禹创半导体推出全新小封装BLDC预<span style='color:red'>驱动IC</span>，助力国产马达产业腾飞！
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禹创半导体推出全新小封装BLDC预驱动IC，助力国产马达产业腾飞！

　　随着科技的飞速发展，我们欣喜地宣布，禹创半导体近日推出了全新的小封装单相无刷直流(BLDC)预驱动IC——ERD1101及ERD1102，为我国长期被日美欧品牌占据主导地位的马达产业注入了一股强劲的国产力量。　　自 2018 年成立以来，禹创半导体一直致力于技术创新与产品研发，先后推出了 LCD 驱动 IC，AMOLED 驱动 IC 和多串锂电池保护IC等产品。2024 年禹创新推出了马达驱动IC，完成了公司产品线的三大布局。禹创半导体的马达团队来自国际大厂: TI 及安森美(三洋)的马达团队，平均拥有 20 年的马达 IC 设计年资，具有丰富的设计经验及对马达市场细致的了解。除了ERD1101/ERD1102，接下来半年内我们将陆续推出内置 MOSFET 的单相无刷直流驱动马达 IC: ERD100x 系列，以满足客户不同的应用需求。　　ERD1101是一款开环的单相无刷直流(BLDC)预驱动IC，配合不同的外置MOSFET，可适用于12V/24V/48V电压，以及各种大电流的应用，主要应用于电脑处理器，显卡，电源模组的冷却风扇，冰箱的循环风扇。而ERD1102则是一款闭环的单相无刷直流(BLDC)预驱动IC。这两款IC采用了引脚兼容的设计，可轻松应用于同一PCB上的开环和闭环设计。为了减少PCB的面积，ICs采用了QFN16 3*3的小型化封装。　　马达是各种电子设备中不可或缺的关键部件，尽管它们在我们的日常生活中隐形存在，却承载着重要的功能。冷气机、冰箱、洗衣机、吸尘器、打印机、电脑、汽车等各类设备都依赖于各种马达的工作。为了满足对马达稳定性和耐用性的高要求，我们在ERD1101/ ERD1102内置了锁定检测、过热保护、欠压保护和限流保护等功能，以更好地保护IC免受外界因素的损害。此外，我们还提供了GUI界面来控制IC内部的各种参数，从而大大缩短了开发周期。QFN3*3的封装使到客户可以将它应用在更小的空间，从而达到小型化的要求。在ERD1101/ ERD1102推出市场之前，我们已经得到两岸多家客户的评估及品质验证。随着2024年Q1的量产，我们相信很快就可以在市场上看到采用ERD1101/ ERD1102的产品了。　　随着科技的发展，AI和机器人成为了现今科技界最热门的话题。在这个充满活力的领域，马达IC也扮演着重要的角色。我们相信马达产业的奇异点即将到来，禹创半导体布局马达驱动IC不仅可以参与这第四次工业革命的浪潮，还将为我国的人形机器人产业提供强大的后盾。
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发布时间：2024-07-18 14:12 阅读量：364 继续阅读>>
瑞萨CCM-<span style='color:red'>驱动IC</span>-S4SW荣获vivo“2023年优秀质量奖”
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瑞萨CCM-驱动IC-S4SW荣获vivo“2023年优秀质量奖”

　　近日，全球知名的智能手机品牌vivo在其总部所在地东莞·长安举办了一场盛大的商业伙伴质量沟通会。以“互信共赢·质创未来”为主题，来自世界各地的数百家vivo商业伙伴通过线上+线下的形式参与了这次大会。瑞萨凭借其高质量的CCM-驱动IC产品——S4SW，荣获“2023年优秀质量奖”。瑞萨移动与物联网部销售总监潘盛会出席了大会并代表领奖。　　S4SW是一款专为配备摄像头的手机和平板电脑设计的光学图像稳定器(OIS)控制驱动IC。这款产品集成了瑞萨在OIS控制技术方面的丰富经验和独特技术，能够提供更稳定、更清晰的摄像头拍摄效果。S4SW尺寸小，性价比高，支持两轴光学防抖，且内部陀螺仪和马达控制配备先进算法，支持音圈和滚珠以及云台等多种类型国内外厂商马达，不仅如此，S4SW还集成了瑞萨滚珠算法优势，可达到高水平的SR值。　　目前，瑞萨已经与全球顶级品牌建立了稳固的合作关系，共同推动移动设备影像技术的发展。　　vivo是一家以设计驱动、创造卓越产品为核心的科技公司。它致力于为全球用户提供智能终端和智慧服务。瑞萨与vivo在移动设备、可穿戴设备和配件领域一直保持着紧密的合作关系，这种合作涵盖了DCDC、ACDC、OIS等领域的众多解决方案。通过不断的技术创新和深度合作，瑞萨和vivo将在未来共同推动智能设备行业的进步，为用户带来更优质的产品和服务。
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发布时间：2024-02-19 13:22 阅读量：1467 继续阅读>>
想要玩转氮化镓？纳芯微全场景GaN<span style='color:red'>驱动IC</span>解决方案来啦！
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想要玩转氮化镓？纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦！

　　作为当下热门的第三代半导体技术，GaN在数据中心、光伏、储能、电动汽车等市场都有着广阔的应用场景。和传统的Si器件相比，GaN具有更高的开关频率与更小的开关损耗，但对驱动IC与驱动电路设计也提出了更高的要求。　　按照栅极特性差异，GaN分为常开的耗尽型(D-mode)和常关的增强型(E-mode)两种类型;按照应用场景差异，GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景，纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案，助力于充分发挥GaN器件的性能优势。　　01、耗尽型(D-mode)GaN 驱动方案　　一、D-mode GaN类型与特点　　由于常开的耗尽型GaN本身无法直接使用，需要通过增加外围元器件的方式，将D-mode GaN从常开型变为常关型，主要包括级联(Cascode)和直驱(Direct Drive)两种技术架构;其中，级联型的D-mode GaN更为主流。如下图1，级联型的D-mode GaN是通过利用低压Si MOSFET的开关带动整体的开关，从而将常开型变为常关型。　　尽管低压Si MOS在导通时额外串入沟道电阻，并且参与了器件的整体开关过程，但由于低压Si MOS的导通电阻和开关性能本身就很理想，所以对GaN器件的整体影响非常有限。　　级联型的D-mode GaN最大的优势在于可用传统Si MOS的驱动电路，以0V/12V电平进行关/开的控制。但需要注意的是，尽管驱动电路和Si MOS相同，但由于级联架构的D-mode GaN的开关频率和速度远高于传统的Si MOS，所以要求驱动IC能够在很高的dv/dt环境下正常工作。　　如下图2和图3所示为氮化镓采用半桥拓扑典型应用电路，GaN的高频、高速开关会导致半桥中点的电位产生很高的dv/dt跳变，对于非隔离驱动IC，驱动芯片的内部Level shifter寄生电容会在高dv/dt下产生共模电流;对于隔离驱动IC，驱动芯片的输入输出耦合电容同样构成共模电流路径。这些共模电流耦合到信号输入侧会对输入信号造成干扰，可能会触发驱动芯片的误动作，严重时甚至会引发GaN发生桥臂直通。　　因此，共模瞬变抗扰度(CMTI)是选择GaN驱动IC的一个重要指标。对于GaN器件，特别是高压、大功率应用，推荐使用100V/ns以上CMTI的驱动IC，以满足更高开关频率、更快开关速度的需求。　　二、纳芯微D-mode GaN驱动方案　　纳芯微提供多款应用于D-mode GaN的驱动解决方案，以满足不同功率段、隔离或非隔离等不同应用场景的需求。　　1)NSD1624：高可靠性高压半桥栅极驱动器　　传统的非隔离高压半桥驱动IC一般采用level-shifter架构，由于内部寄生电容的限制，通常只能耐受50V/ns的共模瞬变。NSD1624创新地将隔离技术应用于高压半桥驱动IC的高边驱动，将dv/dt耐受能力提高到150V/ns，并且高压输出侧可以承受高达±1200V的直流电压。此外，NSD1624具有+4/-6A驱动电流能力，能工作在10~20V 电压范围，高边和低边输出均有独立的供电欠压保护功能(UVLO)。NSD1624 可提供SOP14，SOP8，与小体积的LGA 4*4mm封装，非常适合高密度电源的应用，可适用于各种高压半桥、全桥电源拓扑。　　2)NSI6602V/NSI6602N：第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器　　NSI6602V/NSI6602N是纳芯微第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器, 相比第一代产品进一步增强了抗干扰能力和驱动能力，同时提高了输入侧的耐压能力，且功耗更低，可以支持最高2MHz工作开关频率。每个通道输出以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力，150V/ns的共模瞬变抗扰度(CMTI) 提高了系统抗共模干扰能力。NSI6602V/NSI6602N有多个封装可供选择，最小封装是4*4mm LGA 封装，可用于GaN等功率密度要求高的场景。　　3)NSI6601/NSI6601M：隔离式单通道栅极驱动器　　NSI6601/6601M 是隔离式单通道栅极驱动器，可以提供分离输出用于分别控制上升和下降时间。驱动器的输入侧为3.1V至17V电源电压供电，输出侧最大电源电压为32V，输入输出电源引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。它可以提供5A/5A 的拉/灌峰值电流，最低150V/ns的共模瞬变抗扰度(CMTI)确保了系统鲁棒性。此外，NSI6601M还集成了米勒钳位功能，可以有效抑制因米勒电流造成的误导通风险。　　02、增强型(E-mode)GaN驱动方案　　一、E-mode GaN类型与特点　　不同于Cascode D-mode GaN通过级联低压Si MOS来实现常关型，E-mode GaN直接对GaN栅极进行p型掺杂来修改能带结构，改变栅极的导通阈值，从而实现常断型器件。　　根据栅极结构不同，E-mode GaN又分为欧姆接触的电流型和肖特基接触的电压型两种技术路线，其中电压型E-mode GaN最为主流，下文将主要介绍该类型GaN的驱动特性和方案。　　这种类型E-mode GaN的优点是可以实现0V关断、正压导通，并且无需损害GaN的导通和开关特性。由于GaN没有体二极管，不存在二极管的反向恢复问题，在硬开关场合可以有效降低开关损耗和EMI噪声。然而，电压型E-mode GaN驱动电压范围较窄，一般典型驱动电压范围在5~6V，并且开启阈值也很低，对驱动回路的干扰与噪声会比较敏感，设计不当的话容易引起GaN误开通甚至栅极击穿。　　*不同品牌的E-mode GaN栅极耐受负压能力差别较大，有的仅能耐受-1.4V，有的可耐受-10V负压。　　在低电压、小功率，或对死区损耗敏感的应用中，一般可使用0V电压关断;但是在高电压、大功率系统中，往往推荐采用负压关断来增强噪声抗扰能力，保证可靠关断。在设计栅极关断的负压时，除了需要考虑GaN本身的栅极耐压能力外，还需要考虑对效率的影响。如下表所示，这是因为E-mode GaN在关断状态下可以实现电流的反向流动即第三象限导通，但是反向导通压降和栅极关断的负压值相关，用于栅极关断的电压越负，反向压降就越大，相应的会带来更大的死区损耗。一般，对于500W以上高压应用，特别是硬开关，推荐-2V~-3V的关断负压。　　➯ 考虑E-mode GaN的以上驱动特性，对驱动器和驱动电路的设计一般需要满足：　　◆ 具备100V/ns以上的CMTI，以满足高频应用的抗扰能力;　　◆可提供5~6V的驱动电压，并且驱动器最好集成输出级LDO;　　◆ 驱动器最好有分开的OUTH和OUTL引脚，从而不必通过二极管来区分开通和关断路径，避免了二极管压降造成GaN误导通的风险;　　◆ 在高压、大功率应用特别是硬开关拓扑，可以提供负压关断能力;　　◆ 尽可能小的传输延时和传输延时匹配，从而可以设定更小的死区时间，以减小死区损耗。　　二、E-mode GaN驱动方案　　分压式方案　　E-mode GaN可以采用传统的Si MOS驱动器来设计驱动电路，需要通过阻容分压电路做降压处理。如图8所示驱动电路，开通时E-mode GaN栅极电压被Zener管稳压在6V左右，关断时被Zener管的正向导通电压钳位在-0.7V左右。因此，GaN的开通和关断电压由Dz决定，和驱动器的供电电压无关。　　更进一步的，如果在Dz的基础上，再反向串联一个Zener管，那么就可以实现负压关断。　　如图10所示，为NSD1624采用10V供电，通过阻容分压的方式用于驱动E-mode GaN的典型应用电路。同样的，隔离式驱动器NSI6602V/NSI6602N、NSI6601/NSI6601M也可以采用这种电路，用于驱动E-mode GaN。对于阻容分压电路的原理与参数设计在E-mode GaN厂家的官网上都有相关应用笔记，在此不展开详解。　　直驱式方案　　尽管阻容分压式驱动电路，可以采用传统的Si MOSFET驱动器来驱动E-mode GaN，但是需要复杂的外围电路设计，并且分压式方案的稳压管的寄生电容会影响到E-mode GaN的开关速度，应用会有一些局限性。对此，纳芯微针对E-mode GaN推出了专门的直驱式驱动器，外围电路设计更简单，可靠性更高，可以充分发挥E-mode GaN的性能优势。　　1)NSD2621：E-mode GaN专用高压半桥栅极驱动器　　NSD2621是专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片，该芯片采用了纳芯微的成熟电容隔离技术，可以支持-700V到+700V耐压，150V/ns的半桥中点dv/dt瞬变，同时具有低传输延时特性。高低边的驱动输出级都集成了LDO，在宽VCC供电范围内均可输出5~6V的驱动电压，并可提供2A/-4A的峰值驱动电流，同时具备了UVLO 功能，保护电源系统的安全工作。NSD2621 可提供高集成度的LGA (4*4mm) 封装，适用于高功率密度要求的应用场景。图5为NSD2621的典型应用电路，相比分压式电路，采用NSD2621无需电阻、电容、稳压管等外围电路，简化了系统设计，并且驱动更可靠。　　2)NSD2017：E-mode GaN专用单通道低边栅极驱动器　　NSD2017是专为驱动E-mode GaN设计的车规级单通道低边驱动芯片，具有欠压锁定和过温保护功能，可以支持5V供电，分离的OUTH和OUTL引脚用于分别调节GaN的开通和关断速度，可以提供最大7A/-5A的峰值驱动电流。NSD2017动态性能出色，具备小于3ns的传输延时，支持1.25ns最小输入脉宽以及皮秒级的上升下降时间，可应用于激光雷达和电源转换器等应用。NSD2017有1.2mm*0.88mm WLCSP和2mm*2mm DFN车规级紧凑封装可选，封装具有最小的寄生电感，以减少上升和下降时间并限制振铃幅值。　　3)NSI6602V/NSI6602N：E-mode GaN隔离驱动　　专门针对E-mode GaN隔离驱动的需求，纳芯微调节NSI6602V/NSI6602N的欠压点，使其可以直接用于驱动E-mode GaN：当采用0V关断时，选择4V UVLO版本;当采用负压关断时，可以选择6V UVLO版本。需要注意的是，当采用NSI6602V/NSI6602N直接驱动E-mode GaN时，上管输出必须采用单独的隔离供电，而不能采用自举供电。这是因为当下管E-mode GaN在死区时进入第三象限导通Vds为负压，此时驱动上管如果采用自举供电，那么自举电容会被过充，容易导致上管E-mode GaN的栅极被过压击穿。图13为NSI6602V/NSI6602N直驱E-mode GaN时的典型应用电路，提供+6V/-3V的驱动电压。　　03、GaN功率芯片方案　　NSG65N15K是纳芯微最新推出的GaN功率芯片产品，内部集成了半桥驱动器和两颗耐压650V、导阻电阻150mΩ的E-mode GaN HEMT。NSG65N15K通过将驱动器和GaN合封在一起，消除了共源极电感Lcs，并且将栅极回路电感Lg也降到最小，避免了杂散电感的影响。NSG65N15K是9*9mm的QFN封装，相比传统分立方案的两颗5*6mm DFN封装的GaN开关管加上一颗4*4mm QFN封装的高压半桥驱动，加上外围元件，总布板面积可以减小40%以上。此外，NSG65N15K内置可调死区时间、欠压保护、过温保护功能，有利于实现GaN 应用的安全、可靠工作，并充分发挥其高频、高速的特性优势，适用于各类中小功率GaN应用场合。　　04、纳芯微GaN驱动方案选型指南　　综上所述，纳芯微针对不同类型的GaN和各种应用场景，推出了一系列驱动IC解决方案，客户可以根据需求自行选择相应的产品：
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发布时间：2023-12-20 11:47 阅读量：1897 继续阅读>>
可同时验证功率半导体和<span style='color:red'>驱动IC</span>的免费在线仿真工具 “ROHM Solution Simulator”新增热分析功能
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可同时验证功率半导体和驱动IC的免费在线仿真工具 “ROHM Solution Simulator”新增热分析功能

    全球知名半导体制造商ROHM面向汽车和工业设备等电子电路设计者和系统设计者，在ROHM官网上公开了一款在线仿真工具“ROHM Solution Simulator”，利用该仿真工具可以在电路解决方案上一并验证功率元器件（功率半导体）和驱动IC等，此次又在该工具中新增了热分析功能。    “ROHM Solution Simulator”是在ROHM官网上提供的一款免费电子电路仿真工具，可支持广泛的仿真应用，包括从元器件选型和元器件单独验证到系统级的运行验证。利用该工具，可以通过接近用户实际环境的电路解决方案，轻松且高精度地对ROHM提供的SiC元器件等功率半导体、驱动和电源等应用领域的各种IC、以及分流电阻器等无源器件进行一并验证，从而可大大缩减用户的应用开发工时，因此得到了用户的高度好评。    此次新增的热分析功能，安装在容易发生热问题的应用或设备的电路解决方案中，适用于搭载了IGBT和分流电阻器的PTC电加热器（无内燃机的电动汽车专用加热器）、DC/DC转换器IC和LED驱动器IC等的电子电路设计。在功率半导体和IC以及无源器件相结合的电路解决方案中，增加业内先进的能够在线进行热电耦合分析的功能*1。利用该功能不仅可以对应用运行时的半导体芯片温度（结温）进行仿真，还可以对引脚温度和电路板上元器件的热干扰进行仿真，以往需要一天才能完成的热分析仿真工作，如今10分钟以内即可完成。以往，设备各部分的温度需要在产品试制后通过实测进行确认，现在，在产品试制前即可快速且简便地进行确认，因此，该功能非常有助于减少试制后的返工，减少存在热问题的应用产品的开发工时。    未来，ROHM将以新开发的SiC元器件为中心，继续在支持“ROHM Solution Simulator”的更多电路解决方案中添加热分析功能，为进一步减少应用产品的开发工时和预防问题的发生贡献力量。    ＜背景＞    不仅在汽车和工业设备领域，几乎在所有的应用开发过程中，都会充分利用仿真来减少开发工时。在电子电路板的设计过程中也是一样，仿真可以减少部件选型所需的时间和精力，在实机验证之前明确问题所在，从而可以显著减少电路板试制和评估相关的工时。    ROHM面向汽车和工业设备领域，致力于开发能够更大程度地发挥出提供大功率的功率半导体和驱动功率半导体的IC性能的应用电路，并提供相应的支持，在2020年发布了能够一并验证功率半导体和IC等产品的“ROHM Solution Simulator”。该工具不仅是免费的，而且精度高且易用，受到用户广泛好评。很多用户希望在对电路工作进行仿真的同时能够进行温度仿真，为了满足该需求，此次新增了热分析功能。    ＜热分析功能概述＞    电子电路板有多个影响散热性能的参数（层数、面积等）。“ROHM Solution Simulator”的热分析功能，是使用热流体分析工具对从实际电路板计算出的散热相关参数进行3D建模，并将三维数据降维为一维，以便可以通过电路仿真工具进行热分析，从而进行电和热的耦合分析。利用该功能不仅可以对应用运行时会发生变化的半导体芯片温度（结温）进行仿真，还可以对引脚温度和电路板上的元器件和模块内芯片的热干扰进行仿真，以往需要一天才能完成的热分析仿真工作，如今10分钟以内即可完成（不到以往所需时间的1/100）。    此次，作为第一波，在搭载了IGBT和分流电阻器的PTC电加热器（无内燃机的电动汽车专用加热器）、DC/DC转换器IC“BD9G500EFJ-LA”和LED驱动器IC“BD18337EFV-M”、“BD18347EFV-M”等的仿真电路中新增的热分析功能。对于在设计电路时容易产生热问题的应用和设备来说，可以在产品试制前通过仿真快速确认设备各部分的温度，从而有助于减少应用的开发工时。    ●使用热分析功能可完成的工作（详情）    ＜ROHM Solution Simulator的特点＞    “ROHM Solution Simulator”是一款业内难得的可以一并验证功率半导体、IC和无源器件的免费在线仿真工具。该仿真工具具有以下特点，可以减少电子电路设计者和系统设计者的应用开发工时。    1. 可通过接近应用环境的电路解决方案，同时验证功率半导体和IC    利用“ROHM Solution Simulator”，可以通过接近实际应用环境的电路解决方案，轻松且高精度地对ROHM的SiC元器件和IGBT等功率半导体、驱动IC和电源IC等各种IC、分流电阻器等无源器件进行验证。可以对包括外围电路在内的、单个元器件无法确认的特性进行仿真。    2.　仿真数据可以植入到用户自己的开发环境    “ROHM Solution Simulator”采用Siemens EDA推出的仿真平台“PartQuest?”开发而成，该公司是电子设计自动化软件行业的巨头，在汽车行业和工业设备行业拥有骄人的业绩。现有的PartQuest用户或新注册PartQuest账户的用户可以将“ROHM Solution Simulator”中执行的仿真数据导入自己的PartQuest环境（工作区），在更接近实际使用的系统电路上进行验证，也能够自定义验证。
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发布时间：2022-10-17 10:54 阅读量：2498 继续阅读>>
2019年显示器<span style='color:red'>驱动IC</span>用量成长收敛至3%
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2019年显示器驱动IC用量成长收敛至3%

根据TrendForce光电研究(WitsView)最新观察，随着高分辨率面板渗透率持续上升，带动2018年整体驱动IC用量年成长达8.4%。然而2019年受到大尺寸面板调整设计架构，以及小尺寸面板出货衰退影响，驱动IC用量成长将收敛至3%左右。WitsView研究副理李志豪指出，电视面板的驱动IC占整体用量约35%，仍是主要的成长动能。不过随着窄边框产品的需求增加，Gate on Array技术将更广泛运用在新机种上，使得大尺寸面板的驱动IC用量成长放缓；小尺寸面板的驱动IC则是受到智能型手机出货降温，以及平板市场持续萎缩等影响，用量呈现衰退。整体来看，2019年开始驱动IC的成长将不如过去几年明显；2021年之后随着5G发展逐渐成熟，在传输速度大幅加快的情况下，电子装置的规格将进一步提升，可以预期在下一波智能型手机换机潮、8K电视渗透率增加，以及车联网、物联网等新兴应用加持下，驱动IC的成长力道又会开始转强。2019年COF封装用薄膜恐供不应求18:9全屏幕发展至今俨然成为新一代智能型手机的标准规格，手机厂商对于窄边框的要求也越来越极致，因此手机的封装形式也从玻璃覆晶封装(COG)逐渐转往薄膜覆晶封装(COF)，像是苹果(Apple)2018年3款新机皆采用COF封装。大尺寸面板方面，中国面板厂新产能开出，带动电视面板出货增加，也连带使得薄膜的用量提升。然而，过去几年COF封装用薄膜厂商由于利润不佳，一直没有新的产能投资，在需求大增的状况下，供应紧俏的问题开始浮现。WitsView认为，由于智能型手机采用COF封装的数量在2019年很有可能增加1倍以上，同样采用COF封装的电视，以及液晶监视器因为利润较差，势必会受到排挤，因此2019年上半年大尺寸封装用的COF薄膜可能将出现供不应求，进一步影响面板出货。
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发布时间：2019-01-09 00:00 阅读量：1807 继续阅读>>
2018年显示器<span style='color:red'>驱动IC</span>用量增逾8%,电视面板仍是主要驱动力
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2018年显示器驱动IC用量增逾8%,电视面板仍是主要驱动力

提升画质一直是显示应用产品开发的焦点核心，在全球液晶电视面板市场中，4K产品已经深度普及，随着4K产品的快速普及，厂商也在不断的探寻更高分辨率的产品，8K将是面板厂商角逐的下一个战场，而高分辨率的面板带动了驱动IC的增长。根据TrendForce光电研究(WitsView)最新观察，随着高分辨率面板渗透率持续上升，带动2018年整体驱动IC用量年成长达8.4%。然而，2019年受到大尺寸面板调整设计架构，以及小尺寸面板出货衰退影响，预期驱动IC用量成长将收敛至3%左右。WitsView研究副理李志豪指出，电视面板的驱动IC占整体用量约35%，仍是主要的成长驱动力。不过随着窄边框产品的需求增加，Gate on Array技术将更广泛运用在新机型上，使得大尺寸面板的驱动IC用量成长趋缓。小尺寸面板的驱动IC则是受智能手机出货降温及平板市场持续萎缩等影响，用量呈现衰退。此外，也有业内人士认为，从2018年三星8K面板正式量产，开启了8K面板的元年，2019年韩、台、中等主流面板厂均积极规划8K产品，8K面板将在2019年正式起步，带动液晶面板的分辨率实现再一次的跨越。据群智咨询（Sigmaintell）预计，到2020年8K面板的面板的出货数量将会达到260万台，渗透率提升到1%；而到2022年8K面板的渗透率将进一步提升到3.6%，搭载着5G网络快车，8K将会迎来飞跃式的增长。未来随着智能手机、8K电视渗透率增加，以及车联网、物联网等新兴应用加持下，驱动IC的成长力道是否会增强，现在还不能轻易定论。
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发布时间：2019-01-08 00:00 阅读量：1866 继续阅读>>
中颖电子:AMOLED<span style='color:red'>驱动IC</span>新品正在流片,贴近国内面板厂客户
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中颖电子:AMOLED驱动IC新品正在流片,贴近国内面板厂客户

2月12日，国际电子商情报道，中颖电子董事会秘书潘一德9日在投资者活动上谈及公司2018年增长点，以及目前显示驱动芯片的进展情况。他表示，2018 年，受益于芯片国产化的优势，逐步实现进口替代，公司锂电池管理芯片应用面和客户还在增加、家电市占份额持续提升，客户持续开拓、电机控制芯片在电动自行车领域持续取得客户切入，几个新款 AMOLED 驱动芯片 2018年起会推出市场，公司发展向好的趋势短期应该不会改变，对于未来一两年的发展，目前我们持乐观看法。中颖电子控股子公司芯颖科技之前已公开披露过有二款 AMOLED 显示驱动芯片新产品在晶圆厂流片，流片回来后，如果产品验证 1~2 个月后没有问题，一般就会向客户推广。目前以配合客户调试提高显屏生产良率为首要，一旦产业成熟大量爆发，将给公司带来新的增长机会。公司在 AMOLED 显示驱动芯片研发投入已有多年，产品有竞争力。已有高分辨率 AMOLED 显屏驱动芯片的设计和量产经验。国内 AMOLED 驱动芯片市场规模确实还没起来，期间难免会有胜负，公司还在持续开发新产品，研发过程就是一个动态竞争的过程。公司除了为和辉光电量产过 AMOLED 芯片外，与国内多家面板厂有合作或接洽，新产品不针对单一客户，将配合面板厂提高良率，需等待国内 AMOLED 屏厂产能释放的时点。产品主要应用在手机上，主要竞争对手来自于海外。主要客户是国内面板厂，能够贴近客户，国家很重视这个产业链，在政策上也会有支持。近一、两年内，都还是国内 AMOLED 产业的起步期及建设期，未来几年开始逐步会有更多的产能释放，公司也会持续投入研发。2017 年终端产品市场对芯片的需求量大于供给，晶圆厂产能吃紧时，毛利低的偏消费类的 IC 因量不足而优先涨价，并逐步扩散。中颖的机会是，其他厂家缺货时，因公司的产品量充足，会让公司取得更多市场份额，带来销售增长。公司会从售价议价、采购议价、把大量生产的芯片改版做小、有序退出过度竞争的市场、研发新产品，切入毛利高的新产品市场，几个方面来维持或提高利润率。在应对产品的价格方面，潘一德认为，产品的单价视应用领域不同而不同，公司主要关注产品的毛利率水平，通过产品组合的调整来控制毛利率，产品的毛利率与竞争格局有关。如果竞争对手产品价格不变，我们也不大会有调整。如果市场出现普遍性的涨价情况的话，公司产品也会视个别产品情况调整定价。据透露，中颖电子对晶圆代工厂的选择主要看芯片应用的需求而定，往来的主要有和舰，华虹宏力等。此外，中颖电子锂电池芯片应用面和客户都在增加，2017 年的销售增量主要来自应用于高端手机的锂电池计量芯片维修市场和电动自行车、电动工具的锂电池保护芯片市场。中颖也是家电主控单芯片最大的国产芯片供应商，公司的物联网产品微控制器部分已有用 32 位内核及低功耗的蓝牙开发出的芯片，会用于消费类的物联网、可穿戴产品。
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发布时间：2018-02-13 00:00 阅读量：1655 继续阅读>>
中国AMOLED<span style='color:red'>驱动IC</span>群雄并起,谁能从三星分一杯羹?
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中国AMOLED驱动IC群雄并起,谁能从三星分一杯羹?

AMOLED技术诞生时间虽然不长，但伴随着轻薄、低功耗、响应迅速、柔性透明、画质好等特点，已经被包括苹果、三星等一线手机品牌大量采用。根据HIS的资料显示，预计2020年AMOLED显示器产品出货将达到7.9亿台。随着京东方等中国AMOLED面板厂商产能的崛起，预计中国AMOLED驱动IC市场规模将从2016年的5.76亿美金上升到2019年的25.1亿美金。中韩主导全球AMOLED产业，三星占据75%驱动IC市场在AMOLED柔性显示产业，三星目前占据垄断主导地位，可以提供全套垂直整合供应链。从AMOLED显示柔性屏到DDIC芯片，再到芯片晶圆代工厂，提供全套的垂直整合产业链。目前虽然三星垄断了全球AMOLED屏90%以上的产能，目前三星的AMOLED屏每个月整体的产能大约在2800万片，其中2000万片供给苹果，600万片供给三星，200万片供给中国手机客户。随着京东方等国产面板厂商加入进来，中国AMOLED产业正在迅速崛起。中韩两国已经成为全球AMOLED产业的领导国家。在AMOLED生态中，AMOLED驱动芯片也是非常重要的一个环节。对于智能手机来说，AMOLED驱动IC可满足很多用户需求，比如全面屏、省电、画质改善以及低成本。通过定制AP算法，驱动IC可以改善画质，并提供区隔化，同时通过Demura提升良率（目前OLED面板普遍良率在20~40%，通过Mura算法可以挽救10~20%良率），降低成本。其中三星电子由于布局非常早，因此目前不管是从市场占有率还是芯片工艺上都处于领先地位。除了三星电子占据75%的AMOLED IC市场份额，韩国的Magnachip占据了小于20%的市场份额，累计销售1.6亿片AMOLED驱动IC。其它的玩家目前基本上市占率和出货量都不算很多，比如韩国的silicon Works主要给LG供货，美国的Synaptics，台湾的瑞鼎，中国的中颖、晶门科技、集创北方以及吉迪思。中国AMOLED驱动IC群雄并起，本土面板产业推动供应链目前国内进入AMOLED驱动IC的厂商大多采用资本并购的方式。比如京东方就入股了新相微电子。其中中颖电子早在2015年就与和辉光电合作开发了AMOLED驱动芯片，实现了首个AMOLED国内量产产业链合作。2013年维信诺与晶门科技研制成功中国大陆首颗AMOLED驱动芯片。晶门科技于2016年11月收购了Microchip部分技术加maXTouch半导体产品。目前晶门科技的PMOLED产品占市场份额超过50%，是行业细分市场龙头。2016年11月，集创北方并购了Exar旗下电源管理IC设计公司Iml。除此之外，新思收购了瑞萨、敦泰收购了旭耀、奇景和联咏也纷纷做好了布局。还包括TI、韩国的dsiplaychips、台湾的超炫科技（Ultra Display）等。为什么这么多国产芯片厂商都杀入AMOLED驱动IC领域呢？首先当然是资本看好AMOLED柔性显示产业未来的巨大想象空间，比如2016年小米推出了红米PRO，采用的京东方的AMOLED面板，但是驱动IC采用的确实国外芯片，这一块确实有空白。特别是京东方、国显、柔宇等本土显示面板的崛起，市场和客户都在中国，自然会带动相关供应链的共同发展。第二个原因是目前AMOLED屏和芯片的设计难度并没有提高，这给了后发者追赶超越的机会。国内AMOLED供应链发展不够健康，高度依赖台湾晶圆厂目前在AMOLED领域三星当然是绝对全垂直整合霸主，构造了全封闭的AMOLED产业链。特别是韩国政府将DRAM，Flash和AMOLED列为国家战略核心技术，大力扶植。因此三星的AMOLED生态中既不需要国外芯片，也不需要国外的设备供应商，因此包括台湾的联咏、奇景就出局了。相对而言中国的AMOLED供应链目前发展不够健康，最主要的问题在于晶圆厂高度依赖台湾TSMC和UMC，国内的中芯国际目前还在研发先进的OLED工艺。据了解，目前SMIC的40HV和28HV正在研发中，北京B1-B3厂最终产能12寸晶圆将达到20万片/月，相当于8寸晶圆67.5万片/月，约占全球总产能的2.5%。其中AMOLED可用约B2厂12寸晶圆6万片。封装方面，目前2M-COF封装全球仅韩国的三星STEMCO和LGIT可以量产。中国大陆的封装厂目前以COG封装为主，COF还在大力建设中。“我们在国内做AMOLED IC是做得最早的，我们6年前开始做。前面我们已经有十几年积累，最难的地方是要跟得上国内一线手机厂商的步伐，要全力跟得上京东方这些面板厂的脚步。”吉迪思电子副总经理钟刚对《国际电子商情》记者表示，OLED的技术难度要比LCD大很多，每个步骤都是高度整合的，要达到高良率非常难。“三星也是从十几年前开始做，用了整整18年才算解决了各种问题。这个东西是跳不过去的，不是光靠花钱就能把技术买来。”钟刚表示，虽然目前京东方也开始投资驱动IC公司，但是目前为止，除了三星还没看到面板厂投资的IC公司做得很成功的。2019年将有3家国产AMOLED IC做大，整体市值将达到1000亿尽管目前AMOLED驱动IC的玩家不少，但门槛也很高。钟刚表示，目前吉迪思合作的客户包括了京东方、国显、维信诺等，做驱动IC需要经过三级认证。除了需要显示面板厂的认证，还要获得手机厂商以及手机主芯片的认证。只有这三个认证全部通过，才有可能进入主流市场。“我们目前跟京东方已经合作很久了，跟某一家主控芯片厂商的关系也很近，接下来就是要获得手机厂商的认可。”钟刚表示，温室的环境下培养不出真正有竞争力的芯片公司。“我们的产品基本定位在中高端，做大以后会定位在中端，不会往低端走。”钟刚表示，国内很多驱动IC厂商的定位是从低端往上走，主流打法是降成本。特别是面板厂商投资的公司还要支持母公司的利润，而对于吉迪思则没这个包袱，未来的主要打法是做高毛利的产品，通过现金技术拉开与别人的区隔。“拼价格的话大家都死掉了，别人做不出来的才是有价值的东西。只要你能在时间上领先对手一年，那这一年所有的机型都归你了。”目前智能手机的一个发展趋势是全面屏，当手机屏幕变大之后，驱动IC存储的空间就必须相应增大，需要加入很多压缩和处理的技术，芯片的成本也会增加。钟刚表示，以28nm的工艺计算，目前吉迪思的芯片成本差不多就要3美金以上。“2019年至少会有3家专注OLED主芯片的国内公司会做大做强，国内AMOLED芯片公司的整体市值将达到1000亿人民币。”钟刚表示，中国的AMOLED驱动IC的市场总额将在未来超过Touch IC以及指纹IC。之所以得出以上结论，钟刚表示这个推断主要是给投资圈的朋友们一个参考估值，未来三年京东方将会占到中国柔性显示市场40~50%的份额，剩下5~6家合起来会占到40~50%。“这个估值排除了三星、LG，按照中国企业的产能计算，大概可以占到整体市场的一半。”钟刚表示，考虑到未来的趋势是手机主芯片会集成所有的指纹和Touch IC，因此AMOLED驱动IC市场超过这两个领域是很有可能的。
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发布时间：2018-01-25 00:00 阅读量：1403 继续阅读>>

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