安森美新一代1200 V EliteSiC 碳化硅 M3S器件应用于提高电动汽车和能源基础设施

发布时间：2023-05-11 09:41
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：1369

　　安森美（onsemi），推出新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块，以适配越来越多的800 V电动汽车（EV）车载充电器（OBC）和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。

　　该产品组合还包括采用半桥功率集成模块（PIMs）的新型EliteSiC M3S器件，具有领先业界的超低Rds（on），采用标准F2封装。这些模块非常适用于工业应用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率转换阶段。它们提供更高的集成度，采用优化的直接键合铜设计，实现了并联开关之间的平衡电流共享和热分布。这些PIM旨在提供高功率密度，适用于能源基础设施、电动汽车直流快速充电和不间断电源（UPS）。

安森美新一代1200 V EliteSiC 碳化硅 M3S器件应用于提高电动汽车和能源基础设施

　　安森美高级副总裁兼先进电源分部总经理Asif Jakwani说：

　　“安森美最新一代汽车和工业EliteSiC M3S产品将助力设计人员减小其应用占位和降低系统散热要求。这有助于设计人员开发出能效更高、功率密度更大的高功率转换器。”

　　车规级1200 V EliteSiC MOSFET专用于高达22 kW的大功率OBC和高压至低压的DC-DC转换器。M3S技术专为高速开关应用而开发，具有领先同类产品的开关损耗品质因数。


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安森美：OBC设计不断升级，揭秘如何适应更高功率等级和电压
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安森美：OBC设计不断升级，揭秘如何适应更高功率等级和电压

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