96%)电源装置(PSU)。这一高功率密度的设计联合使用了650 V CoolSiC™和600 V CoolMOS™ 8开关技术。该PSU可利用XMC1404控制器(控制PFC级)和XMC4200控制器(控制LLC级)进行数字化控制，使得可以控制和调整PFC开关频率，以进一步减小电感器尺寸，和/或降低功耗。试验表明，该PSU在高负载条件下的效率提高了0.1%，使其相比利用CoolMOS™ 7 MOSFET构建的类似设计，拥有更低功耗和更好的散热性能。　　当前供应的评估板(2.7-kW PSU和3.3-kW HD/HF SMPS)　　主要应用　　CoolMOS™ 8器件是工业和消费市场中不同SMPS应用的理想选择。但它们仍然尤其适用于数据中心和可再生能源等重要终端市场。在数据中心应用领域，CoolMOS™ 8通过实现利用硅器件可能达到的、尽可能最高的系统级功率密度，来帮助设计人员达成能源效率和总拥有成本目标。在可再生能源应用领域，采用顶部冷却(TSC)封装的CoolMOS™ 8器件，可帮助减小系统尺寸和降低解决方案成本。　　面向目标应用的DDPAK和QDPAK封装产品　　由于600 V CoolMOS™ 8还拥有极低的导通电阻(RDS(on))值(7 mΩ)，因此在日益壮大的固态继电器应用(S4)市场，它适合作为替代CoolSiC™ 的、更具性价比的技术。相比机械继电器，固态继电器拥有更快开关速度，不产生触点拱起或弹跳，因而能够延长系统寿命。它们还具有良好的抗冲击、抗振动能力，以及低噪声。　　另外，通过将CoolMOS™ 8与CoolSiC™ 器件结合使用，设计人员还可优化系统级性价比。对于2型壁挂式充电盒、轻型电动交通工具、无线充电器、电动叉车、电动自行车和专业工具充电，CoolMOS™ 8还可帮助实现更具成本竞争力的设计。在更宽泛的消费类应用领域，CoolMOS™ 8可让终端产品更容易满足静电放电要求，并助力实现更灵活的系统设计。与此同时，顶部冷却(TSC)封装还有助于进一步降低组装成本，并提高功率密度。　　与先进MOSFET设计有关的　　下一步计划　　我们不久就会推出用于驱动CoolMOS™ 8 MOSFET的新一代栅极驱动器，使其能够在开关应用中实现最优的RDS(on)性能。这些EiceDRIVER™栅极驱动器将具有单极驱动能力，以及封装共模瞬变抗扰度(@600 V)，能够帮助简化系统认证与合规。由于厚度减小，CoolMOS™ 8器件非常适合使用QDPAK TSC封装，甚至可被置于散热片的下面。英飞凌还计划在未来几年内推出采用多种不同封装的CoolMOS™ 8 MOSFET。　　600 V CoolMOS™ 8新一代硅基MOSFET技术的推出，推动电力电子领域取得了一次重大进展。集成快速体二极管、先进芯片焊接技术以及创新封装技术等重要配置，凸显出英飞凌致力于提供先进解决方案以满足设计人员和工程师的更高需求的坚定决心。通过极低的现场故障率可以证明，这项技术还具有良好的热性能及可靠性。　　随着CoolMOS™ 8器件逐渐出现在不同的SMPS应用中，尤其是数据中心和可再生能源等应用领域，它们将帮助实现更节能、更紧凑和更具性价比的设计。未来，通过充分发挥CoolMOS™ 8 MOSFET与即将推出的新一代栅极驱动器之间的协同作用，英飞凌将采取一体化方法来推进MOSFET的设计和应用。这一旅程将帮助巩固英飞凌的半导体技术领先地位，并为未来的发展奠定坚实基础。

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英飞凌

发布时间：2024-08-08 09:16 阅读量：337 继续阅读>>

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英飞凌推出可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET

　　新品可直接驱动的单端反激式辅助电源用　　1700V CoolSiC™ MOSFET　　CoolSiC™ MOSFET 1700V G1 450mΩ、650mΩ和1000mΩ，采用TO247-3-HCC封装，适用于单端反激式辅助电源，主要应用如太阳能逆变器、电动汽车充电器、UPS和通用电机驱动器。主要特点包括：可由反激式控制器直接驱动，无需栅极驱动器IC、高耐压且损耗小、.XT互连技术可实现出色的散热性能，大爬电距离和电气间隙封装可提高可靠性。　　产品型号：　　 ·IMWH170R1K0M1　　 ·IMWH170R650M1　　 ·IMWH170R450M1　　产品特点：　　·针对反激式拓扑结构进行了优化　　·开关损耗极低　　·12V/0V驱动电压　　·与反激式控制器兼容　　·栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V　　·.XT互联技术　　应用价值：　　·为辅助电源开发的产品　　·效率高　　·更好的热性能和耐热性　　·TO247封装，便于绝缘设计　　·无需栅极驱动器　　·更高的功率密度　　竞争优势：　　·与D2PAK-7L相比，TO247-3-HCC封装更具优势：　　·更低的热阻确保了更大的输出功率　　·TO247封装实现轻松绝缘设计　　·大爬电距离适应环境污染　　应用领域：　　·组串逆变器　　·电动汽车充电　　·通用电机驱动　　·工业电机驱动和控制

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英飞凌

发布时间：2024-08-07 11:07 阅读量：323 继续阅读>>

ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch <span style='color:red'>MOS</span>FET，非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！

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ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET，非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载NchMOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前，3种封装10种型号的新产品已经开始销售，未来会继续扩大产品阵容。　　在汽车领域，随着安全性和便捷性的提高，电子产品逐渐增加，使得所安装的电子元器件数量也与日俱增，而且，为了提高燃油效率和降低电耗，还要求降低这些产品的功耗。其中，尤其是在对于车载开关应用不可或缺的MOSFET市场，对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求高涨。　　ROHM一直在为消费电子和工业设备领域提供采用中等耐压新工艺的低导通电阻MOSFET。此次通过将这种新工艺应用于对可靠性要求高的车载产品，又开发出具有低导通电阻优势的10款车载Nch MOSFET新产品。不仅有近年来需求高涨的2.0mm×2.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸的小型封装产品，还有传统的TO-252封装产品，未来将会继续扩大产品阵容并持续供应。　　新产品的耐压分别为40V、60V和100V，均通过采用split gate*3实现了低导通电阻，有助于车载应用的高效运行。所有型号的新产品均符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，并确保高可靠性。　　封装有适用于不同应用的3种形式。小型封装DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和HSMT8AG(3.3mm×3.3mm)非常适用于高级驾驶辅助系统(ADAS)等安装面积较小的应用。另外还有已被广泛用于车载电源等应用的TO-252(DPAK)封装(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封装的引脚采用的是可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术*4，TO-252封装的引脚采用的是鸥翼型结构*5，安装可靠性都非常高。　　目前，新产品暂以月产1,000万个(10种型号合计)的规模量产(样品价格500日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂)，后道工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)和ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360电商平台可购买。　　未来，ROHM将致力于扩大车载用中等耐压Nch MOSFET的产品阵容。计划于2024年10月开始量产DFN3333封装(3.3mm×3.3mm)和HPLF5060封装(5.0mm×6.0mm)的产品，于2025年开始量产80V耐压的产品。另外还计划增加Pch产品。ROHM将继续扩大产品阵容，为车载应用的高效运行和小型化贡献力量。　　<产品阵容>　　<应用示例>各种车载电机(汽车门锁、座椅调节器、电动车窗等)LED前照灯信息娱乐系统、车载显示器高级驾驶辅助系统(ADAS)　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　(开始销售时间：2024年6月)　　<术语解说>　　01. 导通电阻(Ron)　　MOSFET启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗(电力损耗)越少。　　02. Nch MOSFET　　通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎。　　03. split gate　　一种将MOSFET的栅极分为多段以有效调整电子流动的技术。利用该技术可实现高速且高可靠性的运行。　　04. 可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术　　一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。　　05. 鸥翼型结构　　引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。

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发布时间：2024-08-07 10:11 阅读量：213 继续阅读>>

捷捷微电：JMSL06系列<span style='color:red'>MOS</span>FETs成功应用于华为“Max 80W”超级无线充电器

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捷捷微电：JMSL06系列MOSFETs成功应用于华为“Max 80W”超级无线充电器

　　近期，华为推出了一款名为"Max 80 W"的超级快充立式无线充电器;“Max 80W”为一款无线车充，最高可支持80W的功率，如图1。　　图1. 华为“Max 80W”超级无线充电器　　捷捷微电有6颗JMSL06系列60V耐压、低开启NMOS管应用于此超级快充立式无线充电器中。其中，2颗JMSL0606AG(NMOS，耐压60V，导阻4mΩ, PDFN5*6-8L封装)作为同步升压开关应用于同步升压模块，如图2;典型参数请参考表1。　　图2. 同步升压模块　　4颗JMSL0606AU(NMOS，耐压60V，导阻5.0mΩ，PDFN3*3-8L封装)应用于无线充电管理模块，如图3;典型参数请参考表1。　　图3. 无线充电模块(图片来源：充电头网)　　表1. 特征参数列表JMSL0606AGJMSL0606AU　　捷捷微电作为国内领先的MOSFET器件供应商，其Trench、SGT、SuperJunction等全系列MOSFET产品被广泛应用于汽车、新能源、工业、消费电子等领域。

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捷捷微电

发布时间：2024-08-07 09:34 阅读量：325 继续阅读>>

ARK（方舟微）：耗尽型<span style='color:red'>MOS</span>FET在稳压及过压保护应用中的优势

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ARK（方舟微）：耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

　　耗尽型MOSFET的基本特性：　　耗尽型MOSFET，与常见的增强型MOSFET不同，它在栅极电压为零时就已经处于导通状态，即沟道已经存在。耗尽型MOSFET在电路设计中具有独特的优势，包括高输入阻抗、低漏电流、可调性和高速性。其工作原理主要基于电场效应，通过改变栅极电压来控制沟道的导电性，从而实现对电流的精确调控。在稳压及过压保护中主要利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性。　　稳压应用中的优势　　简化电路设计　　图一：耗尽型MOSFET在供电电路中的应用　　耗尽型MOSFET在栅极电压为零即导通，这意味着在某些应用中可以省去额外的驱动电路，从而简化电路设计。例如，在实现PWM IC的VCC供电电路中，传统方法使用三极管、功率电阻和齐纳二极管等多颗器件，但这会导致PCB上的热量过高且效率低下。而采用耗尽型MOSFET的方法，可以用一颗器件代替，节省空间，简化电路，减小功耗。　　宽泛的直流工作电压范围　　图二：LDO应用电路　　图三：搭配耗尽型MOSFET应用电路　　耗尽型MOSFET具有宽泛的直流工作电压范围(Vin)，这使其在稳压应用中更加灵活。如图二中在线性电压调节器中，输入电压可能来自母线电压，存在较大的电压变化，包括电压尖峰。如图三所示耗尽型MOSFET(DMZ6012E)可以通过源极跟随器配置连接，减少电压瞬变，直至达到器件额定电压VDS的耐受能力。这种配置不仅保护了电路免受浪涌电压的影响，还通过低静态电流实现了最小功耗。　　过压保护应用中的优势：　　耗尽型MOSFET在过压保护应用中表现出色。如图四所示，在这种电路中，耗尽型MOSFET与电阻和稳压二极管相结合，利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性，通过选择合适的稳压二极管，可以设定一个稳定的输出电压值。当输入电压超过该值时，稳压二极管开始工作，将栅极电压钳制在一定水平，从而限制漏极电流，防止过压对后续电路造成损害。这种电路结构简单，成本低廉，适用于需要过压保护的多种场合。　　图四：过压保护电路　　某些耗尽型MOSFET产品具有超高的阈值电压参数，如ARK(方舟微)的UltraVt®系列，这些产品非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中。UltraVt®超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　它们既能实现PWM IC在宽电压范围输入下的供电需求，又能有效抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。这种高阈值电压特性使得耗尽型MOSFET在高压及宽电压输出条件下具有更高的可靠性和稳定性。典型应用电路 (以 DMZ1015E 为例)如图五：　　图五：耗尽型MOSFET稳压应用典型电路

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ARK（方舟微）

发布时间：2024-08-05 11:31 阅读量：315 继续阅读>>

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