<span style='color:red'>瑞萨电子</span> RRH62000一体式集成传感器模块
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瑞萨电子 RRH62000一体式集成传感器模块

　　Renesas Electronics RRH62000一体式传感器模块 用于空气质量监测，包括PM、TVOC、湿度和温度 (RHT) 传感器。Renesas Electronics RRH62000模块可轻松集成到应用中，从而降低BOM成本。该模块结构紧凑，通过6引脚连接器连接到主板，无需新布局即可轻松更换。RRH62000通过使暖通空调系统能够根据环境数据实施需求控制通风 (DCV) 来支持节能。与以固定时间间隔运行的传统暖通空调系统不同，DCV只有在检测到空气质量恶化或污染物时才激活。特性　　一体式集成传感器模块，用于空气质量应用，集成固件，可实现无缝设计　　同时进行传感器测量，产生多达八个关键传感器输出　　检测0.3μm至10.0μm的粒子　　针对PM1、PM2.5和PM10的输出物质浓度分档　　高精度温度和湿度传感器　　根据PBAQ标准监测TVOC浓度和室内空气质量(IAQ) 指数　　耐硅氧烷　　支持I2C和UART通信　　应用　　室内空气质量监测　　管道监控　　需求控制通风　　楼宇自动化　　危险材料监测　　框图
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发布时间：2024-09-25 15:58 阅读量：603 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨电子</span>：全新Reality AI Explorer Tier，免费提供强大的AI/ML开发环境综合评估“沙盒”
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瑞萨电子：全新Reality AI Explorer Tier，免费提供强大的AI/ML开发环境综合评估“沙盒”

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出Reality AI Explorer Tier——作为Reality AI Tools®软件的免费版本，可用于开发工业、汽车和商业应用中的AI与TinyML解决方案。　　新推出的Reality AI Explorer Tier为用户提供免费的、全面的自助式评估沙盒访问权限。符合条件的客户现在可以访问Reality AI Tools的全部功能，包括自动化AI模型构建、验证和部署模块。Reality AI Explorer Tier包括丰富的教程、应用实例和常见问题解答(FAQ)，可通过访问社区论坛并获得电子邮件支持。用户只需通过简单的点击用户协议，即可轻松快速开始使用。　　Reality AI Explorer Tier旨在简化客户评估嵌入式实时分析开发环境的体验。用户可以探索各种预构建的AI应用，无需过多的设置或支持即可实际体验Reality AI Tools的强大功能。通过应用示例，用户能够方便的利用瑞萨的开发套件进行开发(如包含示例数据集的AI套件参考平台)，示例涵盖了加速度计/振动分析、音频分类和电机控制等应用。　　Mohammed Dogar, Vice President and Head of Business Development and Ecosystem for Renesas表示：“随着AIoT日益重要，众多客户对边缘和终端构建AI应用表现出浓厚的兴趣，并形成相关的专业知识。Reality AI Explorer为我们提供一个宝贵的机会，能够深入体验市场上领先的AI开发环境的机会，而无需承担任何前期成本。我们坚信，众多客户将使用该平台作为建立量产型AIoT应用的第一步。”　　Dr. Kilian von Neumann-Cosel, Head of Brose Silicon Valley表示：“我们已广泛使用Reality AI Tools来为自动化质量保证应用部署极具成本效益的AI解决方案。我们设想通过这种强大的AI/ML开发来实现各种嵌入式传感应用。”　　Reality AI Tools现已与瑞萨计算产品紧密集成，并通过内置的元件选择器引擎原生支持所有瑞萨MCU和MPU。此外，还支持在Reality AI Tools和瑞萨的旗舰嵌入式开发环境e2 Studio之间建立无缝数据通道，让设计人员能够在嵌入式和AI/ML项目间共享数据，从而简化边缘与端点AI应用的创建。　　成功产品组合　　瑞萨电子已将其AI技术融入汽车、工业和物联网应用的众多“成功产品组合”中，突出展示了Reality AI技术如何借助智能技术检测异常以实现预测性维护，从而为客户节省大量维修成本。这些“成功产品组合”基于相互兼容且无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。
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发布时间：2024-07-19 08:57 阅读量：367 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨电子</span>：Transphorm GaN技术引领氮化镓革命
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瑞萨电子：Transphorm GaN技术引领氮化镓革命

　　*瑞萨电子已于2024年6月20日完成对Transphorm的收购，以下为中电网于收购完成之前对Transphorm的采访文章。　　长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型(D-mode)和增强型(E-mode)氮化镓。在设计电路时，人们倾向于使用增强型(E-mode)晶体管，但其实无论从性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面，常闭型(D-mode)都更优于前者。　　D-mode GaN的优势　　此前，GaN功率半导体产品的全球领先企业Transphorm发布了《Normally-off D-mode 氮化镓晶体管的根本优势》的最新白皮书。其中，介绍了normally-off D-mode GaN平台的几个关键优势，包括：　　性能更高：优越的TCR(~25%)，更低的动态与静态导通电阻比(~25%)，从而降低损耗，获得更高的效率和更优越的品质因数(FOM)。　　高功率级应用更加容易：Transphorm D-mode具有较高的饱和电流，而E-mode则必须通过并联才能提供相同的电流，但这会导致功率密度和可靠性下降。　　稳健性且易驱动性：采用最稳健的硅MOSFET SiO2栅极，不受E-mode的p栅极限制，可兼容硅基驱动器和控制器。　　Transphorm业务拓展及市场营销高级副总裁Philip Zuk　　Transphorm在初入市场时，不断研究、探讨了两种不同的技术路线，最终决定采用常闭型D-mode。十多年来，Transphorm凭借最可靠的GaN平台成功引领行业，设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650V、900V和1200V(尚处于开发阶段)氮化镓器件。目前，Transphorm器件的现场运行时间已超过2000亿小时，覆盖了从低功率到高功率系统最广泛的应用领域。　　Transphorm业务拓展及市场营销高级副总裁Philip Zuk接受了中电网的采访，深入探讨了Transphorm氮化镓(GaN)产品的独特特点、技术优势及其在高性能领域的应用前景。他称：“Transphorm的常闭耗尽型D-mode技术凭借一个GaN核心平台就能够涵盖整个功率范围，没有任何限制，而其他技术则兼需增强型GaN和SiC MOSFET才能达到同样的效果。”　　SuperGaN的优势　　Transphorm的SuperGaN技术是其产品线中的一大亮点。SuperGaN技术是一种共源共栅(cascode)结构的常闭耗尽型(normally-off D-mode)氮化镓平台。该平台特点使得SuperGaN具备了增强型(E-mode)氮化镓所不能比拟的优势，包括：　　Transphorm积累了深厚的GaN专业知识和垂直整合使其能够快速开发出高性能、可靠并且强劲的产品。　　SuperGaN可以保持GaN器件2DEG(即二维电子气，2DEG沟道的电子迁移率最高，可令开关性能达到当前任何其他化合物半导体技术都无法企及的水平。)的自然状态，充分利用2DEG的固有优势，将器件导通电阻降到最低。　　业界最丰富的封装类型：从传统的标准TO封装，直至降低封装电感、提高工作频率和印刷电路板制造效率的顶部和底部冷却式表贴封装。　　业界领先的可靠性：器件运行时间已超过3000亿小时，FIT故障率(每10亿小时发生的故障次数)只有不到0.05。　　此外，SuperGaN还可以提供最高的灵活性：　　直接替代E-mode增强型GaN分立器件解决方案以及Si和SiC MOSFET;　　提供不同的栅极驱动阈值电压，能够匹配使用E-mode增强型分立器件、高压超结和SiC MOSFET的电路设计;　　作为一个垂直整合的企业，能够实现系统级封装(SIP)合作。　　Philip Zuk称，任何其他供应商都无法提供上述优势，这也是Transphorm的SuperGaN技术能够取得成功的关键所在。　　助力快充市场　　如上所述，SuperGaN技术的优势使Transphorm的高压氮化镓场效应晶体管产品组合能够满足当今广泛的市场应用。例如，在快充领域，尤其是智能手机和笔记本电脑的充电器中，GaN器件在提高效率的同时减小体积，使快充设备更快捷高效。Philip Zuk认为，快充行业需要1200V GaN器件，Transphorm是一个垂直整合的企业，自主拥有外延片生产工艺，我们的1200V平台采用的是蓝宝石基GaN，650V SuperGaN平台采用的是硅基GaN。Transphorm将于今年下半年启动首款1200V器件的试样，帮助提升设计能力和成果，助力快充及800V电动汽车制造。　　汽车领域的新选择　　在应用更为广泛的新能源汽车领域，同为宽禁带半导体的SiC被广泛采用，未来GaN在该领域的应用会否更优于SiC呢?Philip Zuk认为，与SiC相比，GaN具有更高的性能，并且GaN器件的制造与硅基制程平台兼容，衬底材料更便宜，因此制造成本也更低。Transphorm的GaN技术650V以及即将在下半年推出的1200V平台可以不断改进性能和降低系统成本，而SiC却做不到。目前，Transphorm的GaN技术已应用于电动汽车的DC-DC以及车载充电器，并将在2030年进一步应用于车载逆变器驱动和三相快充站。　　与竞争技术相比毫不逊色　　Transphorm的SuperGaN技术可以与众多其他技术开展竞争，包括硅超结、IGBT和碳化硅MOSFET等。　　在可驱动性、可设计性和稳健性方面最接近SuperGaN的技术，是已上市近25年的硅超结MOSFET。SuperGaN不断仿效这些市场应用成熟技术的特性，方便客户尽快适应并接受新的技术。　　同时，SuperGaN还为设计者提供独一无二的“GaN优势”，即2DEG，2DEG沟道的电子迁移率最高，可令开关性能达到当前任何其他化合物半导体技术都无法企及的水平。　　高性能SuperGaN技术在良率和可靠性方面可与硅基技术媲美，并可将电源设计提升至一个全新的高度，基于其他技术望尘莫及的固有材料属性，实现性能和功率密度更高而成本更低的系统。　　小结　　全球功率半导体市场正在快速扩展，尤其是在能源效率和高性能需求驱动下，氮化镓技术的市场份额不断增加。随着全球各国推进碳中和目标，氮化镓技术在可再生能源、电动汽车、高效电源管理等领域的应用前景广阔。　　凭借着全方位的产品平台，Transphorm的氮化镓器件已经成功应用于从数十瓦至7.5kW的设计及量产产品，应用领域涵盖计算、能源/工业以及消费类适配器/快充电源。同时，Transphorm还创造了氮化镓行业的众多“第一”，为整个氮化镓功率半导体行业树立新的标杆，帮助越来越多的客户认识氮化镓技术的优势，期待着Transphorm能为新一代电力系统带来更多的贡献。
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发布时间：2024-07-12 10:50 阅读量：416 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨电子</span>：具有NFC身份验证和丰富连接性的高度安全的给药系统
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瑞萨电子：具有NFC身份验证和丰富连接性的高度安全的给药系统

　　在现代医疗保健系统中，药物管理的安全性和精确性对患者的治疗效果至关重要。为了确保患者按时、正确地服药，医疗设施和药品供应链日益依赖高度自动化的技术和设备。　　瑞萨具有NFC身份验证和丰富连接性的高度安全的给药系统，通过各种电机驱动设备(如注射器驱动器)确保自动安全的药物依从性，以实现精确分配。此外，值得一提的是，NFC技术在提供安全的药品认证方面发挥着至关重要的作用，保证了药品的正确使用。　　主要器件介绍　　该方案采用基于Arm® Cortex®-M33内核的RA系列32位MCU RA6M5，实现了安全管理的功能。RA6M5集成了带有专用DMA的以太网MAC，确保高数据吞吐率。采用先进的40nm工艺制造，RA6M5基于灵活配置软件包(FSP)支持，FSP是一个开放且灵活的生态系统。可基于FreeRTOS做应用开发，并支持扩展与其他实时操作系统(RTOS)和中间件集成。RA6M5拥有以太网外设、安全功能、片上集成大容量RAM，非常适合物联网应用的需求。　　PTX100R NFC读卡器具有发射功率大、灵敏度高、波束成形精确、物料成本低等突出优势。此款NFC读卡器IC完全符合最新的EMVCo 3.0/3.1非接触式支付标准，具备丰富的调试功能和直接天线连接(DiRAC™)专利技术。该方案可以使用NFC技术对处方药进行安全认证，以及扫描检测未经授权或过期的药物。　　RAA227063是一款适用于三相无刷直流(BLDC)电机应用的智能栅极驱动器IC。它集成了三个半桥智能栅极驱动器，能够驱动多达三个N通道MOSFET桥，并支持4.5V至60V的桥电压。每个栅极驱动器支持高达1A的拉电流和2A的灌电流峰值，并具有可编程驱动强度控制，精确地控制电机，能够自动和准确地进行药物分配。　　本方案通过多种连接选项实现安全的有线和无线通信，具体包括以太网、无线网络(Wi-Fi)、蓝牙低能耗、LTE-M/NB-物联网。DA16600模块为您的设备添加低功耗Wi-Fi和低功耗蓝牙®(LE)功能提供了便捷的方式。　　系统中采用50W Qi无线充电接收器和电池充电器，为系统提供多种电压输出(3.3V、5V、12V)，可实现不间断电源(UPS)模式和增强的便携性。NP16N06QLK是双N通道MOS 场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。ISL97634用于驱动LED背光。　　ZMID5202是一款带PWM的电感式位置传感器IC，用于精确位置检测。
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发布时间：2024-07-05 13:35 阅读量：384 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨电子</span>：使用GaN FET改进您的三相高压电机逆变器
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瑞萨电子：使用GaN FET改进您的三相高压电机逆变器

　　氮化镓场效应晶体管是当今电力电子领域的明星，它正在提高功率转换效率、电机控制和功率密度，有效满足当前的市场需求和趋势。　　在这个时代，自动化设备及逆变器数量的增加正在彻底改变工业和家庭，对舒适生活方式的追求越来越依赖于高效可靠的电源管理解决方案。随着越来越多的设备和系统融入我们的日常生活，出于经济和环境原因，确保最佳能源使用至关重要。这种需求推动了电源控制和转换技术的进步，这些技术在提高电源效率和性能方面发挥着关键作用。　　功率因数是电气系统效率的关键决定因素，因为功率因数越高，无功功率形式的能量浪费越少。通过优化功率因数，企业和家庭可以显着降低能源消耗和成本，从而实现更可持续的电力使用。在某些地区，法律要求进行功率因数校正(PFC)，以确保有效使用能源并减轻电网压力。　　如今，大多数开关电源和逆变器都采用传统的PFC拓扑结构，利用其简单性、低成本和可靠性。这些传统PFC解决方案的共同特点是使用硅MOSFET或绝缘栅双极晶体管(IGBT)。常见的问题是它们的开关损耗和散热，这在更高功率和更小尺寸下变得具有挑战性。　　随着市场朝着能够以更低成本提供更高功率的小型器件发展，GaN FET开始发挥重要作用。氮化镓场效应管可实现效率和尺寸的改进，可以对系统总成本产生积极影响。　　瑞萨电子的该解决方案演示了如何轻松地将硅器件替换为瑞萨电子氮化镓场效应管(见下图)。　　1.2kW高压逆变器，基于GaN的功率因数校正(PFC)　　该系统的关键部件是MCU，它确保了稳定可靠的系统性能。如今，MCU内核正变得越来越普通，外设提供了越来越多的价值，减少了对外部元件的需求并简化了电源电路控制。　　瑞萨电子提供广泛的专用电机控制MCU和MPU产品组合。　　由于氮化镓场效应管的独特特性，整体系统性能的提高是显而易见的：　　提高硬开关和软开关电路的效率　　提高功率密度　　减小系统尺寸和重量　　更简单的散热设计　　降低整体系统成本　　瑞萨电子氮化镓场效应晶体管的下一个非常重要的优势是，大多数器件都可以用常用的栅极驱动器驱动。此功能允许轻松进行系统升级，从而显著提高效率。　　尽管氮化镓场效应晶体管是当今电力电子的明星，但不应忘记它们与其他部件结合使用可提高系统的整体性能。值得注意的是，逻辑组件经常被忽视或被认为是最后的。它们的主要缺点是它们占用的PCB空间，尽管具有成本优势，因为它通常需要多个组件。我们利用瑞萨电子独特的可编程混合信号器件GreenPAK™和HVPAK™来应对这一挑战。在该解决方案中，HVPAK用于过压保护和放电控制，这是一种相对较小的设备，在独立模式下工作，包含复杂的状态机，确保可靠的硬件运行。如果所选MCU不具备此功能，GreenPAK可在硬件中实现简单可靠的PWM重叠保护。　　从整体趋势来看，电机控制和逆变器系统也变得越来越小，处理的功率也越来越高。这凸显了对解决方案的需求，该解决方案既能提高功率密度，又能最大限度地减少总组件数量和解决方案尺寸。
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发布时间：2024-07-05 13:31 阅读量：567 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨电子</span>双向3KW UPS电源方案带来不间断电力供应能力！
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瑞萨电子双向3KW UPS电源方案带来不间断电力供应能力！

　　在现代企业的运营中，电力供应的稳定与连续是至关重要的。无论是数据中心、医疗设施还是工业制造环境，片刻的电力中断都可能引发数据丢失、设备损坏甚至安全事故，因此，不间断电源(UPS)十分重要，其可确保业务的连续性，从而避免因突然断电而造成的经济损失和潜在的风险。　　针对这一趋势，瑞萨推出双向3KW UPS电源方案，包含高性能升降压控制器、MCU、功率器件，能够为设备提供24小时不间断地稳定电力保障。　　高性能升降压控制器是实现高性能双向电源转换的关键。在此方面，本方案采用ISL81801双向4开关同步升降压控制器，具有峰值和平均电流检测功能，并可在两端进行监控。芯片内部采用专有的降压-升压控制算法，在升压模式采用谷值电流调制，降压模式采用峰值电流调制。在安全性方面，该产品还提供全面的保护功能，如输入和输出的过压保护、欠压保护、过温保护、平均电流和峰值电流限制，以确保单向和双向操作的高可靠性。　　在功率器件的选择上，方案采用RBA250N10CHPF-4UA02 MOSFET，可提高电源转换效率。　　MCU控制方面，方案采用RA2L1微控制器，该产品基于Arm® Cortex®-M23内核采用优化的制程和独特的低功耗工艺技术，支持1.6V至5.5V宽电压工作，CPU时钟频率最高48MHz，在运行模式和待机模式下电流极低。另外，RA2L1还配备了串行通信接口、高精度模拟电路和定时器，能够支持扩展其它功能。　　不仅如此，方案还采用了RAA211230、RAA211820降压稳压器和ISL28217精密运算放大器。RAA211230是一款集成式24V、3A同步降压稳压器，采用电流模式恒定导通时间(COT)控制，并具有全面的保护功能，如输入欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)、输出欠压保护(OUVP)和过温保护(OTP)等。　　RAA211820是一款DC/DC同步降压(降压)稳压器，支持4.5V至75V输入电压范围和可调输出电压。它能提供高达2A的连续输出电流，具有出色的负载和线路调节性能。　　此双向3KW UPS电源方案旨在为客户提供稳定的电力供应，使其免受断电故障干扰。除了出色的器件性能外，瑞萨强大的软/硬件支持能力也可助力客户简化和加快开发过程，缩短产品上市时间，从而在竞争激烈的市场环境中快速脱颖而出。
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发布时间：2024-06-14 09:05 阅读量：495 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨电子</span>：Q1汽车业务增长11.9%！
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瑞萨电子：Q1汽车业务增长11.9%！

　　4月25日，瑞萨电子公布了截至2024年12月的财年第一季度(1-3月)财务业绩。其中净销售额同比下降2.2%至3518亿日元，营业利润下降至1135亿日元，营业利润率同比下降2.4个百分点至32.3%。销售额低于去年同期，但超出预期2.0%，其主要受汇率影响。　　按业务划分，瑞萨汽车业务销售额同比增长11.9%达1,782亿日元，工业、基础设施、物联网业务销售额同比下降13.3%达1,716亿日元，其他业务的销售额为21亿日元。　　瑞萨预计，第二季度销售额将同比下降3.7%至3,550亿日元，但汽车行业、工业、基础设施和物联网领域的销售额将扩大。此外，二季度营业利润率预计下降4.5个百分点至30.5%。这是由于产品组合的预期下滑和制造成本的增加。　　瑞萨电子总裁兼首席执行官柴田英利在财报发布会上表示："2024年第一季度将是我们收益的底部，这一预测没有改变。其中，汽车领域的需求预计全年都将增长，尽管没有那么强劲，数据中心/基础设施业务也将在AI需求的推动下稳步增长。不过，由于客户继续消化库存，工业和移动领域的需求预计将在短期内保持疲软。"　　对于未来经营业绩的恢复，柴田英利预测，"第二季度和第三季度都不会是极好或极坏，都会略有增长。在整个半导体行业，供应短缺已经得到解决，库存正在消化，但在供应短缺最严重时期扩大库存速度较慢的非主要客户部门在消化库存方面落后了。另一个原因是终端用户的需求并未强劲复苏。”　　华泰证券分析指出，全球半导体市场的终端需求复苏呈现疲态，而AI/数据中心将成为核心增长点。同时，全球电动车市场增速放缓，混动渗透率提升，对日本企业的利好效应可能受到延迟。
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发布时间：2024-04-29 14:36 阅读量：1017 继续阅读>>
​<span style='color:red'>瑞萨电子</span>：大功率电机控制系统引领高效能动力新时代
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​瑞萨电子：大功率电机控制系统引领高效能动力新时代

　　在当今这个追求效率、倡导节能环保的时势下，高性能的电动机控制系统凭借其强劲的功率输出和精细的操控能力，已逐渐成为现代机械设备中不可或缺的核心组件。基于此需求，瑞萨推出了10.5kW大功率电机控制解决方案，该方案是一款完整的大功率同步/BLDC电机控制系统参考设计，不仅能够提供强大的动力输出，还能确保高效稳定的运行。　　主要器件介绍　　该解决方案采用高性能RA6T2 MCU，用于处理电机控制和电源PFC调节。RA6T2 MCU基于Arm® Cortex®-M33内核设计，集成了TFU(三角函数单元)和IIRFA(IIR滤波器加速器)两个硬件加速器，以及240MHz的主频，可以助力实现新一代电机控制所需的高实时性能。除此之外，RA6T2还提供48引脚、64引脚和100引脚LQFP封装三种选择，能够满足不同的设计需求。　　借助RA6T2 MCU的性能，该方案允许开发者自行选择通过隔离式的RS-485或CAN接口与外部控制单元连接，为设计提供了灵活性。这两种接口都具有出色的抗干扰能力和远距离传输能力，使系统能够在复杂的工业环境中稳定运行。　　为了实现高效的电机控制，瑞萨选用了内置快恢复二极管(FRD)的IGBT，RBN25H125S1FPQ-A0，它支持最高1250V的电压和25A的电流，并采用经典的TO-247A封装。在栅极驱动部分，方案采用RV1S9231A光电耦合器。这款光耦在其单芯片结构的输入侧整合了一个AlGaAs LED，在输出侧则集成了光电二极管、精细的信号处理电路和电源MOSFET，具有高共模瞬态抗干扰能力(CMR)和高开关速度。　　此外，系统还集成了PS8352AL2光耦合器，具有高共模瞬态抑制(CMTI)和高线性度(非线性)，专为电流和电压传感而设计。这些器件的出色性能有效防止了电气噪声和干扰，确保电机控制在隔离环境中稳定运行。　　在电源供应部分，瑞萨采用反激式和正激式控制器RAA223181与非隔离式AC/DC降压转换器RAA223021。其中，RAA223181内置900V MOSFET，专为高输入电压和高可靠性应用而设计。　　作为一个带有单线控制功能的完整系统，本方案可扩展到用于预测性维护的eAI功能，从而大大提高设备的可靠性和使用寿命。未来，瑞萨将继续秉承创新精神，为各个领域带来更多高效、可靠的解决方案，助力迈向高效能动力的新时代。
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发布时间：2024-04-17 09:45 阅读量：661 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨电子</span>：用于智能视觉的AI摄像头模块
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瑞萨电子：用于智能视觉的AI摄像头模块

　　在智能化浪潮席卷全球的今天，AI摄像头模块正以其强大的功能和广泛的应用领域，成为推动智能化部署的核心部件之一。无论是智慧城市、智能家居还是工厂自动化都在尝试引入AI技术来提升效率、降低人力成本。在这种趋势下，瑞萨推出AI摄像头模块，其具有卓越的性能和灵活的集成方式，能够显著加快智能化部署进程。　　该解决方案以RZ/V2L MPU为核心，可以轻松地将AI功能添加到摄像头模块中，并利用成熟的AI算法，助力应用实现人脸检测、物体检测和视线检测等各种检测功能。　　主要器件介绍　　在整个AI摄像头模块中，RZ/V2L MPU发挥着至关重要的作用。其配备Cortex-A55(1.2GHz)CPU，并内置DRP-AI加速器，可提供实时的AI推理和图像处理功能，具备支持摄像头所必需的色彩校正和降噪等功能。这有利于帮助客户实现基于AI的视觉应用设计，而无需配置外部图像信号处理器(ISP)。此外，RZ/V2L出色的电源效率可消除设备对散热处理(如添加散热器、冷却风扇等)的需求，易于实现小型化。得益于这些特点，RZ/V2L MPU能够经济高效地将AI技术嵌入至多种应用中。　　在电源方面，本方案选择了SLG51001、RAA215300多通道电源管理集成电路(PMIC)。其中，RAA215300是一款高性能、低成本的9通道PMIC，支持DDR3、DDR3L、DDR4和LPDDR4存储器电源接口。该器件集成了内部补偿稳压器、实时时钟(RTC)、32kHz晶体振荡器和钮扣电池充电器，为系统级模块(SOM)应用提供了高度集成、小尺寸的电源解决方案。　　而SLG51001则用于支持CMOS传感器工作，其包含六个结构紧凑、可定制的低压差稳压器，专为高性能相机模块、高级传感器系统和其他小型多轨应用而设计。　　除此之外，为了提升AI模块的功能性和实用性，本方案集成了ISL29501 ToF接近传感器、RAA270205毫米波雷达、DA16600MOD低功耗无线通信模块和DA7212音频编码解码器，设计紧凑，可助力实现更高级别的智能化应用。　　随着AI技术的进一步突破和智能化应用的不断拓展，瑞萨AI摄像头模块方案将有望在更多领域应用和推广，以加速推动行业智能化转型。
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发布时间：2024-03-27 15:21 阅读量：666 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨电子</span>RA8搭载强大的Arm CM85核 为边缘AI应用提供支持
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瑞萨电子RA8搭载强大的Arm CM85核 为边缘AI应用提供支持

　　随着物联网的爆炸式增长，设备通过无处不在的有线和无线连接相互连接和通信。这种超连接性允许收集大量数据，然后将这些数据进行收集、分析从而做出明智的决策。从数据中获取见解并根据这些见解做出自主决策的能力是人工智能(AI)的本质。人工智能(AI)和物联网(IoT)或人工智能物联网(AIoT)的结合，可以创建“智能”设备，这些设备可以从数据中学习并在没有人为干预的情况下做出决策。　　在边缘设备上构建智能的趋势有以下几个驱动因素：　　边缘决策可减少与云连接相关的延迟和成本，并使实时操作成为可能　　云带宽不足导致计算和决策需要边缘设备　　安全性是一个关键的考虑因素 - 对数据隐私和机密性的要求推动了在设备本身上处理和存储数据的需求　　因此，边缘人工智能具有自主性、更低延迟、更低功耗、更低带宽要求、更低成本和更高安全性等优势，所有这些都使其对新兴应用和用例更具吸引力。　　AIoT为MCU开辟了新的市场，使越来越多的新应用和用例成为可能，这些应用和用例可以使用MCU与某种形式的AI加速相结合，以促进边缘和端点设备的智能控制。这些支持AI的MCU为计算和机器学习(ML)提供了独特的DSP功能，并用于关键字识别、传感器融合和振动分析等各种应用。更高性能的MCU可实现更复杂的视觉和成像领域的应用，如人脸识别、指纹分析和物体检测。　　神经网络用于AI/ML应用，例如图像分类、人员检测和语音识别。这些是用于实现机器学习算法的基本构建块，并广泛使用线性代数运算，例如用于推理处理、网络训练和权重更新的点积和矩阵乘法。正如您可能想象的那样，将AI构建到边缘产品中需要处理器具有强大的计算能力。这些新兴AI应用的设计人员需要满足对更高性能、更大内存和更低功耗的需求，同时保持低成本。在过去的日子里，这是GPU和MPU的职权范围，它们具有强大的CPU内核、大内存资源和用于分析的云连接。最近，可以使用AI加速器从主CPU卸载此任务。其他边缘计算应用(如音频或图像处理)需要支持快速乘法累加运算。通常，设计人员选择在系统中添加DSP来处理信号处理和计算任务。所有这些选项都提供了所需的高性能，但会大大增加系统成本，并且往往更耗电，因此不适合低功耗和低成本的端点设备。　　MCU如何填补这一空白?　　更高性能MCU的出现使得低成本、低功耗的边缘AIoT成为现实。AIoT是通过最新MCU更高的计算能力以及更适合这些终端设备中使用的资源受限MCU的轻量级神经网络模型来实现的。与MPU或DSP相比，基于MCU的物联网设备上的AI可实现实时决策和更快的事件响应，并且还具有更低的带宽要求、更低的功耗、更低的延迟、更低的成本和更高的安全性等优势。MCU还提供更快的唤醒时间，从而实现更快的推理时间和更低的功耗，以及与存储器和外设的更高集成度，以帮助降低成本敏感型应用的整体系统成本。　　基于Cortex-M4/M33的MCU可以满足更简单的AI用例的需求，例如性能需求较低的关键字识别和预测性维护任务。然而，当涉及到更复杂的用例时，如视觉AI(目标检测、姿态估计、图像分类)或语音AI(语音识别、NLP)，需要更强大的处理器。较旧的Cortex-M7内核可以处理其中一些任务，但推理性能较低，通常仅在2-4 fps范围内。　　我们需要的是具有AI加速功能的更高性能微控制器。　　RA8系列高性能AI MCU简介　　全新RA8系列MCU采用基于Arm v8.1M架构的Arm Cortex-M85内核和7级超标量流水线，可提供计算密集型神经网络处理或信号处理任务所需的额外加速。　　Cortex-M85是性能最高的Cortex-M内核，配备Helium™，即Arm v8.1M架构中引入的Arm M -Profile矢量扩展(MVE)。Helium是一种单指令多数据(SIMD)向量处理指令集扩展，它可以通过使用单个指令处理多个数据元素来提升性能，例如在多个数据上重复乘法累加。与较旧的Cortex-M7内核相比，Helium显著加速了资源受限的MCU器件中的信号处理和机器学习能力，并在ML任务中实现了前所未有的4倍加速，在DSP任务中实现了前所未有的3倍加速。RA8 MCU具有大容量内存、高级安全性以及丰富的外设和外部接口，非常适合语音和视觉AI应用，以及需要信号处理支持的计算密集型应用，例如音频处理、JPEG解码和电机控制。
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发布时间：2024-03-20 14:30 阅读量：902 继续阅读>>

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