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上海雷卯电子：TOSHIBA的SSM3K37FS<span style='color:red'>国产</span>替代型号LM1012T参数对比

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上海雷卯电子：TOSHIBA的SSM3K37FS国产替代型号LM1012T参数对比

　　上海雷卯NMOS型号LM1012T完全替代TOSHIBA型号SSM3K37FS，LM1012T是一颗带ESD功能的NMOS，封装SOT-523 .已经有很多客户选用 LM1012T替代SSM3K37FS，客户可以获得更好的价格和更快的交期。特别是在一些受空间所限的小电子设备很受青睐，因为封装仅仅是SOT-523。　　性能特点：　　栅极带ESD保护　　高速开关　　内阻低至0.4Ω　　低阈值：0.8V(典型值)　　开关速度10ns　　应用于：高速开关和模拟开关　　LM1012T性能参数如下：　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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雷卯电子

发布时间：2024-12-24 13:10 阅读量：238 继续阅读>>

安森德多层外延高压超结MOS助力高端功率器件<span style='color:red'>国产</span>化

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安森德多层外延高压超结MOS助力高端功率器件国产化

　　总部位于深圳的安森德半导体有限公司(ASDsemi)成立于2018年，是一家更懂应用的模拟芯片和系统级芯片设计公司，致力于为全球客户提供半导体功率器件和模拟IC，产品覆盖功率器件：中低压、高压、超结MOSFET，第三代半导体SiC、GaN;模拟芯片：电源管理芯片、信号链芯片;SiP系统级芯片三大类产品线。产品可广泛应用于工业电源、电机驱动、消费电子、新能源、光伏储能等众多领域，并与全球顶尖企业在技术与业务方面进行深入合作。先后获得国家高新技术企业，创新型中小企业，科技型中小企业等荣誉资质。　　安森德高压超结MOS，使用行业最通用的多层外延工艺，经过资深的研发团队多年的研发和技术积累，成功的把22mΩ到1.6Ω成系列的产品实现了量产并推向市场，电压范围覆盖500V、600V、650V、700V、800V、900V、封装包括TO-247、TO-263、 TO-220、 TO-252、 TOLL、 DFN 8*8等主流封装形式。　　拥有20多年海内外著名功率半导体公司工作经验的研发团队，保证了产品设计处于行业领先水平。安森德高压超结MOS选用国际领先的晶圆代工厂进行流片，国内一流的封装厂进行封装，选用的晶圆厂和封装厂都通过了TS16949, ISO9001等质量体系认证，保证了产品生产的可靠性和一致性。　　已经实现量产的ASJ028N60L2H-T，最小Rdson达到了业内领先的22mΩ水平，全可靠性的测试认证保证了该产品适用于各种高端场合应用：通讯电源、服务器电源、工业电源、充电桩等。高性价比的ASJ037N65L2H-T(650V/37mΩmax), 在保持优秀的开关损耗的同时，改善了EMI和EAS性能，大大提高了客户系统的效率和性能，能够很好应对苛刻条件下的的产品设计。　　最新推出的650V，180mΩmax产品成功的实现TO-252的封装，是业内能把200mΩ以下产品封装到TO-252封装的少数厂家之一。　　安森德半导体在致力于为全球客户提供领先的半导体功率器件和模拟IC的道路上不断地探索，即将推出的600V、18mΩ、TO-247封装和650V,40mΩ, TOLL封装产品，将能为客户提供更优异性能和更先进封装的产品选择。　　安森德高压超结MOS将在助力高端功率器件国产化的道路上不断前进。

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安森德

发布时间：2024-12-17 15:46 阅读量：151 继续阅读>>

永铭高端<span style='color:red'>国产</span>电容器助力各领域技术升级

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永铭高端国产电容器助力各领域技术升级

　　美国增加关税以及对进出口限制的逐渐加重，对贸易带来了深远影响，全球产业正面临前所未有的挑战。在政策和市场的双重压力下，国内上中下游企业纷纷调整战略，深化自主研发和技术创新，国产化趋势正以前所未有的速度全面展开。　　取代国际同行成为国际头部品牌　　上海永铭电子作为一家多年从事各类电容器新产品研发、高精度制造和市场端推广的高新技术国产高端电容器企业，秉持“和国际头部同行竞争，取代国际同行，成为国际头部品牌”的产品定位，已在新能源汽车、军工、AI服务器、无人机、通讯、医疗、电力电子、笔电、机器人等多个终端应用并被行业头部客户大面积采用。充分体现了国产电容器在性能、品质和技术上的显著优势。　　产品线包含铝电解电容器、固态&固液混合铝电解电容器、叠层高分子铝电解电容器、高分子聚合物钽电容器、多层陶瓷片式电容器、超级电容器以及金属化聚丙烯薄膜电容器。　　永铭各类高端国产电容器替代方案　　总结　　在国产化趋势的推动下，永铭各类高端国产电容器以卓越的品质和技术优势，目前已在新能源汽车、军工、AI服务器、无人机、通讯、医疗、电力电子、笔电、机器人等领域，实现了对日韩欧美进口电容的全方面替代，并且获得了终端客户的一致认可满足各类高端应用需求。永铭各类高端国产电容器不仅在性能和品质上达到国际领先水平，更能够为客户提供稳定可靠的电子元器件解决方案。

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发布时间：2024-12-03 11:50 阅读量：212 继续阅读>>

航顺芯片：HK32A040-车规芯片<span style='color:red'>国产</span>化的新选择

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航顺芯片：HK32A040-车规芯片国产化的新选择

　　在汽车级芯片的选择从国外厂家垄断转向逐步引入国产芯片的进程中，涌现出了一批可以实现国产替代的芯片产品。汽车级是一个比消费及工业产品对芯片稳定性要求更高的行业，所以车规芯片的选型需要考虑更多的因素，包括技术参数、应用场景、供应链稳定性、成本控制等。其中最重要的关键点，如：汽车级认证：车规级芯片需要通过AEC-Q100认证，这意味着芯片必须满足严格的质量和可靠性标准。数月的测试时间涉及到复杂的测试和验证流程，以确保产品在极端温度、湿度、震动和电磁干扰等条件下的稳定性和耐用性。　　兼容性和集成问题：车规级芯片需要与车辆的其他电子系统兼容，这涉及到复杂的软件和硬件集成工作。确保所有系统能够无缝协同工作是一个挑战。　　安全性和可靠性：车规级芯片的安全性和可靠性至关重要。任何故障或误操作都可能导致严重的安全事故。因此，开发过程中需要进行严格的测试和验证。　　成本控制：在满足所有技术和安全要求的同时，控制成本也是一个挑战。需要找到成本效益高的解决方案，以确保产品的市场竞争力。最近汽车品牌大厂和供应商的价格博弈引发了行业的关注。　　供应链管理：确保供应链的稳定性和可靠性，特别是在国际形势复杂的情况下，从设计到生产封装等全国产化的芯片，大幅减少对海外供应商的依赖，是最佳的替代方案。　　怎么选择MCU厂家呢?根据下面三把尺如下：　　第一把尺子是芯片代码的重用度，这个是越高越好。国产替代，那么可以尽量多地使用以前的代码。如果是新开发，也可以在将来上下拓展时重用现在的代码。　　第二把尺子是引脚兼容度，使用同一封装的不同配置的MCU，甚至是不同系列不同档次的MCU如果引脚兼容，那么在开发中发现要提升或降低MCU规格，就可以直接替换，不用重新做板子，方便了很多。　　第三把尺子就更简单了，你已经和厂家或者代理商联系过选型的事情，一直没有联系上的就往后排，联系上的哪家服务又快又好，就是首选。　　经过一番比对筛选后，航顺芯片车规级MCU浮出水面：　　车规级要求：航顺芯片的车规级芯片通过了AEC-Q100认证，这是国际汽车电子协会的测试认证，意味着产品在使用寿命、稳定性、工作耐温、PPM等方面满足严苛要求。此外，航顺芯片遵循ISO 26262全流程标准，该标准覆盖产品的全部生命周期，确保功能安全。　　兼容性和集成问题：航顺芯片在设计MCU时，不仅硬件兼容某国际大厂的芯片，同时在软件上也可以做到95%以上的兼容性。这样的设计使得客户能够非常快速地进行方案替代，节省了大量时间和成本。同时，航顺芯片集成了 CRC、AES、HASH、TRNG 硬件运算单元，以验证数据传输或数据存储的正确性和完整性，以及实现 Flash 数据的加解密等。　　安全性和可靠性：航顺芯片的车规级芯片采用高性能ARM Cotex-M3/M0内核，整体芯片为国内研发，国内生产。芯片内置自研浮点运算协处理器，或除法与开方运算硬件加速模块，具有极强的数据处理能力。航顺芯片通过AEC-Q100汽车认证，同时符合ISO 9001、IATFT 16949质量管理体系认证，配套的研发能力和管理能力也得到了验证。　　质量成本控制：航顺芯片通过内部的自动化和模块化战略实现了成本控制和效率提升。航顺芯片内部开发了一套自动化的软件平台，通过这一平台，公司的项目效率和研发周期得以大幅提升，项目的效率和时间缩短了30%到50%。此外，航顺芯片通过模块化和标准化实现快速产品开发，保证了产品的一致性和可靠性。　　供应链管理：航顺芯片在供应链管理方面采取了多元化策略，而不是仅依赖一家晶圆厂进行生产。这种多元化策略不仅有助于航顺芯片保持供应链的稳定性，还能够灵活应对市场变化，确保公司在面对突发情况时能够迅速调整生产和供应策略。　　“芯”意之选诞生——HK32A040 航顺芯片新推出的高性价比车规MCU。主频96MHz,内置CAN控制器及各种定时器和通讯口完美满足需求。还有开发板和配套的开发包，包括驱动和例程，各方面努力超越市面上现有的产品。功能模块也与航顺其他产品的相同模块兼容，拓展开发手到擒来。后续衍生新产品时，还能重用已有的代码，事半功倍。　　CPU 内核　　ARM® Cortex® -M0　　最高时钟频率：96 MHz　　24 位 System Tick 定时器　　支持中断向量重映射(通过 Flash 控制器的寄存器配置)　　工作电压范围　　单电源域(主电源 VDD)：1.8 V ~ 3.6 V　　备用电源(VBAT)：1.8V ~ 3.6V产品概述　　典型工作电流　　运行(Run)模式：6.1mA@96MHz;1.6mA@8MHz　　睡眠(Sleep)模式：4.7mA@96MHz　　停机(Stop)模式：　　LDO 全速：0.7mA@3.3V　　LDO 低功耗：60μA@3.3V　　待机(Standby)模式：1.6μA@3.3V　　关机(Shutdown)模式：0.4μA@3.3V　　存储器　　124 Kbyte Flash　　CPU 主频不高于 24 MHz 时，支持 0 等待总线周期访问 Flash。　　Flash 具有数据安全保护功能，可分别设置读保护和写保护。　　支持加密 Flash 存储的指令和数据，可防止 Flash 内容受到物理攻击。　　10 Kbyte SRAM　　数据安全　　CRC 校验硬件单元　　多种安全加密模块，包括 AES、HASH 和 TRNG　　时钟　　外部高速时钟(HSE)：支持 4 ~ 32 MHz，典型值为 8 MHz　　外部低速时钟(LSE)：32.768 kHz　　片内高速时钟(HSI)：8 MHz/14 MHz/56 MHz 可配置　　片内低速时钟(LSI)：40 kHz　　PLL 时钟：最高 96MHz　　芯片管脚输入时钟(EXTCLK)　　复位　　外部管脚复位　　电源复位(POR/PDR)　　软件复位　　看门狗(IWDG 和 WWDG)复位　　低功耗管理复位　　选项字节装载器复位　　可编程电压监测器(PVD)　　8 级检测电压门限可调　　上升沿和下降沿检测可配置　　GPIO 端口　　最多支持 55 个 GPIO 引脚　　每个 GPIO 引脚都可配置为外部中断输入　　数据通信接口　　2 路 USART：支持主同步SPI 和调制解调器的硬件流控，具有ISO7816 接口、LIN、IrDA 功能以及自动波特率检测和停机(Stop)模式下唤醒特性。产品概述　　最多 2 路高速 SPI：支持4 至16 位可编程数据帧，带复用的I2S 接口。　　最多 2 路 I2C：支持超快速模式(1 MHz)、SMBus 和 PMBus。在 Stop 模式下，支持数据接收唤醒。　　1 路 LPUART：支持在最小功耗下进行异步串行通讯、单线半双工通信、调制解调器的硬件流控(CTS/RTS)以及多处理器通信。　　1 个 CAN：支持 CAN 协议(2.0A 和 2.0B 主动模式)　　定时器及 PWM 发生器　　1 个 16 位高级定时器(4 路 PWM 输出，其中 3 路带死区互补输出和刹车功能)　　5 个 16 位和 1 个 32 位通用定时器(TIM2/TIM3/TIM14/TIM15/TIM16/TIM17)　　1 个 16 位基本定时器(TIM6)　　片内模拟电路　　1 个 12 位 SAR ADC(多达 16 路模拟信号输入通道)最高转换器频率：1MSPS支持自动连续转换、扫描转换功能具有 3 路模拟比较器　　DMA 控制器(带 7 个通道)　　支持定时器、ADC、SPI、I2C、USART、AES、HASH 等多种外设触发。　　温度传感器　　模拟输出连接到 A/D 转换器独立通道　　CPU 跟踪与调试　　SWD 调试接口　　ARM® CoreSightTM 调试组件(ROM-Table、DWT 和 BPU)　　自定义 DBGMCU 调试控制器(低功耗模式仿真控制、调试外设时钟控制、调试及跟踪接口分配)　　定点数除法/开方运算单元　　支持 32 位定点数除法，可同时得到商和余数　　支持 32 位定点数高精度开方　　4 个可编程逻辑单元(CLU)，处理简单的逻辑运算　　电机加速(EMACC)硬件化算法，提高电机算法处理速度　　日历RTC　　带闹钟功能　　可从停机或待机状态周期唤醒　　96 位芯片 UID 标识　　可靠性　　通过 HBM6000V/CDM2000V /MM200V/LU200mA 等级测试。　　工作温度范围(1)：-40°C ~ +125°C

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航顺芯片

发布时间：2024-12-02 14:08 阅读量：302 继续阅读>>

帝奥微多款车规产品入编《<span style='color:red'>国产</span>车规芯片可靠性分级目录（2024）》

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帝奥微多款车规产品入编《国产车规芯片可靠性分级目录（2024）》

　　2024年9月25日“第十一届汽车电子创新大会暨2024汽车电子应用展(AEIF 2024)” 在无锡盛大启幕，大会重磅公布了《国产车规芯片可靠性分级目录(2024)》。本次目录共计涵盖106家企业的329款产品，其中100家企业提供了307份AEC-Q100测试报告。　　《国产车规芯片可靠性分级目录(2024)》包括录入产品的关键信息：如芯片功耗、封装、功能描述与应用领域等主要技术指标、芯片特点与创新之处、对标产品型号、AEC-Q测试项目情况、应用情况等，能够进一步支持整车制造商和零部件供应商更好地了解国内车规级芯片产品及其通过AEC-Q100认证的情况，并推动汽车电子产业的配套体系和生态链建设。　　帝奥微多款车规级产品DIA74H120、DIA7976、DIA57100、DIA82901和DIA82920，入编该目录!　　产品速递　　DIA74H120　　四通道120mΩ的智能高边开关　　DIA74H120可以取代传统的保险丝和继电器，用于车身域控制器中的非常配电，驱动一些小功率控制器，优势是具有完整的诊断和保护功能，高精度的电流检测，更高的可靠性以及重启的可能性。当驱动不同类型的负载时，可以提供出色的短路、过流和过热保护。此外，还可用于摄像头的POC供电，BMS的高压继电器控制等。　　DIA7976　　汽车级具有电源正常指示功能的500mA超低压降稳压器　　DIA7976可提供快速线路和负载瞬态性能，支持最高6.0V的输入电压范围和 0.55V至5.5V的外部可调输出电压范围，还提供固定输出电压。DIA7976还具有内部折返电流限制，有助于在短路事件中减少热耗散。同时集成输出电流限制，过热保护和欠压锁存等功能。芯片的环境温度范围为 -40°C 至 +125°C，满足AEC-Q100 Grade1 车规标准。　　DIA57100　　国内首款单晶圆集成H桥的12A直流电机驱动方案　　DIA57100:最大电压40V;具有完整的保护和诊断功能;纯模拟接口控制，简单易用;具有灵活的配置：可驱动H桥，两路半桥;两颗级联可驱动3个电机，并联可驱动更大负载电流的电机。适用于汽车隐藏式门把手、折叠后视镜、以及各种锁类的应用;也可用于摩托车的转向锁，坐垫锁等控制。　　DIA82901　　车规级60V多拓扑单通道头灯驱动　　DIA82901:一款使用非常灵活并支持Boost, Buck, Buck-Boost, SEPIC, FLYBACK五种拓扑架构的LED控制器，内置丰富的诊断和保护功能。每种拓扑支持恒流/CC和恒压/CV两种模式。内置脉宽调制器，可轻松实现减少色偏的调光功能，并包含扩频调制器，以提高EMC性能;内置的软启动功能可以很好地限制启动时的电流尖峰以及电压过冲。适用于汽车智能头灯系统，通用照明以及通用的DCDC控制器。　　DIA82920　　一款集成完整诊断和保护功能的12通道线性尾灯驱动方案　　DIA82920:每个通道可单独控制，单通道电流高达100mA。该器件集成了UART接口，传输速率高达1MHz，可通过添加外部CAN收发器轻松实现CAN通信。与传统的单端接口相比，高速差分CAN接口在长距离板外通信中使用时可以大大提高EMC性能。内置可编程的EEPROM允许客户灵活地配置不同的应用场景。适用于具有动态效果的贯穿式尾灯，流水灯，格栅灯等。　　五款车规级产品成功入选《国产车规芯片可靠性分级目录(2024)》不仅是对帝奥微技术实力和实际应用的认可，也彰显了公司在行业中的竞争力。　　帝奥微将持续加大研发力度，紧跟市场动态，依托车规芯片研究院的优势，为客户提供更多安全可靠的车规级产品，助力汽车行业的蓬勃发展!

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发布时间：2024-09-26 10:32 阅读量：595 继续阅读>>

两款<span style='color:red'>国产</span>5nm AI芯片，2026年前量产！

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两款国产5nm AI芯片，2026年前量产！

　　据知情人士透露，TikTok母公司字节跳动正加快自研人工智能芯片的步伐，意在提升在中国人工智能聊天机器人市场中的竞争优势。　　两位知情人士证实，字节跳动计划与芯片制造巨头台积电合作，力争在2026年前实现两款自研半导体芯片的量产，使用5纳米技术。这一举措可能会减少字节跳动在开发和运行人工智能模型过程中对昂贵的英伟达芯片的依赖。　　对于字节跳动来说，降低芯片成本至关重要。与其他中国大型科技公司及众多初创企业一样，字节跳动已经推出了自家大语言模型，供内部使用和对外销售。然而，市场竞争异常激烈，导致包括阿里巴巴和百度在内的中国科技巨头纷纷将其模型使用价格大幅下调，降幅高达97%。　　字节跳动去年发布了其首款人工智能聊天机器人“豆包”，该机器人提供了类似于OpenAI ChatGPT的文本和图像生成功能。今年，字节跳动又推出了一批低成本的大语言模型，其中部分产品的定价比OpenAI的同类产品低了高达99%。　　与此同时，字节跳动在开发生成式人工智能模型方面的费用也在不断上升。据知情人士透露，今年，该公司已订购了超过20万颗英伟达H20芯片，这款芯片是美国出口管制下允许出售给中国的最先进英伟达芯片。该订单的总金额超过20亿美元，目前字节跳动仍在等待英伟达交付全部订单。　　不过，字节跳动正计划从台积电订购数十万颗自家设计的训练和推理芯片。预计这些内部设计的芯片成本将比从英伟达购买芯片节省数十亿美元。然而，这些芯片目前仍处于设计阶段，因此字节跳动的计划可能会有所调整。

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AI芯片

发布时间：2024-09-18 16:33 阅读量：534 继续阅读>>

<span style='color:red'>国产</span>7nm CPU！即将流片！

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国产7nm CPU！即将流片！

　　龙芯中科近日举行2024年半年度业绩发布会，在投资者问答环节，龙芯中科董事长兼总经理胡伟武表示，这款即将推出的3B6600 CPU(处理器)单核性能可以处于“世界领先行列”。龙芯中科官方透露，3B6600预计明年上半年流片，下半年回片。　　这款基于7nm工艺的八核处理器，不仅在制程上实现了显著提升，更在结构设计上进行了大刀阔斧的改革。龙芯中科董事长兼总经理胡伟武的“单核性能可处于世界领先行列”的豪言壮语，无疑为业界投下了一枚震撼弹。这不仅是对龙芯中科技术实力的自信展现，更是对国产CPU性能极限的一次勇敢探索。　　更令人期待的是，3B6600预计将于2025年下半年量产推出，这意味着这款处理器将有望在未来成为市场上的主流选择。　　关于产品发布节奏，胡伟武表示，龙芯的目标是“平均每年至少推出一款服务器或PC芯片。”这一规律的发布节奏对于科技公司来说是一个理想的特质，它有助于公司在市场上保持持续的竞争力和创新能力。长期以来，许多成功的科技公司都依赖于这种有节奏的产品发布策略来推动其业务增长和市场份额的扩大。　　最后，胡伟武分享了一个可能最令人感兴趣的消息，即关于即将发布的龙芯3B6600处理器的架构和性能。胡强调了3B6600所实施的重大架构变化。得益于这些LoongArch(LA)架构的改进，以及我们推测的其他优化，新CPU的单核性能“有望跻身世界领先行列”，胡伟武表示。

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发布时间：2024-09-13 15:48 阅读量：430 继续阅读>>

航顺芯片：<span style='color:red'>国产</span>MCU厂商，靠什么从内卷中脱颖而出？

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航顺芯片：国产MCU厂商，靠什么从内卷中脱颖而出？

　　在当下内卷的大环境下，航顺芯片是如何消除内卷，突破高端的?　　当前，全球半导体行业正经历寒冬。受经济环境疲软、消费需求减弱、库存调整等因素影响，半导体市场增速显著放缓。　　在这种背景下，半导体厂商间的竞争日益激烈，价格战已成常态，MCU市场亦不例外。SIA数据显示，中国MCU市场占全球25%左右。尽管市场规模庞大，但国内MCU厂商的产品主要集中在中低端市场，同质化竞争严重。本土厂商面临着巨大的内卷压力，市场价格混乱，利润空间不断压缩。不少MCU厂商直言目前正面临着巨大的压力，很可能撑不过去了。　　相比之下，高端MCU市场由ST、NXP、瑞萨等国际巨头牢牢占据。这些企业凭借成熟的技术体系和先发优势，在国内市场拥有相当大的份额。本土厂商在M4、M7等高性能内核的MCU产品上进展缓慢，主要原因在于技术积累不足、市场认可度不高以及产品验证周期长。随着物联网、工业自动化等领域的快速发展，对高性能MCU的需求日益增长。这一趋势为本土厂商提供了新的机遇。航顺芯片敏锐地捕捉到高端MCU市场对安全性和高速接口的迫切需求，推出了HK32F4系列MCU产品。该系列产品在性能、集成度、功耗和外设方面均有显著提升，如更大的Cache、Flash、SRAM存储容量，集成了高速USB和以太网接口等。独特的安全设计使其在复杂应用场景中具有更强的竞争力，尤其适用于数据安全和联网设备。　　▲航顺芯片联合创始人&CTO　　王翔Big-Bit借此机会采访了航顺芯片的联合创始人兼CTO王翔，与他探讨了国内高端MCU市场的发展现状、航顺芯片的策略与思考，以及未来规划。　　高端MCU的难点在哪里?　　在高端MCU市场，芯片设计的难度不仅仅在于技术的实现，更在于如何应对市场复杂多变的需求。航顺芯片的联合创始人兼CTO王翔指出，MCU集成M4内核从技术上来说并不困难，但真正的挑战在于满足高端市场的特定需求。“从技术层面来看，MCU集成M4内核并没有太大难度，”王翔解释道，“M4和M3的MCU在接口上的相似度超过90%，这意味着将M4内核集成到MCU中的难度与M0或M3内核相差不大。”然而，难点并不在于集成技术本身，而在于如何应对市场对高性能、高集成度的要求。　　开发板“问题在于，当你把M4推向市场终端时，其应用场景是复杂的。”王翔表示，“M3市场可能不需要480Mbps高速 USB这样的需求，但M4的市场需求却截然不同。增加一个480Mbps 的高速USB接口，其难度远高于集成M4内核，包括集成高速USB PHY(物理层)也具有极高的挑战性。”航顺芯片在设计HK32F4 系列MCU产品时，面临的一个重大挑战是如何为芯片增加更多的外围功能。尽管M4和M3在数字架构、总线架构和DMA(直接存储器访问)等方面的基础结构类似，但外设的复杂性大大增加了设计的难度。王翔指出：“高速接口的引入、更复杂的模拟功能，以及对运算放大器性能的更高要求，都对芯片设计提出了新的挑战。”　　航顺芯片在应对这些挑战时，并没有依赖什么特殊的方法，而是通过持续深入的研发来逐步克服这些困难。“对于一个没有做过M4内核MCU的厂商来说，首先要回答的问题是：M4的市场在哪里?市场的需求是什么?我们能提供哪些价值?”王翔解释道，“只有明确这些问题，我们才能将研发工作深入推进。”王翔将这一过程比喻为项目管理中的拆解和实现。他说：“这与做项目管理的道理相同，必须从顶层思维和底层逻辑到落地实施，逐步拆分并完成任务。”在设计过程中，航顺芯片团队还遇到了如何优化总线系统的挑战。由于增加了DMA和多个外设，总线系统变得非常拥堵，影响了整个系统的算力和性能表现。“总线就像一个矩阵，如何排列这个矩阵很大程度上决定了整个SoC(系统级芯片)的算力表现。”王翔回忆道，“我们在这部分花了很多功夫去微调，确保系统能够高效运转。”　　聚焦信息安全与高集成化　　航顺芯片在其最新发布的HK32F4系列MCU设计中，充分考虑了市场需求，并对市面上现有的M4内核MCU进行了全面升级。王翔表示：“我们不仅硬件兼容某国际大厂的芯片，同时在软件上也可以做到95%的兼容性。这使得我们的客户能够非常快速地进行方案替代，节省了大量时间和成本。”航顺芯片在设计HK32F4系列MCU时，着重对市面上主流的M4内核MCU进行了优化，以弥补其不足。王翔指出：“随着物联网的快速发展，MCU在联网和信息安全方面的需求变得尤为重要。”　　MCU信息为了应对这些需求，航顺芯片在HK32F4系列MCU中引入了100M的以太网接口，并加入了AES加密模块和随机数生成器。这些改进使得HK32F4系列MCU能够广泛应用于数据信息安全领域，如U盘、电机驱动、工业控制、联网设备等，显著扩展了其应用场景。在性能方面，HK32F4系列也进行了多项升级。王翔解释道：“我们的HK32F4系列MCU配备了8K bit的指令缓存，而市面上其他产品通常只有1K bit。这意味着我们的MCU具备更高的算力和更好的计算效率。”此外，航顺芯片还为HK32F4系列配置了1MB的Flash存储，这是基于市场调研得出的结论。王翔表示：“市场上有40%左右的应用需要更大的Flash存储，因此我们选择了1MB的配置，以覆盖更多的市场需求，而不是为不同需求设计多款芯片。”　　在高速通信接口方面，HK32F4系列MCU同样领先于市场上的同类产品。王翔介绍说：“我们的芯片集成了480Mbps的高速USB接口，并且支持OTG(即插即用)功能。”此外，航顺芯片在HK32F4系列MCU中集成了高速USB PHY(物理层接口)，这一设计在行业内相当具有挑战性。王翔指出：“外挂一个高速USB PHY通常会增加5到10元的成本，而我们的芯片本身只需十几元，这为客户节省了大量成本，同时也减少了电路板的占用面积。”航顺芯片还通过增加更多的UART串口，进一步满足市场需求。王翔解释道：“我们目前的UART串口增加到了6个，因为我们听到很多客户表示，他们的应用需要更多的UART串口来连接传感器和外围芯片进行通信。”HK32F4系列还采用了40nm的工艺制程，相较于市面上主流的90nm和55nm工艺，功耗更低，性能更优。　　通用还是专用?　　如何在通用性与市场需求之间取得平衡，一直是MCU厂商们面临的重要课题。通用化意味着可以覆盖更大的市场，而专用化则可能减少竞争压力，但同时也意味着市场规模的缩小。航顺芯片在设计其HK32F4系列MCU时，选择了一条通用化的路线，希望能够覆盖更广泛的应用场景。为了实现这一目标，航顺芯片在MCU中集成了大量的外设接口，力求满足不同应用场景的要求。然而，通用化也带来了资源浪费的问题，因为各个市场对外设的需求不尽相同。“外设越多，成本也就越高，”王翔坦言，“所以我们必须在投入与产出之间做出权衡。”　　王翔进一步解释：“从整体投入与产出角度来看，使用一颗芯片去覆盖更多市场，虽然可能会造成资源浪费，但总体上仍然是更经济的选择。”为了应对市场上不同客户的需求，航顺芯片采取了阶梯性价格策略。王翔指出：“我们的产品在功能上可能会超出一些客户的需求，例如有些应用可能只需要256KB的Flash，而我们的芯片配置了1 MB的Flash。这些客户可能会觉得成本过高，但我们通过调整价格策略来满足他们的需求。”这种灵活的定价策略，使得航顺芯片既能够满足多样化的市场需求，又能够最大限度地覆盖市场，提升产品的竞争力。　　在谈到低端与高端市场的策略时，王翔指出，航顺芯片在低端市场更多地采用专用化和特色化的路线，而在高端市场则倾向于通用化。他解释道：“低端市场已经非常成熟，竞争激烈，必须通过专用化和特色化来找到差异化优势。而高端市场虽然需求量小，但技术门槛高、利润空间大，因此我们选择通用化路线来覆盖更广泛的应用场景。”但在未来，航顺芯片在高端市场也会逐步在高端市场上探索专用化和特色化的发展路径，以应对市场的变化和需求的增长。　　王翔向Big-Bit解释道：“航顺芯片的产品都将围绕低价格、高品质、特色化这三个维度发展。低价格意味着卖得出，高品质意味着卖得好，特色化意味着卖得爆。无论是高端、中端还是低端产品，航顺芯片一定会围绕这三个维度去打造。”为了支持这种特色化的发展，航顺芯片在供应链管理方面也采取了多元化策略，而不是仅依赖一家晶圆厂进行生产。　　王翔解释道：“虽然只在一家晶圆厂生产可以降低风险和简化研发过程，但这会影响我们的特色化和差异化能力。通过与多家晶圆厂合作，我们能够在供应链稳定性与生产差异化之间取得平衡。”这种多元化策略不仅有助于航顺芯片保持供应链的稳定性，还能够灵活应对市场变化，确保公司在面对突发情况时能够迅速调整生产和供应策略。　　细节决定成败　　在当下这种内卷的大环境下，航顺芯片在面对如何降本增效、提高利润率的问题时，向我们展示了其独门秘籍。细节决定着芯片的最佳质量、最低成本和最优特色，这也是航顺芯片在设计MCU时特别注重的方面。“客户看到的往往只是冰山以上产品的功能点，而真正显功夫的冰山以下的地方往往是客户看不到的。”他说。其中一个关键技术是DFT(可测试性设计)，它确保了芯片的稳定性和高良率。王翔解释道：“为了保证每颗芯片都能稳定运行，不会有功能和性能上的大幅波动，我们在设计中做了大量的DFT工作，包括在USB PHY的设计中，为了保证通信质量，我们在晶圆测试和封装测试中增加了许多探测设计，以便及时发现并解决潜在问题。”他进一步阐述了DFT在实际应用中的重要性：“我们的设计中有30%以上的部分是为测试服务的。这些工作虽然用户看不到，但对产品最终的质量和成本控制至关重要。”除了关注设计的细节外，航顺芯片还通过内部的自动化和模块化战略实现了成本控制和效率提升。王翔透露，航顺芯片内部开发了一套自动化的软件平台，通过这一平台，公司的项目效率和研发周期得以大幅提升。“我们的自动化平台使得项目的效率和时间缩短了30%到50%。这是航顺芯片能快速推出新产品的关键因素之一。”他还提到了通过模块化和标准化实现快速产品开发的优势。“通过模块化和标准化，我们能够迅速组装出新的产品配置，这不仅提升了设计和生产的效率，还保证了产品的一致性和可靠性。”航顺芯片通过这种内部优化，实现了更具竞争力的价格策略。王翔指出：“我们的NRE(一次性非经常性费用)成本降低了30%，这使得我们在市场上的定价更具优势。客户不仅能够得到高质量的产品，还能够以更合理的价格获取这些产品。”　　未来展望　　在展望未来时，王翔强调了航顺芯片管理层对行业发展趋势的深刻理解和前瞻性思考。他表示：“一家企业能否走得长远，取决于管理层的思考深度和广度。我们在制定策略时，不仅考虑当前的市场竞争，还着眼于未来三到五年的发展趋势。”　　航顺芯片在自动化和DFT方面的投入，同样是为未来更大的市场需求做准备。“我们的自动化管理不仅是为了应对当前的挑战，更是为了迎接未来AI时代的到来。通过不断优化我们的研发流程和供应链管理，我们能够在技术积累的基础上，进一步增强公司的市场竞争力。”　　技术上，航顺芯片也早早为未来做了很多准备工作。“从技术难度或高端度来看，M4并不是我们研发团队最复杂的设计。”王翔分享，团队之前已有M7加M0双核MCU的研发经验，“一旦M7市场或双核物联网应用爆发，我们将迅速抓住机会。”　　面对当前激烈的市场竞争，王翔承认感到压力重重，但表示“我们不怕卷”。他认为，竞争虽带来压力，却是筛选优秀企业的机制，航顺芯片视之为提升自身竞争力的机会。　　王翔强调，低价格虽重要，航顺芯片更注重品质和特色化。“卖得爆的产品是高品质加上特色化。”他解释说，仅有低价格不足以形成核心竞争力，产品的质量和独特性才是关键。通过持续提升品质和特色化，航顺芯片不仅稳固了当前市场地位，也为未来竞争中的持续成长奠定了基础。王翔信心满满地总结：“我们有优势和策略在市场中脱颖而出，不仅生存，还要成为行业的领跑者。”

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发布时间：2024-09-03 10:28 阅读量：693 继续阅读>>

全链<span style='color:red'>国产</span>，全系覆盖，全面认证！纳芯微高边开关系列重磅发布！

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全链国产，全系覆盖，全面认证！纳芯微高边开关系列重磅发布！

　　纳芯微今日宣布推出高边开关产品系列NSE34XXXS/D/Q和NSE35XXXS/D，其具备行业领先的带载能力和完善可靠的诊断保护功能，适用于驱动车身BCM等系统中各类传统的阻性、感性和卤素灯负载，同时也充分适配区域控制器ZCU中一/二级配电下常见的大容性负载。　　产品亮点　　•依托全国产化自主可控供应链设计和制造，在单车用量最大的汽车模拟芯片品类上，实现“全链国产”。　　•提供1/2/4通道选择，提供同时兼容PSSO-16/PSSO-14的封装选择，导通电阻范围横跨8mΩ至140mΩ，满足“全系覆盖”。　　•符合AEC-Q100-012短路可靠性能力Grade A、ISO7637/ISO16750、CISPR25-2021 Class 5等多种测试要求，完成“全面认证”。　　产品能力详解　　电流/通道/封装 — 灵活可选　　纳芯微推出的高边开关系列提供1/2/4通道选择，导通电阻范围为8mΩ至140mΩ。客户可以根据不同负载大小灵活选择最适合的产品，从而优化系统性能和可靠性。　　阻/容/感各类负载 — 轻松应对　　◆ 阻性负载：额定通流带载能力　　高边开关应用中，芯片的额定通流能力是选型的最重要考量之一，其本质是考验高边开关芯片的自身阻抗大小及封装散热能力。阻性负载，如座椅加热中的电阻丝，对芯片的额定通流能力有明确的指标要求。以下汇总了纳芯微高边开关各产品型号的额定负载性能参数(测试环境:TA=85℃)：　　◆ 容性/卤素灯负载：浪涌电流应对能力　　在汽车系统中，启动容性负载和冷态卤素灯时常会面临高浪涌电流的严峻挑战。纳芯微高边开关系列凭借业内领先的过流保护能力，能够有效应对各种浪涌电流。以NSE35系列为例，以下是其能够稳定驱动的容性负载大小和卤素灯类型(TA=-40℃)　　◆ 感性负载：过压钳位保护能力　　电磁阀、雨刮器、继电器等感性负载也是汽车电子系统中常见的负载类型。在感性负载关断时，由于路径上需要续流，高边开关的输出会出现几十伏、甚至更大的与感性负载退磁能量正相关的负电压，这会给内部功率MOSFET的漏-源极带来巨大的电应力。如果无过压保护措施，功率MOSFET可能会面临损坏的风险。因此，纳芯微高边开关全系集成了针对感性负载的过压钳位保护，以确保在各种应用场合下系统的稳定安全运行。　　可靠性/电磁兼容性 — 饱和验证　　纳芯微高边开关通过了一系列应用方面的测试，可确保该产品系列在各种场景下的稳定性和可靠性，包括但不限于：　　•符合AEC-Q100标准的车规可靠性测试要求　　•符合AEC-Q100-006标准的车规可靠性加严测试要求　　•符合AEC-Q100-012标准的开关器件短路测试要求：短路寿命大于一百万次，达到Grade A　　•符合ISO 7637/ISO 16750标准的电源瞬态抗干扰测试要求　　•符合CISPR 25-2021 Class 5标准的EMI测试要求　　车身域控制器应用的未来，纳芯微与您同行!在现代汽车的电气化和智能化进程中，车身域控制器作为核心模块，扮演着愈发重要的角色。　　从供电管理到功率驱动，纳芯微可为客户提供包括高边开关在内的完整车身域控制器半导体解决方案，覆盖各个关键环节，实现了智能配电与功能整合，支持灵活的软件配置和整车智能诊断，助力汽车客户在智能化发展道路上稳步前行!

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发布时间：2024-08-19 14:59 阅读量：590 继续阅读>>

替代Trench MOSFET？<span style='color:red'>国产</span>SGT MOSFET产品井喷

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替代Trench MOSFET？国产SGT MOSFET产品井喷

　　近几年第三代半导体在功率器件上发光发热，低压消费应用上GaN器件统治充电头市场，新能源汽车高压平台上SiC器件逐渐成为标配。在硅基功率器件领域，借助新能源的东风，IGBT、超结MOSFET等中高压产品也受到了更多关注，不过面对第三代半导体在新能源领域的强势冲击，未来增速面临放缓迹象。然而在低压领域的硅基MOSFET市场，SGT MOSFET正在获得快速增长。SGT MOSFET在性能上带来了新的升级，并逐步取代传统的Trench(沟槽)MOSFET。　　SGT MOSFET是什么　　SGT MOSFET全称Shielded Gate Trench MOSFET，即屏蔽栅沟槽MOSFET。SGT MOSFET基于传统沟槽MOSFET，通过结构的改进从而提升稳定性、低损耗等性能。传统平面型MOSFET中，源极和漏极区域是横向布局的，栅极在源极和漏极区域的上方，形成一个平面结构。沟槽MOSFET则是源极和漏极区域垂直于半导体表面，栅极被嵌入到硅片中的沟槽内，形成垂直结构。左：传统沟槽MOSFET，右：SGT MOSFET 如上图所示，在结构上，相比传统的沟槽MOSFET，SGT MOSFET采用深沟槽结构，“挖槽”更加深入，栅极被嵌入到硅片的深槽中。同时SGT MOSFET在沟槽内部有一层多晶硅栅极(主栅极)，其上方还有一层多晶硅屏蔽栅极，这个额外的屏蔽栅极可以调节沟道内的电场分布，从而降低导通电阻并提高开关性能。由于屏蔽栅的存在，SGT MOSFET可以更有效地控制电场分布，从而减少寄生效应，降低开关损耗和导通损耗。也由于结构和更优的电场分布，SGT MOSFET可以在相同的击穿电压下使用更小的单元尺寸，从而减小芯片面积。所以，SGT MOSFET相比传统的沟槽MOSFET，导通电阻和开关损耗可以更低，尤其是在中低压的应用领域中，屏蔽栅结构有助于提高器件可靠性，其高效率以及紧凑的芯片尺寸也能够更加适合这些应用。另外，封装技术也对SGT MOSFET的可靠性和功率密度有很大关系。比如捷捷微电推出的高功率薄型封装PowerJE系列的SGT MOSFET，相比传统的TO-263-3L 封装，面积少了20%、高度降低了45%。在大幅度减少占用空间的同时，有效地提高功率密度，适合极为紧凑的终端设计。热阻表现优越而散热效果更好，进一步保证器件的长期可靠性。　　国产厂商井喷，在低压应用加速取代沟槽MOSFET　　在SGT MOSFET领域，依然是海外半导体巨头主导市场，英飞凌、安森美、AOS等海外巨头起步较早，产品市占率较高。不过国内新洁能、捷捷微电、华润微等厂商在近几年势头正猛，成功研发SGT MOSFET的同时，也跟随国产替代的风潮获得了市场成功。另一个关键的节点是，2021年的全球芯片缺货潮中，SGT MOSFET使用的成熟制程产能尤为紧缺。同时在缺芯潮的中心，汽车芯片作为高价值高利润的产品，各大芯片巨头都优先力保汽车芯片的产能，当然其中也包括了功率半导体，因此一些汽车以外的功率半导体器件，比如SGT MOSFET的产能就更加短缺了。于是海外芯片巨头只能将订单转手到一些国内的代工厂商，这给国内的SGT MOSFET工艺制造的提升有了很大的帮助。以往国内只有几家规模较大的IDM厂商可以制造SGT MOSFET，但这次缺芯危机则变相地带动了更多国内功率半导体厂商在SGT MOSFET上的开发进程。新洁能在国内是较早开发SGT MOSFET的功率厂商之一，目前其SGT MOSFET产品线已经迭代到第三代，官网显示，新洁能第一代N沟道SGT-I系列功率MOSFET击穿电压等级范围为30V至250V;第二代产品击穿电压等级范围从30V至120V，面向性能与鲁棒性要求极为苛刻的低频应用，新洁能N沟道SGT-II系列产品进一步优化了大电流关断能力与静电防护能力，可满足包括直流电机驱动、锂电池保护、AC/DC同步整流等广泛应用。此外，相比于新洁能上一代SGT-I系列产品，SGT-II系列产品特征导通电阻Ron,sp降低20%，FOM值降低20%。目前最新的第三代SGT-III系列，则相比上一代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性。捷捷微电早在2021年就推出了多款JSFET 30 ~ 150V 系列SGT MOSFET产品，并后续推出了多款车规级SGT MOSFET，击穿电压等级范围从40V到150V，适用于车载前装及后装等各类中低压应用，包括辅助驾驶、车载信息娱乐、逆变器非高压子系统里的 DC-DC 同步整流及电源开关等功能，车身控制模块里的电机驱动、继电器、负载开关、远近大灯驱动等功能。今年3月，华润微披露公司MOSFET产品中中低压占比60%，高压产品占比40%，其中SGT MOSFET和SJ MOSFET在营收中占比接近60%。除此之外，士兰微、东微半导体、扬杰电子等上市公司都有完整的SGT MOSFET产品线。除此之外，矽普半导体、微碧半导体、安建半导体、广微集成、功成半导体等多家本土功率半导体厂商已经推出了SGT MOSFET产品。比如安建半导体今年5月推出了针对大电流高功率应用的SGT MOSFET产品系列，提供顶部散热TOLT封装和双面散热的DFN5x6 DSC封装，有30V和100V两种型号，其中JKQ8S23NN击穿电压100V，漏极最大电流高达315A，驱动电压为10V时，导通电阻最高为1.5mΩ。　　小结　　SGT MOSFET在中低电压场景下由于更强的稳定性，更低的导通电阻和开关损耗，未来对Trench MOSFET有取代的趋势。根据QYResearch的数据，2022年全球SGT MOSGET市场规模约为23.5亿美元，预计到2029年将达到104亿美元，年复合增长率高达24.4%。持续增长的市场，也将继续给国内功率厂商带来机会。

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SGT MOSFET

发布时间：2024-08-02 10:17 阅读量：726 继续阅读>>

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BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
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IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
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