晶圆是什么 晶圆制造工艺流程

发布时间：2022-10-28 11:03
作者：Ameya360
来源：网络
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　　晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。下面Ameya360电子元器件采购网给大家介绍一下“晶圆是什么东西 晶圆制造工艺流程”。

晶圆是什么 晶圆制造工艺流程

　　一、晶圆是什么

　　晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。

　　二、晶圆制造工艺流程

　　1、表面清洗

　　2、初次氧化

　　3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。

　　（1）常压CVD(NormalPressureCVD)

　　（2）低压CVD(LowPressureCVD)

　　（3）热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)

　　（4）电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)

　　（5）MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)

　　（6）外延生长法(LPE)

　　4、涂敷光刻胶

　　（1）光刻胶的涂敷

　　（2）预烘(prebake)

　　（3）曝光

　　（4）显影

　　（5）后烘(postbake)

　　（6）腐蚀(etching)

　　（7）光刻胶的去除

　　5、此处用干法氧化法将氮化硅去除

　　6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱

　　7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理

　　8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱

　　9、退火处理，然后用HF去除SiO2层

　　10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅

　　11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层

　　12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区

　　13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜，作为栅极氧化层。

　　14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。

　　15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。

　　16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。

　　17、沉积掺杂硼磷的氧化层

　　18、濺镀第一层金属

　　（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。

　　（2）真空蒸发法（EvaporationDeposition）

　　（3）溅镀（SputteringDeposition）

　　19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层。

　　20、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置

　　21、最后进行退火处理，以保证整个Chip的完整和连线的连接性


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