所有都在追求极致小体积,多通道保护的高速低容ESD,现在雷卯电子推出以下型号RCLAMP3328P9,可以满足您的需求。
ESD器件特色
低峰值ESD箝位电压、低动态电阻和创新封装设计相结合,使该器件能够为USB3.0、HDMI和V-By-One接口LVDS MHL ESATA等应用提供最高水平的ESD保护。
LAYOUT设计
必须采取措施正确放置和正确路由ESD保护器件的信号跟踪,以确保应用的最大ESD生存能力和信号完整性。下面列出了此类步骤。
1. 将ESD保护器件尽可能靠近I/O连接器放置,以减少ESD接地路径,提高保护性能。
1.1.在USB3.0/3.1 应用中,应将ESD保护器件放置在TX差分通道上的交流耦合电容器和I/O连接器之间,如下图所示在此配置中,没有直流电流可以流过 ESD保护器件,从而防止任何潜在的闩锁情况。
2.确保使用差分设计方法和所有高速信号走线的阻抗匹配。
2.1.尽可能使用弯曲的迹线,以避免不必要的反射。
2.2.保持差分数据通道的正线和负线之间的走线长度相等,以避免共模噪声的产生和阻抗失配。
2.3.在高速对之间放置接地,并尽可能保持对之间的距离以减少串扰。
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BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
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TL431ACLPR | Texas Instruments |
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BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
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BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor |
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