晶圆制造公司排名一览

发布时间:2022-10-28 11:06
作者:Ameya360
来源:网络
阅读量:2085

  晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时,特征尺寸的减小,使得晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大,而随着洁净的提高,颗粒数也出现了新的数据特点。下面Ameya360电子元器件采购网给大家介绍一下“晶圆制造公司排名”。

晶圆制造公司排名一览

  1.晶圆制造公司排名

  1、中芯国际

  中芯国际是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一,也是中国大陆集成电路制造业领导者,

  2、华虹集团

  华虹集团是中国目前拥有先进芯片制造主流工艺技术的8+12寸芯片制造企业,集团旗下业务包括集成电路研发制造、电子元器件分销、智能化系统应用等板块,

  3、华润微电子

  华润微电子有限公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力的半导体企业。

  4、晶合集成

  合肥晶合集成电路股份有限公司结合平板显示、汽车电子、家用电器、工业控制、人工智能、物联网等产业发展趋势,提供面板驱动芯片、微控制器(MCU)、CMOS图像传感器(CIS)、电源管理(PMIC)、人工智能物联网(AIoT)等不同应用领域芯片代工。

  5、武汉新芯

  武汉新芯集成电路制造有限公司拥有2座12寸晶圆厂,每座晶圆厂产能可达3万片+/月,是业界先进的半导体三维集成技术平台。

  6、积塔半导体

  上海积塔半导体有限公司经营范围包括:集成电路芯片设计及服务,集成电路芯片制造等,是华大半导体旗下全资子公司。

  7、绍兴中芯

  绍兴中芯集成电路制造股份有限公司是提供模拟芯片及模块封装的代工服务的制造商,为国内外客户提供一站式代工解决方案。

  8、粤芯半导体

  粤芯半导体专注于物联网、汽车电子、工业控制、5G 等应用领域,致力于满足国产芯片制造需求。

  9、方正微电子

  深圳方正微电子有限公司是一家从事集成电路芯片制造的国家高新技术企业,是国内首家实现6英寸碳化硅器件制造的厂商。

  10、宁波中芯

  中芯集成电路(宁波)有限公司市场涵盖5G通信与移动终端、智能家电与工业控制、工业物联网与医疗电子等多个战略性新兴产业,是国内优秀的工艺半导体晶圆代工制造商。


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  晶圆的最终命运是被切成一枚枚芯片(die),封装在暗无天日的小盒子里,只露出几枚引脚,芯片会看阈值,阻值,电流值,电压值,就是没人看它的颜值,我们在制程中,反复给晶圆打磨抛光,还是为了满足生产中的平坦化需要,尤其是在每次做光刻时,晶圆的表面一定要极致的平坦,这是因为随着芯片制程的缩小,光刻机的镜头要实现纳米级的成像分辨率,就得拼命增大镜片的数值孔径(Numerical Aperture),但这同时会导致焦深(DoF)的下降,焦深是指光学成像的聚焦深度,要想保证光刻图像清晰不失焦,晶圆表面的高低起伏,就必须落在焦深范围之内。简单说就是光刻机为了提高成像精度,牺牲了对焦能力,像新一代的EUV光刻机,数值孔径0.55,但垂直方向上的焦深,总共只有45纳米,光刻时的最佳成像区间则会更小。假如放上去的晶圆不够平坦,厚度不平均,表面有起伏,就会导致高低处的光刻出问题。  当然也不只有光刻才会要求晶圆表面的丝滑,还有很多造芯片的工序,都需要打磨晶圆,湿法刻蚀后要打磨,紧致腐蚀的粗糙面,方便涂胶沉积,浅槽隔离(STI)后要打磨,磨平多余的氧化硅完成沟槽填充,金属沉积后要打磨,去除溢出的金属层,防止器件短路。因此一枚芯片的诞生,中间要经历很多次打磨来降低晶圆的粗糙度和高低起伏,去除表面多余的物质,另外晶圆上各种工艺问题,导致的表面缺陷(defect),经常也要等到每次打磨完成后,才会暴露出来,所以负责研磨的工程师责任重大,他们既是芯片制程中承上启下的C位,也是生产会议中接盘背锅的T位,他们既要会湿法刻蚀,又得懂物理输出,因为芯片厂最主要的抛光技术。晶圆的抛光方法有哪些?  抛光工艺根据抛光液和硅片表面间的作用在原理上可分为以下3大类。机械抛光法机械抛光是靠切削、材料表面塑性变形去掉被抛光后的凸部而得到平滑面的抛光方法,一般使用油石条、羊毛轮、砂纸等,以手工操作为主,特殊零件如回转体表面,可使用转台等辅助工具,表面质量要求高的可采用超精研抛的方法。超精研抛是采用特制的磨具,在含有磨料的研抛液中,紧压在工件被加工表面上,作高速旋转运动。利用该技术可以达到Ra0.008μm的表面粗糙度,是各种抛光方法中高的。光学镜片模具常采用这种方法。2.化学抛光法化学抛光是让材料在化学介质中表面微观凸出的部分较凹部分优先溶解,从而得到平滑面。这种方法的主要优点是不需复杂设备,可以抛光形状复杂的工件,可以同时抛光很多工件,效率高。化学抛光的核心问题是抛光液的配制。化学抛光得到的表面粗糙度一般为数10μm。3.化学机械抛光法(CMP)前两种抛光法都有自己独特的优点,若将这两种方法结合起来,则可在工艺上达到优缺互补的效果。化学机械抛光采用将机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺,在CMP工作过程中,CMP用的抛光液中的化学试剂将使被抛光基底材料氧化,生成一层较软的氧化膜层,然后再通过机械摩擦作用去除氧化膜层,这样通过反复的氧化成膜-机械去除过程,从而达到了有效抛光的目的。  当前化学机械抛光(CMP)领域面临一些挑战和问题,这些问题包括技术性、经济性和环境可持续性等方面:  (1)工艺一致性:实现CMP过程的高度一致性仍然是一个挑战。即使在同一生产线上,不同批次之间或不同设备之间的工艺参数可能存在微小差异,影响最终产品的一致性。(2)新材料适应性:随着新材料的不断涌现,CMP技术需要不断适应新材料的特性。一些先进材料可能对传统CMP工艺不够兼容,需要开发适应性更强的抛光液和磨料。(3)尺寸效应:随着半导体器件尺寸的不断缩小,尺寸效应带来的问题变得更为显著。在微小尺寸下,表面平整度的要求更高,因此需要更精密的CMP工艺。(4)材料去除率控制:在一些应用中,对不同材料的精确去除率控制变得尤为关键。确保不同层材料在CMP过程中的去除率一致性对于制造高性能器件至关重要。(5)环境友好:CMP过程中使用的抛光液体和磨料可能包含一些环境有害的成分。研究和开发更环保、可持续的CMP工艺和材料是一个重要的挑战。(6)智能化与自动化:CMP系统的智能化和自动化程度逐渐提高,但仍需应对复杂多变的生产环境。如何实现更高程度的自动化和智能监测,以提高生产效率,是一个需要解决的问题。(7)成本控制:CMP工艺涉及到高昂的设备和材料成本。制造商需要在提高工艺性能的同时,努力降低生产成本,以保持市场竞争力。
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  衬底是指在半导体制造过程中作为基础层的物质。它通常是一个硅片或其他材料的薄片,作为承载芯片和电子器件的基础。衬底可以看作是半导体器件的“地基”。  衬底的结构根据具体应用和需求而有所不同。最常见的衬底材料是单晶硅(Silicon),通常以硅(Si)的形式存在。衬底的硅片通常具有圆形或方形的形状,其表面是平坦的。  除了硅衬底外,也使用过其他材料作为衬底,如蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(Silicon Carbide)等。这些材料在特定应用中具有特殊的性质和优势。  一、晶圆的定义和结构  晶圆是指从衬底中切割出来的圆形硅片。它被广泛应用于半导体制造过程中,是半导体芯片的主要基板。晶圆可以看作是半导体器件的“原材料”。  晶圆的结构主要由两个方面决定:尺寸和方向。晶圆的尺寸通常以直径来表示,最常见的尺寸是4英寸(100毫米)和8英寸(200毫米),但也有其他尺寸可用。  晶圆的方向由其晶格结构决定。晶圆可以分为不同的晶向,如<100>、<110>、<111>等。这些晶向决定了晶圆上晶格的排列方式,对器件性能和工艺步骤有重要影响。  二、衬底与晶圆在半导体制造中的应用  衬底的应用  衬底在半导体制造中具有以下重要应用:  承载半导体芯片:衬底是半导体芯片的基础,提供稳定的平台来构建电子器件和集成电路。  基础层的沉积:在制造过程中,衬底上可能需要进行一系列的薄膜沉积,如氧化物、金属等。这些薄膜可以提供保护和功能性。  背面处理:衬底的背面通常进行背刻和背面加工,以便使电流通过器件。  晶圆的应用  晶圆在半导体制造中具有以下重要应用:  材料生长:晶圆作为基板,可以用来在其表面上生长单晶薄膜,如外延生长(Epitaxy)。  芯片制造:晶圆上的电路设计和制造是半导体芯片制造的关键步骤。涉及到将电路图设计转化为实际的电子器件,并在晶圆上进行精确的制造和加工。  光刻:晶圆上的光刻技术用于在薄膜上形成图案,以定义电子器件的结构和互连。  清洗和处理:晶圆经常需要进行清洗和处理步骤,以去除表面污染物、改善品质和增强性能。  包装和封装:完成芯片制造后,晶圆将进行切割和封装,形成最终的半导体器件或集成电路。  衬底和晶圆是半导体制造过程中的两个重要概念。衬底是作为基础层的材料,承载着芯片和器件;而晶圆则是从衬底中切割出来的圆形硅片,作为半导体芯片的主要基板。衬底通常是硅片或其他材料的薄片,而晶圆则是衬底的一部分,具有特定的尺寸和方向。衬底用于承载和沉积薄膜,而晶圆用于生长材料、制造芯片和执行光刻等工艺步骤。
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