ROHM开发出车载专用接地检测比较器“BA8290xYxxx-C系列”

发布时间：2019-10-30 00:00
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来源：ROHM Semiconductor
阅读量：5881

ROHM开发出车载专用接地检测比较器“BA8290xYxxx-C系列”

ROHM开发出抗干扰性能优异的比较器“BA8290xYxxx-C系列”

2019年10月30日


Ameya360电子元器件平台代理的品牌—ROHM（，全球知名半导体制造厂商，总部位于日本京都）面向汽车动力系统和引擎控制单元等在严苛环境下使用车载传感器的车载电装系统，开发出抗EMI性能*1（以下称“抗干扰性能”）极其出色的接地检测比较器*2“BA8290xYxxx-C系列”（BA82903YF-C / BA82903YFVM-C / BA82901YF-C / BA82901YFV-C）。

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在国际标准“ISO11452-2”的抗扰度测试中，本产品作为传感器输出信号等的阈值判断用比较器，在各种噪声频段均表现出极其出色的抗干扰性能，输出电压波动均在±1%以内。普通产品受噪声干扰的影响，输出电压波动达±20%以上，甚至可能发生误动作（High / Low反转），而本产品不会受到噪声干扰的影响，因此，可减轻以往采用各种滤波器降噪的设计负担，有助于减少系统的设计工时并提高可靠性。

该比较器系列将与2017年ROHM推出的抗EMI性能优异的运算放大器*2系列一起，作为实现了极其出色的抗干扰性能的“EMARMOUR系列”之一而供应。未来，ROHM会将具有卓越抗干扰性能的技术应用到电源IC等产品中，为进一步简化车载系统的设计并提高其可靠性贡献力量。

ROHM开发出车载专用接地检测比较器“BA8290xYxxx-C系列”

近年来，随着用于电动汽车和ADAS（高级驾驶辅助系统）的车载电装系统的电子化、高密度化日益加速，噪声环境也越来越严峻。通常，在汽车开发中，难以对电路板和系统单体做噪声评估，一般需要组装后进行评估，然而一旦评估结果NG，就需要大规模修改，因此噪声设计一直是很大的课题。

ROHM针对该课题，于2017年推出了抗噪性能极其出色、可减轻噪声设计负担的运算放大器，并在车载市场获得了高度好评。此次，为了满足市场强劲的需求，ROHM运用自身技术，开发出抗EMI性能优异的比较器。


ROHM开发出车载专用接地检测比较器“BA8290xYxxx-C系列”


● 什么是“EMARMOUR”？

“EMARMOUR”是ROHM产品的品牌名，该品牌产品融入了ROHM的“电路设计技术”、“布局技术”及“工艺技术”优势开发而成，并在ISO11452-2的国际抗扰度评估测试中，实现在各种噪声频段的输出电压波动均在±3%以内的抗干扰性能。由于抗干扰性能非常出色，有助于解决车载电装系统开发过程中的噪声干扰问题，因而可减少设计工时并提高可靠性。


ROHM开发出车载专用接地检测比较器“BA8290xYxxx-C系列”


● 新产品特点

1. 抗干扰性能极其出色，有助于减少设计工时

在各种噪声频段，普通产品的输出电压波动达±20%以上，甚至可能发生误动作（High / Low反转），相比之下，“BA8290xYxxx-C系列”的抗干扰性能非常出色，输出电压波动仅±1%以内，且不会发生误动作。因此，可减轻在车载电装系统中发挥重要作用车载传感器的噪声设计负担，从而有助于减轻系统的设计工时并提高可靠性。

2. 降噪用部件数量减少
因为该系列产品的抗干扰性能极其出色，所以可减少普通产品必不可少的外置降噪部件（电源、输入、输出的三种CR滤波器）。以四通道比较器为例，与普通产品相比，共可减少28个降噪部件。

 

ROHM开发出车载专用接地检测比较器“BA8290xYxxx-C系列”


3. 满足全球汽车领域的要求（AEC-Q100）

“BA8290xYxxx-C系列”不仅满足全球汽车电子产品可靠性标准AEC-Q100，而且，与普通产品相比，消耗电流仅为0.6mA（普通产品为0.8mA），失调电压仅为±5mV（普通产品±7mV）。另外，产品采用标准的比较器引脚配置、常用的表面贴装型封装和通道数，可轻松替换可能有噪声问题的现有产品。


● 抗干扰性能极其出色的“EMARMOUR系列”产品阵容

ROHM开发出车载专用接地检测比较器“BA8290xYxxx-C系列”


● 应用示例

★EV/HEV的逆变器   ★引擎控制单元  ★自动变速箱
★电动助力转向系统  ★车灯  ★组合开关
★EV充电器   ★汽车导航  ★汽车空调
等对电子电路降噪要求高的各种车载电装系统


●术语解说

  • *1)  抗EMI（Electromagnetic Interference: 电磁干扰）性能

  • 抗EMI性能是表示对周围产生的噪声干扰的耐受性的指标。如果抗EMI性能较差，则当周围产生噪声干扰时，元器件或系统有可能产生误动作，因此需要使用滤波器（电容器、电阻器等）和屏蔽（金属板）来降低噪声。反之，如果抗EMI性能优异，则无需担心噪声干扰的影响，这在减少针对噪声的设计工时方面具有非常明显的优势。

  • *2)  运算放大器和比较器

  • 运算放大器简称“运放”，可放大输入信号。通过放大传感器输出信号等微小信号，使之达到微控制器等可识别的电压电平。
    比较器用于判断输入信号的阈值。可对传感器的输出信号等进行阈值判断，并可输出数字（High/Low）信号。


ROHM开发出车载专用接地检测比较器“BA8290xYxxx-C系列”

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　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)，开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压)，非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。　　此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L)，可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比，开关损耗可降低约35%，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。　　另外，罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”，该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品，可为客户提供轻松进行元器件评估的解决方案。　　本系列产品已于2019年8月起以月产50万个的规模逐步投入量产(样品价格2,100日元起，不含税)。生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈)。此外，本系列产品和评估板已于2019年9月起开始网售，可从AMEYA360、icHub购买。　　近年来，随着AI和IoT的发展与普及，对云服务的需求日益增加，与此同时，在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展，而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面，以往服务器的功率转换电路中，主要采用的是硅(Si)元器件，如今，损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET，与以往封装相比，可降低开关损耗，因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。　　2015年，ROHM成功实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产，并一直致力于先进的产品开发。此次新开发出650V/1200V耐压的低损耗SiC MOSFET，未来也会继续推进创新型元器件的开发，同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案，为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。　　<特点>　　采用4引脚封装(TO-247-4L)，开关损耗降低约35%在传统的3引脚封装(TO-247N)中，源极引脚的电感分量※2)会引起栅极电压下降，并导致开关速度延迟。　　此次，SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L)，可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚，因此，可减少电感分量的影响。这样，能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能，尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。　　<产品阵容>　　SCT3xxx xR系列是采用沟槽栅结构的SiC MOSFET。此次新推出了共6款机型，其中包括650V的3款机型和1200V的3款机型。　　<应用>服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。　　<评估板信息>　　SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配备了非常适用于SiC元器件驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品，可轻松进行元器件的评估。为了提供在同一条件下的评估环境，该评估板不仅可以评估TO-247-4L封装的产品，还可安装并评估TO-247N封装的产品。另外，使用该评估板，可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。　　<术语解说>　　※1 沟槽栅结构　　沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻，比平面结构更容易实现微细化，有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。　　※2 电感分量　　表示电流变化时由电磁感应产生的电动势大小的量。
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ROHM SiC功率MOSFET 最新发售
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SiC功率MOSFETROHM的SiC MOSFET具有低导通电阻和低开关损耗ROHM的碳化硅（SiC）MOSFET可提供各种额定电流和封装。它们具有650 V，1,200 V或1,700 V 的各种导通电阻和电压（V DSS）额定值。与IGBT不同，关断期间没有尾电流，从而实现更快的工作速度和更低的开关损耗。此外，与硅器件不同，导通电阻即使在高温下也保持相对恒定，从而使传导损耗最小化。提供具有最大短路耐受时间的第二代平面和具有减小的输入电容和较低栅极电荷模型的第三代沟槽。裸片最高可达1,700 V。特征快速切换，低损耗最高结温：+ 175°C封装器件额定电压为650 V，1,200 V或1,700 V.导通电阻为17mΩ至1,150mΩ提供Spice模型和热模型第二代平面技术，具有更长的短路耐受时间对体二极管的使用没有限制采用低输入电容（C ISS）和低栅极电荷（Q G）的第三代沟槽技术直流阻断电压：650 V，1,200 V，1,700 V.最小的开关损耗工作温度范围：-40°C至+ 175°C应用用于感应加热的变频器电机驱动逆变器双向转换器太阳能逆变器电力调节器采用开尔文源连接的第三代TO-247-4L封装（NEW）图片制造商零件编号描述可用数量查看详情SCT3040KRC141200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 430查看详情SCT3080KRC141200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 430查看详情SCT3105KRC141200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 430查看详情SCT3030ARC14采用4P的650V NCH SIC TRENCH MOSFET0查看详情SCT3060ARC14采用4P的650V NCH SIC TRENCH MOSFET30查看详情SCT3080ARC14采用4P的650V NCH SIC TRENCH MOSFET0查看详情SiC功率MOSFET单一图片制造商零件编号描述可用数量查看详情SCT2080KECUMOSFET N-CH 1200V 40A TO-24720查看详情SCT2120AFCUMOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB10查看详情SCT2280KECUMOSFET N-CH 1200V 14A TO-24722查看详情SCT2450KECUMOSFET N-CH 1200V 10A TO-24717查看详情SCT2H12NZGC11MOSFET N-CH 1700V 3.7A TO-3PFM55查看详情SiC功率MOSFET阵列图片制造商零件编号描述可用数量查看详情BSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE4查看详情BSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE8查看详情BSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE22查看详情BSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE10查看详情
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