AMEYA360代理品牌 | 罗姆功率半导体产品概要!

Release time:2025-01-14
author:AMEYA360
source:罗姆
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  1. 前言

  近年来,全球耗电量逐年增加,在工业和交通运输领域的增长尤为显著。另外,以化石燃料为基础的火力发电和经济活动所产生的CO2(二氧化碳)排放量增加已成为严重的社会问题。因此,为了实现零碳社会,努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。

  在这种背景下,罗姆致力于通过电子技术解决社会问题,专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体,并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念,介绍为构建应用生态系统做出贡献的罗姆功率半导体以及相关的举措。

  2. 市场需求和罗姆的举措

  近年来,随着电动汽车、能量收集等众多领域用电量的快速增长,对于各类应用中配备的电源系统,要求实现高效率化、小型化、轻量化等性能提升。因此,要求功率半导体也要具有更高的性能和更强的严苛环境适用性。具体而言,就是要具备高速开关性能、低损耗和出色的散热性能等特性。同时,功率半导体的应用范围也在不断扩大,需求量也与日俱增。

  多年来,罗姆在功率半导体领域积累了丰富的专业经验和技术实力,其中包括于全球首家*实现了SiC(碳化硅) MOSFET的量产。另外,预计相关产品的市场需求会进一步扩大,罗姆也在不断开拓新的产品领域,比如将作为下一代半导体与SiC同样备受关注的GaN(氮化镓)产品投入量产。下图1中列出了罗姆功率半导体对应的功率容量(纵轴)和工作频率(横轴)范围。长期以来一直被用作半导体材料的Si(硅),其相应的功率半导体包括“EcoMOS™”和“EcoIGBT™”。另外,新一代半导体SiC元器件“EcoSiC™”覆盖需要超高耐压和高速开关的领域;而GaN器件“EcoGaN™”则覆盖需要超高速开关的领域。罗姆将这四大产品群统称为“Power Eco Family”,并通过助力提高应用产品的性能来为构建应用生态系统做出贡献。下面将按品牌分别进行介绍。

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  *截至2025年1月 罗姆调查数据

  3. 组成“Power Eco Family”的四大品牌

  3-1. 关于EcoSiC™

  EcoSiC™是采用了因性能优于Si而在功率元器件领域备受关注的SiC的元器件品牌。

  罗姆自2010年在全球率先实现SiC MOSFET的量产以来,已经自主开发了从SiC晶圆制造到元器件结构、制造工艺、封装和品质管理方法等SiC元器件所需的各种技术。另外,罗姆还提供各种形式的SiC元器件,其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模块。不仅如此,为满足SiC市场不断扩大的需求,罗姆于2023年开始生产8英寸衬底,并计划从2025年开始量产并销售相应的元器件。在日本宫崎县国富町新建的宫崎第二工厂中,一部分生产线已正式进入试作稼动阶段。该工厂通过收购另一家公司以前的工厂建筑以及无尘室,实现了快速有效的投资,还获得了日本经济产业省的支持。罗姆正在通过这些努力,不断增强满足快速增长的SiC市场需求的能力。

  在车载设备领域,xEV牵引逆变器对SiC的需求增长最快,SiC产品在其中的应用加速。例如,2024年8月,吉利的高端电动汽车品牌“ZEEKR”的牵引逆变器采用了罗姆的裸芯片。另外,罗姆还专注于模块开发,推出了非常适合驱动牵引逆变器的封装型SiC模块TRCDRIVE pack™。TRCDRIVE pack™实现了业界超高的功率密度,有助于逆变器的小型轻量化,法雷奥的下一代逆变器已经计划采用(图2)。综上所述,罗姆的EcoGaN™因具备业界先进的元器件技术、灵活的商业模式和稳定的供应体系等优势,而获得了客户高度好评,并已斩获全球130多家公司的Design Win(赢得设计)。

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  在工业设备领域,罗姆还面向PV逆变器(太阳能发电逆变器)、EV充电桩、DC-DC转换器等应用积极扩展产品阵容。目前正在开发1,500V系统用的2kV耐压SiC MOSFET,并计划继续增强对高电压工业设备应用的支持力度。关于SiC SBD,罗姆已经拥有650V~1,700V分立或裸芯片的产品阵容,相关产品不仅在光伏逆变器应用中被广泛采用,在电动汽车充电桩的PFC单元等应用中也已被越来越多地采用。此外,在工业设备领域,罗姆还正在加速建立向模块制造商提供SiC裸芯片的商业模式,例如,加强与赛米控丹佛斯在车载设备和工业设备领域的合作,并已经开始为其提供SiC和IGBT裸芯片。

  在产品开发方面,罗姆正在进行下一代即第5代SiC MOSFET开发,计划于2025年发布。与当前第4代产品相比,第5代在高温条件下工作时的导通电阻预计会降低约30%,有助于进一步提高效率。另外,罗姆还通过缩短下一代产品的开发周期,来快速响应市场变化并满足市场需求。

  ・适用应用示例

  工业设备:光伏逆变器、UPS(不间断电源)、EV充电桩、DC-DC转换器

  车载设备:牵引逆变器、辅助逆变器、OBC(车载充电器)、DC-DC转换器

  ・EcoSiC™相关页面

  EcoSiC™产品介绍页面

  https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices

  EcoSiC™相关的新闻稿一览

  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=SiC

  3-2. 关于EcoGaN™

  EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆 GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。该品牌不仅包括GaN HEMT单品,还包括内置控制器的、搭载了GaN的 IC等产品。另外,EcoGaN™旨在成为“易用的GaN器件”,并促进GaN在各种应用中的使用。这有助于应用产品实现高效率工作,进而为实现无碳社会做出贡献。

  2022年罗姆的第一个EcoGaN™产品系列150V耐压GaN HEMT实现量产,2023年实现业界超高器件性能(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss)的650V耐压GaN HEMT投入量产。该产品已经被台达电子旗下品牌Innergie的“C4 Duo”、“C10 Duo”等AC适配器采用,为AC适配器的小型化和高效率工作做出了贡献。

  与Si器件相比,GaN器件可以提高应用产品的效率并实现电感器和散热器件等的小型化,但其栅极驱动很难,而且处理难度之高已成为阻碍其普及的一个障碍。罗姆不仅提高了GaN HEMT单品的性能,还致力于将其与融入罗姆擅长的模拟技术优势的LSI相结合,实现“易用的GaN”。将650V耐压GaN HEMT和栅极驱动器等元器件一体化封装的Power Stage IC(SiP:System in Package)“BM3G0xxMUV-LB”就是第一款根据该理念开发并实现量产的产品(图3)。该产品可轻松替换现有的Si MOSFET,而且可使器件体积减少约99%,功率损耗减少约55%。未来,罗姆还计划开发采用超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”的GaN驱动用控制器IC等产品,通过普及“易用的GaN器件”,为进一步提高电源效率贡献力量。此外,罗姆还计划将配备功率因数校正电路(PFC)的Power Stage IC和配备半桥电路的产品投入量产,预计到2026年,罗姆将可以提供集GaN HEMT、栅极驱动器IC和控制器IC于一体的综合解决方案。另外,在EcoGaN™特设页面(英文)中,会发布包括正在开发中的产品在内的最新EcoGaN™解决方案信息。

  预计GaN器件市场将在本世纪20年代后半期快速增长,并有望被广泛用于车载领域的OBC等应用。在车载GaN器件的开发和量产方面,罗姆计划通过各种举措,比如与台积(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited,TSMC)建立合作伙伴关系、灵活利用代工厂和OSAT,来加快推出车载GaN器件的速度。

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  ・适用应用示例

  工业设备:服务器电源、基站电源

  消费电子:AC适配器(USB充电器)、无线路由器

  车载设备*:OBC(车载充电器)、DC-DC转换器

  *车载设备用的产品目前正在开发中,计划于2026年发布。

  ・EcoSiC™相关页面

  EcoGaN™产品介绍页面

  https://www.rohm.com.cn/products/gan-power-devices

  EcoGaN™相关的新闻稿一览

  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=GaN

  EcoGaN™特设页面(英文)

  https://www.rohm.com/support/gan-power-device

  ・“Nano Pulse Control™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  3-3. 关于EcoIGBT™

  EcoIGBT™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的IGBT,是包括器件和模块在内的品牌名称。目前,IGBT的性价比优于SiC MOSFET,因此在注重成本的大功率应用和不要求小型化的应用中,其需求量依然很高,罗姆预计未来IGBT市场将会继续扩大,因此正在推进相关的技术开发。

  罗姆于2010年开始IGBT的研发,并于2012年开始量产。目前,已经在包括日本滋贺工厂在内的多个生产基地实施生产。2024年,罗姆推出了最新一代(第4代)IGBT产品——1,200V耐压的“RGA系列”(图4)。该产品实现了业界超高特性,与以往产品相比,功率损耗减少了35%,短路耐受时间提高到10μs,因此已被车载电动压缩机和工业逆变器等应用采用或考虑采用。另外该产品已经被用于赛米控丹佛斯的电源模块。

  对于IGBT而言,优化特定应用所需的特性非常重要。例如,汽车空调的电动压缩机用的产品注重短路耐受能力,光伏逆变器等用的产品则需要减少开关损耗。罗姆为了很好地平衡这些产品特性,正在根据应用需求对器件结构和杂质浓度等进行精细调整,以设计出满足客户需求的产品。未来,罗姆计划推出650V耐压的“RGE系列”和“RGH系列”等新产品,以满足众多应用(比如车载OBC、光伏逆变器等工业设备和空调等消费电子产品)的需求。另外,罗姆还致力于开拓将IGBT和栅极驱动器IC相结合的IPM(智能功率模块)市场,通过功率损耗和噪声更低的产品,增强在IPM市场的竞争力。

  罗姆也已经着手开发第5代IGBT,目标是在2026年到2027年发布相关新产品。第5代产品不是现有技术的延伸,而是旨在通过采用新的器件结构来进一步提高性能。关于IGBT市场,虽然有SiC元器件普及所带来的影响,但罗姆认为工业设备和车载设备为主的市场将会持续增长,因此计划在未来继续扩大EcoIGBT™的产品阵容。

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  ・适用应用示例

  工业设备:工业逆变器、工业机器人

  消费电子:空调、冰箱、洗衣机

  车载设备:车载电动压缩机、辅助逆变器、车载HV加热器、OBC(车载充电器)

  ・EcoSiC™相关页面

  EcoIGBT™产品介绍页面

  https://www.rohm.com.cn/products/igbt

  EcoIGBT™相关的新闻稿一览

  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=IGBT

  EcoIGBT™快速搜索页面(场截止结构的产品)

  https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt#easyPartFinder

  3-4. 关于EcoMOS™

  EcoMOS™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的耐压600V以上的Si MOSFET,是包括器件和模块在内的品牌名称。EcoMOS™采用的是在保持耐压能力的同时可降低导通电阻(RDS(ON))并减少栅极电荷(Qg)的超级结(Super Junction)技术。

  EcoMOS™适用于冰箱、电动汽车充电桩和服务器电源等众多应用。由于这些产品有很多参数(比如重视噪声性能或开关性能等不同性能的参数),罗姆提供的产品阵容中产品丰富,客户可以根据应用需求灵活选择。例如,与普通产品相比,开关损耗减少约30%且实现了低噪声特性的“R60xxRNx”系列,非常适用于冰箱和换气扇等注重噪声性能的小型电机驱动应用。另外,存在权衡关系的反向恢复时间(trr)和导通电阻(RDS(ON))同时得到改善、开关损耗比普通产品低约17%的“R60xxVNx”系列,非常适用于处理大功率的电动汽车充电桩和服务器等的电源电路,以及日益普及的变频空调等的电机驱动应用(图5)。

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  ・适用应用示例

  工业设备:电动汽车充电桩、光伏逆变器、服务器

  消费电子:空调、冰箱、换气扇

  ・EcoMOS™相关页面

  EcoMOS™产品介绍页面

  https://www.rohm.com.cn/products/mosfets/high-voltage?DrainSourceVoltage_num=600.0%7C650.0%7C800.0%23videoAndCatalogData

  EcoMOS™相关的新闻稿一览

  https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=Super%20Junction

  Super Junction MOSFET特设页面

  https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet

  4. 结语

  本文介绍了组成“Power Eco Family”的四大品牌。罗姆对每一个品牌都非常注重产品开发速度、应用产品设计过程中的支持体系强化以及稳定供应等,并会考虑合作生产和联合开发等方式。通过助力应用产品的节能和小型化,为减少全球的耗电量和产品用材量贡献力量;并通过与所有利益相关者共同扩大“Power Eco Family”,为创建应用生态系统做出贡献(图6)。

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罗姆适配 800VDC 20~33kW 级电源单元的全套产品解决方案
  承接前文,AI 服务器向 + 800V/±400VDC 高压直流架构升级,推动核心部件电源单元(PSU)向更高功率、更高效率、更高功率密度方向发展,对半导体器件的耐压、低损耗、小型化等特性提出严苛要求。罗姆针对 800VDC 20~33kW 级电源单元,打造了覆盖电源侧架与 IT 机架的全套产品解决方案,充分发挥 SiC/GaN/Si 各功率元器件的技术特点,精准匹配 AI 服务器高压架构的供电需求,以下为核心方案详情。  适用800VDC 20~30kW级电源单元的解决方案简介  *SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  本方案针对 AI 服务器 800VDC 架构的理想功率转换拓扑设计,核心围绕高效率与高功率密度两大关键指标,为电源侧架、IT 机架不同功率转换环节定制化搭配拓扑结构与元器件,充分发挥 SiC/GaN/Si 的各自技术优势。  高效率:各电源模块效率达 99% 以上 *(仅计算功率元器件损耗)*(行业标准值为系统效率 97% 以上)  高功率密度:现行 PSU 标准为 100W/in³,而采用 GaN 产品的服务器机架电源可达到 246W/in³  AI 服务器供电架构分为电源侧架(Power Source)与服务器机架(IT 机架),机架母线为 800V DC,经电源侧架、IT 机架功率转换后,输出 50VDC 或 IBV 至计算单元托盘,具体解决方案如下表:  注:SIM 基于 PLECS® 仿真,仅计算功率元器件损耗,不含电抗器等外围元器件的损耗  电源侧架用的 PFC+DC/DC 模块  SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  通过业界超低 RonA、扩展栅极偏置电压,助力实现更高效率(功率损耗降低 30%)  第 5 代 SiC 产品将高温条件下的 RonA(导通电阻)降低约 30%,支持 AI 服务器所要求的在高温环境及高负载工况下的低损耗运行  负栅极电压偏置额定值(Vgsn)范围扩大,可支持推荐关断驱动电压 - 5V(Vgsn 直流额定值为 - 7V)的工作条件  罗姆的 SiC 开发路线图中,功耗损耗比较(第 4 代 vs 第 5 代)显示,导通损耗与开关损耗(关断损耗)相加的总损耗相比第 4 代减少约 30%,效率 SIM * 最多降低 33%。  仿真条件:Vin=800VDC、Vout=800VDC、Pout=33kW、Ta=100°C、Cr=220nF、Lr=7.3µH、Lm=73µH、Fsw=125kHz  IT 机架用的 DC 模块  SIM:PLECS®,仅功率元器件,不含电抗器等外围元器件的损耗  隔离型三相 LLC 拓扑解决方案  IT 机架电源用解决方案,确保 AI 处理器、通信、散热空间成为重要课题,需考虑到功率效率和功率密度进行电源系统设计  将 800VDC 转换为 50V(IBV)的隔离型 DC-DC 转换器  采用三相隔离型 LLC 拓扑  一次侧:推荐使用第 4 代 SiC  推荐产品 SCT4011KR/KRG/KQ  最大额定电压 1200V,ID TBD,导通电阻 11mΩ  封装:TO247-4L/TO247HC-4L/QDPAK  背景:可实现高速开关(100kHz)的 SiC MOSFET,采用表贴型功率封装器件可实现小型化  效率 SIM * 达 99% 以上 (~125kHz)  二次侧:推荐使用以下 Si MOSFET  推荐产品 RSS7 系列:RS7N200CH  最大额定电压 80V,ID 295A,1.43mΩ,DFN5060-8S  RSJ2 系列:RJ2N17BCH  最大额定电压 80V,ID 450A,0.86mΩ,TOLL-pkg  背景:推荐适用于 50V 输出电压的 80V LV Si MOSFET,采用表贴型功率封装器件可实现小型化  提升功率效率需采用搭载 SiC 元器件的功率解决方案,利用高耐压和低导通电阻(Ron)优势,有效降低开关损耗。  针对高功率密度的 GaN 解决方案  搭载高功率密度 GaN 产品的级联隔离型 LLC  功率密度:7.8W/cc (129W/in³),LLC 开关频率 100kHz,尺寸:40mm×91mm×700mm  通过将开关频率提升至 500kHz,实现变压器等外围元器件的小型化,通过级联结构分担一次侧和变压器的电流,可提高效率  功率密度:15W/cc (246W/in³),LLC 开关频率 500kHz,尺寸:40mm×55mm×605mm  行业标准功率封装产品部署  提供行业标准封装产品群,通过与英飞凌合作实现通用设计和稳定供应,并提升表面散热和模块性能。  针对不同拓扑电路搭配对应封装模块:  Vienna 双向开关电路:DOT-247 共源 2 in 1 × 3pcs  PSU 隔离型三相 LLC 一次侧:DOT-247 半桥 2 in 1 × 3pcs  HSDIP20 隔离 顶部散热 六合一模块  PSU 隔离型三相 LLC 二次侧:DOT-247 半桥 2 in 1 × 6pcs  罗姆功率封装产品阵容 * 摘录(开发中,其他封装请另行咨询),含与英飞凌合作开发的封装及罗姆原创封装,SiC 产品专用模块封装为 DOT-247,封装类型分为插装型与表贴型,具体适配如下:  同时罗姆拥有 SiC 产品用的顶部散热平台 TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual、H-DPAK(H=2.3mm)。  以上为罗姆针对 800VDC 20~33kW 级电源单元从拓扑设计、核心器件到封装部署的全套解决方案,解决了 AI 服务器高压架构下电源侧架与 IT 机架的功率转换、效率及密度难题。而完整的 AI 服务器供电系统,还需要热插拔控制器(HSC)保障设备插拔过程的安全稳定,后续将为大家详细介绍罗姆 AI 服务器热插拔控制器(HSC)用的全套产品解决方案。
2026-03-20 16:41 reading:238
AI 服务器扛不住了!电力瓶颈迫在眉睫,罗姆携 800VDC 方案破局
  当下AI的应用越来越广,从日常的智能问答到大企业的数据分析、算力运算,背后都离不开AI服务器的支撑。但随着算力需求一路飙升,AI服务器也遇到了一个核心难题——耗电量太大,传统供电架构根本跟不上。  在2025深圳媒体交流会上,全球知名半导体企业罗姆深度解读了AI服务器市场的最新变化,点出当前行业的电力痛点,还指明了+800V/±400VDC高压直流架构是解决这一问题的关键。今天我们就来聊聊,AI服务器的电力难题到底有多严重,行业又为何集体选择升级到800VDC架构。  AI服务器功耗翻几倍,电力成了算力“拦路虎”  别看AI用起来方便,背后的AI服务器可是十足的“电老虎”。和我们常见的通用服务器比起来,两者的耗电量完全不是一个量级。  根据罗姆的实际调研数据,一台通用服务器的功耗大概在600W,而一台AI服务器的功耗直接冲到了3000W,是通用服务器的5倍还多。现在各大数据中心都在批量部署AI服务器,这些“电老虎”同时运行,让数据中心的电力消耗呈几何级增长,而耗电量激增带来的连锁影响,也开始全面显现:  电力损耗增加:需要能够提供低电压、高输出功率的大电流。电缆内的电阻损耗导致能源浪费和发热量增加,这意味着大量电力在传输过程中被白白消耗,不仅不划算,还会进一步加剧发热问题;  物理限制:一方面需要承载大电流的粗重铜质电缆,占用大量数据中心空间;另一方面电缆和电源插座、线缆的重量与体积大幅增加,让数据中心的空间、重量承压能力达到极限,传统架构实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题,电源插座、线缆等也必须彻底改进;  散热设计压力:电力消耗和功率损耗会直接转化为热能,海量AI服务器运行产生的高热量,迫使数据中心必须构建高效的液体冷却系统,否则设备易因高温宕机,而液体冷却系统的部署和运维成本也随之攀升;  可扩展性的极限:以往的架构要实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题,电源插座、线缆等也需要改进,无法适配未来AI服务器算力持续提升的需求,扩容难度和成本大幅增加;  运营成本增加:数据中心运营成本中近六成是电费,耗电量增加和功率损耗导致的成本上升,直接让企业的长期运营压力翻倍,电力成本成为数据中心最主要的支出项之一。  电力供应不仅关系着数据中心的运营成本,更直接影响AI算力的释放——如果供电跟不上,再强的算力也无从发挥。如何让电力更高效地支撑AI运算,成了整个行业都要解决的问题。  GPU功耗一路猛涨,传统服务器机架摸到了“天花板”  AI服务器的高功耗,核心原因在它的“心脏”——GPU(图形处理器)。作为AI运算的核心部件,GPU的功耗正以肉眼可见的速度飙升,直接让传统的服务器机架扛不住了。  从英伟达的产品发展路线就能清晰看到这个趋势:GPU的热设计功率(简单说就是芯片的功耗上限),从之前H100的700W,涨到B200的1200W、B300的1400W,未来还会突破3600W。而且为了跟上AI算力的需求,英伟达还把GPU的升级周期从两年缩短到了一年,算力提升的同时,功耗压力也跟着翻倍。  功耗飙升带来的问题一连串:传统架构要给GPU供大电流,就得用粗重的铜电缆,不仅占空间、增加数据中心的重量,还让硬件成本大幅上升;电缆传输大电流时,会因为电阻产生损耗,既浪费电能,又会发热,让数据中心的散热难题雪上加霜。  说到底,传统的低电压供电方式,已经跟不上GPU的功耗增长了,服务器机架的空间、电力承载能力都到了极限,供电架构升级已经迫在眉睫。  行业达成共识!800VDC高压架构成最优解  面对这个绕不开的电力难题,全球科技企业都在找解决办法,而+800V/±400VDC高压直流架构,成了大家公认的最优解。  这个架构的推出,背后有两大重量级阵营推动:一边是微软、Meta、谷歌等企业联合发起的开放计算项目,提出了±400VDC的标准;另一边是英伟达主导的800VDC标准,两大阵营一起定下了下一代AI服务器的供电核心方向。  为什么800VDC能解决传统架构的痛点?核心就是它有五大优势,从效率、成本、扩展性等方面全方位优化,精准破解了耗电量激增带来的各类问题:  1.扩容更轻松,从100kW到1MW无缝衔接  基于800VDC架构,数据中心不用大规模改造原有电力设施,就能实现从100kW到1MW以上的机架功率部署,完美突破传统架构的可扩展性极限,不管是现在的AI服务器,还是未来更高算力的设备,都能适配,实现无缝扩容。  2.效率更高,端到端电力利用率提升5%  和目前主流的54V供电系统比,800VDC架构的端到端效率能提升5%。别看只是5%的提升,在海量AI服务器长期运行的情况下,能大幅降低电缆电阻带来的电力损耗,减少发热量,同时省下大量电能,大幅降低数据中心的能耗成本。  3.减少铜材使用,省钱又减损耗  800VDC架构能显著降低数据中心骨干网的电流,对应的电缆就能更细,直接减少了铜材的使用量,降低硬件成本;同时电流变小,电缆的电阻损耗也会减少,从根源上缓解能源浪费和发热问题,不用再依赖超粗的铜质电缆,也解决了数据中心的空间与重量问题。  4.更可靠,破解散热与维护的麻烦  传统的服务器机架电源,为了防止停机,往往要多装备用模块,不仅占空间,还得频繁维护、更换故障模块;800VDC架构可以把功率转换模块移到机架外,从根本上解决机架内的散热难题,无需构建复杂的液体冷却系统,同时降低了运营成本中电费的占比,在成本和长期可靠性之间找到最优平衡。  5.适配未来,能支撑超高功率机架  800VDC架构从设计之初,就瞄准了未来1MW超高功率机架的需求,为后续AI算力的持续提升预留了充足的空间,不用因为算力升级再反复改造供电架构,也能轻松应对未来更高功率密度的部署需求。  明日预告电源单位迎升级,半导体厂商迎来新挑战  AI服务器向800VDC架构升级,直接带动了核心部件电源单元(PSU)的高电压化变革,这也给半导体制造商带来了新的市场需求和技术挑战。  从目前的情况来看,主流的电源单元功率是5.5kW/个,一层机架能到33kW;升级后的产品已经涨到12kW/个,一层机架72kW;而随着800VDC架构落地,下一代电源单元会全面贴合新的行业规范,朝着更高功率、更高效率、更小体积的方向发展。  这对半导体器件的要求也变得更高:需要能扛住800VDC高压、适配大电流,同时还要耗电少、开关速度快、体积小。简单说,AI服务器的供电升级,本质上是半导体技术的比拼,谁能做出适配800VDC架构的核心器件,谁就能抓住行业机遇。  后文预告  800VDC高压架构的升级浪潮已经来了,半导体厂商该如何接招?罗姆作为功率半导体领域的老牌企业,早已提前布局,不仅推出了适配800VDC20~33kW级电源单元的全套解决方案,还和头部电源厂商深度合作,甚至推出了专属的热插拔控制器产品。  接下来,我们就来详细说说,罗姆到底拿出了哪些硬核技术,破解AI服务器的供电难题,成为行业升级的核心助力!
2026-03-20 16:39 reading:232
锚定全球赛道:罗姆的核心优势与中长期发展战略!
  作为一家创立于1958年的老牌半导体巨头,罗姆(ROHM)这几十年在行业里的存在感一直超强。不管是新能源汽车的“动力心脏”,还是AI服务器的算力底座,甚至是咱们日常用的消费电子,都能看到它的身影。  在国内市场,AMEYA360作为核心电子元器件分销平台,早已将罗姆列为重点代理品牌,让国内广大客户能更便捷、高效地获取罗姆的优质产品与专业技术支持。那么在竞争白热化的半导体行业,罗姆究竟凭什么长期稳坐第一梯队?  01 罗姆的核心优势  先看罗姆的优势,其实可以分成 “前端服务能力” 和 “后端坚实后盾” 两部分,每一点都戳中了行业的核心需求。  前端服务能力:  以客户为导向的服务能力是其核心特色,既能深入挖掘客户需求、提供高价值定制化解决方案,也凭借快速响应速度适配市场变化;同时,尖端技术实力为其赋能,既拥有助力解决社会难题的开发能力,也通过持续创新积累了成熟的制造实力。  后端坚实后盾:  IDM垂直整合模式:从设计、晶圆制造到封装测试全链条自己掌控,不用看别人脸色。既能严格把控产品品质,保证供货稳定不缺货,又能快速推进技术创新,比如 SiC 器件从衬底优化到量产,全程自己把控效率拉满。  整合技术实力:靠专业复合型人才团队,跨领域协同破解客户痛点。不是单纯卖元器件,而是给“一站式方案”,比如把功率器件和模拟IC结合,帮客户降低系统设计难度。  功率电子+模拟技术壁垒:六十多年的技术积累,形成了独有的技术体系和知识库。在SiC、GaN这些宽禁带半导体领域,技术优势特别突出,这是别人短期内很难追上的。  02 罗姆的发展战略  基于深厚的核心优势,罗姆确立了“核心突破+多元拓展”的中长期发展战略,以功率电子与模拟技术为底层根基,锚定全球功率与模拟半导体领域的领先目标稳步推进。战略核心层面,罗姆将汽车领域视为核心增长引擎,重点布局xEV 用隔离型栅极驱动器、第5/6代SiC MOSFET及SiC功率模块等产品,精准契合新能源汽车电动化、智能化发展趋势,持续强化在车载半导体领域的市场竞争力。  同时,罗姆同步强化工业设备、消费电子及服务器等业务板块,构建均衡发展的产品组合:在工业领域,聚焦FA/机器人用电机驱动器、激光二极管等产品,适配工业自动化与智能制造需求;在消费电子与服务器领域,推出适配高功率场景的Si/SiC MOSFET、家电用IPM等产品,覆盖高端算力与日常消费电子场景,有效分散单一市场波动风险。  此外,罗姆将感测领域的光学元器件业务列为下一代核心业务支柱,重点发力LiDAR用激光二极管、半导体继电器用VCSEL等产品,深度挖掘自动驾驶、工业检测等新兴应用场景的增长潜力。在产品落地层面,罗姆采用“增长-发展-创新”的分层推进策略:增长层聚焦成熟高需求产品,快速兑现市场价值;发展层拓展潜力品类,培育中长期增长动能;创新层研发48V系统电源管理LSI、Solist-AI微控制器等前沿技术,以技术迭代驱动产业升级。依托与AMEYA360等核心分销平台的合作,罗姆的技术与产品得以高效触达中国市场,为本土电子产业的数字化、电动化转型提供核心支撑。  03 总结  能在半导体行业的激烈竞争中站稳脚跟,罗姆靠的正是前端服务与后端技术的双重硬实力,以及清晰的“核心突破 + 多元拓展”发展布局。从贴合客户需求的定制化服务,到IDM模式、核心技术构筑的深层壁垒,再到锚定汽车赛道、布局多板块、培育新支柱的精准战略,每一步都踩准了产业发展的节奏。  而借助与AMEYA360的合作,罗姆也让优质的产品和技术更高效地触达国内市场,持续为本土电子产业的升级添力。相信凭借深厚的技术积淀与前瞻的布局,罗姆未来在全球功率与模拟半导体领域,还将持续释放更多价值。
2026-03-17 10:19 reading:255
罗姆半导体亮相AI PowerDC算力供电创新论坛 硬核电源方案赋能绿色AI服务器发展
  当前AI算力需求爆发式增长,数据中心供电向高效化、绿色化升级,800V高压直流架构渗透率提升,SST等核心技术加速迭代,行业面临技术革新与标准完善的双重需求。 基于此2026年4月25日“AI PowerDC 算力供电创新技术国际领军者论”将在深圳湾万丽酒店顺势召开,聚焦行业核心痛点,搭建技术交流与合作对接平台。  全球知名半导体制造商罗姆半导体(ROHM)重磅亮相本次论坛,公司技术专家苏勇锦将于A会场11:20-11:50,发表题为《ROHM Power The Future of ECO AI Server》的主题演讲,深度解读AI服务器供电痛点,分享前沿电源技术解决方案,彰显罗姆在高端算力供电领域的核心技术实力。  AI 硬件的急速成长,带来了数据中心对电力设施前所未有的负荷压力。Server Rack 单位消耗功率由数十~数百kW 向MW 级别的规模扩展,现有的48VDC 配电系统,以达到其物理性的、经济性的极限。为解决这一历史性的课题,包括HVDC电源架构等的技术变革正在发生。如何让AI服务器电源系统更节能,更高效,更智能,成为各大电源厂家和半导体厂家的目标和方向。罗姆半导体做为全球知名半导体制造商,充分利用常年以来积累的功率器件和模拟器件的技术经验,为AI服务器提供包括SiC,GaN,Si-MOS,DrMOS,模拟IC等电源解决方案,助力AI服务器向更加ECO的未来发展!  4月25日AI算例论坛概要  名称:AI PowerDC算力供电创新技术国际领军者论坛  ■主办:21世纪电源网  ■ 会场:深圳湾万丽酒店  ■ 时间:2026年4月25日  ■ 地址:广东省深圳市南山区粤海街道科技南路18号  ■交通:9号线高新南站A出口步行3分钟  赞助企业
2026-03-12 17:50 reading:324
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