增强型和耗尽型MOSFET之间的区别是什么

发布时间：2024-07-04 10:17
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：539

　　在现代电子领域中，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种关键的器件，被广泛用于数字集成电路、模拟电路和功率电路中。其中，增强型和耗尽型MOSFET是两种常见类型，它们在工作原理、特性以及应用方面存在着明显的区别。

增强型和耗尽型MOSFET之间的区别是什么

　　1. 增强型MOSFET

　　增强型MOSFET是一种N沟道或P沟道MOSFET，在没有栅极电压的情况下，处于截止状态。当栅极电压施加到增强型MOSFET上时，会形成一个导电通道，使得器件能够导通电流。主要特点包括：

　　需要正向栅压：增强型MOSFET需要在栅极上施加正向电压，才能形成导电通道。

　　高输入阻抗：由于没有直接的电流流过栅极，增强型MOSFET具有较高的输入阻抗。

　　用途广泛：在数字集成电路和大多数应用中，增强型MOSFET是最常用的器件之一。

　　2. 耗尽型MOSFET

　　耗尽型MOSFET在没有栅极电压的情况下是导通的，而当施加负向栅极电压时，会在沟道中形成势垒，使其截止导通。耗尽型MOSFET的特点包括：

　　需要负向栅压：耗尽型MOSFET需要在栅极上施加负向电压，才能实现截止导通。

　　低输入阻抗：由于栅极上的电流会直接影响器件导通状态，耗尽型MOSFET通常具有较低的输入阻抗。

　　适用于某些特定应用：耗尽型MOSFET通常用于一些特殊场合，如功率放大器和特定模拟电路。

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　　3.区别总结

　　1. 工作状态不同：

　　增强型MOSFET：需正向栅压激活。

　　耗尽型MOSFET：无需栅极电压即可导通，需要负向栅压来截止导通。

　　2. 输入阻抗不同：

　　增强型MOSFET：具有高输入阻抗。

　　耗尽型MOSFET：具有低输入阻抗。

　　3. 应用范围不同：

　　增强型MOSFET：在数字集成电路和大多数应用中普遍使用。

　　耗尽型MOSFET：通常用于功率放大器等特殊应用。

　　无论是在数字电路设计还是在模拟电路方面，深入了解它们的特性可以帮助工程师更好地优化系统性能，并确保所选器件符合特定应用的要求。

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2023-02-13 10:40 阅读量：1160
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　　今天,Ameya360给大家介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。　　功率晶体管的特征与定位　　首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。因为接下来的几篇将谈超级结MOSFET相关的话题，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基础上，根据其特征和特性对使用区分有个初步印象。　　下图表示处理各功率晶体管的功率与频率范围。可以看出，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件下，高速工作表现更佳。　　平面MOSFET与超级结MOSFET　　Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面MOSFET和超级结MOSFET。简而言之，就是在功率晶体管的范围，为超越平面结构的极限而开发的就是超级结结构。　　如下图所示，平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高时，漂移层会增厚，存在导通电阻增加的课题。而超级结结构是排列多个垂直PN结的结构，可保持耐压的同时降低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷量Qg。　　另外，内部二极管的反向电流irr和反向恢复时间trr是作为晶体管的关断开关特性的探讨项目。如下面的波形图所示，基本上超级结MOSFET的PN结面积比平面MOSFET大，因此与平面MOSFET相比，具有trr速度更快、但irr较多的特性。　　这种特性作为超级结MOSFET的课题在不断改善，因其高速性和低噪声特征，超级结MOSFET有一些变化。从下篇开始，将介绍每种变化的特征。
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