中国三大存储器阵营预计于下半年试产,2019年将为中国存储器生产元年

发布时间：2018-04-20 00:00
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来源：集邦咨询
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中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于行动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存晋华集成三大阵营为主......

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于行动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存晋华集成三大阵营为主。以目前三家厂商的进度来看，其试产时间预计将在2018年下半年，随着三大阵营的量产的时间可能皆落在2019年上半年，揭示着2019年将成为中国存储器生产元年。

DRAMeXchange指出，从三大厂目前布局进度来看，合肥长鑫的厂房已于去年6月封顶完工，去年第三季开始移入测试用机台。合肥长鑫目前进度与晋华集成大致雷同，试产时程将会落于今年第三季，量产则暂定在2019年的上半年，时程较预期落后。此外，由于合肥长鑫直攻三大DRAM厂最重要产品之一的LPDDR4 8Gb，尔后面临专利争议的可能性也较高，为了避免此一状况，除了积极累积的专利权外，初期可能将锁定于中国销售。

反观专注于利基型记忆的晋华集成，在2016年7月宣布于福建省晋江市建12英寸厂，投资金额约53亿美元，以目前进度来看，其利基型内存的试产延后至今年第三季度，量产时程也将落在明年上半年。

此外，从中国厂商NAND Flash的发展进程来看，2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动土，官方预期分三阶段，共建立三座3D-NAND Flash厂房。第一阶段厂房已于去年9月完成兴建，预定2018年第三季开始移入机台，并于第四季进行试产，初期投片不超过1万片，用于生产32层3D-NAND Flash产品，并预计于自家64层技术成熟后，再视情况拟定第二、三期生产计划。

DRAMeXchange指出，观察中国存储器厂商的研发与产出计划，2019年将是中国存储器产业的生产元年，但也由于两家DRAM厂预估初期量产规模并不大，短期尚不会撼动全球市场现有格局。

长期来看，随着中国存储器产品逐步成熟，预计2020-2021年两家DRAM厂商现有工厂将逐步满载，在最乐观的预估下，届时两家合计约有每月25万片的投片规模，可能将开始影响全球DRAM市场的供给。另一方面，长江存储计划设有的三座厂房总产能可能高达每月30万片，不排除长江存储完成64层产品开发后，可能将进行大规模的投片，进而在未来三到五年对NAND Flash的供给产生重大影响。

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Archer拥有加州理工学院应用物理学士学位，在哈佛大学商学院完成管理开发课程。 他的职业生涯开始于1989年，在Tektronix负责高速双极集成电路的制程开发。 1994年进入Novellus Systems，于1999年至2001年出任Novellus Systems日本分公司资深技术总监；以及2001年4月至2002年4月为Electrofill事业处资深技术总监；2008年11月至2009年9月为PECVD和Electrofill事业处执行副总裁；2009年9月至2011年1月为全球业务、营销与客户服务执行副总裁；2011年1月至2012年6月为首席营运官。 2012年6月加入Lam Research；担任执行副总裁暨首席营运官一职；2018年1月被任命为总裁兼首席运营官。 长电科技2018年9月25日，长电科技发布公告，公司董事会同意董事长兼首席执行长（CEO）王新潮先生辞去首席执行长（CEO）职务并任命李春兴(Choon Heung Lee)博士为公司首席执行长（CEO）。 李春兴(Choon Heung Lee)博士简介1959年出生，拥有韩国大学物理学学士学位，并于1986 年至1993年Case Western Reserve University获得半导体物理学硕士学位和博士学位。 1996年加入Amkor，担任模拟和高级产品开发小组的团队经理。 2004年晋升研发主管。 2010年晋升企业技术主管。 2013年出任执行副总裁兼首席技术官； 2015年1月出任全球制造业务执行副总裁、首席技术官； 2015年3月出任Amkor韩国总裁、全球制造业务执行副总裁、首席技术官。 2016年3月出任Lam Research公司Advanced Packaging VP。 2018年9月出任长电科技CEO。 李春兴博士拥有专利59件，并在国际上发表了19篇学术论文。 2018年9月25日，长电科技发布公告，同意公司总裁赖志明先生辞去总裁职务。 Lattice莱迪斯自2018年9月4日起，Lattice公司正式任命Jim Anderson为该公司的新任CEO，成为公司董事会成员。他将会带给Lattice广泛的技术以及领先的业务转型经验去推动公司持续盈利。 Jim Anderson从AMD加入Lattice公司之前，担任计算机和图形业务集团的总经理和高级副总裁。从2015年6月开始领导AMD的计算和图形业务集团，在AMD期间，Jim推动了战略和运营转型，为市场带来了颠覆性的新产品，并为AMD带来了市场领先的收入增长和显着的盈利扩张，这有助于推动AMD市值的十倍增长。 2005年1月至2014年5月就职于LSI，历任多个职位，2012年7月晋升网络解决方案集团总经理兼高级副总裁；2014年5月-11月，就职Avago，担任网络解决方案集团总经理兼高级副总裁；2014年11月-2015年5月就职英特尔，担任Axxia商务总经理 在加入AMD之前，他曾在英特尔，Broadcom Limited（前身为Avago Technologies）和LSI Corporation等公司担任过广泛的领导职位。 Jim拥有麻省理工学院电子工程和计算机科学硕士学位和理学硕士学位，普渡大学电子工程理学硕士学位和明尼苏达大学电子工程理学学士学位。 Jim已获得四项计算机架构创新专利。 Texas Instruments德州仪器2018年7月18日（美国时间7月17日），德州仪器CEO布莱恩·克拉切（Brian Crutcher）突然宣布离职，这距离他6月1日上任不到两个月。德州仪器在随后发布的一份声明中表示，克拉切离职的原因是他违反该公司的行为准则。声明表示，此次违规是因为个人行为与我们的道德和核心价值观不符，与公司战略、运营或财务报告无关。但公司声明中并未披露详细信息。 克拉切的前任里奇·谭普顿（RichTempleton）将会重新接任这一职位。谭普顿之前曾经领导德州仪器13年。他在任期内将该公司从领先的模拟芯片提供商打造成为整个行业盈利能力最强的企业之一。 谭普顿于1980年从纽约联合学院获得电气工程理学士学位后加入TI公司。他的职业生涯始于公司的半导体业务，从销售开始，最终成为整个业务的总裁。  1996年6月至2004年4月担任公司的执行副总裁兼半导体业务总裁。2000年4月到2004年4月晋升首席运营官；2004年5月晋升总裁兼首席执行官。  2003年7月起，他一直担任公司董事会成员，2008年4月担任董事会主席。  布莱恩·克拉切（Brian Crutcher）拥有中佛罗里达大学的电子工程理学学士学位和加州大学欧文分校的工商管理硕士学位。 于1996年加入TI，担任过销售组织的各种领导职务。2010年晋升为高级副总裁，2014年担任执行副总裁，2017年1月24日晋升COO。2017年7月进入董事会。 长鑫存储和睿力7月16日的长鑫存储存储器项目首次投片总结大会上，合肥长鑫董事长、原睿力CEO王宁国正式把长鑫存储以及睿力CEO的职位交给朱一明。 朱一明，1972年出生，1997年获得清华大学物理学硕士学位，2000年获纽约州立大学石溪分校电子工程系硕士学位。 1997年7月至1998年7月任职北京安美消防技术服务公司；1998年8月至2000年5月纽约州立大学石溪分校电子工程系硕士；2000年6月至2001年5月iPolicy Networks Inc.任资深工程师；2001年6月至2004年11月 Monolithic System Technologies Inc.任项目主管；2005年4月至2018年7月北京兆易创新科技股份有限公司任董事长兼总经理。 兆易创新2018年7月16日晚间发布公告，称董事会收到公司总经理朱一明的书面辞职信。朱一明因工作需要辞去公司总经理职务，仍继续担任公司董事长及董事会相关专业委员会职务。其辞职信自送达公司董事会之日起生效。何卫接任代理总经理。 朱一明辞去兆易创新CEO后，接任合肥长鑫存储及睿力CEO一职，引领合肥长鑫存储在DRAM领域继续突破。在7月16日的长鑫存储存储器项目首次投片总结大会上，合肥长鑫董事长、原睿力CEO王宁国正式把长鑫存储以及睿力CEO的职位交给朱一明。 何卫，男，1967 年生，中国国籍，无境外永久居住权，清华大学硕士。曾先后任北京微电子技术研究所集成电路部副主任，中芯国际北京销售部副处长，2009 年加入兆易创新，2015年12月担任公司副总经理。 朱一明，1972年出生，1997年获得清华大学物理学硕士学位，2000年获纽约州立大学石溪分校电子工程系硕士学位。 1997年7月至1998年7月任职北京安美消防技术服务公司；1998年8月至2000年5月纽约州立大学石溪分校电子工程系硕士；2000年6月至2001年5月iPolicy Networks Inc.任资深工程师；2001年6月至2004年11月 Monolithic System Technologies Inc.任项目主管；2005年4月至2018年7月北京兆易创新科技股份有限公司任董事长兼总经理。 Rambus2018年16月29日，Rambus宣布终止Ron Black博士的CEO职务，即时生效，原因是他的某些行为没达到公司标准。高级副总裁兼内存部分总经理Luc Seraphin担任临时CEO，Rambus董事会开始搜索并确定新任CEO。 2012年Ron Black加入Rambus公司CEO，2017年底续签了CEO协议，正常应该在2022年才会卸任。在担任Rambus总裁兼首席执行官的六年任期内，成绩斐然，它使公司成为技术知识产权许可的领先者，为公司建立了牢固的合作伙伴关系，并显着增加了收入和利润。 Black博士加入Rambus前，曾任UPEK和Wavecom的首席执行官。在其职业生涯早期，他曾在杰尔系统，Gemplus，IBM和摩托罗拉担任领导职务。 Intel英特尔2018年6月22日英特尔历史上的第六任 CEO 布莱恩·科在奇（Brian Krzanich）结束了他在这一职位上为期五年的工作，也结束了他在英特尔三十年的职业生涯。英特尔的公告直白地指出了他的离职原因——与员工有染。英特尔首席财务官Bob Swan兼任临时首席执行官，不过他对于永久担任CEO一职不感兴趣。 布莱恩·科在奇简介1960年5月9日出生； 1999年荣获英特尔成就奖；拥有一项半导体制程方面的专利 1982年获得了圣何塞州立大学化学学士学位； 1982年加入英特尔新墨西哥州工厂； 1994年至1996年担任亚利桑那州Fab 12工厂生产制造经理； 1996年至1997年担任亚利桑那州Fab 6工厂经理； 1997年至2001年担任Fab 17工厂经理，负责将原DEC公司的半导体制造业务整合到英特尔的制造网络中，包括设施更新升级、启动和推广0.18微米与0.13微米制程技术的应用； 2001年至2003年负责在英特尔全球工厂实施0.13微米逻辑制程技术； 2003年至2007年负责英特尔封装测试业务； 2005年12月至2010年1月任公司副总裁，负责工厂和全球运营； 2010年1月至2012年1月20日任公司高级副总裁及制造和供应链总经理，同时任全球制造总管； 2012 年 1 月20日至2012年11月担任COO； 2012年11月至2013年5月16日任COO兼执行副总裁； 2013年5月16日就任CEO（5月2日宣布）； 2017年8月14日宣布担任American Manufacturing Council成员； 2018年6月21日因与员工有染离职。 8月2日，英特尔将高通两位高管纳入公司空缺首席执行官一职的候选人名单。知情人士透露，高通现任总裁Cristiano Amon以及前英特尔和高通高管Anand Chandrasekher成为了接任英特尔前任首席执行官Brian Krzanich的候选人。 英特尔、高通以及Chandrasekher并没有立即针对此消息作出回应。 除了Amon以及五月从高通离职的Chandrasekher之外，其他候选人还包括现任英特尔高管的Navin Shenoy以及Venkata Murthy Renduchintala、前英特尔高管Diane Bryant、Renee James以及Stacy Smith。前英特尔高管、现任VMware首席执行官的Pat Gelsinger也在候选人名单中，但他已经明确表示不会考虑这件事。
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2019半导体产业展望:凛冬将至

虚拟货币产生“蝴蝶效应”，叠加贸易因素和市场需求不振，全球产业进入低景气周期徘徊不前。2016年全球PC和手机市场已经陷入需求不振的态势，但2017年虚拟货币的横空出世和疯狂暴涨，一定程度上给全球半导体行业“续了命”。 进入到2018年，以比特币为代表的虚拟货币市场从二季度开始启动“跌跌不休”模式，尽管虚拟货币本身对半导体产业贡献的产值不大，但其蝴蝶效应还是很明显，虚拟货币产业链覆盖到的GPU、MLCC、封装、PCB、存储、先进工艺等领域都受到不小影响。叠加愈演愈烈的中美贸易纷争，手机市场需求严重放缓等一系列不利因素，可以看到今年全年整体半导体产业上演的是“冰火两重天”的局面。上半年度，全球半导体产业销售额为2393.5亿美元，同比增长20.4%，再创历史新高。而进入下半年后，芯片厂商的库存逼近十年的最高水平，半导体设备市场需求也大幅趋缓，厂商开始缩减半导体投资开支，IC Insights预测Q4的增速已经下降到6%，预计2019年全年半导体产业进入低景气周期，维持徘徊不前的发展态势，全年增速可能维持在4%-6%之间，同比预计下跌接近10个百分点。国内半导体市场的红利同样进入下半场，ToB市场是未来国内半导体企业主要发力的关键。2018年中国互联网进入下半场的概念在业界被许多人推崇，人口和流量红利消失被认为是中国互联网上下半场分割点，“从消费互联网进入到产业互联网”，“从ToC到ToB”，被频频提及。 同样的，ToB战役不仅仅只存在于互联网产业，半导体一样发生了下游市场需求从ToC到ToB的转移，在从消费互联网为主的「平原市场」，转向产业互联网的「棋盘市场」（引自【甲子光年】）。 「平原市场」的特点是现象级市场（手机和PC市场都占据全球应用市场的各30%以上），垄断程度高，产品集中度高，通用性很强，芯片企业一招走天下赢者通吃，只要巨量投资维持技术进步，就可以保持领先。 而ToB的「棋盘市场」，则呈现出碎片化特点（细分市场占比不超过10%），集中度低，专业程度高，通用性不强，这样大企业和小企业都有机会，还有新进玩家不断进入，包括在细分行业领域做系统方案的企业，也会有兴趣向上游延伸开始做芯片，从阿里、百度这样的互联网巨头在转战产业互联网的同时还要积极投入芯片产业就可以看出，半导体成为互联网巨头和行业系统厂商抢滩产业互联网的重要武器。 所以这种市场需求从ToC到ToB的转变，会使得未来系统厂商将成为芯片设计领域的主力贡献者，会不断侵蚀现有Fabless厂商和IDM厂商的市场份额，倒逼两者为系统厂商提供定制化design service业务，或出让自己的产能和定制化解决方案服务，这种趋势在2019年以及以后，会越来越明显。 摩尔定律放缓已经达成共识，未来在体系结构、EDA工具和推动开源、敏捷设计方面会出现重大变革。随着摩尔定律和登纳德缩放比例定律的放缓甚至停滞，单处理器核心的性能每年的提升已降为3%左右，此外设计先进的SoC所需的成本和时间急剧增加，我们关注到业界开始在设计、材料、架构、集成、先进封装等各个领域加大投资，寻找创新路径和方案。 美国DARPA正在积极推动的 “电子产业振兴计划”(ERI)计划，就是用来应对微电子技术领域面临的工程技术和经济成本方面的挑战，可以多关注IDEA、POSH、SDH还有DSSoC这几个项目。 未来在AI需要高性能计算的领域，专用体系结构和专用编程语言的开发对于提升特定领域性能、功耗和开发效率尤其重要，此外随着更多系统和互联网厂商进入IC领域，用开源和敏捷开发方式可以反复迭代地在短时间内廉价地开发产品原型，实现超复杂SoC的低成本设计也会成为实际需求。 因此未来在软硬件协同设计、高层专用语言、开源体系结构设计、创新的敏捷芯片开发方面都会相继出现不小的变革，相信在2019年围绕在这个方向的创新会越来越多。 半导体并购交易规模达到天花板上限，深耕细作成为并购方向，日韩在复杂外部环境中有望通过并购谋求复兴。2018年年初最引起关注的两起巨量并购由于复杂的国际外部政治环境因素以及对垄断和国家安全的担忧戛然而止，博通收购高通被美国总统特朗普一纸禁令否决，高通收购NXP最终没能等来中国监管机构的一纸批文。 总结一下2018年全年截止目前发生的国际并购投资，发生在半导体企业之间的收购交易金额未超过百亿。可以看出，在半导体产业的投资和并购上，国际政府监管审查行动越来越严格，使得半导体并购交易规模达到天花板上限，2019年这个趋势会继续保持。 另外可以预见的是尽管中美贸易战有缓和的迹象，但美国对中国大陆在投资限制、技术封锁和人才交流中断等方面正在趋于常态化，限制了中国资本出海的空间和意愿（美国是中资第一大海外并购目的地，2018年迄今中资对美高科技类并购降至7亿美元），也直接影响到全球半导体行业并购的规模。 从未来行业并购的驱动因素来看，总营收和经济规模领先的巨头公司，会更关注在半导体市场的特定细分行业拥有较高市场份额和盈利优势的公司，通过收购加码细分领域的竞争力，而网络和数据中心、汽车、AI和软件业务都会成为比较受青睐的细分领域。 此外，从区域来看，贸易摩擦和政府监管对并购的影响似乎并没有阻拦日本企业和资本在半导体行业期望实现复兴的野心，瑞萨、TDK、村田、爱德万近几年一系列收购中小欧美半导体企业的动作，可以看到日本厂商急于趁势重新崛起的迫切，而韩国也在频频加强与中国大陆在资本和产业层面的合作，预计在全球愈加复杂的外部环境中，日韩在半导体行业并购方面将成为可以独善其身的赢家。 中国地方政府投资半导体产业力度相比之前逐渐减弱，政策支持和政府资金投入可持续性面临考验，国内半导体产业迎来大考，进入沉淀期。2014年发布《国家集成电路产业推进纲要》后，国内掀起新一轮集成电路产业投资热潮，地方政府还通过推出非常有吸引力的招商引资和产业扶持政策，以及设立专项的半导体产业基金，吸引半导体重大项目落地建设，目前看中国大陆应该有接近一半的省份都规划部署了大大小小的半导体生产线。 我们也频频看到，许多地方不顾自身条件，盲目跟风上马，不科学规划和测算半导体产业投资的综合成本及效益，大搞“形象工程”和“政绩工程”，不仅无法发挥自身的资源和产业环境之优势去发展合适的产业，也使得全国各城市之间由于“项目雷同”，相互之间也无法实现区域性的分工和相应的协作，产业发展远未形成互补的良性格局。 2019年是很多省市规划建设的重点半导体项目的投产年，也是大考年。不仅仅对项目本身，对于各地方政府，也会明显意识到半导体生产线项目“高风险、长周期、持续烧钱”的特点，加之宏观经济不振和地方债务高企，外部环境复杂性和风险系数都显著提升，国内很多地方政府对投资和发展半导体产业的信心可能会受到不小挑战，政策支持和政府资金投入可持续性面临考验。 由于地方政府对半导体产业的投资是维持国内产业高景气度的最重要驱动因素之一，而随着地方政府的热情有所下降，叠加全行业本身面临的低谷周期，2019年可能进入到全行业的洗牌时刻，很多项目，很多地方政府基金可能就面临着烂尾的局面。2019年的国内半导体行业将在“行业寒冬”中迎来大考，当然，大浪淘沙始见金，2019年也会是国内半导体行业放下浮躁，扎实沉淀的一年，相信即使有中美贸易摩擦等复杂外部变化的影响，只要政府和国内产业界开始真正的加强国际商业规则和知识产权保护的重视，开始积极投入基础研发创新，优化产业发展环境和企业营商环境，继续坚持全球化和扩大开放合作，整个产业就有机会真正从资本堆砌的泡沫、低水平重复建设和低层次竞争中走出。
2018-12-10 00:00 阅读量：1658
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