电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

Panasonic Industrial Devices Photo<span style='color:red'>MOS</span> HS WSSOP半导体继电器

行业新闻

Panasonic Industrial Devices PhotoMOS HS WSSOP半导体继电器

　　Panasonic Industrial Devices PhotoMOS® HS WSSOP半导体继电器采用微型封装，具有高温性能、出色的高频特性。该继电器具有40V负载电压、0.35A负载电流以及-40°C至+125°C工作温度范围。其他特性包括低电流消耗、快速开关速度、低输出电容和低导通电阻。Panasonic PhotoMOS HS WSSOP继电器适用于IC测试仪、电路板测试仪、探针卡和其他测量设备。　　特性　　Miniature WSSOP封装　　高灵敏度(低电流消耗)　　高速方向　　高温性能　　出色的高温传输特性　　低输出电容　　低导通电阻　　应用　　IC测试仪　　板测试仪　　探针卡　　测量设备　　规范　　尺寸：1.45 mmx2.2 mmx1.75 mm　　输出电容：16pF(典型值)　　漏电流：10nA　　导通电阻：0.75 Ω(典型值)　　负载电压：40 V　　0.35 A负载电流　　工作温度范围：-40 °C至+125 °C

关键词：

Panasonic

发布时间：2024-12-19 10:43 阅读量：199 继续阅读>>

安森德多层外延高压超结<span style='color:red'>MOS</span>助力高端功率器件国产化

行业新闻

安森德多层外延高压超结MOS助力高端功率器件国产化

　　总部位于深圳的安森德半导体有限公司(ASDsemi)成立于2018年，是一家更懂应用的模拟芯片和系统级芯片设计公司，致力于为全球客户提供半导体功率器件和模拟IC，产品覆盖功率器件：中低压、高压、超结MOSFET，第三代半导体SiC、GaN;模拟芯片：电源管理芯片、信号链芯片;SiP系统级芯片三大类产品线。产品可广泛应用于工业电源、电机驱动、消费电子、新能源、光伏储能等众多领域，并与全球顶尖企业在技术与业务方面进行深入合作。先后获得国家高新技术企业，创新型中小企业，科技型中小企业等荣誉资质。　　安森德高压超结MOS，使用行业最通用的多层外延工艺，经过资深的研发团队多年的研发和技术积累，成功的把22mΩ到1.6Ω成系列的产品实现了量产并推向市场，电压范围覆盖500V、600V、650V、700V、800V、900V、封装包括TO-247、TO-263、 TO-220、 TO-252、 TOLL、 DFN 8*8等主流封装形式。　　拥有20多年海内外著名功率半导体公司工作经验的研发团队，保证了产品设计处于行业领先水平。安森德高压超结MOS选用国际领先的晶圆代工厂进行流片，国内一流的封装厂进行封装，选用的晶圆厂和封装厂都通过了TS16949, ISO9001等质量体系认证，保证了产品生产的可靠性和一致性。　　已经实现量产的ASJ028N60L2H-T，最小Rdson达到了业内领先的22mΩ水平，全可靠性的测试认证保证了该产品适用于各种高端场合应用：通讯电源、服务器电源、工业电源、充电桩等。高性价比的ASJ037N65L2H-T(650V/37mΩmax), 在保持优秀的开关损耗的同时，改善了EMI和EAS性能，大大提高了客户系统的效率和性能，能够很好应对苛刻条件下的的产品设计。　　最新推出的650V，180mΩmax产品成功的实现TO-252的封装，是业内能把200mΩ以下产品封装到TO-252封装的少数厂家之一。　　安森德半导体在致力于为全球客户提供领先的半导体功率器件和模拟IC的道路上不断地探索，即将推出的600V、18mΩ、TO-247封装和650V,40mΩ, TOLL封装产品，将能为客户提供更优异性能和更先进封装的产品选择。　　安森德高压超结MOS将在助力高端功率器件国产化的道路上不断前进。

关键词：

安森德

发布时间：2024-12-17 15:46 阅读量：155 继续阅读>>

直播预告 | 罗姆Pch功率<span style='color:red'>MOS</span>FET系列产品解读

行业新闻

直播预告 | 罗姆Pch功率MOSFET系列产品解读

　　近年来，在工业设备和消费电子设备等领域，采用高输入电压的电源电路来实现高级控制的客户越来越多，对于MOSFET产品，除了低导通电阻的要求之外，也表现出对高耐压性能与日俱增的需求。　　MOSFET产品分为Nch与Pch两种，而高效率的Nch应用更为普遍，但在高边使用Nch MOSFET时，需要栅极电压高于输入电压，因此就存在电路结构变得更复杂的问题。而使用Pch MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电压进行驱动，因此可简化电路结构，同时还有助于减轻设计负担。　　基于以上背景，罗姆的Pch MOSFET已经推出了第5代产品。那相比前一代，本次升级带来了哪些亮点，与其他公司产品相比又有何优势呢?另外，应用场景是不是得到扩充?　　本次研讨会将会围绕这些问题一一为大家带来解答，扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　研讨会提纲　　1.前言　　• 什么是Pch MOSFET?　　• Pch MOSFET应用　　2.罗姆Pch MOSFET的特点　　• 低导通电阻损耗　　• 额定峰值电流大，不容易损坏　　• 稳固的高市场份额　　• 产品路线图介绍　　• 支持更大电流的大功率封装　　3.罗姆产品阵容　　• 应用电路示例　　• 第5代产品　　研讨会主题　　适用于工业设备和消费电子应用的Pch功率MOSFET系列　　研讨会时间　　2024年12月18日上午10点　　研讨会讲师　　洪梓昕(助理工程师)　　简介：洪梓昕负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　相关产品页面MOSFET产品介绍页适用于电机的新产品规格书下载页导通电阻显著降低的第5代-40V/-60V耐压Pch功率MOSFET　　相关产品资料Pch MOS选型指南晶体管产品目录面向工业设备应用的产品目录

关键词：

罗姆

发布时间：2024-11-27 13:45 阅读量：166 继续阅读>>

Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率<span style='color:red'>MOS</span>FET

行业新闻

Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET

　　提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。　　Littelfuse隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Class功率MOSFET。　　这些新器件在当前200V X4-Class超级结MOSFET的基础上进行扩展，有些具有最低导通电阻。这些MOSFET具有高电流额定值，设计人员能够用来替换多个并联的低额定电流器件，从而简化设计流程，提高应用的可靠性和功率密度。此外，SOT-227B封装的螺钉安装端子可确保安装坚固稳定。　　这些新的200V MOSFET提供最低的导通电阻，增强并补充了现有的Littelfuse X4-Class超级结系列产品组合。与当下最先进的X4-Class MOSFET解决方案相比，这些MOSFET的额定电流最高可提高约2倍，导通电阻值最高可降低约63%。　　新型MOSFET非常适合必须最大限度降低导通损耗的一系列低压功率应用，包括：　　电池储能系统(BESS)　　电池充电器　　电池成型　　DC/电池负载开关，以及　　电源　　“新器件将允许设计人员用一个器件解决方案取代多个并联的低额定电流器件。”Littelfuse全球产品营销工程师Sachin Shridhar Paradkar表示，“这种独特的解决方案简化了栅极驱动器设计，提高了可靠性，改善了功率密度和PCB空间利用率。”　　超级结X4级功率MOSFET具有以下主要性能优势：　　低传导损耗　　最少的并行连接工作量　　驱动器设计简化，驱动器损耗最小　　简化的热设计　　功率密度增加　　为什么对于看重极小导通损耗的应用来说具有低导通电阻的MOSFET是首选?　　对于看重极小导通损耗的应用来说，具有低导通电阻(RDS(on))的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是理想选择。这类器件能显著降低工作期间的功耗，从而降低传导损耗，提高效率，并减少发热。因此，它们非常适合电源、电机驱动器和电池供电设备等功率敏感型应用，在这些应用中，保持高效率和热管理至关重要。　　性能指标　　供货情况　　超级结X4-Class功率MOSFET以每管10支的形式供货。可通过Littelfuse全球各地的授权经销商索取样品。

关键词：

Littelfuse

发布时间：2024-11-26 09:13 阅读量：293 继续阅读>>

维安 SiC<span style='color:red'>MOS</span>：高压化与大电流化趋势下的前沿探索

行业新闻

维安 SiCMOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索

　　在半导体领域的核心前沿阵地，碳化硅(SiC)技术凭借其卓越非凡的性能表现与巨大的发展潜力，已然成为推动整个行业阔步向前的关键驱动力。SiC是第三代半导体产业发展的重要基础材料，其具有耐高压、耐高频与耐高温等多方面的优势。　　维安拥有行业前沿的SiC创新技术，目前SiCMOS产品电压涵盖650V~1700V，电阻涵盖10mΩ~720mΩ，并且有TO-247、TO-247-4L(ISO)、TOLL、TO-263-7L等封装来满足不同的应用需求。同时维安也在积极升级、研发更多的 SiC 产品以顺应高压化、大电流化发展趋势。　　图1：WAYON SiCMOS 产品Roadmap　　图2：WAYON SiCMOS 封装示意图　　应用领域　　直流充电桩　　直流充电桩中电源模块是其核心部件，采用SiC 基功率器件可有效减少芯片数量并降低系统成本，同时实现更高开关频率、更高功率密度以及超小体积的目标。　　维安目前在1200V平台新开发的产品WSCM018R120T2C，在18V驱动电压下，Rdson仅为18mΩ，适用于60KW的充电桩模块，可减少SiC器件的并联数量，降低开发难度。　　光伏逆变器与储能　　光储逆变器往大功率方向发展，SiC是提升效能的不二之选。其应用于光伏逆变器，功率更大、效率更高、体积更小、成本更低，以及组串式逆变器配置灵活、易于安装。在1100 V的直流系统中通常使用1200V和650V开关，当电压等级提升到1500V，则需要1700V SiC MOSFET开关。　　目前维安也已在1700V平台上新开发了45 mΩ与80 mΩ的产品，以满足光伏逆变器相关的应用需求。　　新能源汽车　　目前市售电动车电压平台正从400V向800V及以上的高电压发展，而高压系统中，SiC MOSFET的性能优于Si IGBT。SiCMOS主要应用于OBC、空调压缩机等场景，采用SiC器件可实现更高开关频率、更小体积、更低损耗与更低系统成本。　　未来趋势　　SiC 技术在不断地升级迭代，这将进一步提高其成品率与可靠性，使得SiC器件价格降低，并拥有更加强劲的市场竞争力。SiC器件在汽车、通讯、电网、交通等多个领域蓬勃发展，产品市场将更加宽广，成为半导体产业的新风口。　　总之， SiC 器件具有广阔的市场前景和应用价值，维安将为SiC技术的发展全力以赴，推出性能更加杰出的产品!

关键词：

维安

发布时间：2024-11-19 16:18 阅读量：289 继续阅读>>

华润微推出宽SOA系列<span style='color:red'>MOS</span>FET产品

行业新闻

华润微推出宽SOA系列MOSFET产品

　　SOA(Safe Operating Area)指的是MOSFET的安全工作区，宽SOA MOSFET相比普通MOSFET，在同等电压条件下，能够承受更大的电流和更长的脉冲持续时间，可以在更恶劣的条件下工作而不失效，提高了电子系统的安全性、耐用性和可靠性。　　华润微功率器件事业群推出　　宽SOA系列MOSFET产品　　近年来，汽车、无人机、AI等市场对宽SOA MOSFET产品的需求快速增长，华润微电子旗下功率器件事业群(以下简称PDBG)推出宽SOA系列MOSFET产品，可满足热插拔、缓启动、电子保险丝、电机驱动、BMS等系统对器件高性能、高可靠性的需求。PDBG通过调整工艺以及开发独特沟道控制技术，攻克了线性区MOSFET的热均匀问题，增加了MOSFET在高压大电流工作区域的SOA曲线宽度。　　以PDBG推出的100V MOSFET产品为例，SOA优化后，以半电压50V实测，过电流能力提升了3倍，从而提升了系统应用的可靠性。　　PDBG部分宽SOA系列MOSFET产品　　完成AECQ101认证并稳定量产　　在产品可靠性方面，PDBG部分宽SOA系列MOSFET产品完成AECQ101认证并稳定量产，已经批量应用于汽车鼓风机驱动领域，产品获得了行业龙头客户的认可。　　在产品系列化方面，针对服务器电源、通信电源、汽车电机控制、电池保护等应用领域的需求，PDBG陆续推出了30V、60V、80V、100V宽SOA产品平台，产品类型和封装形式丰富多样，可为客户提供多样化的产品选择。

关键词：

华润微

发布时间：2024-10-15 13:08 阅读量：618 继续阅读>>

电源的优选 | 维安VD<span style='color:red'>MOS</span>：高通用性与耐用性

行业新闻

电源的优选 | 维安VDMOS：高通用性与耐用性

　　VDMOSFET全称垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，它具有高输入阻抗，开关速度快，热稳定性好等优点，同时具有正温度系数和良好的电流自调节能力。　　维安VDMOS的产品优势及特点　　在VDMOSFET的设计中，维安重点优化耐压和导通电阻的矛盾，提高耐压并兼顾低导通电阻;同时降低Qg及开关损耗。维安VDMOSFET通过优化设计提高雪崩耐量、拓宽安全工作区进而提高通用性和耐用性。针对工业控制等高可靠应用场景，维安开发高质量的氮化硅钝化层工艺，显著提高器件的可靠性。　　图一晶圆结构图　　图二晶圆钝化提高可靠性　　依托维安成熟的电源及工业控制客户群，维安开发了200V-1500V的VDMOSFET产品，电流涵盖2A~40A，封装涵盖TO-251，TO-252，TO-262，TO-220/F，TO-247，TO-3PF等;　　图三维安VDMOS Roadmap　　图四维安VDMOS 量产规格　　图五维安VDMOS 封装　　VDMOS被广泛应用于适配器、LED驱动电源、TV电源、工业控制、电机调速、音频放大、高频振荡器、不间断电源、节能灯、逆变器等各个领域。　　图六 VDMOS 应用行业　　维安VDMOS典型应用　　1、适配器(开关电源)的应用　　2、高速风筒(BLDC驱动)的应用　　功率半导体作为电力系统的重要组成部分，是提升能源效率的决定性因素之一。未来维安会结合客户应用开发更多的VDMOS新规格、新封装;比如高压300V，400V快恢复系列等规格。为客户提供更多选择，以在高性能效率转换、高可靠应用场合实现效率、功率密度和可靠性的最佳组合。

关键词：

维安

发布时间：2024-10-10 13:04 阅读量：697 继续阅读>>

安森德超结(SJ)<span style='color:red'>MOS</span>在PD快充上的应用

行业新闻

安森德超结(SJ)MOS在PD快充上的应用

　　安森德超结(SJ)MOS应用　　移动互联网时代，为了满足人们对小巧便携简单，快速充电的需求，缓解充电的烦恼，催生了快速充电器的发展和普及。手机快充技术迅速发展，能效高，功率密度大，以PD快充为代表的充电器迅速发展，且市场空间巨大。功率器件MOSFET，作为PD快充、适配器等智能终端配套产品核心元器件之一，同样也迎来了发展契机。　　快充技术的发展，充电器功率也将不断提升，对其内部的元器件性能要求提出了新的挑战。　　为满足充电器、适配器等需求，安森德ASDsemi推出了一系列可靠、高效的高中低压MOSFET。涵盖20V-700V电压全系列产品，各种工艺Trench, SGT, 超结等，RDS(ON)小，Qg小，产品种类齐全，满足客户各种选型需求的同时，产品在提高温升效率、改善EMI特性、抗雷击浪涌能力方面有良好的表现。　　01、安森德多层外延SJ MOS优势　　效率高　　较高的轻载、满载效率，超低的导通内阻、Qg，有效的降低导通、开关损耗。　　低温升　　较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命。　　稳定性强　　强大的 EAS 能力可以为电源抗冲击提供有效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。　　内阻低　　超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。　　体积小　　在同等电压和电流要求下，超结MOS的芯片面积能做到比传统MOS更小，可以封装更小尺寸的产品。　　02、应用拓扑图　　03、安森德多层外延SJ MOS应用　　超结(SJ)MOSFET被广泛应用于电子设备，且应用范围正在不断扩大，成为电子设备不可或缺的重要元器件，其主要应用于PD快充、充电桩、新能源汽车等领域。　　04、安森德ASDsemi产品选型推荐

关键词：

安森德

发布时间：2024-10-08 14:28 阅读量：664 继续阅读>>

上海雷卯：怎样选择合适的<span style='color:red'>MOS</span>FET

行业新闻

上海雷卯：怎样选择合适的MOSFET

　　一、确定应用需求　　1、电路类型　　- 开关电路：如果应用于开关电路，如电源开关、电机驱动等，需要关注 MOSFET 的开关速度、导通电阻和栅极电荷等参数。快速的开关速度可以减少开关损耗，提高效率;低导通电阻能降低导通时的能量损耗;而低栅极电荷则有助于加快开关转换过程。　　- 放大电路：用于放大电路时，要重点考虑 MOSFET 的线性度、增益和噪声等特性。具有良好线性度和高增益的 MOSFET 能够保证信号的准确放大，低噪声则可以减少对信号的干扰。　　2. 工作电压和电流　　- 工作电压：确定电路的工作电压范围，选择的 MOSFET 额定电压应大于等于电路的最大工作电压，并留有一定的余量(建议至少 1.5 倍余量)，以确保在电压波动或瞬态电压情况下 MOSFET 能够正常工作。　　- 工作电流：根据负载的电流需求，选择能够承受相应电流的 MOSFET。注意查看 MOSFET 的额定电流(连续电流)和最大漏极脉冲电流等参数，额定电流应满足负载在正常工作状态下的电流需求，而最大漏极脉冲电流则要考虑在瞬态或脉冲电流情况下的承受能力。　　3. 工作温度　　了解应用环境的温度范围，确保所选 MOSFET 的工作温度范围能够覆盖该范围。如果工作环境温度较高，需要关注 MOSFET 的热阻、结温等参数，选择热阻较小、结温较高的器件，以保证在高温环境下的可靠性。　　二、选择MOSFET类型(P沟道或N沟道)　　- P 沟道 MOSFET：P 沟道 MOSFET 的栅极电压为负时导通，适用于源极接电源正极的电路。在一些需要低电压控制或逻辑电平转换的场合比较适用，例如电池供电的设备中，可用于防反接保护电路。其优点是在电路设计上可以简化驱动电路，但缺点是导通电阻相对较大，电流驱动能力相对较弱。　　- N 沟道 MOSFET：N 沟道 MOSFET 的栅极电压为正时导通，通常用于源极接地的电路。具有较低的导通电阻和较高的电流驱动能力，适用于对功率要求较高、需要大电流输出的场合，如功率放大器、电源转换电路等。但其驱动电路相对复杂，需要较高的栅极电压来控制导通。　　三、关注关键参数　　-导通电阻(Rds(on))：导通电阻越低，MOSFET 在导通状态下的能量损耗越小，效率越高。对于对效率要求较高或工作电流较大的应用，应选择导通电阻较小的 MOSFET。但导通电阻较低的器件价格可能相对较高，需要在性能和成本之间进行权衡。　　- 栅极电荷(Qg)：栅极电荷决定了 MOSFET 的开关速度和驱动电路的功耗。栅极电荷越小，开关速度越快，驱动电路的功耗越低。在高频开关应用中，应选择栅极电荷较小的 MOSFET 以提高系统的效率和性能。　　- 漏源击穿电压(V(BR)DSS)：漏源击穿电压是 MOSFET 能够承受的最大漏源电压，选择时应确保该参数大于电路中的最大电压应力，以防止器件击穿损坏。　　- 热阻(Rθ)：热阻反映了 MOSFET 散热的能力，热阻越小，器件在工作时产生的热量越容易散发出去，结温越低，可靠性越高。在高功率应用或散热条件较差的环境中，应选择热阻较小的 MOSFET，热阻的具体参数可以参考另外一篇　　《MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥》。　　四、封装选择　　- 封装类型：上海雷卯提供多种封装类型的 MOSFET，如 SOT-23、SOP-8、DFN 等。不同的封装类型具有不同的尺寸、引脚排列和散热性能。例如，　　SOT-23 封装体积小，适用于空间受限的应用;　　SOP-8 封装引脚较多，可提供更好的电气连接和散热性能;　　DFN 封装具有较低的寄生电感和电容，适合高频应用。　　- 封装质量：检查封装的质量和可靠性，确保引脚焊接牢固，封装材料能够承受高温和机械应力。良好的封装可以保证 MOSFET 在长期使用过程中的稳定性和可靠性。　　五. 参考数据手册和应用案例　　- 数据手册：仔细阅读上海雷卯 MOSFET 的数据手册，了解器件的详细参数、性能曲线、工作条件和应用注意事项等信息。数据手册是选型的重要依据，能够帮助您准确地选择适合的 MOSFET。　　- 应用案例：参考上海雷卯提供的应用案例或其他客户的成功经验，了解不同型号的 MOSFET 在类似应用中的表现和可靠性。这可以为您的选型提供参考，避免在实际应用中出现问题。　　六、应用案例分享　　1. LM3D40P02　　- 特点：这是一款 P 沟道沟槽技术的 MOSFET，专为电子烟等小型设备优化设计。具有低阈值电压(Vgs(th)=-0.65V(type))，可使设备快速启动;强大的电流承载能力(Id=-40A)，能在高负载条件下稳定工作;较低的导通电阻(Rds(on)=5mΩ)，能有效减少能量损耗，延长电池续航;低门极电荷(Qg=38nc)，加快了开关速度，提高了整体效率;采用 DFN3.3*3.3 的紧凑型封装，易于集成到小型设备中。　　- 应用场景：非常适合电子烟、小型智能设备等对空间和功耗有较高要求的应用场景。　　2. LM8S16P03　　- 特点：属于 PMOS 类型的 MOSFET。漏源电压(Vdss)为-30V，漏极电流(Id)为-16A，漏源导通电阻(Rdson)为 6.5mΩ，栅源电压(Vgs)为±20V，栅极电荷(Qg)为 62.5。工作温度范围为-55℃~150℃，可适应较为恶劣的工作环境。　　- 应用场景：适用于新能源、家用电器、3C 数码、汽车电子、测量仪器、智能家居等多种领域。

关键词：

上海雷卯

发布时间：2024-09-30 10:12 阅读量：477 继续阅读>>

纳芯微推出全新CSP封装<span style='color:red'>MOS</span>FET: NPM12023A

行业新闻

纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A

　　近日，纳芯微全新推出CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列产品，优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。　　纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有超低导通阻抗及高ESD (>2kV) 保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求，同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题，为客户提供更安全、更可靠的产品，简化客户的设计。　　图1：纳芯微CSP封装MOSFET产品优势　　便携式锂电设备对于充放电保护的要求：　　高强度，小体积　　智能手机、平板电脑等便携式锂电设备变得比以前更轻薄，功能更强大，同时对设备的充放电功率要求也越来越高：从最初的3-5W，到现在超过100W的充放电功率，使人们在享受更便捷的生活的同时，提高了充电效率，减少了电量焦虑的困扰。充放电功率的不断提高，对用于锂电池保护的MOSFET的性能提出了更高的挑战：如何在降低内阻的同时，兼顾机械应力及雪崩能量等要求，成为聚焦的重点。　　图2：CSP封装MOSFET典型应用场景　　技术特点　　专有的CSP封装技术　　传统CSP封装结构为了降低衬底电阻，采用了芯片厚度减薄的方法，从而降低了该封装结构的机械强度，随之而来的，在生产组装过程中，可能会造成芯片翘曲变形甚者产生裂纹，从而导致应用端不良等问题。　　纳芯微全新CSP封装系列产品在设计之初就在产品结构上做了调整，使导通电流平行于芯片表面，缩短电流路径，从而降低导通电阻，也就从根源上解决了CSP封装MOSFET的机械强度问题(耐受机械压力>60N)，更高的机械强度，可以帮助芯片在兼顾轻薄化、小型化的基础上，最大程度上降低使用过程中的变形、裂片等问题，保证了产品的可靠性和安全性。　　图3：纳芯微CSP封装结构与传统CSP封装结构对比　　高抗短路和雪崩的能力　　作为锂电池保护电路中的关键器件，CSP封装MOSFET的短路过流能力和雪崩过压能力也是衡量该芯片的重要参数指标。相比市场上其他产品，纳芯微该系列产品具备非常好的抗短路和雪崩的能力：短路电流测试达到280A，雪崩能力测试>30A(225mJ)。　　纳芯微CSP封装MOSFET产品选型表

关键词：

纳芯微

发布时间：2024-09-27 11:24 阅读量：587 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址