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雷卯：<span style='color:red'>汽车</span>12V和24V电池输入保护推荐

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雷卯：汽车12V和24V电池输入保护推荐

汽车电池电源线路在运行系统时容易出现瞬变。所需的典型保护包括过压、过载、反极性和跨接启动。在汽车的生命周期中，交流发电机可能会被更换为非OEM 部件。售后市场上的交流发电机可能具有不同的负载突降（LOAD DUMP）保护或没有负载突降保护，这可能导致损坏电子控制单元 (ECU)。前装产品在设计初期要充分考虑测试需求，保证充分余量。保护需求雷卯本文主要讨论电源口的保护需求，一般包括了• 过压保护• 过载保护 • 瞬态抑制 • 反极性保护 •在未抑制负载突降脉冲期间实现A类运行, 符合 ISO 7637-2、ISO 16750-2 的要求。一般来说电源口电磁兼容EMC遵循的标准如下：1、 ISO7637-2 包括很多波形2、 ISO1650-2 包括波形A 和波形B3、 LV124标准包括众多汽车主机厂的自己标准，比如VW80000和宝马，奔驰，保时捷自己的体系标准4、 JASO A-1 日本体系的测试标准5、 SAEJ1113-11 美国汽车工业协会的测试标准。虽说各个标准数据各不一样，但是总体来说波形差不多，只是每家的电压，电阻，波形长度各有各自的说法。所以在前期设计时要明确测试标准非常重要。ISO 7637的标准名为“道路车辆-传导和耦合引起的电干扰”，第二部分特别是“仅沿供电线的电瞬态传导”。该标准定义了一个测试程序，包括测试脉冲的描述，以测试电气子系统对瞬态的敏感性，这可能对其操作造成潜在的损害。每个脉冲都被建模来模拟一个瞬态，理解为汽车发生的真实电压波动。本文设计主要用于反向极性保护和瞬态保护，主要放置在电池旁边。ISO 16750的标准名为“道路车辆——电气和电子设备的环境条件和测试”，第二部分特别是“电气负载”。考虑这个标准的一个简单方法是，它本质上定义了一系列的“供电电压质量”事件——电池供电电压在各种条件下的变化。在大多数情况下，这些条件对电气子系统无害，但会影响其运行状态。本标准中的测试旨在查看子系统在这些事件之前、期间和之后的行为。很多车厂要求测试需达到A级的状态，即测试过程中不发生任何异常数据。雷卯方案此电路包含了三项保护包括过压，过流，反电压的测试。以下是三颗器件的上海雷卯选型原则，根据客户测试指标各异您可以稍作调整。PTC 过流保护作用，需考虑工作电流和耐压值，还要考虑温度因素，雷卯推荐12V系统采用耐压24V的产品，24V系统需采用耐压值33V的PTC，如果测试抛负载数据严格，建议采用插件的PTC，比如HL60-300产品。防反接二极管设计位置也有不同意见，如果测试浪涌严格也建议放在TVS的后端，避免测试时冲击电流过大而损坏。一般此处电流小选择肖特基二极管，可以采用雷卯的超低压降系列肖特基。SS34LVFA 或SS56C等产品。防浪涌二极管TVS，主要用于防护各种过压波形和抛负载冲击，此处选择范围较大，一般推荐选用SM8S24CA或SM8S36CA。市面上有很多也叫此型号的产品，一定要保证能通过测试，上海雷卯的目前可以保证通过0.5欧的12V系统和3欧的24V系统。我们有电磁兼容实验室，也欢迎需要的工程师申请免费测试。值得注意的是TVS电压越低，箝位电压越低，越能保护后端的DC-DC芯片，所以后端电源芯片的选择也需提前规划，如果选用耐压60V的电源芯片，会容易通过测试。成品方案太多的工程师对电源这块的设计和测试头痛不已，上海雷卯也为大家提供简易方案，我们提供成品的电源模块，直接输入接电池，输出您后端需要的5V 8V或12V供电电压，满足所有的EMC测试，免去工程师的烦恼，可以咨询雷卯业务。

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雷卯

发布时间：2023-09-22 11:53 阅读量：4775 继续阅读>>

日本电产尼得科与瑞萨电子合作开发新一代电动<span style='color:red'>汽车</span>用电驱系统E-Axle的半导体解决方案

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日本电产尼得科与瑞萨电子合作开发新一代电动汽车用电驱系统E-Axle的半导体解决方案

　　尼得科株式会社（以下简称“尼得科”）瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）已达成共识，将合作开发应用于新一代E-Axle（X-in-1系统）的半导体解决方案，该新一代E-Axle系统集成了电动汽车（EV）的驱动电机和功率电子器件。　　当下的电动汽车越来越多采用将电机、逆变器和减速机合为一体的E-Axle三合一电驱系统。为了在实现更高性能、更高效率的同时，实现更小型轻量和更低成本，并提高车辆研发的效率，将DC-DC转换器和车载充电器（OBC）等功率电子控制器件等集成到电驱系统的趋势也不断加快。特别是在EV增长快速的中国市场，多家电动汽车制造商为此开发出集多种功能为一体的X-in-1平台，并被越来越多的车型所采用。　　由于X-in-1集合了多种功能同时也增加了复杂性，使得保持车规级标准变得越来越具有挑战性。因此，开发诊断功能和故障预测等安全防范技术对于确保车辆的可靠性和安全性至关重要。为了应对这一挑战，两家公司达成共识，将结合尼得科的电机技术与瑞萨电子的半导体技术，共同为X-in-1系统开发一种高品质、高性能的PoC（Proof of Concept：概念验证）方案，旨在实现具有行业高水平的高性能、高效率以及小型轻量和低成本。　　两家公司计划在2023年底前推出第一款六合一PoC，该系统将在电机、逆变器、减速机的基础上，搭载DC-DC转换器、OBC、电源分配单元。2024年，尼得科和瑞萨电子还计划开发新的集成度较高的第二款X-in-1 PoC，其中包含电池管理系统（BMS）和其他组件。第一款PoC将在功率器件上搭载SiC（碳化硅），第二款PoC将用高频操作性优异的GaN（氮化镓）取代DC-DC和OBC功率器件，进一步实现小型化和低成本化。　　尼得科将以此次合作开发的PoC为基础，迅速将E-Axle系统产品化，扩充E-Axle系统的产品阵容，并逐步构建起量产体系，带动整个E-Axle市场向前发展。　　瑞萨电子计划将此次携手开发的PoC作为E-Axle的参考设计并加以扩展，为日趋复杂化的X-in-1系统开发提供“交钥匙解决方案”。

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发布时间：2023-06-06 11:16 阅读量：2358 继续阅读>>

安森美与Kempower就电动<span style='color:red'>汽车</span>充电桩达成战略协议

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安森美与Kempower就电动汽车充电桩达成战略协议

　　安森美宣布与Kempower达成战略协议，将为Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二极管，用于可扩展的电动汽车（EV）充电桩。双方此项合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC产品在内的各种功率半导体技术，开发电动汽车充电方案套件。这些器件将用于有源AC-DC前端以及初级侧和次级侧的DC-DC转换器。　　安森美为Kempower 的Satellite直流快速充电桩提供EliteSiC MOSFET和二极管，Kempower　　通过采用安森美的EliteSiC MOSFET技术，Kempower的电动汽车充电方案将获得在功率、性能和可靠性方面的提升。EliteSiC功率器件具有超低的导通电阻和栅极、输出电容，在高工作频率下的功率损耗更低，从而实现更高的系统能效，和更小的终端系统尺寸。这些优势为Kempower的电动汽车充电方案带来更高的功率密度和整体可靠性。　　Kempower首席工程师Petri Korhonen说：　　“安森美EliteSiC功率器件提高了我们电动汽车充电方案的能效，并减小了尺寸和重量。此外，安森美的垂直整合供应链和广泛的智能电源方案组合让我们能持续稳定地向市场提供一流的电动汽车充电方案。”　　根据该战略协议，Kempower将采用全新EliteSiC D3二极管和M3S MOSFET开发其电动汽车充电方案。这些充电桩可以实现动态负载平衡，从而确保电力的充分分配，为驾驶员带来更佳的充电体验。Kempower的充电方案具有可拓展、模块化的特点，可以根据云端充电系统运营商的需求扩展系统。　　安森美先进电源部高级副总裁兼总经理Asif Jakwani说：　　“我们的制造实力和SiC弹性供应链确保我们将为Kempower交付约定数量的高品质产品。高度可靠的功率器件，赋能Kempower及其客户实现可靠和耐用的电动汽车充电桩。”

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安森美

发布时间：2023-05-17 10:35 阅读量：1459 继续阅读>>

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安森美新一代1200 V EliteSiC 碳化硅 M3S器件应用于提高电动汽车和能源基础设施

　　安森美（onsemi），推出新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块，以适配越来越多的800 V电动汽车（EV）车载充电器（OBC）和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。　　该产品组合还包括采用半桥功率集成模块（PIMs）的新型EliteSiC M3S器件，具有领先业界的超低Rds（on），采用标准F2封装。这些模块非常适用于工业应用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率转换阶段。它们提供更高的集成度，采用优化的直接键合铜设计，实现了并联开关之间的平衡电流共享和热分布。这些PIM旨在提供高功率密度，适用于能源基础设施、电动汽车直流快速充电和不间断电源（UPS）。　　安森美高级副总裁兼先进电源分部总经理Asif Jakwani说：　　“安森美最新一代汽车和工业EliteSiC M3S产品将助力设计人员减小其应用占位和降低系统散热要求。这有助于设计人员开发出能效更高、功率密度更大的高功率转换器。”　　车规级1200 V EliteSiC MOSFET专用于高达22 kW的大功率OBC和高压至低压的DC-DC转换器。M3S技术专为高速开关应用而开发，具有领先同类产品的开关损耗品质因数。

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安森美

发布时间：2023-05-11 09:41 阅读量：1442 继续阅读>>

捷捷微电新能源<span style='color:red'>汽车</span>充电桩应用案例

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捷捷微电新能源汽车充电桩应用案例

　　充电桩功能类似于加油站里面的加油机，可以固定在地面或墙壁，安装于公共建筑（公共楼宇、商场、公共停车场等）和居民小区停车场或充电站内，可以根据不同的电压等级为各种型号的电动汽车充电。充电桩的输入端与交流电网直接连接，输出端都装有充电插头用于为电动汽车充电。　　充电桩目前分为交流充电桩和直流充电桩。交流桩输出单相/三相交流电通过车载充电机转换成直流电给车载电池充电，功率一般较小（有 7kW、22kW、40kW 等功率），充电速度一般较慢，故一般安装在小区停车场等地。直流充电桩（或称非车载充电机）则是直接输出直流电给车载电池进行充电，功率较大（有 60kW、120kW、200kW 甚至更高），充电速度较快，故一般安装在高速公路旁的充电站。　　电网中的交流电通过交流充电桩直接给车载充电器 (OBC) 供电，OBC 把 AC 转换成 DC，然后通过配电箱为车内的动力电池充电。直流充电桩则包含许多 AC-DC 电源模块。从目前充电桩市场的状况来看，有 3 大趋势：宽范围的恒定功率、宽范围的输出电压、更高功率的模块。　　两个主要功率级。首先，功率因素校正 (PFC) 级，保持输入电流和电压之间的相位关系，最大限度地减少线路/电网电流的总谐波失真 (THD) 。这有助于减少任何浪费的无功功率，提高整体能效。　　第二功率级是 DC-DC 转换器，它从 PFC 级获得 DC 输出，并将其转换为电池充电所需的电平。转换器的输出电压和电流基于电池的整体健康状态和充电状态随时间变化。　　不论是功率因数校正（PFC）、原边侧 DC-DC、或二次整流，捷捷微电都具有相应的解决方案，汽车系列产品涵盖二极管、MOSFET、TVS 等各类产品。比如：整流＋LLC 构成了充电桩的基本电路，可采用 FRED（快恢复二极管）方案；CAN 通讯口的 ESD 保护。

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发布时间：2023-05-09 10:11 阅读量：1921 继续阅读>>

搭载恩智浦UWB<span style='color:red'>汽车</span>钥匙方案，魅族∞领克打造手机与<span style='color:red'>汽车</span>行业无界融合新体验

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搭载恩智浦UWB汽车钥匙方案，魅族∞领克打造手机与汽车行业无界融合新体验

　　星纪魅族集团联合领克汽车举行了“魅族∞领克无界生态发布会”，发布了新一代旗舰手机魅族 20 系列，该系列智能手机中魅族 20 INFINITY无界版及魅族 20 PRO 搭载了恩智浦的UWB超宽带技术，在国内率先实现了符合CCC 3.0标准的UWB汽车钥匙功能，为用户提供了无感而安全的汽车门禁新体验。　　搭载恩智浦UWB汽车钥匙解决方案的魅族 20 PRO 智能手机（来源：星纪魅族）　　推动消费电子与汽车行业融合　　现如今，消费电子与汽车两大行业的生态融合已经是大势所趋。作为引领这一发展趋势的重要举措，星纪魅族集团在推出新一代旗舰手机魅族 20 系列的同时，也发布了 Flyme Auto 车载人机交互软件，旨在通过改变智能汽车的技术结构，让手机成为汽车的一部分，打造超越传统汽车五个域（动力域、底盘域、车身域、座舱域、自动驾驶域）之外的“第六域”——手机域。　　而在“手机域”这一创新概念实现的过程中，UWB汽车钥匙恰好可以成为紧密连结手机和汽车两大生态的技术纽带，创造全新的用户体验和商业价值。　　具体来讲，Flyme Auto 支持的UWB汽车钥匙能够提供更精准的空间感知能力，相比传统蓝牙数字钥匙3-5米的定位精度，UWB技术的精度可达10-50厘米，因此可以精准感知用户位置，并据此预判开锁、锁车、打开迎宾灯、调整后视镜及座椅等个性化需求，实现真正“免动手”的无感操控；同时，UWB还具有更高的安全性，可避免绝大多数拦截攻击，使用更安全。　　总之，基于恩智浦的UWB汽车钥匙解决方案，魅族 20 INFINITY 无界版及魅族 20 PRO 可以秒变“手机车钥匙”，让手机无缝融入到汽车应用中。据悉，这一UWB数字车钥匙功能首批支持领克 08，后续将兼容更多的车型。　　完整的UWB数字车钥匙解决方案　　在UWB数字车钥匙领域，恩智浦一直深耕不辍，并提供符合行业标准、完整的解决方案。　　恩智浦的UWB数字车钥匙解决方案可在距离汽车约2米的范围内，精确识别该区域内用户的任何运动，进而触发汽车下一步智能化反馈和行动。同时在解决方案中，还整合了恩智浦其他创新的无线互联技术，如使用低功耗蓝牙（BLE）技术充当通信链路，在后台启动钥匙的授权或“握手”；当智能手机没电时，近场通信（NFC）可为汽车门禁提供备用进入方案。这些无线连接技术协同工作，最终为用户提供了无缝的使用体验。　　恩智浦丰富的产品组合，为UWB数字车钥匙产品的开发和商用提供了有力的支撑。比如：恩智浦UWB IC Trimension SR100T，就是专为手机和移动设备打造的UWB解决方案，可为下一代支持UWB 的设备带来卓越的精确定位性能；而SN110系列产品作为高度集成的聚合eSIM解决方案，提供了经过GSMA认证的eSIM功能，并可通过集成的NFC和嵌入式安全元件实现安全的移动公交票务、移动支付和智能门禁等高级功能。　　恩智浦Trimension产品系列的NCJ29D5解决方案，是汽车级超宽带 (UWB) IC系列的第一款产品，专用于满足全球汽车业的连接和信息安全需求。基于智能手机的汽车接入首次提供与一流的遥控钥匙相同的便利性。用户将手机放在口袋或包中便能够打开和启动汽车，并通过智能手机享受安全的远程寻车服务。此外，基于UWB的数字汽车钥匙方案可最大限度地防止通过中继攻击盗车风险。恩智浦规划的下一代产品NCJ29D6即将实现多个引人注目的新用例。　　基于恩智浦UWB技术实现安全免手动汽车门禁　　总之，智能手机与汽车功能的进一步融合，将大大增加汽车与智能手机之间的互联体验，催生出大量新功能、新用例。恩智浦将持续以创新的技术和产品，助力客户打造消费电子和汽车行业的融合创新产品，为终端用户提供多终端、全场景、沉浸式的融合体验。

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恩智浦,汽车

发布时间：2023-04-18 09:43 阅读量：2409 继续阅读>>

瑞萨电子<span style='color:red'>汽车</span>软件战略概述

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瑞萨电子汽车软件战略概述

　　从以硬件为中心到以软件为中心　　当今汽车的价值正在从传统的汽车硬件，如行驶、转向和停止，转向C.A.S.E.（连接、自动、共享/服务和电气化）的四个大趋势。这意味着硬件以外的技术和服务的整合，如软件和云连接，正在取得进展，汽车的价值正在转移到提供前所未有的用户体验（UX）。换句话说，汽车行业的趋势，毫无疑问，在走向以软件为中心的时代，即汽车的价值由软件来定义。　　汽车的这些变化也提高了汽车的价值。主要的汽车模型变化每隔几年就会发生一次。在以前，一辆汽车一经推出，在其生命周期内就不会再增加新的功能。因此，如果车主想获得汽车的新功能或更多价值，必须换成具有所需功能的新车。然而，在以软件为中心的未来，车主将能够持续使用最新的功能和用户体验，就像智能手机一样，而不需要更换新车。　　软件优先和左移　　如果想开发出适应汽车行业这些变化大趋势的车辆，并及时提供给市场，以及持续更新车辆价值，仅用传统的以硬件为中心的开发方法是很困难的。为了实现持续的价值输出，有必要改变为以软件为中心的开发。这方面的关键词是“软件优先”和“左移”。　　软件优先并不意味着简单地先建立软件。软件优先的方法是在考虑具体的硬件配置和机制之前，首先思考你真正想创造什么，想为用户提供什么新的体验和价值，然后在此基础上定义应用和服务的产品规格。这种软件优先的方法使得创造新解决方案时，不受组成硬件（机械部件和E/E系统）的约束。　　另一方面，“左移”意味着开发者在开发周期的早期就需要确定产品特征、差异化因素和质量。例如，过去开发人员需要使用实际的硬件来验证系统性能，而现在，他们可以通过虚拟环境（如模拟器）在使用硬件之前就对其进行评估。　　虚拟环境可以大大改善硬件的局限性，如原型和测量环境，从而确保评价的全面性，这在实际硬件环境中是不可能的。这种改进的全面性使每个过程的输出更加准确，并减少了由于返工造成的损失。通过追求这种左移，产品的开发时间可以大大缩短。　　　　图1：软件优先和左移　　瑞萨的目标是集成虚拟开发环境和DevOps解决方案　　为了应对汽车系统开发方式向软件为中心的转变，我们从2022年开始提供一个新的集成虚拟开发环境，以帮助我们的Tier-1客户、汽车制造商和汽车ECU开发商实现软件优先/左移。瑞萨不仅提供SoC和MCU，还提供传感器、电源控制、电机控制和其他各种构建汽车E/E系统所需的半导体产品。　　为了确保向客户提供如此全面的瑞萨器件产品系列的优势，除了传统的单一器件的开发工具外，还必须有支持整个汽车ECU和E/E系统开发的软件和开发环境。这种集成的虚拟开发环境提供了使用我们的可扩展设备产品进行产品开发所需的软件和开发环境，而无需考虑设备类型或应用类型（AD/ADAS，车载网关等）。这使客户能够在无法使用硬件（设备、PCBs、ECU）的早期阶段，为他们想要实现的功能开发优化的系统级应用。　　我们还致力于创建一个开发和运营（DevOps）环境，这是一个软件优先、左移的理想解决方案。这种DevOps解决方案由云端虚拟环境和边缘的真实环境组成，如客户的开发现场或最终用户的汽车。DevOps解决方案的基本思想是在云端的虚拟开发环境中重现边缘真实环境中的设备、软件和开发环境的使用情况，确定改进和客户对新功能的需求，尽快开发下一个解决方案或产品。　　在云端建立一个虚拟开发环境是实现这种DevOps解决方案的重要的第一步。　　用于系统开发的多设备软件和虚拟开发环境　　为了实现这些集成的虚拟开发环境和DevOps解决方案，瑞萨从2022年开始已经推出多个解决方案。其中之一是2022年9月宣布的无硬件的ECU级软件开发集成开发环境。　　实现这种系统级综合虚拟开发环境的关键词是“多设备”。在传统的E/E架构中，ECU是为每个应用准备的，如电机控制和发动机控制，并分布在整个车辆上。然而，在未来，集中式和区域式架构预计将成为E/E架构的主流。在这些未来的架构中，控制域和区的ECU将需要进行非常复杂和精密的处理。这就是为什么一个ECU中集成多个SoC和MCU。　　为了支持多设备配置ECU的开发，瑞萨将从2022年开始提供多设备的协同模拟环境和多设备的分布式处理软件。这使开发者能够模拟多个设备的合作行为，从而将应用功能划分到多个设备中，并将必要的功能最佳地分配给设备中的CPU和硬件IP，使硬件性能最大化。　　云端AI开发环境　　作为实现DevOps解决方案的第一步，我们已经开始在云端提供开发环境。2022年3月与Fixstars共同开发R-Car的[GENESIS for R-Car]云评估环境。使用GENESIS for R-Car，用户可以轻松地使用各种CNN网络算法检查R-Car V3H的人工智能处理性能，而无需准备专用硬件，如评估板或开发环境。此外，用户还可以通过云端远程操作和评估服务器上连接的实际设备。　　对于人工智能的开发，一套用于优化AD/ADAS到R-Car SoC的人工智能软件的工具，也是与Fixstars合作，已从2022年12月开始提供。　　这些工具将人工智能处理中使用的网络模型优化到R-Car硬件上。此外，通过为人工智能处理软件提供高速模拟环境，我们在系统层面上支持客户的应用开发。　　最后　　本文介绍的软件和虚拟开发环境是实现我们综合系统级虚拟开发环境目标的第一步。今年，我们计划发布一系列新产品，以扩大我们的解决方案阵容。我们将持续在公众号与官网发布新品介绍，欢迎继续关注瑞萨的集成虚拟开发环境的发展。

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瑞萨,电子,汽车

发布时间：2023-02-28 11:39 阅读量：3064 继续阅读>>

安森美:第三代半导体功率器件在<span style='color:red'>汽车</span>上的应用

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安森美:第三代半导体功率器件在汽车上的应用

　　目前碳化硅(SiC)在车载充电器(OBC)已经得到了普及应用，在电驱的话已经开始逐步有企业开始大规模应用，当然SiC和Si的功率器件在成本上还有一定的差距，主要是因为SiC的衬底良率还有长晶的速度很慢导致成本偏高。随着工艺的改进，这些都会得到解决。　　同时SiC由于开关速度比较快，衍生出来的问题在应用里还没有完全的暴露出来，随着SiC的终端客户在这方面的应用经验越来越丰富，SiC的使用也会趋于成熟。　　接下来，安森美(onsemi)汽车主驱功率模块产品线经理陆涛将和您聊聊关于未来SiC在新能源汽车上的普及及应用。　　▲安森美汽车主驱功率模块产品线经理陆涛　　要降低第三代半导体功率器件在新能源汽车上的使用门槛，您认为供应链上的各个环节需要怎么做？垂直整合(IDM)模式和Fabless + Foundry模式那个更适合？请简述理由　　IDM和Fabless都有机会，IDM由于整个供应链是完美整合的，所以它有天然的优势去解决上面的问题。Fabless需要和Foundry深入配合才有可能解决这些问题。相对而言在SiC领域IDM会比Fabless发展快一些。　　能否点评一下目前几种主流的电动汽车功率器件的优劣势，硅基MOSFET、SJ-MOSFET、硅基SiC、硅基GaN等？　　电动汽车功率器件目前主要是硅基IGBT、MOSFET、GaN以及SiC MOSFET。硅基的IGBT优点是工艺成熟，高压大电流工况下性能优异。但是开关速度不快，小电流损耗偏大。而硅基MOSFET优点是工艺成熟，低压小电流条件下导通电阻比较低，同时速度也比较快但是高压器件的导通电阻偏大。　　SiC的MOSFET优点是高压器件的导通电阻相对而言比较低，开关速度比较快。高压小电流的情况下，导通电阻比较低特别适用于新能源汽车的逆变器应用里。但是它的成本偏高，同时高压大电流的时候导通电阻比较高相对IGBT而言在这个时候损耗会偏高。　　作为当前的电动汽车普及第一大国，中国提出了“双碳”目标，汽车大厂比亚迪也率先宣布停售燃油车，这一系列的举动是否会对国内的第三代半导体起到助推作用？贵司会如何开发和利用好这一市场？　　第三代半导体对于电动车是非常关键的一个器件，未来会得到大规模的普及应用。安森美是少数具备SiC垂直供应链的供应商之一，已经积极在整个SiC供应链全部环节投入大量的资源，包括基板衬底到最终产品的封装相关的技术，积极应对这一趋势。尤其安森美在收购SiC生产商GT Advanced Technologies(“GTAT”)后，更进一步增强其在SiC领域的独特优势，以满足市场不断增长的SiC需求。　　当前已有新能源汽车企业或投资、或与半导体公司成立合资公司，共同开发或定制车规级第三代半导体功率器件，甚至自建产线。这样一方面可以绑定产能避免缺货，另一方面协同研发定制器件能更有效针对终端进行优化。您如何看这类模式的前景？　　这个是目前市场的趋势之一，其实还有一种趋势是和IDM厂家谈保供(LTSA)。相对而言保供协议更容易实施。　　从全球来看，2005年以来已经有很多国家和地区相继公告并推动禁售燃油车的政策和时间节点，大部分发达国家预计在2030年前后实现燃油车禁售。您认为这样的时间节点对车用第三代半导体器件厂商来说意味着什么？　　无论是第三代半导体或者硅基器件厂商，这都意味着一个巨大的市场前景。区别在于第三代半导体的市场份额大小，要想获得更多的市场份额，那么就要在衬底和器件方面同时发力，提高性能的同时降低成本。

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安森美,半导体,功率器,汽车

发布时间：2023-02-23 11:00 阅读量：1936 继续阅读>>

第三代半导体功率器件在<span style='color:red'>汽车</span>上的应用

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第三代半导体功率器件在汽车上的应用

　　目前碳化硅(SiC)在车载充电器(OBC)已经得到了普及应用，在电驱的话已经开始逐步有企业开始大规模应用，当然SiC和Si的功率器件在成本上还有一定的差距，主要是因为SiC的衬底良率还有长晶的速度很慢导致成本偏高。随着工艺的改进，这些都会得到解决。同时SiC由于开关速度比较快，衍生出来的问题在应用里还没有完全的暴露出来，随着SiC的终端客户在这方面的应用经验越来越丰富，SiC的使用也会趋于成熟。　　要降低第三代半导体功率器件在新能源汽车上的使用门槛，您认为供应链上的各个环节需要怎么做垂直整合(IDM)模式和Fabless + Foundry模式那个更适合?　　IDM和Fabless都有机会，IDM由于整个供应链是完美整合的，所以它有天然的优势去解决上面的问题。Fabless需要和Foundry深入配合才有可能解决这些问题。相对而言在SiC领域IDM会比Fabless发展快一些。　　目前几种主流的电动汽车功率器件的优劣势，硅基MOSFET、SJ-MOSFET、硅基SiC、硅基GaN等?　　电动汽车功率器件目前主要是硅基IGBT、MOSFET、GaN以及SiC MOSFET。硅基的IGBT优点是工艺成熟，高压大电流工况下性能优异。但是开关速度不快，小电流损耗偏大。而硅基MOSFET优点是工艺成熟，低压小电流条件下导通电阻比较低，同时速度也比较快但是高压器件的导通电阻偏大。　　SiC的MOSFET优点是高压器件的导通电阻相对而言比较低，开关速度比较快。高压小电流的情况下，导通电阻比较低特别适用于新能源汽车的逆变器应用里。但是它的成本偏高，同时高压大电流的时候导通电阻比较高相对IGBT而言在这个时候损耗会偏高。　　作为当前的电动汽车普及第一大国，中国提出了“双碳”目标，汽车大厂比亚迪也率先宣布停售燃油车，这一系列的举动是否会对国内的第三代半导体起到助推作用?贵司会如何开发和利用好这一市场?　　第三代半导体对于电动车是非常关键的一个器件，未来会得到大规模的普及应用。安森美是少数具备SiC垂直供应链的供应商之一，已经积极在整个SiC供应链全部环节投入大量的资源，包括基板衬底到最终产品的封装相关的技术，积极应对这一趋势。尤其安森美在收购SiC生产商GT Advanced Technologies(“GTAT”)后，更进一步增强其在SiC领域的独特优势，以满足市场不断增长的SiC需求。　　当前已有新能源汽车企业或投资、或与半导体公司成立合资公司，共同开发或定制车规级第三代半导体功率器件，甚至自建产线。这样一方面可以绑定产能避免缺货，另一方面协同研发定制器件能更有效针对终端进行优化。您如何看这类模式的前景?　　这个是目前市场的趋势之一，其实还有一种趋势是和IDM厂家谈保供(LTSA)。相对而言保供协议更容易实施。　　从全球来看，2005年以来已经有很多国家和地区相继公告并推动禁售燃油车的政策和时间节点，大部分发达国家预计在2030年前后实现燃油车禁售。您认为这样的时间节点对车用第三代半导体器件厂商来说意味着什么?　　无论是第三代半导体或者硅基器件厂商，这都意味着一个巨大的市场前景。区别在于第三代半导体的市场份额大小，要想获得更多的市场份额，那么就要在衬底和器件方面同时发力，提高性能的同时降低成本。

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半导体,功率器,汽车

发布时间：2023-02-06 13:29 阅读量：2587 继续阅读>>

ROHM开发出实现了低损耗性能和超低噪声特性的第4代快速恢复二极管“RFL/RFS系列” 有助于提高空调、电动<span style='color:red'>汽车</span>充电桩等的电源效率并为减少噪声对策做出贡献

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ROHM开发出实现了低损耗性能和超低噪声特性的第4代快速恢复二极管“RFL/RFS系列” 有助于提高空调、电动汽车充电桩等的电源效率并为减少噪声对策做出贡献

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向在空调和电动汽车充电桩等需要大功率的工业设备和消费电子设备，开发出实现了低VF和高速trr特性*1以及超低噪声特性的第4代快速恢复二极管（以下称“FRD”）650V耐压“RFL/RFS系列”。近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题。其中，高功耗的白色家电和电动汽车充电桩等工业设备不仅需要提高电源电路的效率，还需要减轻降噪设计的负担。在这种背景下，ROHM推出的新产品，既实现了可更高效运行的低VF特性，又实现了可减少开关关断时损耗的高速trr特性，而且，还实现了开关关断时的超低噪声特性。通过优化器件结构和材料，新产品同时提高了VF和trr性能，这两项性能既是FRD的重要特性，又存在权衡关系。与以往产品相比，低VF型RFL系列的VF降低约3.2%，trr降低约8.3%；与以往产品（RFUH系列）相比，高速trr型RFS系列的VF降低约17.9%。利用这两个系列的产品阵容，可以实现符合电源电路应用需求的优化设计，从而有助于提高电源的效率。此外，与普通产品相比，开关关断时的噪声非常低，有助于减少噪声抑制部件数量并减轻设计负担。新产品已经开始以两个系列月产10万个的规模投入量产（样品价格700日元/个，不含税）。今后，ROHM将通过继续扩充RFL系列和RFS系列的封装阵容、推出支持车载应用的产品，不断扩大应用领域，为进一步降低应用产品的功耗做出贡献。＜产品阵容＞・RFL系列（低VF型）注)封装采用JEDEC标准。()内表示ROHM封装。・RFS系列（高速trr型）注)封装采用JEDEC标准。()内表示ROHM封装。＜目标应用＞・空调、洗衣机、冰箱等的PFC（Power Factor Correction）电路・电动汽车充电桩等的二次侧整流电路・作业机器人、压缩机等的逆变电路・服务器和基站电源等各种电源设备＜电路结构（拓扑）示例＞＜拓扑选择＞在设计电源电路时，不同的应用产品，其输入电压、输出电压、功率、有无绝缘等项目有所不同，因此需要选择符合所需规格的电路结构（拓扑）ROHM官网提供拓扑选择页面，可根据不同的拓扑选用合适的元器件。https://www.rohm.com.cn/topology＜术语解说＞*1) VF和trr特性：VF（Forward Voltage）是指正向电压，即正向电流流动产生的二极管引脚之间的电压。该值越低，应用产品的工作效率就越高。trr（Reverse Recovery Time）是指反向恢复时间，即从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。VF和trr之间存在权衡关系，两者都是与二极管的损耗息息相关的重要特性。＜宣传单＞实现更低开关噪声、更高耐压和更高性能650V耐压第4代快速恢复二极管 (PDF:816KB)

关键词：

快速恢复二极管,超低噪声,电源效率

发布时间：2022-08-03 15:28 阅读量：1872 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
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