安森美推出最新的第7代IGBT模块助力可再生能源应用简化设计并降低成本

发布时间：2024-06-12 13:21
作者：AMEYA360
来源：安森美
阅读量：461

　　近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截止第7代(FS7) IGBT 技术，带来业界领先的能效表现，有助于降低系统成本并简化设计。

安森美推出最新的第7代IGBT模块助力可再生能源应用简化设计并降低成本

　　应用于150千瓦的逆变器中时，QDual3模块的损耗比同类最接近的竞品少200瓦(W)，从而大大缩减散热器的尺寸。QDual3模块专为在恶劣条件下工作而设计，非常适合用于大功率变流器，例如太阳能发电站中央逆变器、储能系统(ESS)、商用农业车辆(CAV)和工业电机驱动器。目前，根据不同的应用需求有两种产品可供选择——NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG。

　　随着可再生能源采用率不断提高，对于高峰需求管理和持续供电保障等相关解决方案的需求也随之日益增长。要想维持电网稳定性和降低成本，就必须要削减电力需求高峰时段的用电量，即采取削峰填谷。利用QDual3模块，制造商可以在相同系统尺寸下，设计出发电和蓄电能力更强的太阳能逆变器和储能系统，提高能源管理效率，增强储存能力，从而更平稳地将太阳能电力并网到电网中。

　　此外，该模块还支持将多余的电力储存在储能系统中，能够有效缓解太阳能发电的间歇性问题，确保供电的可靠性和稳定性。对于大型系统应用，可以将这些模块通过并联来提升输出功率，达到数兆瓦级别。与传统的600A模块解决方案相比，800A的QDual3模块显著减少了所需模块的数量，极大地简化了设计复杂度并降低了系统成本。

　　QDual3 IGBT 模块采用800 A 半桥配置，集成了新的第7代沟槽场截止IGBT和二极管技术，采用安森美的先进封装技术，从而降低了开关损耗和导通损耗。得益于FS7技术，裸片尺寸缩小了30%，每个模块可以容纳更多的裸片，从而提高了功率密度，最大电流容量达到800 A 或更高。该800 A QDual3 模块的IGBT Vce(sat) 低至1.75V(175℃)，Eoff较低，能量损耗比最接近的替代方案低10%。此外，QDual3模块还满足汽车应用所要求的严格标准。

　　“随着卡车和巴士等商用车队的电气化程度提高，以及市场对可再生能源的需求增加，需要能够更高效地发电、储存及分配电力的解决方案。以尽可能低的功率损耗将可再生能源输送到电网、储能系统及下游负载正变得日益关键。”安森美电源方案事业群工业电源部副总裁Sravan Vanaparthy指出，“QDual3采用遵循行业标准的引脚排列，提供出色的能效，为电力电子设计师们提供了一种即插即用的解决方案，并即刻实现系统性能的提升。”

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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　　今日，安森美 (onsemi) 推出采用 F5BP 封装的最新一代硅和碳化硅混合功率集成模块 (PIM)，非常适合用于提高大型太阳能组串式逆变器或储能系统 (ESS) 的功率。与前几代产品相比，这些模块在相同尺寸下提供了更高的功率密度和效率，将太阳能逆变器的总系统功率从 300 kW提高到 350 kW。这意味着，使用最新一代模块的装机容量为一千兆瓦的大型太阳能发电场，每小时可实现近两兆瓦的节能效果，相当于每年为超过 700 户家庭供电。此外，要达到与上一代产品相同的功率，所需的模块数量更少，可将功率器件的元器件成本降低 25% 以上。　　由于太阳能发电的平准化能源成本 (LCOE) 最低，太阳能正日益成为全球可再生能源发电的首选。为了弥补太阳能发电的不稳定性，公用事业运营商也在增设大型电池储能系统 (BESS) ，以确保电网的稳定供能。为了支持这种系统组合，制造商和公用事业公司需要能够提供最高效率和可靠电力转换的解决方案。每提高 0.1% 的效率，对于每千兆瓦装机容量，每年可节省 25 万美元的运营成本。　　“作为一种依赖阳光的波动性能源，我们需要不断提高系统效率和可靠性，并采用先进储能解决方案，以确保全球电网在电力需求高峰期和非高峰期的稳定性和可靠性。”安森美电源方案事业群工业电源部副总裁 Sravan Vanaparthy 表示，“更高效的基础设施会促进采用，并确保随着更多太阳能发电设施的建成，减少能源浪费，推动我们在摆脱化石燃料的道路上不断前进。”　　F5BP-PIM集成了1050V FS7 IGBT和1200V D3 EliteSiC二极管，实现高电压和大电流转换的同时降低功耗并提高可靠性。FS7 IGBT 关断损耗低，可将开关损耗降低达 8%，而EliteSiC二极管则提供了卓越的开关性能，与前几代产品相比，导通压降 (VF) 降低了15%。　　这些PIM包含了一种创新的I型中点箝位 (INPC) 拓扑结构的逆变器模块和飞跨电容拓扑结构的升压模块。这些模块还使用了优化的电气布局和先进的直接铜键合 (DBC) 基板，以降低杂散电感和热阻。此外，铜基板进一步将结到散热片的热阻降低了9.3%，确保模块在重载下保持冷却。这种热管理对于保持模块的效率和使用寿命至关重要，使其在需要可靠和持续供电的苛刻应用中非常有效。
2024-08-28 14:54 阅读量：525
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