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AMD：AI芯片供应紧张至<span style='color:red'>2025</span>年

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AMD：AI芯片供应紧张至2025年

　　AMD 7月30日(周二)预测第三季度的收入将超过市场预期，预计其人工智能(AI)芯片的需求将保持强劲，其股价在盘后交易中上涨了7%。　　AMD受益于大型云运营商购买公司的AI和其他芯片。一些人将AMD视为英伟达的替代品。Meta平台和微软都是AMD MI300系列AI芯片的客户。　　AMD CEO Lisa Su在周二晚些时候的电话会议中表示，公司将其2024年AI芯片收入预测从之前的40亿美元提高到45亿美元。Su表示，这类芯片的供应将一直紧张到2025年。　　AMD预测第三季度的收入为67亿美元，正负3亿美元，超出LSEG数据中分析师平均估计的66.1亿美元。　　在调整后的基础上，AMD预测第三季度的毛利率约为53.5%，与53.6%的估计相比。　　AMD第二季度本季度总收入增长了9%，达到58亿美元，超过了57.2亿美元的估计。　　其中，AMD最大部门数据中心的收入飙升115%至28亿美元，略高于27.9亿美元的预估。　　作为PC芯片的最大供应商之一，AMD还受益于个人电脑市场在经历了多年来最严重的衰退后的复苏。新的计算机AI功能正在重振消费者需求。　　在第二季度，AMD报告PC芯片的收入为15亿美元，超出市场估计的14.3亿美元。

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发布时间：2024-07-31 09:34 阅读量：814 继续阅读>>

英特尔2nm芯片量产计划推迟至<span style='color:red'>2025</span>年下半年

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英特尔2nm芯片量产计划推迟至2025年下半年

　　据业界近日指出，位于美国亚利桑那州的英特尔Fab52晶圆厂原计划于2024年年底开始商业化生产2nm制程芯片，但现在看来，该工厂可能无法按时实现这一目标。预计该工厂将推迟量产2nm制程芯片，最早可能要到2025年下半年才能实现。　　4月15日，英特尔发布全球十大建设项目回顾，包括美国、爱尔兰、以色列和德国的新晶圆厂，以及马来西亚和波兰的封装和测试设施。此前，美国商务部正式确认英特尔将获得85亿美元的补贴。　　英特尔官方表示，Fab52工厂和Fab62工厂的混凝土上层结构已经完工。2023年12月，施工团队完成了Fab52工厂的一个重要里程碑，即混凝土层浇筑，作为工厂地基。到目前为止，施工人员共浇筑了43万立方米混凝土，相当于填满了132个奥林匹克规格的游泳池。　　此外，施工团队也已开始在Fab52工厂安装自动化物料处理系统(AMHS)，以提升物资运输效率。　　据悉，台积电位于亚利桑那州的晶圆厂于2021年6月开工，2022年12月完成首批设备安装。然而，最新的进展表明，该工厂的外部建设尚未完成，因此2024年投产的预期恐无法达成。台积电已将在美工厂量产4nm芯片的计划推迟至2025年上半年，这给英特尔带来了追赶的契机。　　英特尔在4月财报电话会议上表示，该公司“5年4个节点”的路线图仍在按计划进行，Intel 3工艺已经达到“生产就绪”阶段，下一个节点Intel 20A仍计划于2024年如期推出。

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英特尔

发布时间：2024-04-23 11:30 阅读量：755 继续阅读>>

安森美韩国工厂扩建完工预计<span style='color:red'>2025</span>年产量达100万片

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安森美韩国工厂扩建完工预计2025年产量达100万片

　　碳化硅器件是电动汽车(EV)、能源基础设施和大功率EV充电桩中进行功率转换的关键器件。市场对这些产品的需求迅速增长，使得对SiC芯片的需求激增。　　近日，安森美宣布，其位于韩国富川的先进碳化硅(SiC)超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片200 mm SiC晶圆。　　安森美表示，在可预见的未来，SiC芯片将供不应求，而富川晶圆厂的扩建解决了市场对增产的迫切需求，使其能够持续为客户提供供应保证。为了支持 SiC 产能的提升，安森美计划在未来三年内雇佣多达 1,000 名当地员工来填补大部分高技术职位;相比目前的约 2,300 名员工，人数将增加 40% 以上。　　据悉，安森美已经累计签订不少于6项的长期供货协议，包括在6月份与纬湃科技(Vitesco)的19亿美元为期10年的SiC器件供货协议，与博格华纳(BorgWarner)至少10亿美元的长期供货协议，以及与8家光伏逆变器厂商的19.5亿美元长期供货协议。　　为了满足市场需求，该公司于5月份宣布将投资20亿美元，以扩大其现有工厂规模，目标是在2027年占据全球汽车SiC芯片市场40%的市场份额。

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安森美

发布时间：2023-10-26 09:30 阅读量：1782 继续阅读>>

三星计划于<span style='color:red'>2025</span>年推出新一代内存HBM4

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三星计划于2025年推出新一代内存HBM4

　　三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。　　他透露，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF(非导电粘合膜)组装技术和HCB(混合键合)技术，以应用于该产品。　　此外，三星还计划提供尖端的定制交钥匙封装服务，公司今年年初为此成立了AVP(高级封装)业务团队，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。　　行业机构预测，2023年HBM需求量将年增58%，2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而备受青睐，存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。　　虽然HBM4技术将有重大突破，但它的推出时间并不会很快，因此讨论其应用和普及还为时过早。业内人士指出，当前HBM市场主要以HBM2e为主，未来HBM3和HBM3e将成为主流。　　据悉，HBM芯片是一种高带宽内存芯片，被广泛应用于高性能计算、数据中心、人工智能等领域。HBM芯片采用3D堆叠工艺，将多个DRAM芯片堆叠在一起，以实现更高的内存带宽和容量，同时减小了芯片面积，降低了功耗和成本。

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三星

发布时间：2023-10-13 09:20 阅读量：1415 继续阅读>>

有消息称台积电欧洲新厂推迟两年最快<span style='color:red'>2025</span>年建厂

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有消息称台积电欧洲新厂推迟两年最快2025年建厂

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发布时间：2023-02-20 09:58 阅读量：2700 继续阅读>>

小鹏汽车称目标在 <span style='color:red'>2025</span> 年经营利润转正

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小鹏汽车称目标在 2025 年经营利润转正

据Ameya360电子元器件采购网报道，小鹏汽车内部举办了年度总结会。小鹏汽车董事长何小鹏表示，小鹏汽车的目标是在下一个五年里，2025 年经营利润转正。具体来看，2025 年最低综合毛利率达 17%，年度研发投入达百亿级别。　　同时，小鹏汽车目标在 2027 年销量达 120 万，全自动驾驶汽车里会达到 30% 左右的市场份额。　　海外市场方面，小鹏汽车计划 2023 年推出两款海外车型，2024 年推出第三款海外车型，2025 年推出的海外车型目前正在讨论中。　　据了解到，何小鹏今年 1 月 1 日曾表示，开始进入下一个五年，也是全自动驾驶时代。何小鹏此次称小鹏汽车将积极探索软件跟新商业模式，“下一个五年是全自动驾驶，再下一个五年是无人驾驶时代，小鹏汽车计划让软件贡献更多的利润。”　　数据显示，小鹏汽车 2022 年累计交付量为 120,757 台，同比增长 23%。截至 2022 年 12 月 31 日，芯闻路1号了解到小鹏汽车历史累计交付量已达到 258,710 台。　　此外，小鹏汽车宣布，自 2023 年 1 月 17 日 14:00 起启动 G3i / P5 / P7 的新年新价格体系，降幅在 2 万-3.6 万元之间。同时，公告发布前一年内订购了 G3i / P5 / P7 的首任车主，小鹏汽车也将同步予以新春回馈，包括整车质保延长至 10 年 / 20 万公里，并赠送 4 年基础保养。

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小鹏汽车

发布时间：2023-01-31 10:17 阅读量：2356 继续阅读>>

罗姆SiC功率半导体产能将增加6倍力求在<span style='color:red'>2025</span>年度成为全球市占龙头

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罗姆SiC功率半导体产能将增加6倍力求在2025年度成为全球市占龙头

报道，日本IDM大厂罗姆（Rohm）计划，2025年前，要将碳化硅（SiC）功率半导体的营收扩大至1000亿日元以上；罗姆将投资最多1700亿日元，要让碳化硅功率半导体的产能增加至2021年时的6倍。报道显示，6月8日，罗姆在日本福冈县筑后市举行碳化硅功率半导体专用生产厂房启用仪式。罗姆社长松本功表示，要以新厂房为起点，目标在2025年度成为全球市占龙头。这也是首度有日本半导体制造商，在日本国内盖碳化硅功率半导体的专用厂房。在新厂房的启用仪式上，松本功表示，将切实地实施先行投资、同时提升生产能力，来拿下全球第一的位子，正在考虑1200亿日元到1700亿日元之间的投资。他还指出，未来要在日本福冈实施进一步的投资。据了解，目前，罗姆有在日本福冈、宫崎两县的半导体工厂，运用6吋晶圆来生产碳化硅功率半导体。其中，位在福冈的新厂房，将从今年12月投入量产，生产能力将向上提升，并计划2025年之前开始利用8吋晶圆展开量产。

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罗姆

发布时间：2022-06-15 09:16 阅读量：2951 继续阅读>>

产能增加10-15%：太阳诱电提出了<span style='color:red'>2025</span>年的目标

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产能增加10-15%：太阳诱电提出了2025年的目标

　　在电子产品日趋小型化的如今，MLCC作为小尺寸、大容量的电容器，时常成为电子工程师茶余饭后的焦点。纵观近年来的消息，MLCC的价格波动具有影响整个行业的力量。　　公开资料显示，电容器主要包括陶瓷电容、铝电解电容、钽电解电容、薄膜电容等，其中陶瓷电容就占据了市场份额的43%。陶瓷电容根据结构可以分为单层陶瓷电容、有引线多层瓷介电容器、片式多层瓷介电容器（MLCC）。由于MLCC的一系列优良特性，MLCC几乎占据了陶瓷电容市场的大部分。　　MLCC为什么这么火？数据显示，未来手机MLCC的用量将达到1000-1100颗，而平均每台电动车需要用到1.7万颗到1.8万颗。手机和电动汽车从来都是电子元器件的“纷争之地”，如此之大的用量成为MLCC急速扩张的先决条件。　　提到MLCC，就不得不提到太阳诱电这家公司，其MLCC技术一直以来都是行业先进的。日前，一次采访中太阳诱电向记者透露其“中期经营计划2025”，并重点介绍其在中国市场的战略和规划。　　持续研发扩大产能，追求更深的社会价值　　“太阳诱电作为自1950年成立，拥有71年技术沉淀的公司，销售额和营业利润逐年上升”，太阳诱电株式会社营业部本部长、执行董事渡边敏幸告诉记者，2020年财年公司取得了销售额3000亿日元、营业利润408亿日元的成绩，相比前一年提升了15%以上。根据他的预测，2021年财年销售额有望达到3330亿日元，营业利润达到550亿日元。　　另外，太阳诱电还预测，MLCC的需求将持续扩大，到2025年需求将扩大到目前的1.6倍，未来将活用从材料开始研究的优点，专注于最尖端、高品质的MLCC。产能增加目标为年10~15%，持续对设备及生产效率最优化进行投资。　　“公司达到一定的规模以后，不只是要追求经济价值，社会价值也是非常重要的，所以我们中期的目标主要是以经济价值和社会价值这两个方面为重点”，渡边敏幸为记者介绍其“中期经营计划2025”中的四点措施。　　其一，商品战略方面，将成立多个核心产品线，不仅要进一步促销多层陶瓷电容器（MLCC），还要强化电感器和射频元器件，使其成为核心业务。打造以高端商品、高可靠性商品为中心的高附加值电子元件。　　目前，从具体产品销售额占比来说，太阳诱电的电容器增长非常迅速，已占到总销售额的65%。而其中复合设备主要包括陶瓷滤波器和FBAR/SAW滤波器，占总销售额的16%；铁氧体及应用产品主要包括电感器和降噪元件，占总销售额14%。　　其二，市场战略方面，将平衡各方面比重，使重点市场（汽车＋信息基础设施和工业设备）的销售额占比达到50%。　　目前，从销售途别来看，刚刚成立时太阳诱电以消费电子为主，经过多年发展，目前汽车和信息基础设施、产业设备占比逐年上升。具体从数据来说，2020财年汽车已占总销售额19%，信息基础设施、产业设备已占总销售额24%。　　其三，财务战略方面，将不断增强能力，以满足日益扩大的电子元件需求，同时充实股东回报，实现30%的稳定的股息支付率。　　其四，社会价值方面，提出ESG的数值目标，加快落实措施，提高社会价值。注：ESG中分别对应（E）气候变化对策、（S）安全第一、健康经营和工作方式改革、（G）提高经营质量。　　针对以上4个重点战略，太阳诱电还提出了在经济层面要实现的目标。渡边敏幸告诉记者，2025年要做到4800亿日元这一销售额，营业利润达到15%以上。与此同时，GHP有害气体排放量到2030年要减少25%，废气用水量到2025年要减少10%，另外还要继续优化网点职能，实现工作方式改革多样性。　　“未来5年我们计划进行3000亿日元的设备投资。包括日本、韩国、中国、马来西亚、菲律宾，这是我们最主要的生产基地，未来几年也同样是投资的重点”，渡边敏幸告诉记者，太阳诱电预定重点投资MLCC不断增强能力；对于电感器、射频元器件，以畅销品目为重点，显著增强能力；同时进行环保设备投资、IT投资、营造安全舒适的职场所需的投资。　　从自主研发材料开始，不断研发新技术　　MLCC是太阳诱电最为著名的产品，但实际上这家公司生产产品种类非常丰富。据了解，除了陶瓷电容器，太阳诱电还拥有电感器、噪音对策元器件、陶瓷滤波器、FBAR/SAW器件、储能元件（电容器）、高可靠性用途产品组、高可靠性铝电解电容。　　为什么太阳诱电的MLCC能够取得如此佳绩？根据太阳诱电(深圳)电子贸易有限公司销售部科长赵鹏的解释，这一切都是从自主研发的材料技术开始的。“太阳诱电是以材料技术、积层技术为中心的商品展开，运用高超的技术能力，供应高端电子元器件，支持5G、汽车电动化等技术进步，主要的产品有多层陶瓷电容器、陶瓷滤波器、压电振动片、全固态电池以及多层型金属系功率电感器。”　　在材料技术、薄膜成型技术、积层技术、电极技术加持之下，太阳诱电MLCC整体厚度仅0.064毫米，比名片还要薄，同时可以做到008004这样的小尺寸（0.25x0.125mm）；面对汽车和工业设备，能够在保持小尺寸下在150℃下使用；另外，太阳诱电能够做到1000μF的大容量。　　除了MLCC，太阳诱电提供不同规格的电容器产品，包括大型电力的电容器、导电性高分子混合铝电解电容器、全固态锂离子电池、超级电容及锂离子电容器。赵鹏为记者解释，这些产品可以分别应用于汽车、信息基础设施、智能手机、可穿戴设备、工业设备等领域。其中ELNA公司在2019年1月成为太阳诱电的全资子公司，主要生产销售汽车专用的铝电解电容器。　　在电容器产品战略方面，赵鹏表示，太阳诱电预测 2020年到2025年，MLCC的需求量会成长约1.6倍，公司会充分发挥业界一流的技术实力，注重高附加自区域。太阳诱电MLCC具有高可靠性、小型化、大容量及生产网点分散的优势，公司将扩大需要高超技术能力的高性能智能手机、汽车、信息基础设施和工业设备专用产品的销售额。另外，随着汽车的电动化，导电性高分子混合铝电解电容器需求不断扩，将会充分利用太阳诱电集团销售网扩大销售。　　在电感器产品战略方面，赵鹏表示，太阳诱电在金属功率电感器会发挥竞争优势。公司拥有片状式的电感器、绕线电感器产品，其中将会着重扩大太阳诱电独家的多层加金属的MCOIL MC系列产品，该系列拥有多层结构、小型化、超薄化、复合化、大电流、高效率、高耐热的优势，能够应用于手机、互联网、汽车、信息基础设施等领域和用途。　　在射频元器件产品战略方面，赵鹏表示，全新的元件技术（TLSAW）和封装技术（HPDP）都将成为满足5G发展不可或缺的需求，能够赋能产品低损耗、带宽、陡度以及薄型和高可靠性。另外，在销售渠道上也是多样化的，未来也将面向更多的领域。凭借传统技术和专有新技术，太阳诱电将提供5G解决方案，直面5G器件的技术课题。　　当然，电感器和射频器件上，太阳诱电的优势也是从材料做起，集中材料和工艺的优势，做出有竞争力的产品，这是太阳诱电的公司方针。　　在中国市场根植25年，将为中国客户做出更大贡献　　“太阳诱电销售在日本本土销售占比只有10%，90%都是在日本海外销售。特别是中国，是太阳诱电非常重要的市场，其中一半以上是在中国销售。另外，中国工厂也是太阳诱电重要的生产基地。今后，将对中国客户做出更大贡献”，渡边敏幸如是说。　　太阳诱电在中国市场的故事要从1994年开始说起，太阳诱电（深圳）电子贸易有限公司董事长池田靖为记者介绍，彼时公司在广东省东莞市成立了MLCC、电感器工厂，至今该公司已经生产了25年以上了，现有员工约4700人。除此之外，太阳诱电分别于2002年、2004年在上海和深圳设立销售公司，于2007年在苏州成立了中国总部投资公司。　　“我们公司特别关注中国及亚洲市场”，池田靖为记者“秀”出一张图片，全球33个销售网点中其中17个网点均在中国及亚洲，并配备FAE和技术人员负责客户的跟进和支持。另外，太阳诱电每年三次参展中国国内大型展会，包括慕尼黑上海电子展、中国国际汽车展览会、慕尼黑华南电子展。除此之外，考虑到国内客户获取信息正在逐渐走向新媒体形式，也在中国进行每周公众号更新和各种在线研讨会的举办。　　中国是目前MLCC最大需求市场之一，加之5G技术快速发展，太阳诱电将以5G为起点，为满足半导体的高可靠性以及小型化的需求，继续致力于MLCC小型化、大容量化、高可靠性的开发。　　在汽车、5G及云电源市场迅猛增长之下，太阳诱电已认识到中国市场在新领域广阔的前景。公司将通过提供最尖端的产品，来对新领域的成长做出贡献，丰富人们的生活。

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太阳诱电

发布时间：2022-05-10 10:06 阅读量：3752 继续阅读>>

中国工程院院士吴汉明：摩尔定律预计将走到<span style='color:red'>2025</span>年

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中国工程院院士吴汉明：摩尔定律预计将走到2025年

10 月 14 日，由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办的第三届全球 IC 企业家大会暨第十八届中国国际半导体博览会(IC China2020)在上海开幕。中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明发表了题为《集成电路产业发展的趋势》的开幕演讲。吴汉明表示，目前市场上 20 纳米以上的工艺节点占 82%的产能，在这些工艺节点上，我国有巨大的创新空间和市场空间，因此国内企业需要加大对这些工艺节点的研发力度。吴汉明指出，我国集成电脑产业发展注定艰难，尤其是芯片制造工艺，挑战极为严峻。产业发展除了需要巨大资金投入和人才缺口以外，还面临着战略性壁垒和产业性壁垒。前者主要是巴统和瓦森纳协议对中国半导体产业的限制，后者主要是世界半导体领域的龙头企业早期布置的知识产权，对中国半导体这样的后来者形成专利护城河。今天，摩尔定律仍然在支撑着 5G、人工智能等新技术的发展，但是其中的关键技术遇到了材料、器件物理性能局限、光刻等瓶颈。工艺面临的三大挑战包括，制造基础的光刻技术、核心的新材料和新工艺以及良率提升这个终极挑战。以光刻技术为例，193nm 光刻支撑了过去时代工艺的发展，进入 7nm 以后，EUV 光刻开始成为关键，但它目前仍面临光源、光刻胶和掩膜版等方面的难题需要解决。比如掩膜版，过去掩膜的整体产率约 94.8%，但 EUV 仅 64.3%左右，而且比复杂光学掩膜还贵 3 到 8 倍。尽管业界已经在研究纳米压印、X 光光刻、电子束直写等先进光刻技术，但是距离投入使用，吴汉明估计还要 3 年以上。“随着工艺节点演进，摩尔定律越来越难以持续，预计将走到 2025 年。”吴汉明预测，“在这些挑战下，新材料、新工艺将是未来成套工艺研发的主旋律。” 吴汉明表示，从 22nm 开始可以就被视为后摩尔时代，基础研究将支撑后摩尔持续发展，可以划分以下为四类技术方向。逻辑器件技术发展则呈现出三个趋势：　　一是结构方面。目标是增加栅控能力，以实现更低的漏电流，降低器件功能功耗。实现手段包括由平面结构转为立体，三维晶体管技术（如 FinFET 等）成为主流器件技术；二是材料方面。目标是增加沟通的迁移率，以实现更高的导通电流和性能。实现手段包括沟道构建材料由硅变为非硅并成为主流，如 Ge、三五族高迁移率沟通材料、GeSi 源 / 漏应变材料等；三是集成方面。类似平面 Nand 转向 3D NAND 闪存，未来的逻辑器件也会从二维集成技术走向三维堆栈工艺。　　此外，后摩尔时代将呈现出市场碎片化的特点，中小企业商机大，创新空间巨大。“在 20 纳米以下节点，先进产能仅占 12%，20 纳米以上节点还有巨大的市场和空间可以创新。”但是需要重视的是，从各国研发经费分配来看，我国与世界先进国家的差距仍然很大，尤其在基础研究领域，大部分研发停留在试验阶段，难以产生革命性的创新。吴汉明强调，当前还有很多核心领域的国产芯片占有率均为 0，国产替代趋势下将迎来历史性机遇。与此同时，产业链各环节全球化不可逆转，国产化将得到广泛认可。吴汉明表示，目前 20 纳米以上的技术节点占据了市场上 82%的产能。尤其是成熟工艺，在这些工艺节点上我国有巨大的创新空间和市场空间，因此这些工艺节点是国内企业需要大力发展的。在这方面，去年国内的占有率达到 30%，今年的数据会好于去年。吴汉明认为，芯片产业是全球化的，从材料的提供，芯片的制造、封装，到最后的应用，每一个环节都不是孤立的。“材料主要在日本，制造和封装主要在中国台湾和中国大陆，因此，集成电路要脱离全球化发展是不可能的。”吴汉明说。吴汉明强调，我国集成电路产业发展注定艰难, 尤其是芯片制造工艺，面临的挑战极为严峻。为此，他提出五点建议：一是，加强应用基础研究，鼓励原始创新，突出颠覆性技术创新。增加在新材料、新结构、新原理器件等基础问题上的研发投入。二是，加强集成电路关键共性技术研发工作，聚焦围栅纳米线等新器件、极紫外光刻等新工艺研发，打通 nm 级集成电路生产关键工艺，为制造企业提供支撑。三是，从国家层面进行产业生态建设。系统、科学地规划和布局，遵循“一代设备、一代工艺、一代产品”的发展规律，加大材料、装备、关键工艺支持力度。四是，积极推进微电子学科教育建设。坚持产教融合，针对集成电路制造技术多学科高度融合这一特点，加强集成电路人才培养。五是，产业发展依循内循环结合外循环发展，坚持全球化发展。

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吴汉明 IC企业中国国际中国工程院院士摩尔定律

发布时间：2020-10-15 00:00 阅读量：1794 继续阅读>>

中国芯片自给率<span style='color:red'>2025</span>年要达到70%

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中国芯片自给率2025年要达到70%

8月20日，央视财经消息，国务院近日印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。数据显示，2019 年我国芯片的进口金额为 3040 亿美元，远超排名第二的原油进口额。不过该数字较 2018 年进口额减少了 80 亿美元，同比下降 2.6%。据国务院数据显示，中国芯片自给率要在 2025 年达到 70%。有业内人士认为，国产芯片也处于加速发展状态，芯片产业在政策扶持下有很大的国产替代空间，芯片产业将继续高速发展。 2020 年我国集成电路行业销售收入有望突破 9000 亿元。

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芯片

发布时间：2020-08-20 00:00 阅读量：1475 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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