佰维携嵌入式存储产品亮相CCBN 2023

发布时间：2023-04-20 10:17
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：2187

　　佰维在本届大会展示eMMC、UFS、LPDDR、DDR、ePOP/eMCP等嵌入式存储产品，以及智能电视、智能穿戴、手机/平板、物联网等存储解决方案。典型代表产品有：

佰维携嵌入式存储产品亮相CCBN 2023

　　佰维eMMC：稳定流畅、超长寿命，助力智能电视畅享新视界针对高端智能电视应用需求，佰维推出MLC颗粒eMMC芯片解决方案。该产品顺序读写速度分别可达215MB/s、90MB/s，工作功耗仅为200mW。通过公司存储介质筛选和自研固件设计开发，佰维eMMC芯片具备高读写性能、可靠性、长使用寿命等特点，解决了智能电视开机卡顿、运行不畅的问题；凭借佰维自主开发的测试软件平台、核心测试算法及配套测试设备，佰维eMMC芯片拥有极高稳定性，避免出现频繁的异常掉电现象。

　　佰维LPDDR5：高效能、多容量，加速手机/平板升级迭代LPDDR5支持多Bank Group模式，传输速率高达6400Mbps，传输带宽达到51GB/s，可提供16Gb-64Gb多容量可靠方案，多组电压动态调节使功耗降低30%。高性能、低功耗、更稳定可靠和多容量选择，佰维LPDDR5内存方案将有效满足中高端智能手机、平板电脑、汽车等各种智能终端对内存芯片的需求。

　　佰维ePOP E100：高性能、低功耗，赋能智能穿戴小而精佰维依托研发封测一体化优势，推出了尺寸仅为10*10mm的ePOP E100产品，最大顺序读写速度分别为310MB/s、240MB/s。该产品集成高性能eMMC和LPDDR芯片，垂直贴装于CPU之上，较传统方案面积减少60%，同时减少了电流信号间的传输距离，兼备高性能与低功耗。因而，佰维ePOP E100尤其适用于对尺寸、功耗和可靠性要求高的智能穿戴设备，可为终端厂商提供快速、灵活落地的技术方案，缩短产品上市周期。

　　佰维UFS3.1：高读速、大容量，助力旗舰智能手机面向旗舰智能手机，佰维推出了UFS3.1高速闪存，写入速度高达1200MB/s，容量高达512GB。佰维依托自研固件算法能力，同时根据JEDEC发布的UFS3.1规范，为UFS3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能，确保产品高速运行的同时，降低产品功耗；大幅缩短应用加载的等待时间，提升移动终端的工作效率。


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　　在数字经济的框架下，存力、算力、运力三者构成了核心支撑体系，存储是发挥高性能算力的前提与基础。随着大模型参数规模向万亿级迈进，带动企业大型数据中心、超算中心等高算力场景不断扩大，千行百业对于存储应对高并发高吞吐能力、功耗优化和运营成本的要求越来越高。采用更高配置的存储解决方案，企业可提高运营效率，实现更高的经济效益。　　近日，2024中国数据与存储峰会在北京圆满落幕，佰维存储携多款高能效eSSD与CXL内存模组亮相，为云计算等前沿应用提供存力支撑。会议同期揭晓了闪存风云榜，佰维存储的SP506/516系列PCIe5.0 SSD荣获了“2024年度企业级固态盘产品金奖”，彰显公司在企业级存储领域的创新技术实力与硬核产品力。　　1、服务器内存+企业级SSD全覆盖，兼顾性能与RAS特性　　为满足先进算力建设场景对数据存储的高标准需求，佰维存储依托自身在存储解决方案领域的技术积累与创新能力，成立北京子公司专注于企业级存储的研发与销售，围绕云计算、数据中心、AI服务器、智算中心等应用场景需求打造了系统的存储解决方案。目前，佰维已推出包括企业级PCIe 4.0/5.0 NVMe SSD、企业级SATA SSD、企业级RDIMM、CXL 2.0内存扩展模块在内的多款性能出色、高稳定和高安全性的产品，覆盖 2.5inch, U.2, E1.S, E3.S 等产品形态，以及PCIe、SATA两大主流接口，实现技术创新与产品品类的双重突破。　　创新CXL2.0内存拓展模块　　赋能高性能算力，释放AI创新潜力　　随着AI应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。佰维成功自主研发完成了支持CXL2.0规范的CXL内存扩展卡，同时可向下兼容CXL1.1规范，可为AI/ML的深度学习模型训练、HPC的科学计算，以及云计算等数据密集型应用等领域提供强大的内存扩展能力和高带宽支持，满足高性能CPU/GPU的算力需求。　　佰维CXL内存扩展卡可支持AIC以及E3.S两种不同的接口规范，适应不同服务器架构的需求，其中AIC类型内存容量最高可扩展至2TB，E3.S类型最大容量可支持128GB，物理层采用PCIe 5.0标准，支持8条通道，峰值带宽可达30GB/s。支持DDR5 6400MT/s的内存速度，显著提升系统性能。此外，CXL2.0内存拓展模块集成SMBUS/I3C/I2C/SPI等多种低速通信接口，便于获取DIMM内存的基本信息。具备强大的RAS(Reliability, Availability, Serviceability)特性，包括SECDED、SDDC ECC、CXL链路CRC、自动错误修复等功能，确保系统的稳定性和可靠性。　　SP406/416系列企业级PCle 4.0 SSD　　超低延迟、优秀能效比　　佰维SP406/416系列企业级PCle SSD产品，最大顺序读/写速度高达7050MB/s、4200MB/s，覆盖1 DWPD读取密集型和3 DWPD读写混合型两种不同类型应用，凭借优异的主控芯片架构，可实现超低延迟与优秀能效比，适合用于超大型的数据中心、云计算、计算型服务器、AI服务器等应用场合。同时，该系列企业级PCle SSD支持现代化的数据中心的各种特性，包括AES256加密、Sanitize高级格式化、Internal RAlD、Secure Boot安全启动、TCG Opal 2.0等高级特性。　　SS621系列2.5" SATA SSD　　构建强大的企业级数据中心　　针对构建强大的企业级数据中心的需求，佰维存储推出了SS621系列2.5" SATA SSD，具有出色的稳定性和可靠性，最大顺序读取速度达560MB/s，最大顺序写入速度为535MB/s，4K随机读取/写入(IOPS)最高可至100K/45K，提供多种容量选择(480GB~7.68TB)，长达1DWPD的寿命保障。　　02、创新存储解决方案，成功打造高端PCIe 5.0企业级SSD标杆产品　　在会议同期揭晓的DOIT AWARD 2024存储风云榜上，汇集存储产业具有突破性和代表性的优秀产品与解决方案。佰维SP506/516系列企业级PCle5.0 SSD产品荣获“2024年度企业级固态盘产品金奖”。　　面向AI时代的数据存储需求，佰维通过实施研发封测一体化战略，显著提升了企业级存储产品的存储密度、性能与能效比。公司拥有资深的介质研究团队、主控IC设计与固件算法开发团队，针对企业级应用场景进行深入的介质特性分析与架构设计，并通过算法优化提升存储系统整体性能，如通过高效的磨损均衡算法、垃圾回收机制和ECC，延长存储设备的使用寿命，减少数据丢失的风险，并提高数据读写的效率。在先进封装和测试环节，公司应用前沿的封装技术和严格的测试流程，提高存储的集成度和散热性能，确保了每一款产品在出厂前都经过了全面的质量检验，包括功能测试、性能测试、可靠性测试和环境适应性测试，为客户提供高性能、高可靠的企业级存储产品。　　佰维SP506/516系列企业级PCle5.0 SSD产品则是公司在企业级领域推出的高端代表产品之一，基于PCle5.0x4接口，最大带宽较Gen4产品增长两倍，容量覆盖2T~16T，可满足EDSFF新型服务器、传统服务器、工作站等不同硬件平台的部署需求。此外，该系列产品采用创新的SSD控制器芯片架构，可实现超低且一致的读写延迟，具备优秀的能效比表现，为客户提供业界领先的IOPS/Watt 综合性能，助力客户降低TCO。产品覆盖了1 DWPD读取密集型和3 DWPD读写混合型两种不同类型应用，并支持现代化的数据中心的各种特性，包括AES256加密、Sanitize高级格式化、Data-path E2E Protection、Internal RAlD、Secure Boot、TCG Opal 2.0等高级特性。　　/ 结语 /　　通过持续的存储解决方案研发与升级，佰维企业级产品在性能、安全可靠性和能效比方面持续进阶。随着数字化转型的不断深入，佰维存储始终致力于为企业客户提供强大、高效、灵活且安全的存储解决方案，助力企业激发数据潜力，推动业务发展迈向AI+的新篇章。
2024-11-15 13:37 阅读量：280
佰维特存推出工业级ECC DDR4 SODIMM内存条，守护极端环境下的工业存储需求
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佰维特存推出工业级ECC DDR4 SODIMM内存条，守护极端环境下的工业存储需求

　　为应对严苛环境下的数据存储挑战，近日，佰维特存推出工业宽温级ECC SODIMM内存条，精选宽温颗粒，数据速率达3200Mbps，容量覆盖4GB～16GB。产品通过抗硫化与稳定性测试，从容应对高温、低温、高湿度、强震动等恶劣环境，满足电力设备、电信设备、工控机、轨道交通、自助终端、医疗设备等场景对数据可靠、稳定存储的需求。　　【工业级宽温标准，严苛环境的可靠之选 】　　-严选宽温颗粒，4 corner全方位测试评估，耐受-40°C至85°C的极端温度;　　-通过ANSI/ISA-71.04-2013抗硫化认证，适应恶劣高污染环境;　　-产品经过TC、THB、HTOL、LTOL等严苛测试，确保长时间稳定运行。　　【ECC护航，构筑持久稳定存算系统】　　-先进ECC纠错技术，智能检测并修复数据错误，有效保障数据完整性;　　-严格遵循JEDEC设计规范，确保高可靠性;　　-助力存储系统稳定性和持久性，提升系统生命周期。　　【高效内存架构，释放强劲算力】　　-多容量可选(4GB、8GB、16GB)，满足不同应用场景;　　-数据速率高达3200Mbps，保障工业自动化数据高速传输;　　-多架构支持(1R×16，1R×8)　　【稳定内核，构建智能制造基石】　　-专为智能制造与AI领域设计，助力工业自动化高效落地;　　-内置温度传感器，实时监控温度，提升系统稳定性;　　-30μ"金手指镀金层厚度，高抗振抗冲击性能，满足工业设备严苛标准。
2024-11-15 13:31 阅读量：180
佰维存储推出新一代高效能LPDDR5X内存，加速高性能终端设备AI应用
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　　根据IDC预测，到2024年底，全球内置GenAI功能的智能手机出货量将达2.342亿部，同比增长363.6%，占整体出货量的19%;到2028年，这一数字预计将增长至9.12亿部，2024年至2028年的年复合增长率将达到78.4%。这种快速增长反映了市场对智能化服务和用户体验升级的强烈需求。GenAI功能不仅提供更个性化和智能的服务，还对智能手机硬件提出了更高要求，包括高算力SoC和高速可靠的嵌入式存储器，以确保手机流畅运行。　　近日，佰维存储推出了新一代高效能内存——LPDDR5X，产品采用了1bnm制程工艺，与上一代产品相比，数据传输速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，容量为8GB、12GB、16GB(ES阶段)，为旗舰智能手机等终端设备提供卓越的性能与节能优势。　　01速率提升33%，加速高性能移动设备AI应用　　佰维LPDDR5X的数据传输速率高达8533Mbps，较上代产品提升33%。这一提升主要得益于LPDDR5X采用了更先进的时钟技术和电路设计，支持更高的时钟频率，从而实现更快的数据传输。同时，为了在更高的频率下保持信号的稳定性和可靠性，LPDDR5X引入了更先进的信号完整性和抗干扰技术。　　此外，LPDDR5X通过降低电压摆幅和采用更高效的驱动器和接收器设计，提高了信号的驱动能力和接收灵敏度，从而支持更高的数据传输速率。LPDDR5X还优化了内部时序参数，降低了CAS Latency，减少了数据访问等待时间，并通过改进行激活时间和行预充电时间，提高了整体效率，确保在高频率下仍能保持稳定和高效的数据传输，助力高性能移动设备AI应用。　　02功耗降低25%，更高能效提升设备续航能力　　佰维LPDDR5X采用了先进的1bnm制程工艺和创新的电路设计。产品通过降低辅助电源电压(VDD2)，减少了整体功耗。产品还进一步优化了动态电压和频率调节技术(DVFS)，可根据实际负载情况动态调整工作电压和频率，在低负载时降低电压和频率，从而显著减少功耗;在空闲时进入深度睡眠模式(Deep-sleep mode)，大幅降低功耗，延长电池寿命。　　此外，LPDDR5X引入了自适应刷新技术，可根据实际工作条件动态调整刷新周期。这使得内存可以在保持数据完整性的同时，减少不必要的刷新操作，从而降低功耗。这些技术改进共同确保了LPDDR5X在高性能移动设备和计算平台中的高效能和长续航能力。　　03先进测试能力加持，打造高品质与一致性　　DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试。佰维存储基于对半导体存储器的全维度深入理解，采用了行业领先的半导体测试机台Advantest T5503HS2，并结合自研的自动化测试设备，以及自研测试软件平台、核心测试算法，覆盖了从设计验证到量产测试的全过程。通过先进的测试技术和严格的品质控制流程，佰维存储能够有效识别和排除潜在的质量问题，确保每一颗LPDDR5X芯片在性能、可靠性和稳定性方面均符合严苛标准，打造产品的高品质和一致性。　　/ 结语 /　　佰维存储LPDDR5X内存凭借其显著提升的数据传输速率和更低的功耗，可为高端智能手机、笔记本电脑、5G设备等高性能设备提供卓越的操作体验，并助力其实现更长的电池续航和更高的整体性能。展望未来，随着端侧AI应用的不断普及和发展，本地实现流畅运行大模型对终端设备的存储能力带来更高要求，驱动存储提速、扩容。佰维存储将继续发挥其研发封测一体化布局优势，通过在存储芯片设计、解决方案研发、封测制造等领域的持续研发投入和技术创新，不断满足智能终端市场对更高性能、更低功耗、更高可靠性的存储解决方案的需求，助力客户提升产品竞争力。
2024-11-12 10:38 阅读量：293
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