ROHM SiC功率MOSFET 最新发售

发布时间：2019-09-17 00:00
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来源：ROHM Semiconductor
阅读量：6431

ROHM SiC功率MOSFET 最新发售


SiC功率MOSFET

ROHM的SiC MOSFET具有低导通电阻和低开关损耗

ROHM的碳化硅（SiC）MOSFET可提供各种额定电流和封装。它们具有650 V，1,200 V或1,700 V 的各种导通电阻和电压（V DSS）额定值。与IGBT不同，关断期间没有尾电流，从而实现更快的工作速度和更低的开关损耗。此外，与硅器件不同，导通电阻即使在高温下也保持相对恒定，从而使传导损耗最小化。提供具有最大短路耐受时间的第二代平面和具有减小的输入电容和较低栅极电荷模型的第三代沟槽。裸片最高可达1,700 V。


特征

  • 快速切换，低损耗

  • 最高结温：+ 175°C

  • 封装器件额定电压为650 V，1,200 V或1,700 V.

  • 导通电阻为17mΩ至1,150mΩ

  • 提供Spice模型和热模型

  • 第二代平面技术，具有更长的短路耐受时间

  • 对体二极管的使用没有限制

  • 采用低输入电容（C ISS）和低栅极电荷（Q G）的第三代沟槽技术

  • 直流阻断电压：650 V，1,200 V，1,700 V.

  • 最小的开关损耗

  • 工作温度范围：-40°C至+ 175°C

应用

  • 用于感应加热的变频器

  • 电机驱动逆变器

  • 双向转换器

  • 太阳能逆变器

  • 电力调节器


    采用开尔文源连接的第三代TO-247-4L封装（NEW）

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    　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向两轮/四轮机动车中应用日益普及的LED尾灯(刹车灯、后尾灯)、雾灯、转向灯等，开发出内置MOSFET的4通道线性LED驱动器IC“BD183x7EFV-M”(BD18337EFV-M / BD18347EFV-M)。　　新产品采用了两项新技术，即ROHM独有的热分散电路和LED单独控制功能，有助于显著削减LED灯的电路板面积和应用的设计周期，能够为以印度为主的海外两轮机动车市场提供解决方案。　　在削减电路板面积方面，利用独有的热分散电路，将以往各输出通道所需的热分散电路用引脚集约为1个引脚，从而通过小型16pin封装实现了4通道更高输出(150mA/ch)。同时，当点亮规格不同的车载LED灯时，以往需要两个LED驱动器来驱动，而采用LED单独控制功能，仅需1个驱动器即可驱动。　　另外，在削减应用的设计周期方面，通过采用独有的热分散电路，使以往每个通道都需要的热设计如今仅需1次即可，因此，非常有助于减少热设计工时。同时，利用LED单独控制功能，在发生异常时有两种控制方式可选(可选择统一OFF控制或单独OFF控制)，且支持世界各国的两轮机动车牌照灯安全标准，因此很方便在世界各国扩展机型。不仅如此，新产品还配备了可提高设计灵活性的时序亮灯用单独调光功能和保护LED驱动器及外围电路的各种保护功能。　　本产品已于2019年12月起暂以月产25万个的规模投入量产(样品价格　500日元/个，不含税)。前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co.,Ltd.(日本滨松市)，后期工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines Inc.(菲律宾)。　　未来ROHM将继续开发有助于系统优化和节能的产品，不断为两轮和四轮机动车的技术创新贡献力量。　　<背景>　　近年来，在两轮/四轮机动车市场，从节能化和设计灵活性的角度出发，LED车灯的应用越来越广泛，LED灯的数量和亮度均呈现多样化趋势。　　其中，在以两轮机动车为主要交通工具的亚洲地区，两轮机动车制造商希望能够进一步简化驱动尾灯和牌照灯的典型电路结构，以缩短开发周期并降低成本。然而，控制LED的LED驱动器存在热设计方面的问题，因此完全兼顾灯数、亮度、安全性及成本是非常困难的。　　ROHM分析了世界最大的两轮机动车市场--印度市场的需求，开发出采用独有的热分散电路和LED单独控制功能两项新技术的LED驱动器，以解决该课题。　　<新产品特点>新产品采用了两项新技术：“热分散电路”和“LED单独控制功能”，有助于显著削减LED灯的电路板面积和应用的设计周期。　　1. 有助于削减电路板整体的面积1-1 采用热分散电路，　　实现4通道输出的小型化和更高输出新产品采用ROHM独有的热分散电路，将以往解决方案中各输出通道所需的热分散电路用引脚集约为1个引脚，从而使以往业界中最大只能实现3通道的16pin封装进一步实现了小型化，并实现了4通道更高输出(150mA/ch)。在使典型的车载尾灯配置--4路LED灯亮时，以往需要2个LED驱动器，而新产品仅需1个驱动器即可，可减少部件数量和电路板面积。　　1-2 采用LED单独控制功能，　　实现对不同规格的2个LED灯的驱动以往产品要使规格不同的2个LED灯(比如尾灯和牌照灯)灯亮时，需要2枚IC。　　新产品配备了LED单独控制功能，因此仅1枚IC即可驱动规格不同的2个LED灯，IC数量的减少有助于大幅削减电路板面积。　　2. 有助于缩短应用的设计周期2-1 采用独有的热分散电路，减少热设计工时以往产品需要与通道数量相对应的热分散电路，在进行热设计时，需要在考虑到每个通道LED相应的热分散电阻的电气特性偏差的前提下，边确认整个电路边进行权衡设计。新产品采用独有的热分散电路，将热分散电路用引脚集约为1个引脚，从而使以往每个通道都需要的热设计仅1次即可，有助于减少热设计工时。　　2-2 采用异常时的LED单独控制功能，支持在各国扩展机型　　新产品内置有控制方式选择功能，当LED发生异常时，可选择所有通道关闭或单通道关闭。例如，当1路尾灯因断线等原因不亮时，可选择关闭其他所有的通道或者仅关闭断线的通道。各国发生异常时的两轮机动车牌照灯的安全标准不同，新产品可通过一种设置对应众多国家和地区的法律法规，因此在各国进行机型扩展时，可减少重新设计工时。    3. 配备能够提高设计灵活性的时序灯亮功能新产品在1个封装中还搭载了能够实现时序灯亮的单独调光功能，仅需增加电阻器等外置部件，即可实现机型的多样化。　　4. 配备异常时保护电路的各种功能新产品具有丰富的保护功能，如异常时保护车灯的开路短路检测功能和每个通道的异常检测功能等。即使发生异常也能保护电路，防止LED驱动器和外围电路被损坏。　　<其他电气特性>　　※在某些条件下，BD18347EFV-M也支持LED三段驱动。　　<应用示例>适用于　　◇尾灯(刹车灯、后尾灯)　　◇雾灯　　◇转向灯　　◇牌照灯　　◇日间行车灯(Daylight Running Lamps)　　等两轮/四轮机动车的各种LED灯驱动。
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    ROHM开发出车载专用接地检测比较器“BA8290xYxxx-C系列”
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    ROHM开发出抗干扰性能优异的比较器“BA8290xYxxx-C系列”2019年10月30日Ameya360电子元器件平台代理的品牌—ROHM（，全球知名半导体制造厂商，总部位于日本京都）面向汽车动力系统和引擎控制单元等在严苛环境下使用车载传感器的车载电装系统，开发出抗EMI性能*1（以下称“抗干扰性能”）极其出色的接地检测比较器*2“BA8290xYxxx-C系列”（BA82903YF-C / BA82903YFVM-C / BA82901YF-C / BA82901YFV-C）。点击购买在国际标准“ISO11452-2”的抗扰度测试中，本产品作为传感器输出信号等的阈值判断用比较器，在各种噪声频段均表现出极其出色的抗干扰性能，输出电压波动均在±1%以内。普通产品受噪声干扰的影响，输出电压波动达±20%以上，甚至可能发生误动作（High / Low反转），而本产品不会受到噪声干扰的影响，因此，可减轻以往采用各种滤波器降噪的设计负担，有助于减少系统的设计工时并提高可靠性。该比较器系列将与2017年ROHM推出的抗EMI性能优异的运算放大器*2系列一起，作为实现了极其出色的抗干扰性能的“EMARMOUR系列”之一而供应。未来，ROHM会将具有卓越抗干扰性能的技术应用到电源IC等产品中，为进一步简化车载系统的设计并提高其可靠性贡献力量。近年来，随着用于电动汽车和ADAS（高级驾驶辅助系统）的车载电装系统的电子化、高密度化日益加速，噪声环境也越来越严峻。通常，在汽车开发中，难以对电路板和系统单体做噪声评估，一般需要组装后进行评估，然而一旦评估结果NG，就需要大规模修改，因此噪声设计一直是很大的课题。ROHM针对该课题，于2017年推出了抗噪性能极其出色、可减轻噪声设计负担的运算放大器，并在车载市场获得了高度好评。此次，为了满足市场强劲的需求，ROHM运用自身技术，开发出抗EMI性能优异的比较器。● 什么是“EMARMOUR”？“EMARMOUR”是ROHM产品的品牌名，该品牌产品融入了ROHM的“电路设计技术”、“布局技术”及“工艺技术”优势开发而成，并在ISO11452-2的国际抗扰度评估测试中，实现在各种噪声频段的输出电压波动均在±3%以内的抗干扰性能。由于抗干扰性能非常出色，有助于解决车载电装系统开发过程中的噪声干扰问题，因而可减少设计工时并提高可靠性。● 新产品特点1. 抗干扰性能极其出色，有助于减少设计工时在各种噪声频段，普通产品的输出电压波动达±20%以上，甚至可能发生误动作（High / Low反转），相比之下，“BA8290xYxxx-C系列”的抗干扰性能非常出色，输出电压波动仅±1%以内，且不会发生误动作。因此，可减轻在车载电装系统中发挥重要作用车载传感器的噪声设计负担，从而有助于减轻系统的设计工时并提高可靠性。2. 降噪用部件数量减少因为该系列产品的抗干扰性能极其出色，所以可减少普通产品必不可少的外置降噪部件（电源、输入、输出的三种CR滤波器）。以四通道比较器为例，与普通产品相比，共可减少28个降噪部件。 3. 满足全球汽车领域的要求（AEC-Q100）“BA8290xYxxx-C系列”不仅满足全球汽车电子产品可靠性标准AEC-Q100，而且，与普通产品相比，消耗电流仅为0.6mA（普通产品为0.8mA），失调电压仅为±5mV（普通产品±7mV）。另外，产品采用标准的比较器引脚配置、常用的表面贴装型封装和通道数，可轻松替换可能有噪声问题的现有产品。● 抗干扰性能极其出色的“EMARMOUR系列”产品阵容● 应用示例★EV/HEV的逆变器   ★引擎控制单元  ★自动变速箱★电动助力转向系统  ★车灯  ★组合开关★EV充电器   ★汽车导航  ★汽车空调等对电子电路降噪要求高的各种车载电装系统●术语解说*1)  抗EMI（Electromagnetic Interference: 电磁干扰）性能抗EMI性能是表示对周围产生的噪声干扰的耐受性的指标。如果抗EMI性能较差，则当周围产生噪声干扰时，元器件或系统有可能产生误动作，因此需要使用滤波器（电容器、电阻器等）和屏蔽（金属板）来降低噪声。反之，如果抗EMI性能优异，则无需担心噪声干扰的影响，这在减少针对噪声的设计工时方面具有非常明显的优势。*2)  运算放大器和比较器运算放大器简称“运放”，可放大输入信号。通过放大传感器输出信号等微小信号，使之达到微控制器等可识别的电压电平。比较器用于判断输入信号的阈值。可对传感器的输出信号等进行阈值判断，并可输出数字（High/Low）信号。
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    ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
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    ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

    　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)，开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压)，非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。　　此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L)，可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比，开关损耗可降低约35%，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。　　另外，罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”，该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品，可为客户提供轻松进行元器件评估的解决方案。　　本系列产品已于2019年8月起以月产50万个的规模逐步投入量产(样品价格2,100日元起，不含税)。生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈)。此外，本系列产品和评估板已于2019年9月起开始网售，可从AMEYA360、icHub购买。　　近年来，随着AI和IoT的发展与普及，对云服务的需求日益增加，与此同时，在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展，而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面，以往服务器的功率转换电路中，主要采用的是硅(Si)元器件，如今，损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET，与以往封装相比，可降低开关损耗，因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。　　2015年，ROHM成功实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产，并一直致力于先进的产品开发。此次新开发出650V/1200V耐压的低损耗SiC MOSFET，未来也会继续推进创新型元器件的开发，同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案，为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。　　<特点>　　采用4引脚封装(TO-247-4L)，开关损耗降低约35%在传统的3引脚封装(TO-247N)中，源极引脚的电感分量※2)会引起栅极电压下降，并导致开关速度延迟。　　此次，SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L)，可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚，因此，可减少电感分量的影响。这样，能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能，尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。　　<产品阵容>　　SCT3xxx xR系列是采用沟槽栅结构的SiC MOSFET。此次新推出了共6款机型，其中包括650V的3款机型和1200V的3款机型。　　<应用>服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。　　<评估板信息>　　SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配备了非常适用于SiC元器件驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品，可轻松进行元器件的评估。为了提供在同一条件下的评估环境，该评估板不仅可以评估TO-247-4L封装的产品，还可安装并评估TO-247N封装的产品。另外，使用该评估板，可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。　　<术语解说>　　※1 沟槽栅结构　　沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻，比平面结构更容易实现微细化，有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。　　※2 电感分量　　表示电流变化时由电磁感应产生的电动势大小的量。
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