高压大功率模块 || 适用于光伏储能等
士兰光伏储能模块产品,涵盖了工商业、组串电站、储能、集中式电站等领域,尤其在逆变器产品方面表现优异。传导损耗和开关损耗更低,更容易实现高频开关;带铜底板,有更好的散热能力。
使用场合:组串电站MPPT升压,面板单路电流60A。
电气特性:采用士兰5代中频950V IGBT,开关损耗小。
封装特性:采用士兰D3封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。
高压大功率模块 || 适用于新能源汽车等
士兰车规级模块用于混动和纯电汽车领域,功率范围覆盖30-200kW,具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级,在严苛环境条件下具有更高的可靠性。
使用场合:混动和纯电动汽车主驱。
电气特性:采用士兰高密度沟槽工艺IGBT芯片和自研FRD的六单元拓扑模块。
封装特性:采用士兰B3封装,采用绝缘DBC,pinfin铜基板散热。
高功率SiC器件 || 适用于光伏、汽车等
士兰微电子针对光伏、汽车等应用的高功率SiC产品系列具有更高的参数一致性,更低的失效不良率,从而满足高端客户需求。
SCDP120R013N2P48
SCDP120R013N2P48采用TO247-4L封装的1200V、13.5mΩ的SiC MOSFET基于士兰第二代平面工艺,提供了业界最低的开关损耗和最高的品质因素。适用于电动汽车的快速充电器和高压DC/DC转换器等场景。
SGTP140V120FDB7PW4
采用TO247P-4L封装的1200V、140A的IGBT基于士兰FS5+系列工艺,高功率密度的工艺使其额定电流达到140A,具有低导通损耗和开关损耗的特点。主要满足绿色低碳场景,如太阳能光伏,不间断电源等。
高能效IGBT器件 || 适用于白电、小家电等
士兰微电子致力于利用成熟的专业应用技术以及半导体产品系列,克服在最先进的系统中遇到的挑战,使洗衣机、冰箱和空调等高能耗设备成为过去。
SGTP50V60FD2PU
采用TO247-3L封装的600V、50A的IGBT基于士兰FS5+系列工艺,在开关和导通损耗之间实现完美平衡,显著改善了器件的动态与静态性能,同时具有优秀的抗电磁干扰能力。在家电领域广泛应用。
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MC33074DR2G | onsemi | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
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CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
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STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
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BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments |
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