ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压<span style='color:red'>SBD</span>“YQ系列”
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ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。　　二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD，其VF低于平面结构的SBD，因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品，其trr比平面结构的要差，因此在用于开关应用时存在功率损耗增加的课题。针对这种课题，ROHM推出采用自有的沟槽MOS结构、同时改善了存在权衡关系的VF和IR、并实现了业界超快trr的YQ系列产品。　　“YQ系列”是继以往支持各种电路应用的4个SBD系列之后推出的新系列产品，也是ROHM首款采用沟槽MOS结构的二极管。该系列利用ROHM自有的结构设计，实现了业界超快的trr(15ns)，与同样采用沟槽MOS结构的普通产品相比，trr单项的损耗降低约37%，总开关损耗降低约26%，因此，有助于降低应用产品的功耗。另外，通过采用沟槽MOS结构，与以往采用平面结构的SBD相比，正向施加时的损耗VF* 2和反向施加时的损耗IR* 3均得到改善。这不仅可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗，还可以降低对于SBD而言最令人担心的热失控风险*4。这些优势使得该系列产品非常适用于容易发热的车载LED前照灯的驱动电路、xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。　　新产品从2023年12月起全部投入量产(样品价格：300日元～/个，不含税)，样品可通过Ameya360等网售平台购买。今后，ROHM将持续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质，并继续加强别具特色的产品阵容，为应用产品进一步实现小型化和更低功耗贡献力量。    <关于SBD的沟槽MOS结构>　　沟槽MOS结构是在外延层中形成沟槽(沟槽MOS)并用多晶硅填充的结构，这种结构可以缓和电场集中，从而可以降低外延层的电阻率，在正向施加时VF更低。另外，当反向施加时，可以缓和电场集中现象，从而实现更低的IR。前述的“YQ系列”通过采用这种沟槽MOS结构，与以往产品相比，VF改善了约7%，IR改善了约82%。另一方面，在普通沟槽MOS结构中，寄生电容(元器件中的电阻分量)较大，因此trr要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了VF和IR，而且还利用ROHM自有的结构设计，实现了约15ns的业界超快trr。由于可将开关时的损耗降低约26%，因此非常有助于降低应用产品的功耗。　　<应用示例>　　・汽车LED前照灯 ・xEV用DC-DC转换器 ・工业设备电源 ・照明　　<产品阵容表>　　<支持页面和资源信息>　　ROHM的官网提供可以了解新产品电路优势的应用指南，以及介绍包括新产品在内的各SBD系列产品特点的白皮书。在SBD产品页面中，可以通过输入耐压条件等参数来缩小产品范围，有助于设计时顺利选择产品。详情请访问以下网址：　　■ROHM的SBD产品页面　　https://www.rohm.com.cn/products/diodes/schottky-barrier-diodes　　■应用指南　　《车载用小型高效肖特基势垒二极管“YQ系列”的优势》　　https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-c.pdf　　■白皮书　　有助于车载、工业和消费电子设备小型化并降低损耗的ROHM SBD产品阵容　　https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-c.pdf　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　产品型号：见上表。　　新产品在其他电商平台也以开始逐步发售。　　<术语解说>　　*1) 反向恢复时间：trr(Reverse Recovery Time)　　开关二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。　　*2) 正向电压：VF(Forward Voltage)　　当电流沿从+到-的方向流动时产生的电压降。该值越低，效率越高。　　*3) 反向电流：IR(Reverse Current)　　反向施加电压时产生的反向电流。该值越低，功耗(反向功耗)越小。　　*4) 热失控　　当向二极管施加反向电压时，内部的芯片发热量超过了封装的散热量，导致IR值增加，最终造成损坏的现　　象称为“热失控”。IR值高的SBD尤其容易发生热失控，因此在设计电路时需要格外注意。
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发布时间：2024-01-23 17:41 阅读量：1466 继续阅读>>
ROHM的SiC MOSFET和SiC <span style='color:red'>SBD</span>成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”、“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。　　ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外，Apex Microtechnology的功率模块系列还采用了ROHM的栅极驱动器IC“BM60212FV-C”裸芯片，这使得高耐压电机和电源的工作效率更高。此外，根据Apex Microtechnology委托外部机构进行的一项调查，与分立元器件组成的结构相比，使用裸芯片构建这些关键部件可减少67%的安装面积。　　“　　Greg Brennan, President, Apex Microtechnology表示：　　“Apex Microtechnology主要以大功率、高精度模拟、混合信号*解决方案为业务组合，我们的模块还适用于医疗设备、航空航天和人造卫星等要求苛刻的应用。由于要为各种应用产品提供电力，所以我们的目标是设计出符合严格标准的产品，并与具有高技术标准和高品质要求的供应商合作。在这过程中，ROHM作为Apex Microtechnology的SiC功率元器件供应商脱颖而出。ROHM的服务和技术支持都非常出色，使得我们能够如期将产品交付给最终用户。未来，Apex Microtechnology将会继续开发模拟和混合信号创新型解决方案，助力解决各种社会课题。另外，我们也很期待与ROHM展开更深入的合作。”　　”　　“　　Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示：　　“APEX Microtechnology是一家为工业、测试和测量等众多应用领域提供大功率模拟模块的制造商，很高兴能与APEX Microtechnology开展合作。ROHM作为SiC功率元器件的先进企业，能够提供与栅极驱动器IC相结合的功率系统解决方案，并且已经在该领域取得了巨大的技术领先优势。我们将与APEX Microtechnology协力，通过更大程度地发挥ROHM在功率电子技术和模拟技术方面的潜力，为提高大功率应用的效率做出贡献。”　　据悉，电源和电机占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和Apex Microtechnology在功率电子和模拟技术领域都拥有强大的优势，双方保持着技术交流并建立了合作关系。今后，通过将ROHM的SiC功率元器件和控制技术与Apex Microtechnology的模块技术完美结合，双方将能够提供满足市场需求的出色的功率系统解决方案，从而持续为工业设备的效率提升做出贡献。
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发布时间：2023-04-13 17:25 阅读量：2230 继续阅读>>
ROHM的SiC <span style='color:red'>SBD</span>成功应用于村田制作所集团旗下企业Murata Power Solutions的数据中心电源模块
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ROHM的SiC SBD成功应用于村田制作所集团旗下企业Murata Power Solutions的数据中心电源模块

　　ROHM罗姆开发的第3代SiC肖特基二极管（以下简称“SBD”）成功应用于Murata Power Solutions的产品上。Murata Power Solutions是电子元器件、电池、电源领域的日本著名制造商——村田制作所集团旗下的一家企业。ROHM的高速开关SiC SBD产品“SCS308AH”此次成功应用于Murata Power Solutions的数据中心电源模块“D1U系列”，并且为该系列产品的性能提升和尺寸的小型化做出了贡献。　　近年来，随着以AI（人工智能）和AR（增强现实）等技术为代表的IoT领域的发展，全球数据通信量正在不断增长。特别是对于负责进行通信管理的数据中心而言，其服务器的小型化和效率提升已经成为困扰各制造商的技术难题。在这种背景下，SiC功率器件因其有助于实现电源部分的小型化和高效化而备受期待。　　Dr. Longcheng Tan, Senior Electrical Engineer and project leader, Murata Power Solutions表示：　　“通过使用SiC功率器件，可以开发出效率更高、功率密度更高的电源产品。同时，SiC功率器件还可以提高开关频率，因而可以减少无源元件和散热件的体积。村田制作所集团内部设有专门负责对SiC器件制造商及其产品进行评估的部门，我们此次之所以选择ROHM，除了ROHM产品的可靠性高以外，还在于ROHM的服务支持非常迅速，从试制阶段开始就能提供样品。此外，我们正在开发的三相逆变器中也使用了ROHM的SiC MOSFET，相关产品可以满足我们的性能要求。”　　Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示：　　“能够为电源系统等工业设备领域的领军企业——Murata Power Solutions提供支持，我由衷地感到高兴。ROHM是SiC功率元器件的领军企业，在业内率先提供先进的元器件技术和驱动IC等产品相结合的电源解决方案，并取得了骄人的业绩。今后，ROHM将继续与Murata Power Solutions携手，通过面向工业以及数据基础设施领域尽可能地深挖SiC技术潜力，从而进一步提升电源系统的能效。”　　关于Murata Power Solutions　　Murata Power Solutions是一家设计、制造和销售DC-DC电源、AC-DC电源、磁性器件、数字式面板仪表、数据中心解决方案的企业。产品阵容涵盖标准品、半定制品和定制品。Murata Power Solutions的产品广泛应用于通信、计算机、工业控制设备、医疗保健、能源管理系统等全球主要市场领域的电子设备。　　关于Murata Power Solutions的数据中心电源模块　　Murata Power Solutions的AC-DC电源“1U前端”系列产品阵容中新增了高效率功率因数校正型前端电源模块“D1U54P-W-2000-12-HB3C”和“D1U54P-W-1200-12-HC4PC”等产品，可以实现多个电源模块并联工作。另外，“1U前端”系列还支持热插拔，具有过热、过电流、过电压等异常检测和保护功能。该系列产品不仅可以为服务器、工作站、存储系统等12V电源系统提供高可靠性、高效率的电源，而且产品还具有薄型尺寸（1U），有助于削减系统的安装面积。　　关于ROHM的SiC功率器件　　ROHM于2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来，作为SiC功率元器件领域的领军企业，一直在推动先进产品的技术开发。Murata Power Solutions所采用的第3代SiC SBD新产品具有总电荷量（QC）小、损耗低且开关速度高的特点。而且，与第2代SBD相比，其抗浪涌电流能力更出色，VF值更低。　　支持信息　　ROHM在官网特设网页中，介绍了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模块等SiC功率元器件的概况，同时，还发布了用于快速评估和引入第4代SiC MOSFET的各种支持资料，欢迎浏览。
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发布时间：2023-03-16 10:39 阅读量：2123 继续阅读>>

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