上海雷卯：MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥？

　　作为上海雷卯电子的一名资深工程师，我经常被问及MOSFET器件的参数计算问题。在本文中，我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ(结温)、TA(环境温度)和TC(外壳温度)。

　　1. MOSFET温度参数的重要性

　　在电力电子应用中，温度是影响MOSFET性能和寿命的关键因素。过高的温度会导致器件性能下降，甚至损坏。因此，了解和计算这些温度参数对于确保MOSFET器件的稳定运行至关重要。

　　2. 温度参数定义TJ、TA、TC

　　l TJ(结温)(Junction Temperature)：是指 MOSFET 芯片内部 PN 结的温度。它是 MOSFET 工作时所能承受的最高温度限制，超过这个温度可能会导致器件性能下降、损坏甚至失效。

　　l TA(环境温度)(Ambient Temperature)”，指 MOSFET 所处的周围环境的温度。

　　TC(外壳温度)Case Temperature)：MOSFET外壳表面的温度。 计算结温需要用到热阻参数，下面介绍热阻参数。

　　3. 热阻定义及计算

　　热阻(Rθ)是衡量热量传递难易程度的参数。

　　l 结到壳的热阻(RθJC)：表示从 MOSFET 的结(Junction)到壳(Case)的热阻。

　　l 壳到环境的热阻(RθCA)：表示从 MOSFET 的壳到周围环境的热阻。

　　l 结到环境的热阻(RθJA)：RθJA = RθJC + RθCA。

　　MOSFET 通常会给出结到壳(RθJC)、结到环境(RθJA)等热阻参数。热阻可以通过数据手册获取。

　　4. TJ、TA、TC 三个温度参数关系

　　TJ(结温)= TC(壳温)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC); 公式1

　　TC(壳温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(壳到环境的热阻 RθCA);公式2

　　代入公式1，综合可得：

　　TJ(结温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC + 壳到环境的热阻 RθCA)

　　其中功率损耗(Pd)主要由导通损耗和开关损耗组成。

　　导通损耗 = I² × Rds(on) (其中 I 是导通电流，Rds(on) 是导通电阻)

　　开关损耗的计算较为复杂，通常需要考虑开关频率、驱动电压等因素，并且可能需要参考 MOSFET 的数据手册提供的公式或曲线。

　　5.温度计算实例

　　以下为您提供几个 MOSFET 温度参数计算的实际案例：

　　例一：

　　一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.1Ω，导通电流 Id 为 10A，结到环境的热阻 RθJA 为 50°C/W，环境温度 TA 为 25°C。首先计算功率损耗：P = Id²×RDS(on) = 10²×0.1 = 10W

　　然后计算结温：TJ = TA + P×RθJA = 25 + 10×50 = 525°C

　　例二：

　　另一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.05Ω，导通电流 Id 为 5A，结到壳的热阻 RθJC 为 2°C/W，壳到环境的热阻 RθCA 为 30°C/W，环境温度 TA 为 20°C。

　　先计算导通损耗：P = Id²×RDS(on) = 5²×0.05 = 1.25W

　　由于热阻是串联的，总热阻 RθJA = RθJC + RθCA = 2 + 30 = 32°C/W结温 TJ = TA + P×RθJA = 20 + 1.25×32 = 60°C

　　例三：

　　某 MOSFET 在高频开关应用中，开关损耗为 5W，导通损耗为 3W，结到环境热阻 RθJA 为 60°C/W，环境温度 TA 为 30°C。

　　总功率损耗 P = 5 + 3 = 8W

　　结温 TJ = TA + P×RθJA = 30 + 8×60 = 510°C

　　6.结论

　　通过上述计算，我们可以看到，MOSFET的结温可能达到非常高的水平。一般来说，MOSFET 所能承受的最高结温是有限制的，在设计和使用时，需要确保结温不超过这个极限值，因此，设计合适的散热方案和监控温度是至关重要的。作为上海雷卯电子的工程师，我们始终致力于提供高性能的MOSFET器件，并为客户提供准确的参数计算指导，以确保器件的长期稳定运行。

　　请注意，本文中的计算仅为示例，实际应用中应根据具体的器件参数和工作条件进行计算。上海雷卯电子提供的器件数据手册和技术支持将帮助您更准确地进行温度参数的计算和评估。

　　雷卯电子专业为客户提供电磁兼容EMC的设计服务，提供实验室做摸底免费测试，为客户高效，控本完成设计，能快速通过EMC的项目，提高产品可靠性尽力。