安森德多层外延高压超结MOS助力高端<span style='color:red'>功率器件</span>国产化
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安森德多层外延高压超结MOS助力高端功率器件国产化

　　总部位于深圳的安森德半导体有限公司(ASDsemi)成立于2018年，是一家更懂应用的模拟芯片和系统级芯片设计公司，致力于为全球客户提供半导体功率器件和模拟IC，产品覆盖功率器件：中低压 、高压、超结MOSFET，第三代半导体SiC、GaN;模拟芯片：电源管理芯片、信号链芯片;SiP系统级芯片三大类产品线。产品可广泛应用于工业电源、电机驱动、消费电子、新能源、光伏储能等众多领域，并与全球顶尖企业在技术与业务方面进行深入合作。先后获得国家高新技术企业，创新型中小企业，科技型中小企业等荣誉资质。　　安森德高压超结MOS，使用行业最通用的多层外延工艺，经过资深的研发团队多年的研发和技术积累，成功的把22mΩ到1.6Ω成系列的产品实现了量产并推向市场，电压范围覆盖500V、600V、650V、700V、800V、900V、封装包括TO-247、TO-263、 TO-220、 TO-252、 TOLL、 DFN 8*8等主流封装形式。　　拥有20多年海内外著名功率半导体公司工作经验的研发团队，保证了产品设计处于行业领先水平。安森德高压超结MOS选用国际领先的晶圆代工厂进行流片，国内一流的封装厂进行封装，选用的晶圆厂和封装厂都通过了TS16949, ISO9001等质量体系认证，保证了产品生产的可靠性和一致性。　　已经实现量产的ASJ028N60L2H-T，最小Rdson达到了业内领先的22mΩ水平，全可靠性的测试认证保证了该产品适用于各种高端场合应用：通讯电源、服务器电源、工业电源、充电桩等。高性价比的ASJ037N65L2H-T(650V/37mΩmax), 在保持优秀的开关损耗的同时，改善了EMI和EAS性能，大大提高了客户系统的效率和性能，能够很好应对苛刻条件下的的产品设计。　　最新推出的650V，180mΩmax产品成功的实现TO-252的封装，是业内能把200mΩ以下产品封装到TO-252封装的少数厂家之一。　　安森德半导体在致力于为全球客户提供领先的半导体功率器件和模拟IC的道路上不断地探索，即将推出的600V、18mΩ、TO-247封装和650V,40mΩ, TOLL封装产品，将能为客户提供更优异性能和更先进封装的产品选择。　　安森德高压超结MOS将在助力高端功率器件国产化的道路上不断前进。
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发布时间：2024-12-17 15:46 阅读量：148 继续阅读>>
罗姆与台积公司在车载氮化镓<span style='color:red'>功率器件</span>领域建立战略合作伙伴关系
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罗姆与台积公司在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙伴关系

　　全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)宣布与Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(以下简称“台积公司”)就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。　　通过该合作关系，双方将致力于将罗姆的氮化镓器件开发技术与台积公司业界先进的GaN-on-Silicon工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率元器件日益增长的需求。　　氮化镓功率器件目前主要被用于AC适配器和服务器电源等消费电子和工业设备应用。作为可持续发展和绿色制造的领导者，台积公司看好未来氮化镓功率器件在电动汽车(EV)的车载充电器和逆变器等车载应用中的环境效益，正在加强自身的氮化镓技术实力。　　此次的合作关系是基于罗姆与台积公司在氮化镓功率器件领域的合作历史建立起来的。2023年，罗姆采用台积公司的650V耐压氮化镓HEMT工艺，推出了属于罗姆EcoGaN™系列的新产品，目前新产品已被用于包括Delta Electronics, Inc.旗下品牌Innergie的45W AC适配器“C4 Duo”在内的众多消费电子和工业领域应用。　　罗姆董事兼专务执行官 东克己表示：“能够高频工作的氮化镓器件，因其具有小型、节能且有助于实现无碳社会的优势而被寄予厚望。要想将其产品优势落实到实际应用中，拥有可信赖的合作伙伴非常重要，我们非常高兴能够与拥有世界尖端制造技术的台积公司合作。在该合作关系基础上，我们还将通过提供包括可更大程度地激发氮化镓性能的控制IC在内的、易用的氮化镓解决方案，来促进氮化镓功率器件在车载应用领域的普及。”　　台积公司特殊技术业务开发资深处长 李健欣表示：“随着我们在氮化镓制程技术的下一代发展，台积公司和罗姆将扩展我们的合作伙伴关系，致力于开发和生产用于汽车应用的氮化镓功率器件。通过结合台积公司在半导体制造领域的专业知识和罗姆在功率器件设计方面的专长，我们将努力推动氮化镓技术及其在电动车上的应用边界。”　　关于台积公司　　台积公司成立于 1987 年，率先开创了专业集成电路制造服务之商业模式，自此成为世界领先的专业集成电路制造服务公司。台积公司以领先业界的制程技术及设计解决方案组合支援其客户及伙伴生态系统的蓬勃发展，以此释放全球半导体产业的创新。身为全球的企业公民，台积公司的营运范围遍及亚洲、欧洲及北美，致力成为企业社会责任的行动者。2023 年，台积公司提供最广泛的先进制程、特殊制程及先进封装等 288 种制程技术，为 528个客户生产 1 万 1,895 种不同产品。台积公司企业总部位于中国台湾新竹。　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情，欢迎访问罗姆网站：https://www.rohm.com.cn/　　・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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发布时间：2024-12-11 10:50 阅读量：145 继续阅读>>
上海贝岭<span style='color:red'>功率器件</span>助力电摩控制器高效发展
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上海贝岭功率器件助力电摩控制器高效发展

　　一、 概述　　在中国电动两轮车已经成为人们日常生活中必不可少的交通工具。随着电动自行车国家标准的不断改进，电动自行车向着低速、高安全性和长续航里程等方向逐渐演进。与此同时，市场对于高速、智能和长续航的电动轻便摩托车及电动摩托车的热情也不断上升。　　功率MOSFET作为电动两轮车控制器的核心器件，其性能决定了控制器系统的整体效率。上海贝岭作为功率MOSFET市场的主要供应商之一，现推出针对电动轻便摩托车控制器的新产品BLP04N11，该器件针对电摩控制器应用特点，优化器件击穿电压和降低开关及导通损耗，助力客户产品迸发更高峰值性能。　　二、 电动轻便摩托车控制器应用解析　　电动轻便摩托车通常使用锂电池供电，使用电池电压挡位可分为48V、60V及72V，配备的电机额定功率范围在400W~3000W。电动轻便摩托车控制器的核心组成部分之一为功率MOSFET组成的三相全桥逆变电路。逆变电路受MCU的PWM调制及对应的栅极驱动器控制，实现直流到交流的变换，从而驱动无刷电机运转。　　图1 电动轻便摩托车控制器拓扑图　　三、 贝岭SGT技术平台及BLP04N11器件特点　　上海贝岭基于上海积塔最新SGT Gen2平台，研发110V SGT MOSFET器件系列产品，在SGT Gen1平台的基础上，进一步优化屏蔽栅结构，加强终端结构，使得器件具有较低的导通电阻和较高的击穿电压。针对电动轻型摩托车控制器应用中高效开关转换和低导通损耗的应用需求，贝岭BLP04N11对应优化效果如下：　　1、低导通电阻Rds(on)　　提高电动轻型摩托车控制器的能效水平的一个方式是降低器件导通损耗。导通电阻Rds(on) 决定了功率MOSFET在导通器期间内的损耗。在使用相同封装的情况下，贝岭器件相较于市场主流同规格产品，具有更低的导通电阻Rds(on) ，导通损耗的降幅可达5%。　　2、低FOM值　　提高电动轻型摩托车控制器的能效水平的另一个方式是降低开关损耗。对于相同的驱动电路，较低的栅极电荷使得开关速度加快，以降低开关损耗。性能品质因数Figure of Merit (FOM= Rds(on) × Qg，Rds(on) 导通电阻，Qg栅极总电荷)，简称FOM值，是MOSFET的一个重要指标，用于评估性能的优劣。在使用相同封装的情况下，贝岭器件相较于市场主流同规格产品，具有相对较低的FOM值。6.5%的降幅可以提高轻型电摩控制器的整体能效和减少器件的负载，可提高控制器的使用寿命。　　3、板级温升表现　　得益于贝岭BLP04N11产品较低的导通电阻Rds(on)和电荷参数，在轻便电摩控制器额定功率1500 W的稳态带载测试中，与市场主流产品相比整体可减少来4~6%的损耗。若在相同输出功率的情况下，贝岭器件低损耗的特点可以提高电动轻型摩托车的续航里程。若在过温保护点不变的情况下，贝岭器件可以允许客户控制器输出更高功率。　　4、抗短路能力　　贝岭BLP04N11产品为应对控制器应用中的极端工况，加强器件抗短路能力，可以满足72V锂电电池满电、馈电等不同工作电压下的轻型电摩控制器相间短路的可靠性要求。　　四、 贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭功率针对电动自行车、电动轻便摩托车、电动摩托车、电动叉车和轻型低速四轮车控制器应用设计有多条SGT产品线，包含70V、85V、100V、110V和150V等电压等级器件，欢迎垂询!具体型号参考表1。　
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发布时间：2024-11-12 09:31 阅读量：351 继续阅读>>
上海贝岭直流充电桩电源模块<span style='color:red'>功率器件</span>解决方案
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上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

　　一、概述　　随着新能源汽车的深度普及，用户对公共充电设施的便利性、安全性、智能化程度等方面均提出了更高要求。公共直流充电桩向着更大功率、更高功率密度、更智能化等方向快速演进，作为直流充电桩的核心部件，充电桩电源模块的功率等级和功率密度亦不断提升，从20kW/30kW逐步提高至40kW/50kW及以上，为用户提供更安全、快速的充电服务。　　二、直流充电桩电源模块工作原理及拓扑结构　　直流充电桩的系统结构如图1所示：包括电源模块、控制系统、用户界面、充电线缆等部件。其中电源模块的主要功能是实现电能转换，将电网侧的交流电转换为适合用户需求的直流电，确保稳定、高效地输出。　　图1 直流充电桩系统组成框图　　直流充电桩电源模块典型结构如图2所示：主要由两级结构组成，包括前级的AC/DC环节，实现功率因数校正，降低谐波，提升电能质量;后级的DC/DC环节，实现宽范围的直流电压输出，满足不同类型电池的充电需求。　　三相维也纳PFC是直流充电桩电源模块中AC/DC变换器的常用拓扑，如图3所示。电路通过控制Sa、Sb、Sc的通断，来控制PFC电感的充放电。由于 PFC变换器的PF值接近1，可认为电感电流和输入电压同相，三相平衡，各相差120度。　　三相PFC变换器每相包括一个双向开关，双向开关由共源极的开关管相连接，两个开关管共用一个驱动信号，不存在桥臂直通问题，无需设置死区时间，降低了控制和驱动的难度，具有工作效率高、器件电压应力低的优点。　　三、贝岭BLG80T65FDK7产品介绍　　针对直流充电桩电源模块应用，上海贝岭推出80A /650V IGBT产品BLG80T65FDK7。80A/650V IGBT工艺平台采用第三代微沟槽多层场截止技术，优化了饱和压降和开关损耗，适用于50kHz及以上的高频应用，利于提升系统的功率密度和效率。其工艺特点如图4所示。　　图4 BLG80T65FDK7-F工艺特点　　BLG80T65FDK7合封全电流FRD，针对三相维也纳PFC电路的特点，通过优化合封二极管的VF值，降低二极管的通态损耗，提升变换器的工作效率。其实物图如图5所示。　　图5 BLG80T65FDK7-F实物图　　四、贝岭BLG80T65FDK7性能优势　　1、饱和压降Vce(sat)　　对三相维也纳PFC拓扑结构而言，功率器件的通态损耗是其总损耗中占比较大的一个损耗源，降低开关器件的通态损耗是提升变换器工作效率的一个有效手段。作为评估IGBT性能的一个重要指标， 在器件允许的工作温度范围内，BLG80T65FDK7拥有较低的饱和压降，可有效降低IGBT的通态损耗。其Vce(sat)-温度变化曲线如图6所示。　　图6 Vce(sat)随温度变换曲线　　2、开关损耗　　为减小磁性元器件的体积，提升变换器的功率密度，三相维也纳PFC应用中IGBT的开关频率一般高于50kHz。BLG80T65FDK7在全电流范围内均具备较低的开关损耗，在高频应用场景中，具备更优异的性能。开关损耗对比如图7所示，与竞品相比，BLG80T65FDK7的Eon/Eoff/Etotal值分别下降了约6.7%/6.8%/6.8%。　　3、反向恢复能力　　Qrr体现了二极管的反向恢复能力。Qrr值低，峰值电流更低，尖峰持续时间更短，因而振铃/谐振减少，利于减少EMI，同时，可进一步提高效率。如图8所示，与竞品相比，BLG80T65FDK7的Qrr值下降了约18%。　　4、产品竞争力　　基于直流充电桩电源模块的应用需求，BLG80T65FDK7综合考虑器件的各项参数，重点对IGBT的饱和压降、开关损耗及合封二极管的反向恢复能力和VF值进行优化。参数对比如图9所示，同比于竞品器件，重点参数具备优势，可以更好发挥器件性能，助力提升变换器的工作效率和系统的功率密度。　　五、贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭功率器件产品线齐全，包含MOSFET、IGBT等系列产品，为直流充电桩电源模块设计提供助力，欢迎垂询!具体型号参考表1。　　表1 功率器件选型列表　　贝岭拥有完善的电源管理、信号链等系列产品可供选择，助力更完全、可靠的充电桩设计和应用。具体型号参考表2。
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发布时间：2024-09-09 13:08 阅读量：771 继续阅读>>
威兆半导体：PD快充<span style='color:red'>功率器件</span>选型难，不如看看小米、三星都在用的<span style='color:red'>功率器件</span>
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威兆半导体：PD快充功率器件选型难，不如看看小米、三星都在用的功率器件

　　目前，手机已经成为人们上网的主要工具，手机满足人们在支付、购物、医疗、娱乐等方面需求，因此对手机电量需求也与日俱增，而快充是人们解决续航焦虑的最优解，所以手机快充成为消费者购机的重要考量。　　早在2014年快充技术便成为了各大手机品牌厂商竞相研发的焦点，OPPO率先推出5V4A快充，率先拉开高功率快充序幕。到了2019年前后，有线快充技术更是迈入了全新的发展阶段，高通QC、USB-IF PD通用协议以及小米、OPPO、vivo等私有快充协议层出不穷，手机快充功率一路飙升至100W甚至达到240W超高功率，只需短短几分钟便可轻松“回血”。　　到2024年有线快充技术已经趋于成熟，各大手机品牌在市场上占据了主导地位。据充电头网了解，摩托罗拉、小米、OPPO、vivo、魅族等多个知名手机品牌均已推出了支持大功率快充的产品，整个快充市场呈现出百家争鸣的繁荣景象，推动相关供应链升级，带动整体行业高速发展。　　威兆推出多款适配高功率PD快充MOSFET　　威兆作为一家本土的电子元器件厂商，自成立以来，威兆始终聚焦功率器件研发与应用技术研究，凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET / IGBT单管和模块，以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。其产品广泛应用于PC/服务器、消费电子、通讯电源、工业控制、汽车电子及新能源产业等领域。　　在消费类电子行业，频频可以看到威兆MOSFET的身影进入世界知名品牌供应链，OPPO、小米、vivo、三星、努比亚、飞利浦、公牛等都是它的客户，威兆MOS以过硬的产品品质，获得了市场的高度认可。　　威兆针对大功率PD快充推出的100V系列同步整流管(如VSP004N10MS-G/VSP003N10HS-G等)和30V系列VBUS开关管(如VS3698AE/3618BE/3610AE等)，可以满足各大智能手机品牌PD快充以及其他高压大电流的私有快充输出需求。　　威兆VSP004N10MS-G　　威兆VSP004N10MS-G是一颗耐压100V，导阻为3.8mΩ的NMOS，采用PDFN5060X封装。该器件同样采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。　　威兆VSP003N10HS-G　　威兆VSP003N10HS-G是一颗采用10V逻辑电平控制，耐压100V，导阻为3.8mΩ的NMOS，采用PDFN5*6封装。该器件同样采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。　　威兆VS3698AE　　威兆VS3698AE是一颗采用Trench工艺制造的NMOS，导阻及损耗更低，耐压30V，导阻3mΩ，提供PDFN3333封装。　　威兆VS3618BE　　威兆VS3618BE是一颗耐压30V，导阻为5.2mΩ的NMOS，采用PDFN3333封装。该器件在用Trench工艺制造导阻及损耗更低。　　威兆VS3610AE　　威兆VS3610AE是一颗耐压30V，导阻4mΩ的NMOS，支持5V逻辑电压控制，采用PDFN3333封装。该器件用Trench工艺，导阻及损耗更低。　　威兆MOSFET获多家知名手机品牌PD快充采用　　充电头网通过拆解了解到，自2023年至2024年5月初已有来自摩托罗拉、魅族、iQOO、三星、小米、红米、vivo品牌的12款PD快充适配器内置威兆MOSFET，产品性能获得业界知名手机品牌的一致认可，累计出货量超亿颗。　　摩托罗拉68W USB-C氮化镓充电器　　摩托罗拉这款68W氮化镓充电器采用直板造型设计，侧面印有功率标识。本次拆解的充电器为美版，没有印刷标识，根据外壳得知输出功率为68W。充电器采用固定插脚，单USB-C接口设计，其中USB-C接口采用红色表示支持快充。　　摩托罗拉68W快充内置内置的同步整流管为威兆VSP004N10MS-G，另一颗VBUS开关管为威兆VS3610AE。　　摩托罗拉125W氮化镓充电器　　摩托罗拉这款氮化镓充电器为固定插脚设计，黑色磨砂外壳，亮面字体表示支持125W输出功率。充电器具备100W通用快充输出和5A PPS输出，对主流安卓手机快充兼容性都很好，可为笔记本电脑充电。　　其内置的同步整流管采用威兆VSP003N10HS-G，输出VBUS开关管采用威兆VS3698AE。　　魅族20 Pro原装80W快充充电器　　魅族这款80W充电器为手机原装配机充电器，其采用经典白色机身设计，固定插脚，配有单USB-C接口。充电器输出支持65W PD快充和80W魅族私有快充协议，不仅支持魅族20手机80W快充，还能为笔记本电脑和其他品牌手机进行快充，快充兼容性不错。　　魅族这款快充内置的同步整流管是威兆VSP004N10MS-G，另一个输出VBUS开关管同样威兆VS3610AE。　　魅族PANDAER 80W氮化镓快充充电器　　魅族PANDAER氮化镓充电器具备月白和定胜青两张清新配色，表面为磨砂质感，清凉而舒适。充电器配有折叠插脚，单USB-C输出。输出支持80W魅族私有快充和65W PD快充，满足为魅族20系列手机快充，并且还能满足其他安卓手机及笔记本电脑充电，美观实用。　　魅族PANDAER这款快充内置的同步整流管同样为威兆VSP004N10MS-G。　　iQOO手机原装120W超快迷你闪充　　iQOO手机配备的这款120W超快闪充迷你充电器采用经典的白色直板机身设计，充电器为固定插脚设计，体积小巧。充电器配备单USB-C接口，并具备65W PD快充输出，满足手机大功率充电的同时，也能为笔记本电脑充电。　　其内置的输出VBUS开关管同样为威兆VS3698AE。　　三星35W 1A1C双口快充充电器　　三星推出的这款双口充电器为黑色外壳，固定插脚设计，充电器具备1A1C双接口，其中USB-C口单独输出时具备35W输出功率，USB-C和USB-A口同时输出时，支持20W和15W功率分配，满足两台设备同时充电需求，具备很好的快充兼容性。　　三星这款快充内置的同步整流管采用威兆VSP004N10MS-G。　　小米13 Ultra原装90W氮化镓充电器　　小米13 Ultra氮化镓充电器为国标固定插脚，外观仍然为小米家族风格。充电器采用USB-A接口，支持最大90W小米私有快充，满足小米13 Ultra手机快充。搭配小米专用的USB-A转USB-C线，可以实现65W PD输出功率，兼顾笔记本电脑和其他安卓手机充电使用，对于经常出差的商务人士来说出门带一个就够了。　　小米这款快充内置的同步整流管采用威兆VSP004N10MS-G，另一个VBUS开关管采用威兆VS3618BE。　　小米120W氮化镓小布丁充电器　　小米120W小布丁充电器延续上一代67W小布丁的外壳设计，采用条形柱状造型，风格独特。充电器采用固定国标插脚，支持小米手机120W快充，还支持65W PD快充和33W UFCS快充，支持为笔记本电脑和其他品牌安卓手机快充，整体兼容性不错。　　小米这款小布丁快充内置同步整流管采用威兆VSP003N10HS-G。　　小米海外版120W快充充电器MDY-13-EE　　小米这款欧版120W充电器采用PC阻燃材质白色外壳，主体为亮面设计，整体光滑简洁。这款充电器为USB-A接口，支持小米私有的20V6A快充档位，还支持QC2.0/3.0快充，搭配小米专用USB-A转USB-C线缆可以进行PD 65W快充，满足手机、笔记本等设备充电需求。　　其内置的输出VBUS开关管采用威兆VS3698AE。　　小米140W 2C1A氮化镓充电器　　小米这款140W氮化镓充电器采用家族式白色外壳设计，在侧面标注有输出功率，方便辨认。充电器配有折叠插脚，便于日常携带与收纳。充电器具备2C1A接口，任意接口均支持120W快充，且可以实现笔记本100W恒功率输出，满足笔电长时间充电需求。同时还具备65+65W或100+33W功率自动分配，适配两台笔记本电脑或笔记本电脑与手机同时充电需求，十分实用。　　其内置一颗威兆VSP003N10HS-G同步整流管，另一颗同步降压开关管为威兆VS3618BE。　　红米K60 Pro原装120W氮化镓充电器　　红米K60手机自带的120W充电器延续了小米手机原装充电器的家族风格，采用固定插脚设计，并采用USB-A接口，支持20V6A输出规格。搭配小米专用的USB-A转USB-C线，可以实现USB-PD快充，具备65W输出功率，兼顾笔记本电脑和其他安卓手机充电使用。　　产品内置的同步整流管为威兆VSP003N10H。　　vivo 45W 1A1C双口氮化镓充电器　　vivo这款氮化镓充电器采用白色外壳，配有折叠插脚，小巧精致，便于日常携带与收纳。充电器输出功率为45W，具备1A1C接口，两个接口均支持44W UFCS融合快充和vivo闪充，并且USB-C接口还支持45W PD快充，快充兼容性非常全面，是一款战未来的充电器。　　产品内置的同步整流管采用威兆VSP003N10HS-G。　　充电头网总结　　从当前的市场格局来看，大功率快充技术已经成为各大手机品牌厂商竞相追逐的焦点。各大手机品牌厂商凭借其在技术研发、生产制造和品牌建设方面的优势，主导着大功率快充技术的市场方向，建立各自的快充生态。　　这种市场格局的建立为原装配件带来了巨大的市场需求，用户也更倾向于选择品质可靠、性能卓越的原装快充配件，促进了原装配件市场的快速增长，同时也对原装配件的性能和质量提出了更高的要求，厂商必须确保每一款快充配件都达到高质量标准。　　威兆作为功率器件领域的佼佼者，在大功率快充市场占据了显著的地位。凭借其卓越的产品质量和全面的服务，威兆MOSFET产品赢得了摩托罗拉、小米、三星、魅族、vivo等众多知名手机品牌的青睐，成为消费类电源领域功率器件的重要供应商。
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发布时间：2024-07-18 09:34 阅读量：591 继续阅读>>
安森美：EliteSiC M3S <span style='color:red'>功率器件</span>，破解电动汽车直流超快速双向充电难题
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安森美：EliteSiC M3S 功率器件，破解电动汽车直流超快速双向充电难题

　　大部分消费者不买电动汽车，主要是担心充电的便利性以及快速充电的能力，不能确保驾乘体验与传统内燃机(ICE)车辆一样简易流畅。电动汽车充电桩的数量需要大量部署才能满足需求，并确保公共充电站资源能够更加公平合理地分配给驾驶员。　　此外，电力需求的快速增长也相应给当前的电网带来巨大压力，可能导致电网超载。为了应对这一挑战，双向充电已成为实现车辆到电网(V2G技术，Vehicle-to-Grid)供电的关键解决方案，它既支持常规的电池充电，又能将电动汽车作为储能系统为家庭供电。　　安森美(onsemi)的EliteSiC M3S功率器件，为电动汽车直流超快速双向充电桩提供了新选择。基于碳化硅的解决方案将具备更高的效率和更简单的冷却机制，显著降低系统成本，与传统的硅基IGBT解决方案相比，尺寸最多可减小40%，重量最多可减轻52%。更紧凑、更轻的充电平台，将为设计人员提供快速部署可靠、高效和可扩展的直流快充网络所需的所有关键构建模块，实现在短短15分钟内将电动汽车电池充电至80%。　　EliteSiC M3S模块有助于实现直流快速充电网络和车辆到电网(V2G)电力传输系统的建成，通过解决接入和速度问题，与其他需要数小时甚至数天的充电方法相比，能更快地为车辆充电。针对每个模块，安森美使用来自同一晶圆的芯片来确保更高的一致性和可靠性，因此设计人员不会因使用不同供应商的分立器件而导致不同的性能结果。为了加速设计周期，设计人员还可以通过安森美的PLECS模型自助生成工具生成先进的分段线性电路仿真(PLECS)模型，并通过该产品组合的Elite Power仿真工具进行应用仿真。　　凭借强悍的性能，EliteSiC M3S功率器件成功入围由盖世汽车主办的2024第六届金辑奖中国汽车新供应链百强及最佳技术实践应用奖，期待您的投票。
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发布时间：2024-07-09 09:45 阅读量：376 继续阅读>>
安森美：高压<span style='color:red'>功率器件</span>设计挑战如何破？
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安森美：高压功率器件设计挑战如何破？

　　不断提升能效的需求影响着汽车和可再生能源等多个领域的电子应用设计。对于电动汽车 (EV) 而言，更高效率意味着更远的续航里程;而在可再生能源领域，发电效率更高代表着能够更充分地将太阳能或风能转换为电能。　　这两大领域都广泛采用开关电子器件，因而又催生了更高电压器件的需求。电压和效率之间的关系遵循欧姆定律，也就是说电路中产生的功耗或损耗与电流的平方成正比。同理，当电压加倍时，电路中的电流会减半，因而损耗会降到四分之一。根据这个原理，为了减少传输损耗，电力公司通常使用超高电压来输送电力，比如英国的电网电压常为275,000伏或400,000伏。　　电力公司依赖重型变压器等设备来处理高传输电压，而汽车和可再生能源领域的情况要更复杂一些，因为相关应用中通常涉及大量电子设备。　　半导体设计面临高电压挑战　　基于开关电力电子器件的转换器和逆变器是可再生能源发电厂和电动汽车的关键组件。虽然MOSFET和IGBT都可以用在相关系统中，但前者的栅极驱动功率较低、开关速度更佳且在低电压下效率更高，所以MOSFET占据了市场主导地位，并广泛用于各类电力电子应用。　　功率MOSFET主要有三个作用，即阻断、开关和导通(如图2所示)，因此该器件必须满足每个阶段的要求。　　在阻断阶段，MOSFET要能完全承受应用的额定电压;而在导通和开关阶段，又必须满足对电路损耗和开关频率的要求。导通损耗和开关损耗都会影响整体效率，更高的开关频率有利于搭建更小更轻的系统，而尺寸和重量恰好是电动汽车和工业应用的关键属性。　　追求更高电压的趋势正在挑战传统硅MOSFET的极限，并且实现低导通损耗和快速开关时间所需的低RDS(on)和高栅极电荷值也越来越困难，同时成本也在不断攀升。因此，电力电子设计人员转而借助碳化硅(SiC)来实现更高的效率。SiC是一种宽禁带材料，与硅相比具有多项优势，包括热导率高、热膨胀系数低和最大电流密度更高等，因此在导电性能方面表现更加优异。此外，SiC的临界击穿场强更高，也就是说较薄的器件就能够满足额定电压的需求，从而能够大幅缩小器件尺寸。　　目前SiC MOSFET能够承受近10kV的超高电压阈值，而硅MOSFET能够承受的电压阈值仅为1.5kV。此外，SiC器件的开关损耗较低、工作频率较高，因此能够实现更优异的效率，尤其适合用于工作温度较高、热导率要求高的大电流、高功率应用。　　安森美 (onsemi) 能够满足对更高电压的需求　　为了满足对高击穿电压器件日益增长的市场需求，安森美构建了内部端到端SiC制造能力，能够制造SiC二极管、SiC MOSFET和SiC模块等一系列产品。　　相关产品系列包括NTBG028N170M1，这是一款击穿电压较高的SiC MOSFET，如图3所示。这款N沟道平面器件针对高电压下的快速开关应用进行了优化，VDSS为1700V，扩展VGS为-15/+25V。　　NTBG028N170M1支持高达71A的连续漏极电流(ID)和高达195A的脉冲漏极电流，且其 RDS(ON) 典型值仅为28mΩ，有助于减少导通损耗。另外，该器件的栅极电荷 (QG(tot)) 非常低，仅为222nC，可确保进一步降低高频工作期间的损耗，此外器件采用D2PAK–7L表面贴装，可以减小工作期间的寄生效应。　　安森美EliteSiC系列还包括一系列额定电压为1700V的SiC肖特基二极管，这些二极管可在整流器等电力电子系统中与MOSFET搭配使用。这些二极管具有较高的最大反向重复峰值电压 (VRRM)、较低的正向峰值电压 (VFM) 和出色的反向漏电流，使设计工程师能够在高温环境下实现稳定的高电压运行。　　EliteSiC助力打造高效的电力电子设计　　在依赖电力电子设备的应用中，对更高效率的探索从未停歇。随着系统电压的不断提高，传统的Si-MOSFET无法适应未来需求。SiC器件为相关设计人员指明了新方向，使其能够在提高效率的同时，缩小器件尺寸，满足更严格的应用要求。安森美的1700V NTBG028N170M1能够帮助工程师在关键电力电子系统中实现更高电压的设计。
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发布时间：2024-03-01 11:07 阅读量：2276 继续阅读>>
士兰微49.6亿元定增完成，拟用于SiC<span style='color:red'>功率器件</span>生产线等项目
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士兰微49.6亿元定增完成，拟用于SiC功率器件生产线等项目

　　近日，士兰微49.6亿元定增完成，定增募集资金将用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目（一期）和补充流动资金。　 11月24日消息，近日，士兰微发布的向特定对象发行股票发行情况报告书显示，公司完成发行2.48亿股公司股份，发行价为20元/股，募集资金总额49.60亿元，募集资金净额约49.13亿元。　　定增募集资金将用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目（一期）和补充流动资金。　　8月29日，士兰微公告称，为加快“SiC功率器件生产线建设项目”的推进，拟与国家大基金二期、厦门海创发展基金共同出资12亿元，认缴厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（以下简称“士兰明镓”）新增注册资本。　　天眼查APP显示，士兰明镓11月7日发生工商变更，注册资本由约12.7亿元增至约24.6亿元，国家大基金二期完成入股，士兰微获得士兰明镓控制权。而此次公司定增募资投入的“SiC功率器件生产线建设项目”的建设主体，正是士兰明镓。　　借助本次募投项目的建设，士兰微将进一步提升汽车级功率模块等新兴产品的产能规模和销售占比，推进产品结构升级转型，形成功率半导体领域的先发优势、规模优势和成本优势。　　值得一提的是，士兰微已经连续受到国家大基金二期的青睐。今年5月22日，士兰微公告称，公司与国家大基金二期将共同出资21亿元认缴成都士兰半导体制造有限公司新增注册资本，其中国家大基金二期以自有资金出资10亿元。　　在本次认购中，国家大基金二期出手认购的股数也是此次投资者中最多的，达6197.50万股，共斥资12.40亿元，占到士兰微本次总募资的25%。
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发布时间：2023-11-27 09:55 阅读量：1598 继续阅读>>
<span style='color:red'>功率器件</span>的主要用途是什么 <span style='color:red'>功率器件</span>的应用场景有哪些
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功率器件的主要用途是什么 功率器件的应用场景有哪些

　　功率器件是电子设备中的重要组成部分，它们能够控制电流和电压，实现电能的转换和控制。功率器件广泛应用于各种电子设备中，如电源、电动机驱动、照明、通信、医疗、 工业自动化等领域。下面将由AMEYA360电子元器件采购网介绍功率器件在不同应用场景中的应用。　　1.电源　　功率器件在电源中的应用非常广泛,如开关电源、逆变器、稳压器等。开关电源是一种高效率、小体积、轻重量的电源，它采用功率器件进行开关控制，实现电能的转换和控制。逆变器是将直流电转换为交流电的装置，它也需要功率器件进行控制稳压器是一种能够稳定输出电压的电源，它也需要功率器件进行控制。　　2.电动机驱动　　功率器件在电动机驱动中的应用也非常广泛，如直流电机驱动、交流电机驱动等。直流电机驱动需要使用功率晶体管、IGBT等功率器件进行控制，实现电机的正反转和调速。交流电机驱动需要使用三相桥式整流器、逆变器等功率器件进行控制，实现电机的正反转和调速。　　3.照明　　功率器件在照明中的应用也非常广泛，如LED驱动、氙气灯驱动等。LED驱动需要使用功率MOS管、功率MOSFET等功率器件进行控制，实现LED的亮度调节和闪烁控制。氙气灯驱动需要使用功率晶体管、IGBT等功率器件进行控制，实现氙气灯的点亮和调光。　　4.通信　　功率器件在通信中的应用也非常广泛,如射频功率放大器、光电器件等。射频功率放大器是一种能够将低功率信号放大到高功率信号的装置，它需要使用功率晶体管、功率MOSFET等功率器件进行控制。光电器件是一种能够将光信 号转换为电信号的装置，它需要使用光电晶体管 、光电二极管等功率器件进行控制。　　5.医疗　　功率器件在医疗中的应用也非常广泛，如医用电源、医用电刀等。医用电源是一种能够提供稳定电压和电流的电源，它需要使用功率晶体管、IGBT等功率器件进行控制。医用电刀是一种能够将高频电流转换为热能的装置，它需要使用功率晶体管、功率MOSFET等功率器件进行控制。　　6.工业自动化　　功率器件在工业自动化中的应用也非常广泛，如PLC、变频器等。PLC是一 种能够实现逻辑控制和运动控制的装置，它需要使用功率晶体管、IGBT等功率器件进行控制。变频器是一种能够实现电机调速的装置，它需要使用功率晶体管、功率MOSFET等功率器件进行控制。　　7.电动汽车　　功率器件在电动汽车中广泛应用，例如电池充电器、电机驱动器、DC-DC转换器等。这些器件可以提高汽车性能，延长电池寿命，降低运行成本。　　8.交流调光　　在家庭照明设备中，交流调光技术可以控制灯光的亮度和颜色，提高居住舒适度。功率器件在这-应用场景中起到了关键作用。　　9.风电和太阳能发电　　风电和太阳能发电是可再生能源的代表，功率器件在其中的应用越来越广泛，例如功率器件可以实现太阳能电池板的最大功率点跟踪，提高电池板的发电...　　功率器件在各种电子设备中的应用非常广泛，它们能够实现电能的转换和控制，为各种电子设备的正常运行提供了重要的支持。
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发布时间：2023-09-04 10:13 阅读量：2361 继续阅读>>
可控硅:功率电子器件有哪些 <span style='color:red'>功率器件</span>包括哪些产品
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可控硅:功率电子器件有哪些 功率器件包括哪些产品

　　现代工业和电子设备中，可控硅作为一种重要的功率电子器件，扮演着不可替代的角色。作为可控硅厂家，我们深知可控硅的重要性，AMEYA360电子元器件采购网在本文中向您介绍可控硅的基本原理、应用领域。　　一、可控硅的基本原理　　可控硅，又称为晶闸管，是一种半导体器件，具有电流控制特性。它的基本构造包括一个P型半导体阳极、一个N型半导体阴极和一个PN结控制区。在正向偏置下，当控制极施加一个触发脉冲时，可控硅将导通电流，并保持导通状态，直到电流降为零或逆向电压超过其耐受能力。　　二、可控硅的应用领域　　1、交流电控制：可控硅广泛应用于交流电控制领域，例如交流调光、交流电压调节以及交流电流控制。其可靠性和快速开关速度使得可控硅成为家用电器、照明系统和工业设备中的理想选择。　　2、高功率电子：在高功率电子领域，可控硅在电力传输、电机驱动、电网稳定和能源转换方面发挥着重要作用。它们可以用于实现电力因素修正、电流逆变和谐波抑制等功率控制功能。　　3、变频驱动：可控硅被广泛用于变频驱动系统中，如交流电机控制、电力调速和变频空调。通过调节可控硅的触发角度和脉冲宽度，可以实现对电机速度和输出功率的精确控制。　　4、电能质量改善：可控硅器件在电能质量改善方面也发挥着重要作用。通过在电网中引入可控硅，可以有效抑制谐波、消除电压浪涌和实现电能因素修正，从而提高电网的稳定性和可靠性。
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发布时间：2023-07-06 13:12 阅读量：1742 继续阅读>>

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