肖特基光电二极管是基于金属半导体结的器件。这种结的金属侧形成阳极电极,而N型半导体侧则是阴极。光子穿过部分透明的金属层,在N型半导体中被吸收,从而释放出带电载流子对。这些自由带电的载流子在所施加电场的作用下脱离耗尽层,形成光电流。
这种二极管的另外一个重要特性是其非常快的响应时间。这种器件一般采用能够快速反应的小型二极管结结构。目前市场上已有带宽在千兆赫兹 (GHz) 范围内的肖特基光电二极管。这使其成为高带宽光通信链路的理想之选。
例如,来自Genicom Co., Ltd的GUVB-S11SD光传感器就是一种肖特基光电二极管(下图)。这种对紫外线敏感的光电二极管用于诸如紫外线指数等应用。该器件使用一种基于氮化铝(AlGaN) 的材料,在紫外光谱中的光谱灵敏度范围为240nm至320nm。该器件具有光谱敏感性,但对可见光不敏感,这在光线明亮的环境中是一种有用的功能。该器件的暗电流小于1nA,响应率为0.11A/W。
GUVB-S11SD是一款基于AlGaN的UV敏感性光传感器,其有源光学面积为0.076mm
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