<span style='color:red'>半导体产业</span>的发展史
  半导体产业的发展一共分三个阶段,第一代半导体材料是硅(Si),第二代半导体材料是以GaAs和SiGe为代表的微波器件,而现在最热门的是第三代半导体材料是宽禁带半导体材料GaN和SiC,相较前两代产品,性能优势显著并受到业内的广泛好评。第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,因此也被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。发展较好的宽禁带半导体主要是SiC和GaN,其中SiC的发展更早一些。  功率半导体围绕着硅(Si)发展了半个世纪,一直在BV和Ron之间博弈,也是一个功率器件最基本的门槛。这两个参数一个决定了器件的极限(BV)一个决定了器件的性能(Ron),这就如同鱼和熊掌不可兼得。而在BV的提升上面,主要考虑有源区(Active)和场区(Field),而Active区的击穿电压自然就是靠PN自己了,没其他办法,而场区也是最后器件电场线集中收敛的地方,这个区域的电场会很强,因此很容易在这里击穿,所以如何提高终止区的击穿电压成了硅基功率器件的重点,当然发展了这么多年最行之有效也是最成熟的方法就是保护环(Guard Ring)和场板(Field Plate)或者搭配来实现终止区的耗尽区宽度进而降低表面电场,使得击穿尽量发生于Active区的PN结。        理论上只要这两道环设计的好,都能使得器件的击穿电压达到理想的PN结击穿电压。但是即便如此,受限与硅材料本身的特性,他的击穿电场也是要受限于他的禁带宽度(Eg)的,所以硅基的功率器件在1000V以上的应用时候就显得非常吃力,而且制造成本和可靠性等等都非常高,急需要寻找一种宽禁带半导体材料来获得更高的击穿临界电场以及电子迁移率,而目前这种材料就是SiC和GaN这两种材料。  话说新材料找到了,但是要全面取代硅基还是很困难啊,毕竟硅基器件的衬底和制造技术已经很成熟,价钱就可以秒杀你。所以在高压高功率的市场,一直存在着硅基功率器件和SiC/GaN的市场争夺战,其中硅基最得意的作品就是Si-IGBT和Super-Junction了。  继续讨论SiC和GaN吧。  1、衬底片生长(Crystal Growth):这是最基本的,就如同硅基在70年代一样,如果没有单晶衬底片,所有的制造业都是白谈,即使硅基的Si-ingot到目前为止全世界也只有5家可以拉单晶啊,可想而知多难!到了SiC和GaN那就更难了,几乎这就是主要制约这个行业发展的关键因素。  1)SiC制备:先说说SiC的结构吧,大家应该经常看到4H-SiC和6H-SiC,这是指他的堆叠层数。我从头讲起吧!首先,SiC都是第四主族的元素,所以每个Si和每个C刚好一一配对形成稳定的共价键结构,每个Si外面四个C,而每个C外面也是4个Si。从结构上看,如果你正对Si面看下去的话,背面被挡住了一个C,所以你还能看到三个C,相同的情况,如果你正对着C面看下去,背面也被挡住一个Si,所以你还可以看到3个Si。         因为一个C配一个Si,而刚刚说的不管从哪个原子看过去都可以看到三个另外原子,所以最好的晶体排布方式就是六边形结构,也就是书上说的六方最密堆积(HCP: Hexagonal Close Packing),如果不熟悉的话大家一定知道体心立方(BCC)和面心立方(FCC)吧,跟他差不多,也是一种晶体结构而已)。现在开始排布,第一层为A的球代表了双层Si和C的结构,那么下一层根据共价键的价键结构可以有两种分布,分别是B和C。而且A的下面一层只能是B或者C,不能是A自己,B和C也一样。所以这就有了多少种组合?ABA、ACBA、ACABA、ACBACBA,分别对应2H、3C、4H和6H了,而这个数字呢就是代表下一次重复前堆叠的层数而已,而目前SiC的功率半导体都是用4H-SiC或者6H-SiC,主要原因是他可以拉出比较大的wafer而已。  这个结构已经有了,关键怎么制造出来呢?和Silicon一样,CZ直拉的,但是条件非常非常苛刻。第一个是Seed,我们硅Ingot的拉单晶所需的seed很小,wafer的直径和seed大小无关,但是SiC的seed直径直接决定了final wafer的直径,所以seed必须很大。  其次是反应条件,温度已经不是Silicon的1400C了,而是2300C,所以加热系统已经是RF coil,且坩埚替换成了石墨(graphite)。他其实是一种物理气相沉积(PVD),只是他不是Sputter的而是加热沸腾然后冷凝到seed表面形成的ingot而已。生长速率只有1mm/hour,所以可想而知SiC的价格多贵了吧,而且目前尺寸只能做6寸,主要是受wafer表面的温度均匀性限制,而且doping level没办法做高,如果要想用high doping的SiC衬底,必须要用CVD EPI的方式来重新生长(1400C~1600C, 3um/hour, SiH4+H2+CH4+C3H8, etc),而且doping的元素主要是Al和Boron为P型,而Nitrogen和Phos为N型。       如果是离子注入(Ion Implant)的方式来doping的话,会引入晶格损伤,而这种损伤很难消除,必须要用高温离子注入(High Temperature Implanter: 700C)以及高温退火(1200C~1700C)才能缓解和消除,这就是process里面最大的挑战!  2) GaN衬底:GaN主要都是MOCVD或者分子束外延(MBE)在衬底上长一层GaN而已,但是对于衬底的选择很重要,如果是作为功率的switch器件,都是选择GaN-on-Si,如果是用作RF的话,就需要选择GaN-on-SiC,显然后者受衬底依耐比较大,仅限于6寸晶片。至于他是怎么外延的,为什么要有成核(neuclization)和buffer层等等,必须要先懂他的器件原理才能理解,后面讲器件的时候一起讲吧。
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发布时间:2022-12-09 17:39 阅读量:2577 继续阅读>>
政策丨广东砸下4000亿,确定<span style='color:red'>半导体产业</span>未来五年规划及核心
广东制造业雄厚,拥有广泛的芯片应用领域,包括在消费电子、通信、人工智能等等。现时国际技术封锁的背景下,广东补齐芯片产业链短板、研发自主核心技术迫在眉睫。 今年 9 月 28 日,广东省政府召开新闻发布会,重点介绍解读《关于培育发展战略性支柱产业集群和战略性新兴产业集群的意见》以及广东 20 个战略性产业集群行动计划。  广东省半导体产业发展现状广东是我国信息产业第一大省,在消费电子、通信、人工智能、汽车电子等领域拥有国内最大的半导体及集成电路应用市场,集成电路进口金额占全国的 40%左右。 2019 年集成电路产业主营业务收入超过 1200 亿元,其中集成电路设计业营业收入超过 1000 亿元。 拥有广州和深圳两个国家级集成电路设计产业化基地,基本形成以广州、深圳、珠海为核心,带动佛山、东莞、中山、惠州等地协同发展的产业格局。  5 项重点任务+8 项重点工程在之前的 5 月 18 日,广东省发展改革委、科技厅、工业和信息化厅联合印发的《广东省培育半导体及集成电路战略性新兴产业集群行动计划(2021-2025 年)》,提出了 5 项重点任务和 8 项重点工程。 发展目标是到 2025 年,半导体及集成电路产业年主营业务收入突破 4000 亿元,年均增长超过 20%,珠三角地区建设成为具有国际影响力的半导体及集成电路产业集聚区。 “1+20”战略性产业集群政策文件,是作为“十四五”期间乃至更长一段时期指导我省战略性产业集群培育发展,建设现代产业体系的重要举措。 到 2025 年,战略性支柱产业集群营业收入年均增速与全省经济社会发展增速基本同步,成为广东经济社会发展的基本盘和稳定器;战略性新兴产业集群营业收入年均增速 10%以上,不断开创新的经济增长点。  4 大重要推动手段①提升创新能力:省科技创新战略专项资金每年投入不低于 10 亿元支持集成电路领域技术创新。 对于半导体及集成电路领域的基础研究和应用基础研究、突破关键核心技术或解决“卡脖子”问题的重大研发项目,省级财政给予持续支持。 ②鼓励加大研发投入:对 28nm 及以下或具备较大竞争优势的芯片量产前首轮流片费用,省级财政按不超过 30%给予奖补。 对研发费用占销售收入不低于 5%的企业,在全面执行国家研发费用税前加计扣除 75%的基础上,鼓励各市增加按不超过 25%研发费用税前加计扣除标准给予奖补,省级财政按 1:1 给予事后再奖励。 ③设立产业基金:基金首期规模 200 亿元,突出体现财政资金的政策引导性和放大效应,重点投向半导体器件、集成电路设计、晶圆制造、封装测试、EDA 工具、装备及零部件、相关材料、电子元器件等项目。 ④注重完善产业发展生态:立足现有基础,推动底层工具软件、芯片设计、制造、封装测试、化合物半导体、材料及关键电子元器件、特种装备及零部件等全产业链环节加快发展。  突破产业关键核心技术持续推进重点领域研发计划,围绕芯片设计与架构、特色工艺制程、先进封装测试工艺、化合物半导体、EDA 工具、特种装备及零部件等领域开展关键核心技术攻关。密切跟进碳基芯片技术发展。支持提前部署相关前沿技术、颠覆性技术。 对于风险较高、不确定因素较多的关键领域科技攻关,适当支持探索多种技术路线,加强技术储备。 加强用于数据中心和服务器的高性能 CPU、GPU、FPGA 等高端通用芯片技术研发,加大 5G 基带芯片、光通信芯片、射频芯片、AI 芯片、智能终端芯片、MEMS 传感器芯片、物联网芯片、车规级 SoC 汽车电子芯片、超高清视频芯片等专用芯片的关键技术研发和制造,提升核心芯片自主化水平。  推动战略性支柱 / 新兴产业集群政策落地在具体产业集群的选择上,战略性支柱产业集群主要选择产值在 5000 亿元以上、具有坚实发展基础和良好增长态势、对广东经济具有重要支撑作用的产业集群,旨在进一步巩固传统产业优势,强化优势产业领先地位。 新一代电子信息、绿色石化、智能家电、汽车产业、先进材料、现代轻工纺织、软件与信息服务、超高清视频显示、生物医药与健康、现代农业与食品,这 10 个战略性支柱产业集群 2019 年营业收入合计达 15 万亿元。 战略性新兴产业集群主要选择产值在 2000 亿元以内,产业辨识度高、成长性强、符合未来发展方向的产业集群,旨在积极抢占产业发展制高点,推动形成新的经济增长点、壮大发展新动能。 具体包括:半导体与集成电路、高端装备制造、智能机器人、区块链与量子信息、前沿新材料、新能源、激光与增材制造、数字创意、安全应急与环保、精密仪器设备。这 10 个战略性新兴产业集群 2019 年营业收入合计达 1.5 万亿元。  提出 5 大重点任务推动产业集聚发展、突破产业关键核心技术、打造公共服务平台、保障产业链供应链安全稳定、构建高水平产业创新体系。 其中,产业集聚方面,以广州、深圳、珠海为核心区域,积极推进特色制程和先进制程集成电路制造,在晶圆制造工艺、FPGA、DSP、数模混合芯片、模拟信号链芯片、射频前端、EDA 工具、关键 IP 核等领域实现突破,打造涵盖设计、制造、封测等环节的全产业链。 以深圳、汕头、梅州、肇庆、潮州为依托建设新型电子元器件产业集聚区,广深珠莞多地联动发展化合物半导体产业。 在突破产业关键核心技术方面,围绕芯片设计与架构、特色工艺制程、先进封装测试工艺、化合物半导体、EDA 工具、特种装备及零部件等领域展开技术攻关。 发展 10 大战略性新兴产业集群半导体与集成电路产业集群高端装备制造产业集群 智能机器人产业集群区块链与量子信息产业集群前沿新材料产业集群新能源产业集群激光与增材制造产业集群数字创意产业集群安全应急与环保产业集群精密仪器设备产业集群  提出的 7 项重点工程芯片设计领航工程制造能力提升工程高端封装测试赶超工程化合物半导体抢占工程材料及关键电子元器件补链工程特种装备及零部件配套工程人才集聚工程  深圳占据 18/20 个产业集群计划深圳多领域成为发展核心,20 个战略性产业集群行动计划中,涉及深圳的有 18 个,有 11 个产业集群领域均提到“以深圳等地为核心,赋能产业集群建设”。 涉及的产业集群包括新一代电子信息、智能家电、现代轻工纺织、软件与信息服务、生物医药与健康、半导体与集成电路、高端装备制造、前沿新材料、新能源、激光与增材制造、数字创意等。 比起战略性支柱产业集群,深圳在战略性新兴产业集群中被提及的次数更多。在当下热门的区块链领域,行动计划明确指出,支持深圳依托数字货币研究院,布局以数字货币为主的金融科技产业,打造区块链特色的数字经济示范窗口。 而在智能机器人产业集群领域,明确提出深圳要重点发展服务机器人、特种机器人和无人机产业,推动以面向 3C 产业为主的工业机器人及集成应用。 结尾:广东省在 5G、人工智能、智能网联汽车、工业互联网、超高清视频等产业对半导体及集成电路的需求快速增长,这些都为广东发展半导体及集成电路产业提供了良好的发展机遇。
发布时间:2020-10-15 00:00 阅读量:2024 继续阅读>>
魏少军:<span style='color:red'>半导体产业</span>链已实现最彻底的全球化
最近国务院重申国产芯片自给率在2025年达到70%的目标,它为国内半导体产业发展注入新的活力。芯片国产化率的概念是中国半导体业的特殊性之一,在全球其它国家与地区似乎并没有类似的提法,而且从芯片国产化的定义,它是用国内的芯片产出与市场需求之比,并非十分完善,因为中国境内许多外资厂商的产出也包含在内。如西安三星,无锡海力士及大连英特尔等。据不完善的资料,此部分外资厂商的比例尚不小,如2018年芯片国产化率达33%时,其中外资厂商约占14%,以及2025年时即使达到70%的国产化率,其中外资厂商的比例可能高达25-40%。魏少军博士曾说,半导体产业链已实现最彻底的全球化,因此从某种意义上说如果缺乏全球化的支持,单纯依靠国产化还能否实现是个应该思考的问题。国产化的现实意义 中国半导体业正处在一个特殊时期,美方毫无边际,随心所欲的打圧我们,而且紧盯我们的龙头企业。因此必须有清醒的认识,在这个时候中国半导体业倡导国产化有它的现实意义,归纳起来有如下三个方面:1),满足应急需要,生存是第一位2),只有通过国产化,打破它们的垄断格局,西方才会放松出口控制,全球化时代才能来到3),通过国产化过程,技术与产品水平的明显提升,提升自身竞争力国产化的思考· 全球化指引下的国产化要充分认识到如半导体业那样,由于产业链长,技术进步快,及投资巨大,如果缺乏全球化的共同协作与支持,单纯依靠国产化是几乎很难全面的取得成功。尤其是低水平的国产化只能满足应急需要,不能作为长久之计。因此从根本上中国半导体业不太可能真正再另搞一套完整的EDA工具,或者半导体设备及材料体系。而且重复别人走过的“老路”,实际上的意义并不大,唯有增加创新元素,如加入“AI”等才有出路。显然中国半导体业别无选择,在当前这个特殊时期下必须向EDA工具及半导体设备及材料等发起总攻,相信只有当我们开始打破它们的垄断格局,真正具备足够的实力时,西方才肯放松出口管制。因为中国有巨大的市场吸引着它们。这样的过程听起来有些苦涩与无奈,但是全球化必须要靠自已的努力去争取。· 国产替代不是终极目标在国内IC受限的特殊情况下提倡“国产替代”,或者“去美化”等很有必要,因为任何时候求生存是首位,但不能满足于低水平的替代,因此国产替代不是我们的终极目标。实际上通过国产替代这个过程来提升自身的竞争实力是更为关键。唯有竞争力提升,打破垄断格局,全球化的趋势才能早日来到。· 国产替代要有选择性“有所为,有所不为”是基本准则,因此在国产化的问题上要有选择性,尤其是那些具有一定难度,又具代表性的项目,不能什么都要国产化,要分轻重缓急。要充分利用中国能集中力量办大事的优势,逐个击破。如EUV光刻机,尽管先进工艺制程很需要,但是技术难度太大,单纯依国产化,从技术方面恐怕周期会很长,因此首先解决193纳米浸液式光刻机可能更为迫切,更有实际意义。另外,如存储器及CPU都是关键芯片,但是CPU的垄断性更强,及它与微软操作系统相连,中国可能还是集中力量首先攻克3D NAND及DRAM存储器。· 芯片自给率40%,或者70%,数字不太重要在芯片进口受限的条件下,提高芯片自给率有必要,至少表示不惧怕打压求生存的一种表现。但是对于芯片自给率的数字高,或者低,不必太在意,更不能沾沾自喜,讲究实效与感受可能是更重要。全球化态势不会自然来到,它不是西方的“施恩”。只有通过自身努力,踏踏实实去做,能打破西方的垄断格局,真正缩小了与它们之间的差距,唯有这样全球化态势才会迅速来到。 
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发布时间:2020-09-10 00:00 阅读量:1842 继续阅读>>
化合物<span style='color:red'>半导体产业</span>链有望加速串连布局
在中国台湾地区,氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC) 等化合物半导体应用,近来成各半导体厂竞相逐鹿之地,但台厂在化合物半导体生态系布局不如硅材料完整,成为产品开发的阻碍之一,中美晶宣布入股宏捷科后,鸣响上下游产业链整合的第一枪,未来相关厂商在上下游整合、建立产业生态系上,态度可望越趋积极。半导体材料历经 3 个发展阶段,第一代是硅 (Si) 等基础功能材料;第二代进入由两种以上元素组成的化合物半导体材料,以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 等为代表;第三代则是氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC) 等宽带化合物半导体材料。氮化镓、碳化硅等第三代化合物半导体材料,具备高频、高电压优势,加上导电性、散热性佳,组件体积也较小,适合功率半导体应用,在5G、电动车等需求推升下,氮化镓、碳化硅应用近来成各半导体厂竞相逐鹿之地。不过,台厂在化合物半导体生态系布局方面,上、中、下游产业链的整合,不如硅材料完整,各厂商单独进行技术研发,缺乏整合平台,供产业链彼此相互串连,若能在整合平台上,进行资源共享,才可望共同推进新应用发展速度,这也是中美晶入股砷化镓代工厂宏捷科的主因之一。中美晶近年来积极布局化合物半导体材料,在氮化镓晶圆方面已投入逾 7 年时间,碳化硅材料今年也迈入第 4 年,为加速化合物半导体材料发展进程,今年与交大合作,成立化合物半导体研究中心,并投入近 35 亿元,参与宏捷科私募成为其最大股东,双方将合作加速开发氮化镓产品进程。宏捷科在砷化镓晶圆代工领域拥有自主技术,近年来也积极开发氮化镓产品,与环球晶具有上下游材料供应互补综效,且从砷化镓到GaN on SiC(碳化硅基氮化镓) 制程转换相对较快,中美晶可藉此获得客户回馈,认证产品的高压、高频与高温耐受力,提供符合客户需求的化合物半导体晶圆。同样布局化合物半导体多年的汉磊投控,则透过集团内资源串连,加快化合物半导体产品发展速度,旗下磊晶硅晶圆厂嘉晶的4 吋与6吋SiC磊晶硅晶圆产能,已获客户认证并量产,同集团的晶圆代工厂汉磊科,则提供SiC Diode、SiC MOSFET 晶圆代工服务,主要应用包括车载、服务器电源系统领域,效益明年可望发酵。随着 5G 基地台与手机、电动车、电源等应用快速攀升,产业对氮化镓、碳化硅等化合物半导体材料产品需求,将开始进入高速成长阶段,产业链间相互整合、串连,有助加速产品开发时程,未来相关厂商在上下游整合、建立产业生态系上,态度可望越趋积极。
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发布时间:2020-08-11 00:00 阅读量:1302 继续阅读>>
台媒:<span style='color:red'>半导体产业</span>关键人才为何心甘情愿赴陆就业?
此前台媒报道称,在中国大陆2015年提出加强半导体产业后,已累计从台湾地区引进相关人才超3000人。据统计,这三千人中多数是高级领导或是研发人员。其中让人好奇的是,这群中国台湾地区含金量最高的关键人才为何会心甘情愿地离台赴陆呢?对此,《商业周刊》走访中国大陆最受瞩目的半导体聚落:上海、合肥、武汉与南京以期得到答案。  《商业周刊》指出,高薪与舞台,是吸引台湾人才到中国大陆就业的关键原因之一。对此,也有在大陆半导体企业工作的台湾人员透露说,其工资是台湾的两倍以上。  与此同时,作为全球最大的芯片消费市场,中国大陆每年进口芯片金额超过原油。可以说,大陆现在是以举国之力发展半导体产业。加上当下,中美贸易局势愈加紧张,人才与技术缺口更明确的被凸显。  其次,“在政策力挺下,中国大陆半导体就像块唐僧肉,不只中国台湾地区,全球的厂商都想吃上一口。” 《商业周刊》援引存储器厂合肥睿力受访人士的话称。  报道指出,中国大陆如今是“全民大炼芯”,包括天气冷冽,不适合晶圆厂运作的吉林,或四川省自贡市等无产业群聚效应的内陆城市都想要盖晶圆厂。另一方面,其实不只有中国台湾地区人士。三星、美光、英特尔等厂商也早已插旗。预估中国大陆现在至少有四十座正在运作的晶圆厂。  当各国的企业与佣兵都聚拢到中国大陆这座舞台,确实在实打实地催化中国半导体快速发展。大量资金涌入、大批人才齐聚,以及获得补贴的供应链,对于日后大陆自研芯片都是只有利而无一弊。  此外,在资本为后盾、愿景为燃料的催化下,格局也是一大影响因素。报道拿台积电和长江存储相比较说,台积电近几年,每年平均约110亿至120亿美元的资本支出,已经是全球罕见,但长江存储所做的规划,却是五年880亿美元。所见格局之大可能会让人倍感骄傲,年轻人的中国芯情怀也由此释放。  “人才来大陆的情况还会持续下去吗?” 对于这一问题,《商业周刊》得到的回答是:未来五年,情况只会加剧,但却不会无限制的延续下去。  值得一提的是,《商业周刊》走访南京后,并写道:“两年前,这里黄土一片……今年中国台湾地区半导体恐被超越。”  南京也是台积电在中国大陆的第一座12英寸晶圆厂所在地。台积电南京厂对中国大陆半导体产业而言,就像一颗种子。目前,南京厂导入了生产的16nm制程,领先中国大陆其余数十座晶圆厂。里昂证券半导体产业分析师侯明孝曾预估,四年内,中国大陆市场占台积电营收很可能超过量程,将是台积电重要的成长引擎之一。
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发布时间:2019-12-18 00:00 阅读量:1735 继续阅读>>
台湾的<span style='color:red'>半导体产业</span>,成为了一副亮眼的牌
2019 年,对于全球半导体产业来说,注定是艰难的。 WSTS 在 8 月公布的预测数据显示,2019 年全球半导体市场为负增长,衰退幅度将达到 13.3%,全球半导体市场规模下滑至 4066 亿美元。 然而,中国台湾的半导体业却实现逆市增长。  据工研院产科国际所预估,今年台湾 IC 产业产值将年成长 0.1%,其中 IC 设计业产值年成长 4.6% ;IC 制造业年衰退 2.1% ,而其中晶圆代工将年成长 1.6% ,记忆体与其他制造将年衰退 25.8% ;IC 封装业年衰退 0.1% ;IC 测试业年增 1.9% 。 工研院进一步指出,半导体封测产业部分, 2019 全球 IC 封测业,因美中贸易战使全球总体经济不确定性增加,影响电子终端产品销售下滑,加以中国封测大厂持续以低价抢单策略影响,预期台湾封测业 2019 年产值为 4,956 亿元,较 2018 全年微幅成长 0.5% 。 在半导体产业链的三大板块中(IC 设计、晶圆代工、封测),台湾地区将全部实现正增长,这在全球半导体产业六大重点地区(美国、欧洲、日本、韩国、中国大陆、中国台湾)当中,很可能是唯一的增长亮点了。 其原因,一部分是因为受中美贸易争端影响,大陆的部分产业订单转移至台湾地区,需要购买设备来扩产增容。同时,一些在大陆建厂的台湾半导体厂将产线移回了台湾,这也需要在当地购买设备,以提升产能。 再加上六、七十年代,国际分工变化,台湾抓住了机遇,通过推行出口战略,重点发展通讯、信息、消费电子、半导体、精密机械与自动化等高新技术领域,政府又支持,所以获得了较好的机会。 另外,台湾半导体业受惠于台积电大力投资先进制程,投资额是今年到目前为止全球最大设备投资市场。 台湾地区有一批优秀的 IC 设计企业,长期排名靠前的有:联发科、联咏、瑞昱、奇景(Himax)、创意、瑞鼎等,它们的营收表现一直不错。 在封测领域,中国台湾厂商在全球市占率接近 50%,行业龙头日月光看好 5G 手机芯片的后续增长潜力,在封装尺寸优化与降低成本方面能持续实现既定目标;而在 4G 转 5G 的基站建设需求方面,也在持续提升 SiP 封装技术的产能。 京元电在 5G 基站芯片方面的客户,如海思、高通、Intel、联发科、Xilinx 等,持续增加订单量,这在很大程度上提升了中国台湾厂商在 5G 芯片封测市场中的占比。 尽管增长幅度不大,但台湾地区的半导体业能够逆市增长,是 2019 年全球半导体市场的一大亮点。
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发布时间:2019-10-24 00:00 阅读量:1299 继续阅读>>
<span style='color:red'>半导体产业</span>回暖在即,5G带动作用值得期待
近日,全球半导体厂商2019年第三季度财报纷纷出炉,相比于低调惨淡的第二季度,第三季度让业内人士略微松了一口气,知名企业财报的止跌和持平,是否代表着2019年的半导体业者走出冬季?是什么带动了企业财报的上升?随着人工智能、5G通信等新势能的崛起,又将为2020年半导体市场带来哪些变化?  半导体企业三季度财报好转  三星电子公司(Samsung Electronics)近期公布了2019年第三季度财报,财报显示,三星电子当季营收达62万亿韩元(约合518亿美元),较创下季度新纪录的2018年第三季度,同期下降56%,7月至9月的营业利润为7.7万亿韩元,依旧高于市场预期的6.97万亿韩元。英特尔在最新财报中表示,2019年第三季度的营业利润将达到33%,超过全年平均值30%。美光2019财年第四季度的财报更为亮眼,美光科技公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示,美光科技公司第四季度的业绩超出了预期,在2019财年达到了顶峰。  另一方面,存储器的下跌逐渐止步于8月。据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告,2019年8月,DRAM的合约价与7月持平,DDR4 8GB均价达到25.5美元。按照传统来说,第三季度为全年旺季,DRAM原厂在价格方面让整体第三季价格扭转原先的跌势,转为持平,更或将持续持平。  自2019年以来,包括存储器在内的电子产品进入低潮,全球知名厂商财报一路下跌,直至第三季度,部分大厂与第二季度相比跌幅减小。一些公司预计,2019年第三季度收入将实现健康增长,从英特尔的9.1%到意法半导体的15.3%不等。德州仪器、英飞凌和恩智浦预计将出现个位数的增长。  “大体而言,全球半导体行业在2019年的全年度表现,将会低于2018年,此趋势基本上不会有太大的变化,唯一的差异性就在,2019年全年度的表现会比较惨淡。”集邦咨询(TrendForce)分析师姚嘉洋告诉《中国电子报》记者。  “2019年上半年全球半导体市场销售额连续两个季度下滑,最近两月止住了下滑趋势,可以预见当前全球半导体市场已经触底,下半年维持平稳或者为小幅度增长。”赛迪顾问分析师吕芃浩对记者说。  即将回暖?  虽然跌势已止,但这并不代表暖流的来袭。吕芃浩表示,主流公司的业绩反映出市场的颓势已经有所缓解,但是真正复苏还需要一些时间。“一方面,我们看到虽然2019年第三季度,一些半导体龙头企业获得了不错的增长,比如英特尔和意法半导体,但是多数企业还是处于较低的增速。另一方面,虽然目前市场需求依旧乏力,但是最坏的时间已将过去,市场回暖将在明年年初。另外由于的全球贸易形势不明朗、全球经济增长前景不明等因素的存在,给半导体市场的复苏力度带来不利条件。”吕芃浩说。  分析师们看好的并不是2019年年底的收成。姚嘉洋认为,以第三季度目前形势来看,各大手机厂,如华为和苹果,都有新一代旗舰机面世,加上英特尔也不断强化在笔记本电脑的市场布局,抵挡在10nm的处理器上AMD的蚕食鲸吞,在各种因素的影响下,第三季度的表现的确有机会优于2018年第三季度。但事实并不是如此,在国际竞争激烈的影响下,即便第三季度乃至于第四季度能有所增长,仍然无法弥补2019年上半年的衰退缺口。  随着2019年的尾声越来越近,2020年新势能的带动作用颇受期待。“从应用市场需求方面来看,今年5G手机的上市并没有扭转出货量下滑状态,云端服务器需求增速及投资力度有所回升,但是依旧疲软,而且车用以及工业半导体市场增速也没有达到预期,再加上全球贸易形势不乐观,全球经济增长放缓,半导体市场的复苏要到2020年初。”吕芃浩说。  5G是回暖主动力?  5G是2020年半导体市场回暖的主要议题。2019年6月6日,中国颁布了5G商用牌照,四大运营商齐头并发,5G在2020年的带动作用值得期待。“每一次半导体市场的繁荣都是划时代性的技术创新带来的,当下最具划时代意义的技术创新就是5G,未来5G的影响将是深远的,从而刺激对半导体的需求不断增长。”吕芃浩说。  据了解,在整个集成电路市场中,5G所代表网络通信领域占三分之一以上,对整个集成电路产业有举足轻重的影响。“中国半导体业者必须大量累积AI与5G等重要技术的储备,才有机会搭上下一波成长热潮。”姚嘉洋表示,5G与AI两大技术能为终端市场在2021至2022年带动3%至4%不等的增长动能。2020-2022年,在5G与AI两大技术的带动下,能为各类终端产品带来更多附加价值,如手机、PC、平板电脑、数据中心、车用电子与物联网等。  2020年,5G手机的商用也将带来新一轮高潮。吕芃浩介绍,未来3年,全球5G网络设备建设的全面展开,5G智能手机将迎来高速增长期,从而带动半导体行业复苏增长。随着手机市场迈入4G和5G的换挡期,2019年技术创新不及预期,尚不足以让消费者换机,整个市场增长乏力。而随着各国5G商用的推出,苹果、华为等主流手机厂商在2019年下半年推出搭载5G芯片的手机,会一定程度的刺激智能手机的增长,对半导体市场来说是个强心剂,但是真正的带动效应要到2020才能体现。  受到5G影响的不仅有智能手机,汽车、医疗和工业自动化等领域也将发生革命性变化,从而为半导体行业带来更多的机会。“4K超高清视频、自动驾驶、物联网、智慧医疗、数据中心和工业互联网,这些都是将来重点关注的领域。”吕芃浩说。  “2020年,由于美国大选时间落在2020年11月左右,外部影响因素甚多,各类终端的成长动能仍然不甚乐观,但对半导体产业来说,由于去库存化大抵已告一段落,加上中国市场大力推动5G发展、7nm EUV与5nm等先进制程的带动下,我们认为2020年的半导体产值大约可以增长4%左右。”姚嘉洋说。
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发布时间:2019-10-23 00:00 阅读量:1759 继续阅读>>
产业链两头在外,韩<span style='color:red'>半导体产业</span>遭重击
日本内阁还是下了狠手,正式批准通过《出口贸易管理令》修订案,将韩国移除出贸易“白名单”。本月底实施后,后者不再享有其出口战略物资和重要技术时简化手续的优待措施。按照韩联社的说法,韩国几乎所有产业的近千种产品都将受影响。 东亚两大经济体的贸易纠纷已持续近一个月之久。7月4日,日本方面宣布限制向韩国出口包括含氟聚酰亚胺、光刻胶以及高纯度氟化氢在内的三项重要半导体及OLED面板原材料,对包括三星在内的韩国半导体产业造成了重大打击。 与已经“失去了三十年”的日本不同,“三星共和国”的“汉江奇迹”似乎尚未终结,至少在代表了信息革命的半导体行业,韩国企业的强势地位始终无法被撼动。 在按营收排名的世界半导体企业榜单中,第一和第三名就分别归属于三星电子和SK海力士。  具体到消费电子品的高附加值部分,三星不仅占有OLED屏幕市场超过90%的份额,而且和SK海力士联手拥有DRAM内存芯片超过70%以及NAND内存芯片将近50%的市占率。即便是在手机最核心的基带芯片领域,三星也同样凭借13%的占有率成功挤入第一梯队,并持续威胁着霸主高通的宝座。 更令韩国人感到自豪的是,三星除了能够在半导体市场上呼风唤雨,更是面向消费者的终端市场巨无霸。根据IDC的数据,2018全年三星凭借2.9亿部手机的出货量依然稳坐世界第一把交椅。 依托于三星们的强势,韩国的半导体行业从2010年开始就超越传统的汽车业、钢铁业和造船业,一跃成为该国最重要的出口商品。  不过,看似风光无限的韩国半导体行业却绝非无懈可击。 在这个人口仅有5000万的中等后发国家,被视为支柱产业的半导体行业始终无法改变市场和产业链上游两头在外的尴尬境地。更为微妙的是,市场和产业链上游的重要参与者却又偏偏是与韩国关系若即若离的邻邦中国和日本。 以半导体行业最具代表性的集成电路为例,整条产业链上就包括半导体材料、半导体设备、集成电路设计与制造、封装测试等多个环节。而最为消费者所熟悉的国际半导体厂商们则几乎全部集中于中游的设计与制造环节。 从美国的英特尔、高通、美光、德州仪器到亚洲的三星、东芝、联发科、华为海思,这些经营着集成电路设计的巨头们再加上精于集成电路制造的台积电、三星以及富士通们,这似乎就是人们心中对于半导体行业的全部印象。 但事实上,在半导体材料商和设备商中却存在着大量的隐形冠军。不同于汽车行业技术含量相对平凡的前端产业链环节,半导体行业的前端环节不仅技术垄断更为明显,而且子行业的集中度也比厂商数量一个手都数不过来的设计和制造环节更高。 (其中,半导体材料大致又可细分为硅晶圆、光刻胶、光掩模版、电子特种气体、CMP抛光材料、超净高纯试剂、溅射靶材、封装材料等细分领域;而制造所需的半导体设备也同样包含单晶炉、氧化炉、PVD(物理气相沉积)、PECVD(等离子增强化学气相沉积)、光刻机、涂胶显影机、干法刻蚀机等多个大类。) 不同于三星在设计和制造环节的强势,除了光掩膜版之外,韩国人在材料和设备领域几乎毫无建树。 如果说半导体设备是以荷兰光刻机厂商ASML为代表的欧洲人的天下,那么日本人就是半导体材料当之无愧的操盘者。 日本人在产业链上游强大的掌控能力首先就体现在最为基础的硅晶圆以及光刻胶之上。硅晶圆作为几乎所有半导体的物理载体,也是半导体材料市场高度垄断性的绝佳代表。日本信越化工和SUMCO株式会社两家企业就瓜分了超过50%的市占率。而光刻工艺的基础——光刻胶的市场上,日本合成橡胶和东京日化也同样把持着近一半的市场供给,光刻胶也正是此次日本制裁韩国的“三大神器”之一。 包含光刻胶和光刻机的光刻工艺不仅占集成电路制造成本的35%,更是需耗费整个生产工艺50%的工时,因此也被誉为半导体制造中最核心的工艺。随着当今各种芯片先后跨入微纳米级别,光刻胶对应的波长也相应地不断减小。目前较为主流的光刻胶波长主要有g线(436纳米)、i线(365纳米)、KrF(248纳米)、ArF(193纳米)以及最新的EUV(13.5纳米)。其中商用最为广泛的KrF和ArF更是日本人的天下,根据韩国国际贸易协会给出的数据,韩国超过91.9%的光刻胶依赖从日本进口。 除了硅晶圆和光刻胶之外,日本企业在包含显影液、刻蚀液、清洗液在内的超净高纯试剂市场上也扮演者举足轻重的角色。 之前同样被日本列入限制出口名单的高纯度氟化氢的主要用途就是半导体的湿式刻蚀。尽管全世界各大厂生产的氟化氢几乎都能99.99%的纯度,但却唯有日本厂商的氟化氢能将纯度达到99.999%。在7纳米工艺开始量产、以及半导体愈发高精密化的当下,湿式刻蚀因为其各向同样的特点,从而使得芯片制造厂商对于氟化氢的纯度要求也水涨船高。目前,从日本进口的高纯度氟化氢占到了韩国总进口额的43.9%。  比高纯度氟化氢更令韩国人棘手的无疑是含氟聚酰亚胺。 就如同无法掌控产业链上游的韩国集成电路制造商一样,即便占据了90% OLED市场份额的三星在面板原材料问题上也依然不得不仰人鼻息。 随着曲面屏甚至是折叠屏的流行,具有柔性的OLED面板一直都是三星独步天下的独门绝招。而OLED最常用的柔性电路板基板材料就是聚酰亚胺,这其中又以透光性最佳的含氟聚酰亚胺最为重要。目前全球约90%的含氟聚酰亚胺产能都由日本提供,甚至是今年年初的Galaxy Fold折叠屏手机,其屏幕的电路板基板材料也是由日本住友化学提供。 OLED屏幕一旦无力继续生产,对于三星的打击必然是巨大的。不过,日韩贸易争端对全球半导体和消费电子品的影响却仍是可控的。一方面,使用含氟聚酰亚胺作为原材料的OLED屏幕主要应用于三星自家的部分曲面屏手机之上,普通OLED屏幕所需的原材料只是目前仍不受限制的聚酰亚胺;另一方面,对于积压了大量内存芯片库存的三星而言,光刻胶的断供短期上甚至是个去库存的绝佳机会,至少目前的内存价格尚未出现大幅波动;而有着中国和俄罗斯产高纯度氟化氢作为B计划的韩国人,暂时也不需要为刻蚀液问题挠破头皮。 尽管当下仍未到十万火急之时,但是已经被断了粮草的三星们急需关心的问题还是,此前积压的原材料储备量还能支撑多久?尽管不同机构给出了大约1至3个月的估算,但若考虑到具有腐蚀性的高纯度氟化氢往往不会堆积大量储备,韩国半导体制造商的窘境可能比表面上的更紧迫。 相比之下,东京方面可以打的牌则还有许多。不论是住友化学和日矿金属主导的溅射靶材,还是信越化学、京瓷化学生产的晶圆封装材料,掌控着十余种关键原材料的日本人若想要彻底瘫痪韩国的半导体产业,似乎也只是信手拈来。
发布时间:2019-08-05 00:00 阅读量:2018 继续阅读>>
日本制裁范围扩大 将重创韩国<span style='color:red'>半导体产业</span>
据外媒报道,日本对韩国半导体产业的出口管制范围可能会扩大到半导体制造设备和其他半导体材料,从而直接重创韩国半导体产业。韩国智库韩亚金融经营研究所分析,日本政府的下一个目标是半导体和面板制造设备,韩国这两大产业对日本形成高度依赖。数据显示,2018年日本设备占韩国使用进口设备的32%,而显示器产业占比达到83%,OLED等产业甚至对日本依赖度达到100%。韩国是全球最大的半导体产品供应地区之一,对智能手机等产业具有深远影响。本次日本对韩国的制裁,且并非出于经济目的,其走向势必对全球半导体乃至智能手机等产业带来深远影响。三星可能会推迟Galaxy Fold在某些国家的发布目前,三星正日以继夜地致力于完成Galaxy Fold并将其推向市场,但根据一份新的报告,三星甚至可以调整Galaxy Fold首发国家名单,其中原因不明。换言之,并非所有本应获得Galaxy Fold首发的国家都会见证到三星这部可折叠智能手机的推出,因为三星将转而专注于少数几大市场。具体来说,三星准备在美国、英国、德国、法国和印度推出Galaxy Fold,而意大利和荷兰等市场上的消费者可能要等待更长时间才能看到这款创新产品上市。之前的固件测试信息已经透露出以上变化,据报道三星已经推迟了一系列地区的固件验证,优先考虑其他地区。当然,这很可能是不准确的,因为三星可以一直加速固件测试,并使所有版本恢复同步。迄今为止,将Galaxy Fold推向市场对三星来说是一个相当大的挑战。该设备最初预计将于4月在美国上架,但由于早期评论人员发现显示屏存在问题而被推迟上市。本月早些时候,三星首席执行官DJ Koh承认,Galaxy Fold的遭遇令三星感到尴尬,但他承诺在未来通过进一步投资新技术做得更好。他说:“目前,有2000多台设备正在接受各个方面的测试。” 三星还没有公开宣布GalaxyFold新发布日期。
发布时间:2019-07-25 00:00 阅读量:1894 继续阅读>>
环球时报社评:中国<span style='color:red'>半导体产业</span>要做“打不死的鸟”
华为公司创始人、CEO任正非17日与两位美国学者对话时透露,“未来两年公司会减产,(营收)估计会下降300亿美金”,但现在的挫折不能阻挠华为前进步伐,到2021年会“重新焕发生机”。他表示华为是“打不死的鸟”。在我们看来,这是对华为今后发展的勾勒,华为的情形还可能是中国半导体产业未来成长的缩影。实事求是地评估当前面临的困难,是一个非常重要的现实课题。任何一个企业,乃至一个行业,遭到世界超级大国如此强力的打压,都不可能感到轻松。但我们需要对这些困难做冷静的分析,予以积极的应对。在困难面前,中国人既不乏冷静,也不缺豪迈。困难一定是暂时的,实际上并没有几个中国人真的相信,华为和整个中国半导体产业会如此轻易地被打垮。在美国的强压之下,中国半导体产业确实暴露出很多短板,但它的韧性和生命力显然被美方低估了。如果华为用两年时间,300亿美金,扛住华盛顿的这一波攻击,并因此变得更加强大,那这个学费交的并不算多昂贵,很值了。我们相信,一贯务实的华为能说到做到。中国半导体产业,包括其他高科技产业要走向强大,绕不过去和美国的这场遭遇战。一些国人对美国抱有幻想,对它的险恶用心和卑劣手段认识不足。论低调和老实,华为在全世界企业中都算得上是一个典型。但美国因此放过它了吗?现在地球人差不多都知道了:华为之所以成为华盛顿极限施压的目标,是因为它在5G领域走到领先位置。30年前,美国曾用各种手段,掐灭了日本半导体产业崛起的势头。今天,它又把矛头对准中国,根源都在于当年日本及今天中国的技术发展,冲击了华盛顿那颗敏感、自私和狭隘的心。华盛顿的施压行为没有任何正当性可言。“那些没有消灭你的东西,最终会使你变得更强”。德国哲学家尼采的这句话最近在中国互联网上经常出现,它既被网友当成对华为作为一家民营企业勇敢抵抗华盛顿打压的生动写照,也代表了中国人对回击美国贸易战的一种整体乐观态度。美国的施压,确实给我们造成了困难,但也换来了我们认识上的提高,让我们对中国的当前坐标和未来方向看得更清晰。沉痛的教训一再告诉我们,自身强大才是硬道理。华为及整个半导体产业都需要苦练内功,尽快从被动的局面中走出来。这次半导体产业暴露出的所有短板,都是我们今后需要努力弥补的方向。我们如今在半山腰遇到了华盛顿猛烈的阻击,但真当我们排除万难登上山巅之后,华盛顿将有意愿我们握手言和。外部压力,让中国社会更加团结,还让中国人对“团结”这个词有了更深刻的理解。它不是一个口号,它是认识与行动的综合体。今天的中国不仅要有社会人心的团结,还有产业互助的团结。凭着中国人的聪明与勤奋,再加上团结,必将无坚不可摧,无往而不胜。
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发布时间:2019-06-25 00:00 阅读量:1677 继续阅读>>

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