过压过流保护器
过压过流保护器(30V/30mA)
外形图
AKF30V30MPD为ARK(方舟微)研发的30V/30mA集成功率保护器件,特别适合应用于工业领域(如4~20mA电流环)的过流过压保护方案,产品响应速度快,以集成控制的方式,提供更高的稳定性及便捷性,使被保护的器件或电路的工作电压不超过30V,电流不超过30mA,能有效避免瞬态浪涌造成损伤,同时可以简化电路,节省空间,减低成本。
应用示意图如下:
Form B 固态继电器
100V / 400V Form B 固态继电器
外形图
ARK(方舟微)依据自身多年来在MOSFET研发与制造领域的独特优势,开发出了100V、400V等不同耐压等级的Form-B系列光MOSFET固态继电器,产品可靠性高,性能优异,封装类型包含SOP-4、SOP-6等通用形式,非常适合应用于需要使用高端继电器产品的设备。
专用于射频领域的LDMOS
130V N沟道耗尽型 LDMOS
外形图
DLZ1304E系列产品是ARK(方舟微)最新研发的N沟道耗尽型LDMOS,产品采用平面工艺,性能优良,可靠性高。该系列产品的耐压值为130V,相较于JFET或射频功率MOSFET,具有更高的耐压值和更低的泄漏电流,同时具有很低的阈值电压及输入电容,非常适合用于高频率的射频应用,以及气体传感器的放电回路。产品封装类型为SOT-23。
有源钳位MOSFET
小型有源钳位MOSFET
外形图
AKZSS04R06A是ARK(方舟微)研发的小型有源钳位MOSFET,器件采用平面工艺,可靠性高,稳定性好,其内部采用有源钳位结构,封装类型为SOT-23,特别适合用于驱动机械继电器等电感负载。
集成高阈值双芯MOSFETs
集成高阈值双芯MOSFETs
外形图
ARK(方舟微)研发的N沟道、P沟道增强型集成高阈值双芯MOSFETs,产品采用PDFN3*3封装,特别适合用于四线制PCB测试机等设备,能有效提高测试机测试精度。如图所示,M1为高压MOSFET,M2为低压、高阈值MOSFET,在如下图所示的应用电路中,当G、S短接时,M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通,因此在接触电阻Rl有所增大的情况下,M2依然能够限制通过的电流大小,可有效提高测试机的测试精度。
M1为高压MOSFET,M2为低压、高阈值MOSFET,在应用电路中,当G、S短接时,M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通,因此在接触电阻Rl有所增大的情况下,M2依然能够限制通过的电流大小,可有效提高测试机的测试精度。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
MC33074DR2G | onsemi | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注