前因:氮化镓不具有瞬态浪涌吸收能力,电路开关瞬态和雷击浪涌时,过流过压不能超过氮化镓的额定能力。
方案优点: 处于反激式电源变压器初级的TVS能充分吸收FET开关瞬态产生的过冲能量,反应快、低残压、可控。
本方案采用: PTVS160AF单颗器件防护,功率大,体积小,节约空间。
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CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
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IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
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TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
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ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor |
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