G20峰会后,晶圆和MOSFET价格继续上涨

发布时间：2018-12-04 00:00
作者：
来源：爱集微
阅读量：1519

MOSFET的缺货从2016年下半年就已经开始，一直持续至今，主要由于上游晶圆代工厂产能有限，加之需求市场火爆，引发缺货潮。2017年下半年，长电科技先后三次提价，部分产品累计涨价幅度或超50%；长电之后，包括大中、尼克松、富鼎在内的台系MOSFET供货商也跟着涨价。MOSFET价格同比上涨30%，交期延长到10-20周不等。

G20峰会后,晶圆和MOSFET价格继续上涨

到了2018年，MOSFET产能继续大缺，下半年出现缺货潮，ODM/OEM厂及系统厂客户抢产能，台厂大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季订单全满，接单能见度直至年底，正酝酿下一波价格调涨。

业界预料以目前MOSFET缺货情况判断，供给吃紧可能持续至2019年上半年，主要因市场供给产能有限，而汽车及工业应用对MOSFET需求上涨，均有利于后市发展。而大型跨国企业重新聚焦于更高端、毛利率更高的产品，如汽车及工业应用的IGBT、碳化硅MOSFET、超接面MOSFET，使得MOSFET与IGBT的交期已增加至6个月以上。

今（3）日消息，继上周末G20峰会之后，中美贸易紧张情势趋缓，晶圆与MOSFET在市场持续供不应求，缺货情况继续发酵，再度成为资金追逐焦点，激励晶圆和MOSFET的股价上涨。

晶圆厂环球晶透露，至9月底预收款高达220亿元新台币，较第2季增加88亿元新台币，并创下历史新高纪录，显示客户需求强劲。环球晶预期，明年平均单价将高于目前水平，2020年报价将持平或小幅上扬。

MOSFET厂杰力预期，明年上半年MOSFET市场仍将维持供不应求热况，产品还有涨价空间。

在缺货效益持续发酵下，业内人士预期，晶圆与MOSFET未来营运依然成长可期。

晶圆和MOSFET的价格能够持续上涨，主要原因还是行业景气。物联网、车用、家电等应用的增多，带动着功率半导体需求大增，尤以MOSFET最甚，业界预期2019年也将会是不错的一年。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：第四季DRAM合约价二次下修,2019年第一季跌幅持续扩大

下一篇：台积电2019上半能见度不佳,急call订单回流

在线留言询价

相关阅读
十大晶圆代工排名！
行业新闻

十大晶圆代工排名！

　　9月3日消息，据TrendForce 集邦咨询报告，全球前十大晶圆代工企业 2024Q2 产值环比增长 9.6%，整体达 319.62 亿美元。　　二季度营收环比增长的主要动力来自客户陆续启动消费性零部件备货或库存回补，推动晶圆代工厂接获急单，产能利用率较 2024 年一季度显著提升。而这背后是中国 618 购物季与消费性终端库存水位回归的双重影响。　　此外 AI 服务器相关需求延续强劲也从另一个角度对十大晶圆代工企业的业绩提供了支撑。　　全球前十大晶圆代工企业的名单并未在 2024 年 2 季度发生变化。不过 VIS 世界先进得益于 DDI 急单和 PMIC 客户增加，营收环比增幅达 11.6%，排名超越力积电与合肥晶合升至第八。　　对于曾在 2023 年三季度跻身本份榜单的英特尔代工，TrendForce 集邦咨询表示该业务虽然营收规模不小，但 98%~99% 订单来自内部，按外部客户计未达全球前十。　　TrendForce 集邦咨询表示三季度是传统备货旺季且 AI HPC 订单仍在高速成长，预计 2024 年三季度代工产能利用率将进一步提升，全球前十大晶圆代工企业有望实现与二季度相同水平的产值环比增长。
2024-09-03 15:00 阅读量：614
晶圆抛光都有哪些方法？
行业新闻

晶圆抛光都有哪些方法？

　　晶圆的最终命运是被切成一枚枚芯片(die)，封装在暗无天日的小盒子里，只露出几枚引脚，芯片会看阈值，阻值，电流值，电压值，就是没人看它的颜值，我们在制程中，反复给晶圆打磨抛光，还是为了满足生产中的平坦化需要，尤其是在每次做光刻时，晶圆的表面一定要极致的平坦，这是因为随着芯片制程的缩小，光刻机的镜头要实现纳米级的成像分辨率，就得拼命增大镜片的数值孔径(Numerical Aperture)，但这同时会导致焦深(DoF)的下降，焦深是指光学成像的聚焦深度，要想保证光刻图像清晰不失焦，晶圆表面的高低起伏，就必须落在焦深范围之内。简单说就是光刻机为了提高成像精度，牺牲了对焦能力，像新一代的EUV光刻机，数值孔径0.55，但垂直方向上的焦深，总共只有45纳米，光刻时的最佳成像区间则会更小。假如放上去的晶圆不够平坦，厚度不平均，表面有起伏，就会导致高低处的光刻出问题。　　当然也不只有光刻才会要求晶圆表面的丝滑，还有很多造芯片的工序，都需要打磨晶圆，湿法刻蚀后要打磨，紧致腐蚀的粗糙面，方便涂胶沉积，浅槽隔离(STI)后要打磨，磨平多余的氧化硅完成沟槽填充，金属沉积后要打磨，去除溢出的金属层，防止器件短路。因此一枚芯片的诞生，中间要经历很多次打磨来降低晶圆的粗糙度和高低起伏，去除表面多余的物质，另外晶圆上各种工艺问题，导致的表面缺陷(defect)，经常也要等到每次打磨完成后，才会暴露出来，所以负责研磨的工程师责任重大，他们既是芯片制程中承上启下的C位，也是生产会议中接盘背锅的T位，他们既要会湿法刻蚀，又得懂物理输出，因为芯片厂最主要的抛光技术。晶圆的抛光方法有哪些?　　抛光工艺根据抛光液和硅片表面间的作用在原理上可分为以下3大类｡机械抛光法机械抛光是靠切削、材料表面塑性变形去掉被抛光后的凸部而得到平滑面的抛光方法，一般使用油石条、羊毛轮、砂纸等，以手工操作为主，特殊零件如回转体表面，可使用转台等辅助工具，表面质量要求高的可采用超精研抛的方法。超精研抛是采用特制的磨具，在含有磨料的研抛液中，紧压在工件被加工表面上，作高速旋转运动。利用该技术可以达到Ra0.008μm的表面粗糙度，是各种抛光方法中高的。光学镜片模具常采用这种方法。2.化学抛光法化学抛光是让材料在化学介质中表面微观凸出的部分较凹部分优先溶解，从而得到平滑面。这种方法的主要优点是不需复杂设备，可以抛光形状复杂的工件，可以同时抛光很多工件，效率高。化学抛光的核心问题是抛光液的配制。化学抛光得到的表面粗糙度一般为数10μm。3.化学机械抛光法(CMP)前两种抛光法都有自己独特的优点，若将这两种方法结合起来，则可在工艺上达到优缺互补的效果。化学机械抛光采用将机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺，在CMP工作过程中，CMP用的抛光液中的化学试剂将使被抛光基底材料氧化，生成一层较软的氧化膜层，然后再通过机械摩擦作用去除氧化膜层，这样通过反复的氧化成膜-机械去除过程，从而达到了有效抛光的目的。　　当前化学机械抛光(CMP)领域面临一些挑战和问题，这些问题包括技术性、经济性和环境可持续性等方面：　　(1)工艺一致性：实现CMP过程的高度一致性仍然是一个挑战。即使在同一生产线上，不同批次之间或不同设备之间的工艺参数可能存在微小差异，影响最终产品的一致性。(2)新材料适应性:随着新材料的不断涌现，CMP技术需要不断适应新材料的特性。一些先进材料可能对传统CMP工艺不够兼容，需要开发适应性更强的抛光液和磨料。(3)尺寸效应：随着半导体器件尺寸的不断缩小，尺寸效应带来的问题变得更为显著。在微小尺寸下，表面平整度的要求更高，因此需要更精密的CMP工艺。(4)材料去除率控制：在一些应用中，对不同材料的精确去除率控制变得尤为关键。确保不同层材料在CMP过程中的去除率一致性对于制造高性能器件至关重要。(5)环境友好:CMP过程中使用的抛光液体和磨料可能包含一些环境有害的成分。研究和开发更环保、可持续的CMP工艺和材料是一个重要的挑战。(6)智能化与自动化:CMP系统的智能化和自动化程度逐渐提高，但仍需应对复杂多变的生产环境。如何实现更高程度的自动化和智能监测，以提高生产效率，是一个需要解决的问题。(7)成本控制：CMP工艺涉及到高昂的设备和材料成本。制造商需要在提高工艺性能的同时，努力降低生产成本，以保持市场竞争力。
2024-05-27 16:23 阅读量：765
衬底和晶圆的区别是什么 衬底晶圆分类
行业新闻

衬底和晶圆的区别是什么 衬底晶圆分类

　　衬底是指在半导体制造过程中作为基础层的物质。它通常是一个硅片或其他材料的薄片，作为承载芯片和电子器件的基础。衬底可以看作是半导体器件的“地基”。　　衬底的结构根据具体应用和需求而有所不同。最常见的衬底材料是单晶硅(Silicon)，通常以硅(Si)的形式存在。衬底的硅片通常具有圆形或方形的形状，其表面是平坦的。　　除了硅衬底外，也使用过其他材料作为衬底，如蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(Silicon Carbide)等。这些材料在特定应用中具有特殊的性质和优势。　　一、晶圆的定义和结构　　晶圆是指从衬底中切割出来的圆形硅片。它被广泛应用于半导体制造过程中，是半导体芯片的主要基板。晶圆可以看作是半导体器件的“原材料”。　　晶圆的结构主要由两个方面决定：尺寸和方向。晶圆的尺寸通常以直径来表示，最常见的尺寸是4英寸(100毫米)和8英寸(200毫米)，但也有其他尺寸可用。　　晶圆的方向由其晶格结构决定。晶圆可以分为不同的晶向，如<100>、<110>、<111>等。这些晶向决定了晶圆上晶格的排列方式，对器件性能和工艺步骤有重要影响。　　二、衬底与晶圆在半导体制造中的应用　　衬底的应用　　衬底在半导体制造中具有以下重要应用：　　承载半导体芯片：衬底是半导体芯片的基础，提供稳定的平台来构建电子器件和集成电路。　　基础层的沉积：在制造过程中，衬底上可能需要进行一系列的薄膜沉积，如氧化物、金属等。这些薄膜可以提供保护和功能性。　　背面处理：衬底的背面通常进行背刻和背面加工，以便使电流通过器件。　　晶圆的应用　　晶圆在半导体制造中具有以下重要应用：　　材料生长：晶圆作为基板，可以用来在其表面上生长单晶薄膜，如外延生长(Epitaxy)。　　芯片制造：晶圆上的电路设计和制造是半导体芯片制造的关键步骤。涉及到将电路图设计转化为实际的电子器件，并在晶圆上进行精确的制造和加工。　　光刻：晶圆上的光刻技术用于在薄膜上形成图案，以定义电子器件的结构和互连。　　清洗和处理：晶圆经常需要进行清洗和处理步骤，以去除表面污染物、改善品质和增强性能。　　包装和封装：完成芯片制造后，晶圆将进行切割和封装，形成最终的半导体器件或集成电路。　　衬底和晶圆是半导体制造过程中的两个重要概念。衬底是作为基础层的材料，承载着芯片和器件;而晶圆则是从衬底中切割出来的圆形硅片，作为半导体芯片的主要基板。衬底通常是硅片或其他材料的薄片，而晶圆则是衬底的一部分，具有特定的尺寸和方向。衬底用于承载和沉积薄膜，而晶圆用于生长材料、制造芯片和执行光刻等工艺步骤。
2023-11-09 09:39 阅读量：1692
SEMI：今年晶圆厂设备支出下滑15% 将于2024年改善
行业新闻

SEMI：今年晶圆厂设备支出下滑15% 将于2024年改善

　　受到芯片需求需求减弱以及消费和移动设备库存增加，SEMI国际半导体产业协会近日表示，预估全球晶圆厂设备支出总额将从2022年的历史高点995亿美元下滑15%，来到840亿美元。随后于2024年回升15%，达到970亿美元。　　SEMI 总裁兼首席执行官 Ajit Manocha 表示：" 事实证明，2023 年设备投资的下降幅度较小，2024 年的反弹力度将强于今年早些时候的预期。"" 这一趋势表明，半导体行业正在走出低迷，在健康芯片需求的推动下，走上恢复强劲增长的道路。"　　另外，受惠于产业对于先进和成熟制程节点的长期需求持续成长，晶圆代工产业2023年维持投资规模，微幅成长1%至490亿美元，持续引领半导体产业成长。而预计2024年产业回温，带动设备采购金额扩增至515亿美元，较2023年成长5%。　　区域分析，中国台湾2024年稳坐全球晶圆厂设备支出领先地位，年增4%到230亿美元。韩国居次，2024年达220亿美元，较2023年成长41%。中国大陆2024年总支出额以200亿美元排名全球第三，大陆代工业者和IDM厂商将持续以成熟制程投资布局　　美洲地区仍维持第四大支出地区，并创历年新高，支出总额将到140亿美元，年成长率达23%。欧洲和中东地区续创佳绩，支出总额增长41.5%达80亿美元。日本和东南亚地区2024年分别增长至70亿和30亿美元。　　从 2022 年到 2024 年，SEMI 世界晶圆厂预测报告显示，继 2022 年增长 8% 之后，今年全球半导体行业的产能将增长 5%。预计 2024 年产能将继续增长，增幅为 6%。
2023-09-15 09:33 阅读量：1574
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
TPS63050YFFR Texas Instruments
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。