<span style='color:red'>上海贝岭</span>荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项
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上海贝岭荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项

　　11月5日，上海贝岭市场工业市场经理冒晶晶受邀参加由全球技术信息集团 ASPENCORE举办的“IIC SHENZHEN-国际集成电路展览会暨研讨会”。会议中，上海贝岭工业市场经理冒晶晶进行了 “功率器件助推上海贝岭积极融入新能源赛道”的主题演讲并与出席会议的各大半导体行业专家及相关产业嘉宾进行了交流学习。　　此次会议中，上海贝岭凭借第7代750V 275A 沟槽栅场阻止结构IGBT芯片(BLQG275T75F)荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项。　　BELLING　　产品推荐　　BLQG275T75F产品基于贝岭Trench-FS Gen7 技术平台，具有正向压降小、开关速度快，开关损耗低、高可靠性等特点。采用第七代微沟槽栅技术，优化了导通压降和开关损耗，实现更好的输出特性及高可靠性。采用优化的多层场截止技术，改善了器件在不同母线电压和栅电阻下的短路表现。采用优化的结终端技术，实现175℃的最高工作温度、高可靠性以及强鲁棒性。　　该芯片完成全面的车规认证，特别为工作频率在5 至20kHz的硬开关电路设计，主要面向新能源汽车应用市场。该芯片针对电动汽车驱动应用特点特别优化损耗分布，优化正温度系数，使得该芯片易于并联使用，保证了产品的易拓展性，可通过不同封装形式满足不同功率等级的应用。　　应用：以TO-247PLUS 单管封装可广泛应用于最高40kW的汽车主驱逆变器，适合A0级和A00级纯电动汽车。以HPD等形式的750V IGBT功率模块可广泛应用于最高120kW的汽车主驱逆变器，适合A级纯电动及混合动力汽车。
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发布时间：2024-11-11 16:48 阅读量：345 继续阅读>>

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