方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用

发布时间：2023-05-08 09:32
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：2278

　　应用电路如下

方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用

　　在上述电路中，仅使用DMD4523E和电阻R1，就能很好的限制流过负载回路的电流大小，为负载回路提供过流保护。该电路特点如下：

　　DMD4523E能为负载回路提供瞬态浪涌防护，如果输入端Vin出现瞬态浪涌，流过电路的电流会增加，电阻R1两端的电压VR1也会增加，当VR1增大到等于DMD4523E的阈值电压时，VR1被钳位，即流过电阻R1的电流会被限制，从而实现良好的过电压浪涌防护。

　　DMD4523E能为负载提供过流保护，当电路电流异常增大时，流过负载回路的电流同样会因为电阻R1两端的电压被钳位而被限制。通过选取合适的R1阻值，即可限制流过负载回路的最大电流。

　　响应速度快，电路结构简单，成本低。

　　DMD4523E

方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用

　　DMD4523E系列产品在容性负载、仪表、通讯设备中用于瞬态浪涌抑制、过流过压保护的应用。

　　该电路通过选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压Vout。

　　该系列产品可工作在较高电压下，能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。当负载出现短路时，为负载提供过流保护。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。


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