三星电子日前表示,计划开始提供HBM3E样品,正在开发HBM4,目标2025年供货。据韩媒,三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示,计划开始提供HBM3E样品,正在开发HBM4,目标2025年供货。
他透露,三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF(非导电粘合膜)组装技术和HCB(混合键合)技术,以应用于该产品。
此外,三星还计划提供尖端的定制交钥匙封装服务,公司今年年初为此成立了AVP(高级封装)业务团队,以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。
行业机构预测,2023年HBM需求量将年增58%,2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比,HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势,可以加快AI数据处理速度,更适用于ChatGPT等高性能计算场景,因而备受青睐,存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。
虽然HBM4技术将有重大突破,但它的推出时间并不会很快,因此讨论其应用和普及还为时过早。业内人士指出,当前HBM市场主要以HBM2e为主,未来HBM3和HBM3e将成为主流。
据悉,HBM芯片是一种高带宽内存芯片,被广泛应用于高性能计算、数据中心、人工智能等领域。HBM芯片采用3D堆叠工艺,将多个DRAM芯片堆叠在一起,以实现更高的内存带宽和容量,同时减小了芯片面积,降低了功耗和成本。
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