熟悉的套路:三星芯片产量逆势增长57%

发布时间:2020-05-21 00:00
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与2019年第一季度相比,三星的芯片产量在2020年第一季度增长了57.4%。该公司的季度报告显示,尽管COVID-19爆发,韩国科技巨头仍在该季度中增加了DRAM和NAND闪存芯片。结果,该公司在今年第一季度提高了其在DRAM市场的市场份额。


三星是全球最大的内存芯片制造商,其芯片工厂在2020年1月至3月的季度开工率为100%。该公司在2020年第一季度生产了2774亿个半导体器件,高于去年同期的1762亿个半导体器件。它提高了芯片制造工艺的效率。


芯片生产的增长是为了满足数据中心和服务器对DRAM和存储芯片的不断增长的需求。自从COVID-19危机以来,人们一直在家工作,学习和娱乐,云服务器和数据中心支持所有这些活动。该季度芯片销售强劲,帮助该公司实现了更高的利润。


然而,由于经济危机临近,三星在本季度的手机和显示器产量大幅下降,因为人们在智能手机和电视等高价商品上的支出减少了。这家韩国公司生产了5870万台智能手机和145万台显示器,分别比2019年第一季度下降了34.4%和35.5%。


该芯片巨头还宣布了业界首款10nm EUV DRAM芯片,160层NAND闪存芯片和第三代HBM2E Flashbolt存储器 芯片。三星上周还宣布了其新一代SSD,支持PCIe Gen 4和E1.S尺寸。


疫情下三星西安半导体二厂如期投产


韩联社首尔3月16日电 三星电子在疫情下如期启动了位于中国西安的半导体二厂生产线。


据业内及当地媒体16日消息,三星电子10日在西安第二工厂举行第一期投资的产品上市仪式。《西安日报》报道称,西安第二工厂已经做好量产准备,计划8月开足马力生产。


三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基在上市仪式上表示,尽管遇到了2月物流不畅、原材料供应困难、人力不足等问题,但地方政府和企业努力加强防控将新冠疫情影响降至最低。


西安工厂是三星电子唯一一个海外半导体存储器生产基地,量产3D垂直设计的V-NAND闪存。该项目自2012年被引进西安以来,经历了几次扩产。其中一期项目于2014年5月竣工投产。该项目原计划投资70亿美元,但实际总投资超过了100亿美元。


二期项目已于2018年3月开工建设,预计今年7月份建成,2020年一季度实现量产。按照规划,三星西安二期项目的投资将会高达140亿美元。根据中国闪存市场报道,主要生产的是第五代96层3D V-NAND芯片,不仅满足中国市场需求,还通过韩国总部远销欧美、东南亚等地,用于满足不断增长的存储需求。三星宣布开工建设的是西安二期第二阶段工厂,2021年下半年竣工,项目建成后将新增产能13万片/月,新增产值300亿元。


三星西安二期二阶段新厂建成后,将投产128层或更高堆叠层数的3D NAND。


除了三星西安工厂,三星新建成的平泽2号工厂也计划在2020年运营,大规模生产的时间尚未确定。平泽2号工厂将先建NAND Flash生产线,然后再投资建设DRAM产线,与平泽一期工厂的规划大体一致。



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2020-11-19 00:00 阅读量:1363
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