如何选用整流二极管 整流二极管常用参数解读 ​

发布时间:2022-11-02 10:09
作者:Ameya360
来源:网络
阅读量:2561

    二极管有很多类型,比如整流二极管、功率二极管、电子二极管之类的。为增进大家对二极管的认识,本文Ameya360电子元器件采购网将对整流二极管、整流二极管的选用、整流二极管的常用参数予以介绍。

如何选用整流二极管  整流二极管常用参数解读 ​

    一、整流二极管

    整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。

    整流二极管是一种大面积的功率器件,结电容大,工作频率较低,一般在几十千赫兹,反向电压从25伏至3000伏。电流容量在1A以下的有2CP系列,1A以上的有2CZ系列。

    整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。

    二、整流二极管的选用

    整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。

    选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。

    普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如,1N系列、2CZ系列、RLR系列等。

    开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管(例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等)或选择快恢复二极管。

    三、整流二极管的常用参数

    (1)最大平均整流电流IF:指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。

    (2)最高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001($0.0084)的VR为50V,1N4007($0.0084)的VR为1OOOV

    (3)最大反向电流IR:它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好。

    (4)击穿电压VR:指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。

    (5)最高工作频率fm:它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。

    (6)反向恢复时间tre:指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

    (7)零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA,而在100°C时IR则变为小于500uA。

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
齐纳二极管原理及使用方法介绍
  齐纳二极管(Zener Diode)是一种特殊的二极管,其工作原理主要基于反向击穿效应。当施加到齐纳二极管两端的反向电压超过其“齐纳击穿电压”(也称为反向阻挡电压),器件会开始导通,使得在器件两端形成一个稳定的电压。  1.齐纳二极管的工作原理  在正常工作条件下,齐纳二极管的结构与普通二极管相似。但区别在于齐纳电压(阻断电压)通常设定在比较低的电压水平。当外加反向电压超过额定齐纳电压时,由于击穿效应,齐纳二极管将开始导通,形成一个固定的电压跨接在两端。  2.齐纳二极管的特点  电压稳定性:齐纳二极管可以提供非常稳定的电压输出。  保护电路:常用于稳压和电压限制应用,以保护其他器件免受电压波动的影响。  温度依赖性:齐纳二极管的工作特性受温度影响较小,相对稳定。  反向电流大:齐纳二极管在击穿状态下的反向电流比普通二极管要大。  3.齐纳二极管的使用方法  选取合适的齐纳二极管:根据所需的电压稳定值和功率要求选择合适的齐纳二极管。  正确连接极性:确保正确连接齐纳二极管,通常将其放置在反向电压方向。  合理设计电路:在设计中考虑到齐纳二极管的特性,确保其在工作范围内稳定可靠。  注意散热:对高功率应用,需考虑齐纳二极管的散热,以确保器件工作在可靠的温度范围内。
2024-12-20 13:31 阅读量:166
锗二极管型号及参数 硅管和锗管有什么区别
  锗二极管是一种常用于电子电路中的半导体器件。在选择合适的锗二极管时,了解其型号和参数非常重要。此外,还需要清楚硅管和锗管之间的区别。  1.锗二极管型号及参数  锗二极管的型号通常由制造商根据该器件的特性指定。常见的锗二极管型号包括但不限于:1N34、1N60、OA81等。这些型号具有各自独特的电性能和应用场景。  在选择锗二极管时,关注以下参数至关重要:  最大反向电压(VRM):即锗二极管可承受的最大反向电压值。  最大正向电流(IFM):锗二极管可通过的最大正向电流。  正向压降(VF):锗二极管正向导通时的电压降。  尺寸:锗二极管的物理尺寸对于某些应用也是一个重要考量因素。  2.硅管和锗管的区别  尽管硅管和锗管都是半导体材料,但它们在一些方面存在显著区别:  材料特性:硅管比锗管更普遍,在许多应用中使用。硅管具有较低的功耗和较高的工作温度范围。  电学特性:锗管的导电性能优于硅管,因此在一些特定应用中,如高频应用,锗管可能更适合。  价格和稳定性:通常情况下,硅管比锗管便宜,且具有更好的稳定性和一致性。  反向饱和电压:锗管的反向饱和电压较硅管低,这在一些电路设计中具有优势。  锗二极管作为一种重要的半导体器件,其型号和参数决定了其在电路中的具体应用。在实际选型时需要结合具体需求进行选择。同时,与硅管相比,锗管在电学特性等方面有着明显的差异,合理选择器件能够有效提高电路性能和稳定性。
2024-11-21 11:53 阅读量:263
二极管的直流电阻和交流电阻的联系和区别
  二极管是一种常见的半导体器件,具有独特的电学性质。二极管的直流电阻和交流电阻是描述其在直流和交流电路中的特性的重要参数。本文将深入探讨二极管的直流电阻和交流电阻的联系和区别。  1.二极管的基本原理  二极管是由正负两种材料组成的半导体器件,具有正向导通和反向截止的特性。在正向偏置下,二极管会导通并具有很小的电阻;而在反向偏置下,二极管则处于高电阻状态。  直流电阻  二极管的直流电阻是指在稳定的直流工作条件下,通过二极管的电流与电压之比。直流电阻通常通过斜率差值法或微分法计算,在直流电路中对二极管的导通特性和功耗起着关键作用。  交流电阻  二极管的交流电阻是指在交流信号下,通过二极管的交流电流与电压之比。由于二极管的非线性特性,其交流电阻取决于交流信号的频率和幅值,对于高频应用尤为重要。  2.联系和区别  联系  共同点:二极管的直流电阻和交流电阻都反映了二极管在电路中的阻抗特性,对于电路设计和分析至关重要。  受温度影响:直流电阻和交流电阻都会受到温度变化的影响,二极管的电阻值随温度升高而减小。  区别  工作原理不同:直流电阻描述了二极管在直流电路中的电阻特性,主要考虑静态工作状态下的电阻值;而交流电阻则更多地考虑了动态工作状态下的电阻变化。  频率响应不同:交流电阻随着交流信号频率的变化而变化,呈现出非线性特性;而直流电阻相对稳定,不受频率影响。  应用环境:直流电阻通常用于静态电路分析和设计,交流电阻则更多地涉及到动态信号处理和高频电路设计。  3.应用举例  在整流电路中,直流二极管的低直流电阻能够有效地保证整流效果;  在调制解调器中,交流二极管的快速响应和低交流电阻有助于信号调制和解调。  二极管的直流电阻和交流电阻是描述其在直流和交流电路中特性的重要参数。通过深入理解二极管在不同工作条件下的电阻特性,可以更好地设计和优化电子电路,提高系统性能和稳定性。
2024-11-04 15:17 阅读量:389
LED发光二极管工作原理及检测方法
  LED(Light-Emitting Diode,发光二极管)是一种常见的半导体器件,被广泛用于指示灯、显示屏、照明和通信等领域。  1.LED的工作原理  LED是一种电子器件,其工作基于半导体材料在注入载流子时产生光电子效应。以下是LED的工作原理简要概述:  PN结:LED是由N型半导体和P型半导体构成的PN结构。当在PN结上加正向电压时,电子从N区向P区扩散,而空穴从P区向N区扩散。  载流子复合:当电子与空穴相遇时,它们发生复合并释放出能量,这些能量被转化为光子。这个过程称为辐射复合。  发光:光子在晶体中传播,并在PN结附近释放出可见光。根据半导体材料的不同,LED可以发出不同颜色的光。  选择材料:选择不同的半导体材料可以实现不同波长的发光,例如氮化镓(GaN)可实现蓝光LED。  2.LED的检测方法  LED的性能评估和质量控制需要准确且可靠的检测方法。以下是几种常见的LED检测方法:  1. 外观检测:是最简单和直观的LED检测方法。通过肉眼观察LED的表面是否平整、颜色是否均匀等来判断LED的品质。  2. 光电参数测试:使用光电参数测试仪器,例如光强计和色温计,来测量LED的亮度、色温、色坐标等参数,以确保LED的光学性能符合要求。  3. 电性能测试:使用万用表或特定的LED测试仪器,检测LED的电流、电压、功率等电性能参数,以确保LED在正常工作范围内。  4. 热耦合测试:LED的发光效率会受到温度的影响,因此进行热耦合测试,即在不同温度下测试LED的光电参数,有助于评估LED在不同环境下的性能稳定性。  5. 寿命测试:对LED进行寿命测试,模拟LED在长期使用中可能遇到的工作条件,以确定LED的使用寿命和稳定性。  6. 波长测试:使用光谱分析仪或波长测试仪器,测量LED发出的光的波长,以确保LED的色彩准确性和一致性。  LED作为一种高效、环保的照明和显示技术,在各种领域得到广泛应用。了解LED的工作原理和有效的检测方法,有助于确保LED产品的质量和性能,在工程设计和制造过程中发挥重要作用。
2024-07-04 10:03 阅读量:508
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。