上海雷卯氮化镓GaN静电浪涌防护方案

发布时间：2023-09-19 17:56
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：1177

前因：氮化镓不具有瞬态浪涌吸收能力，电路开关瞬态和雷击浪涌时，过流过压不能超过氮化镓的额定能力。

方案优点： 处于反激式电源变压器初级的TVS能充分吸收FET开关瞬态产生的过冲能量，反应快、低残压、可控。

本方案采用： PTVS160AF单颗器件防护,功率大，体积小，节约空间。

上海雷卯氮化镓GaN静电浪涌防护方案

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　　智能手机越来越追求快充，功率越来越高，不仅对充电适配器要求高，对type-c接口也是挑战，所以快充手机的充电浪涌测试越来越严格。　　一、SMD12CA SMD15CA SMD24CA三颗防静电　　二极管性能优势　　这三颗料是作为USB接口Vbus电源接口静电浪涌保护常用料。推荐这三款的原因是如下：　　功率高，能抗大浪涌，这样频繁的热插拔也能保护内部电路。上海雷卯这几款做到5500W-6000W(8/20us),相对Nexperia semtech litttefuse 品牌的DFN2020系列参数一致，单成本只有一半。　　Flat-Clamp 技术，提供平坦和与温度无关的箝位电压，将受保护系统的残余电压降至最低，这样能更好的保护后级电路，VC超低。　　抗静电能力强：接触和空气都在30KV　　下表列出了主要参数：　　依靠以上优势性能目前手机充电口印度非洲都非常适合这几款大功率TVS。　　SMD12CA/15CA/24CA V/I 特性图如下：　　二、为什么手机USB接口要放TVS　　二极管　　首先一点 ，手机USB接口我们插拔的次数比较多，第二，日常使用中因摩擦、触碰容易接触到，所以这一接口在出厂之前必定要做ESD测试认证，即 IEC 61000-4-2 测试。　　我们知道静电和浪涌可能会对手机 USB 口及内部电路造成严重损害。静电产生时瞬间的高电压可能会击穿 USB 口的电路元件。我们插拔USB接口容易产生EOS这都会对内部元件造成浪涌，强大的电流冲击可能损坏手机的芯片和其他电子元件。 所以我们需要对手机USB接口做静电保护，延长手机使用寿命，确保数据安全，稳定性能。　　三、常见的保护措施　　1. 内置保护电路：许多手机在设计时已经内置了一定程度的静电浪涌保护电路，例如使用瞬态电压抑制二极管(TVS)等元件来吸收过高的电压和电流。　　2. 使用保护配件：如带有静电浪涌保护功能的数据线、充电器等，可以在外部提供额外的保护。　　四、上海雷卯针对手机USB接口静电浪涌保护方案　　手机USB接口静电浪涌保护示意图如下：　　USB接口静电保护元件参数列表：
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