静态电流＜20μA！<span style='color:red'>ARK</span>（方舟微）高压集成稳压器，集成温度补偿与高耐压！（上）
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静态电流＜20μA！ARK（方舟微）高压集成稳压器，集成温度补偿与高耐压！（上）

　　01 产品简介　　ARK(方舟微)基于专利MOSovp®技术，推出AKZ16V18R、AKZ25V19R和AKZ35V20R三款高压集成稳压器(HVIR)，专为宽输入电压场景设计。该系列产品静态电流均低于20μA，集成温度补偿电路，具备优异的温度特性和高可靠性。通过内部集成的高耐压N沟道耗尽型MOSFET，实现快速瞬态响应和高效浪涌抑制，可为负载提供稳定的电压输出与过压保护。　　产品提供SOT-23(0.5W)、SOT-89(1.0W)和SOT-223(1.5W)等多种封装，适配不同功率与布局需求，尤其适用于空间受限的紧凑型设计。　　02 产品特性　　▲超高耐压：全面覆盖宽电压输入场景　　· AKZ16V18R：输入电压0～180V　　· AKZ25V19R：输入电压0～190V　　· AKZ35V20R：输入电压0～200V　　▲高稳定性：输出电压波动小，具备优异的温度特性(参见图示温度曲线)。　　▲快速响应：内部集成耗尽型MOSFET，可快速箝位瞬态高压，有效抑制浪涌。　　▲高可靠性：工作温度范围-40℃至150℃，满足工业级应用要求。　　▲多封装选项：SOT-23(0.5W)、SOT-89(1.0W)、SOT-223(1.5W)，适配不同功率与散热需求。　　03 应用领域　　▲快充系统：如QC2.0/3.0/4.0、USB Type-C PD快充中为PWM IC供电。　　▲工业控制：传感器电源稳压与保护。　　▲汽车电子：车载充电器电路。　　▲光伏系统：低压辅助电源稳压。　　▲家用电器：空调、冰箱等高压电源模块的稳压设计。
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发布时间：2026-01-30 14:57 阅读量：264 继续阅读>>
<span style='color:red'>ARK</span>方舟微丨DMZ(X)0622E：70V耗尽型MOSFET，一颗替代“三极管+齐纳+电阻”，高压辅助电源优选
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ARK方舟微丨DMZ(X)0622E：70V耗尽型MOSFET，一颗替代“三极管+齐纳+电阻”，高压辅助电源优选

　　产品简介　　DMZ(X)0622E是ARK(方舟微)推出的70V N沟道耗尽型MOSFET，在0615基础上将阈值电压再提升一档：VGS(OFF) 典型–22V(–25V~–19V)，可以钳位18V~23V输出，完全覆盖QC4.0/Type-C PD3.1快充、工业24V总线、伺服驱动等高压辅助电源需求。SOT-23与SOT-89两种封装，一颗器件替代“三极管+齐纳+电阻”三元组。　　产品特性　　· 产品类型：N沟道耗尽型MOSFET。　　· 超高阈值电压：-25V≤VGS(OFF)@ID=8μA≤-19V。　　· 输入耐压： BVDSX≥70V。　　· 导通电阻：RDS(on)(MAX)≤15Ω。　　· 饱和电流：IDSS≥120mA　　QC4.0/Type-C快充 PWM IC 供电　　Ø采用三极管+齐纳二极管+电阻的传统供电电路　　图2为Type-C PD充电器的示意图。其中采用三极管、电阻、齐纳二极管等组成电压调节器，给PWM IC的VCC供电。由于充电器的输出电压较宽，可达3.3-20V，因此偏置绕组的输出电压变化范围也较大。在充电器输出较高电压时，齐纳二极管击穿，将电压钳位，给VCC提供稳定的电压。此方案采用较多元件，增加BOM成本和PCB面积，占用较多的宝贵空间，同时耗能较多，降低能效。　　Ø采用DMZ(X)0622E的新型供电电路　　成都方舟微电子有限公司利用其专有技术开发的具有超高阈值电压(超高关断电压)的耗尽型MOSFET DMZ(X)0622E，仅用此一个器件就实现了宽电压输入电压调节器的功能。对追求极致最小尺寸的充电器或适配器的设计工程师，是一个理想的选择。此方案不仅节约空间及面积，而且更加节能。图3是DMZ(X)0622E在Type-C PD充电器的典型应用电路。　　图3中的双极型晶体管、齐纳二极管及限流电阻网络可被单颗耗尽型MOSFET DMZ(X)0622E直接取代，从而在减少元器件数量的同时显著压缩PCB占用面积，并降低整体BOM成本。　　启动阶段由耗尽型MOSFET DMZ6005E负责：当充电器接入市电并开始工作后，辅助绕组随即建立电压并向PWM IC供电;此时DMZ6005E自动关断，将通路电流降至漏电流级别，使系统待机功耗大幅降低。DMZ6005E的详细技术资料可在ARK(方舟微)官网获取。　　电流/电压源　　Ø 电流/电压源　　DMZ(X)0622E可用作电流或电压源，为负载提供电力，如图4所示。　　输出电压Vout由负载RL、电流ID以及VGS(关断状态)决定：　　ID=IDSS*(1+ID*RL/VGS(OFF))2　　其中：ID*RL=-VGS=Vout　　由上述关系可见，耗尽型MOSFET工作于亚阈值区(弱反型区)，其输出电压Vout始终被限制在略低于或接近于栅-源截止电压VGS(OFF) 的电位，且与输入电压Vout的变化无关。因此，器件除为后级IC提供工作电源外，还利用VGS(OFF)实现主动钳位，有效抑制输入瞬态或负载突变引起的电压、电流波动，对IC起到次级保护作用。DMZ(X)0622E最高可承受70V输入，Vin与Vout的关系满足以下公式：　　If Vin<∣VGS(OFF)∣, then Vout≈Vin　　If Vin≥∣VGS(OFF)∣, then Vout≤VGS(OFF)　　DMZ(X)0622E是ARK(方舟微)基于其专利工艺开发的超高阈值耗尽型功率MOSFET。器件关断电压VGS(OFF)分布在−19V至−25V之间，可为反激变换器中的PWM IC等负载提供足够的栅-源驱动电压。　　由于VGS(OFF)呈工艺正态分布，不同批次器件的钳位电压存在差异。图6给出了VGS(OFF)最高(−19V)与最低(−25V)两颗样品的输出电压Vout随结温Tj变化的曲线，表明 Vout的钳位值会随温度及VGS(OFF)漂移而相应变化。　　图7和图8分别展示了DMZ(X)0622E的输出电压Vout与负载电流IRL以及结温TJ的关系特性，这两款MOSFET的VGS(OFF)分别为，最高-19V，最低-25V。
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发布时间：2026-01-27 13:24 阅读量：298 继续阅读>>
<span style='color:red'>ARK</span>方舟微丨60V耗尽型MOSFET新选择！：低压大电流场景的“效率+小型化”双解方案——DMZ0642
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ARK方舟微丨60V耗尽型MOSFET新选择！：低压大电流场景的“效率+小型化”双解方案——DMZ0642

　　1、选型推荐　　耗尽型 MOSFET 的选型，关键看 “击穿电压(BVDSX)、导通电阻(RDS(on))、饱和电流(IDSS)、封装大小” 四大维度;ARK方舟微这两款产品针对不同低压场景做了精准差异化，先看核心参数对比：　　2、产品介绍　　产品外观　　应用领域　　· 固态继电器：DMZ0642 可作为固态继电器的核心开关元件，实现电路的无触点通断控制。相比传统机械继电器，它具有响应速度快、寿命长、抗干扰能力强等优点，广泛应用于工业自动化、智能家居等领域。　　· 过压保护电路：耗尽型MOSFET典型的过压保护/稳压输出电路方案，通过选择合适的稳压二极管Vz，即可将高电压转换为稳定的低电压。　　· 启动电路：在开关电源(SMPS)中作为启动元件，为IC提供初始工作电流，启动完成后自动退出电路，系统功耗极低。　　· 电源转换器与线性稳压器：在DC-DC转换器、线性稳压器中作为功率调节元件，支持高效率电能转换。　　· 电流调节器、有源负载：在电流调节和有源负载电路中，DMZ0642能够稳定地调节电流大小，为电路提供稳定的电流输出。其良好的线性度可使负载获得稳定的电流，避免因电流波动对负载造成影响。　　· 点火模块与安全系统: 适用于汽车电子、安防设备中的高压点火、触发或保护电路。　　3、应用方案　　固态继电器(SSR)设计　　使用光驱动器和耗尽型MOSFET可用于创建常闭固态继电器。图1显示了两个外部DMZ0642(Q1/Q2)耗尽型场效应管的典型连接，它们以背对背的方式排列，形成AC/DC开关。光驱动器具有内部关断电路，因此不需要外部泄放电阻。　　过压保护电路应用方案　　图2所示为耗尽型MOSFET典型的过压保护/稳压输出电路方案，通过选择合适的稳压二极管Vz，即可将高电压转换为稳定的低电压。输出电压最大值VOUT与稳压二极管的稳压值Vz和耗尽型MOSFET的阈值电压VGS(OFF)有关，可近似为VOUT(MAX.)≈Vz + |VGS(OFF)|，其中VGS(OFF)为耗尽型MOSFET在对应电流下的阈值电压。当输入电压低于稳压二极管的稳压值Vz时，MOSFET低阻直通，输入电压仅在耗尽型MOSFET的沟道电阻上有较小压降，当有过压信号输入时，MOSFET会将输出电压钳位至VOUT(MAX.)，其余高电压被耗尽型MOSFET的D-S承担。该电路结构简单，能有效抑制瞬态浪涌，为负载电路提供过压保护。　　4、典型参数及实测　　典型参数特性　　DMZ0642的转移特性曲线对于工程师设计电路具有重要参考价值。例如，从转移特性曲线中可以看出，在特定的栅源电压下，对应的漏源电流大小。这有助于工程师根据实际需求，精确选择合适的工作点，以实现电路的最佳性能。在电流调节器应用中，通过参考转移特性曲线，工程师可以确定在不同负载电流需求下，所需的栅源电压，从而准确调节 DMZ0642 的导通程度，实现稳定的电流调节。　　产品参数实测　　5、知识小茶馆　　耗尽型 MOSFET 的“饱和电流”　　核心定义：　　饱和电流 (IDSS) 是耗尽型MOS管最重要的一个静态参数。它是指在栅源电压VGS = 0V的条件下，当漏源电压 VDS 增大到使管子进入饱和区时，所对应的漏极电流。　　三个关键点：　　1. 测试条件 (VGS = 0V)：这是定义 IDSS 的前提。耗尽型MOS管在零栅压时是导通的，IDSS衡量的就是它在这个“自然状态”下的最大电流能力。　　2. 工作区域 (饱和区)：必须确保MOS管工作在饱和区。当 VDS 增加到一定值(饱和电压)后，漏极电流ID 将不再随 VDS 增加而显著增加，而是趋于一个稳定值，这个值就是饱和电流。　　3. 它是一个最大值：IDSS表示的是在零栅压条件下，该器件所能通过的最大电流极限。　　它的物理意义是什么?　　当 VDS 足够高时，MOS管沟道在漏极一端会出现“夹断”现象。此时，电流的大小不再由沟道的电阻决定，而是由沟道中载流子的迁移速率决定，这个速率达到了极限。因此，电流达到了“饱和”状态。对于耗尽型管，在VGS =0 时这个饱和电流的值就被定义为 IDSS。　　如何理解数据手册?　　在数据手册中，IDSS 通常会在以下条件下给出：　　· VGS = 0V　　· VDS = 一个特定的高电压(例如，对于60V的管子，这个电压可能会设为25V或其它值，以确保器件一定工作在饱和区)。　　IDSS 与其他电流参数的区别：　　· 与 Absolute Maximum Rating ID 的区别：绝对最大额定电流ID是指无论如何都不能超过的电流值，否则会永久损坏器件。IDSS 是器件的一个特性参数，它必须小于ID这个极限值。　　核心应用：　　IDSS 最主要的应用是构建简易的恒流源电路。只需将耗尽型MOS管的栅极和源极短接(强制 VGS =0V)，它就会自动将其电流限制在IDSS值附近，从而为一个负载(如LED)提供恒定电流。　　总结：　　耗尽型MOS管的饱和电流 IDSS，就是在栅源短接(VGS =0V)且漏源电压足够大的情况下，器件所能提供的最大、稳定的电流值。它是表征器件本身在零栅压时电流输出能力的核心参数。
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发布时间：2026-01-21 14:00 阅读量：359 继续阅读>>
<span style='color:red'>ARK</span> （方舟微）丨DMB16C20A：对标IXTH16N20D2的高性能耗尽型MOSFET，80mΩ低电阻与高载流能力优异
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ARK （方舟微）丨DMB16C20A：对标IXTH16N20D2的高性能耗尽型MOSFET，80mΩ低电阻与高载流能力优异

　　01 产品简介　　DMB16C20A是ARK(方舟微)推出的一款高压、低导通电阻、大电流的耗尽型MOSFET，具有常通特性。该产品采用TO-263封装，具有高功率耗散，连续功耗可达230W。因产品的亚阈值特性及高载流能力，其广泛应用于大电流场景的过流保护及浪涌抑制。　　02 产品特性　　· 低导通电阻：导通电阻仅80mΩ　　· 高载流能力：饱和电流达16A以上，适用于大电流应用　　· 高功率耗散：连续功耗可达230W　　· 完美替代：IXYS-IXTT16N20D2　　03 应用领域　　· 保护电路、抑制浪涌电流　　· 音频放大器　　· 恒流源　　· 斜坡发生器　　· 电流调节器　　· 常闭开关　　04 典型应用电路及原理　　DMB16C20A可作为常通开关对电容电荷进行泄放，当需要断开时使用负电荷泵或者光MOS驱动器给栅极提供负电压，超过阈值电压即可关闭。　　如图2所示为DMB16C20A的典型应用，仅使用2颗耗尽型MOSFET+电阻R构成双向保护电路，就能限制流过负载回路的电流大小，还可有效抑制电路浪涌，为负载回路提供过流保护。电路可通过的最大电流IOUT(Max.)与DMB16C20A的阈值电压VGS(OFF)及R的阻值相关，IOUT(Max.)≈|VGS(OFF)|/R。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单、成本低。　　05 DMB16C20A的典型应用方案　　Ø 电子雷管电容电荷泄放电路的应用　　电子雷管控制电路由充电电路、起爆电路和放电电路组成，其工作原理如下：　　充电电路：通过电容(C)储存能量，为电子雷管起爆提供瞬时大电流。通过控制器驱动PMOS管Q1实现电容充电开关控制，由电容C实现充电储能。　　起爆电路：将电容储存的能量瞬间释放，引爆雷管。核心部件为NMOS管Q3，通过点火指令驱动NMOS管Q3导通。　　泄电电路：泄放电容电荷，防止静电积累引发误触发。主要由光MOS驱动及耗尽型MOS管组成常闭继电器，断电时耗尽型MOS管开通，自动泄电，防止电容C静电积累。　　Ø 半导体测试设备应用　　在一些应用中，采用自恢复保险丝作为过流浪涌抑制保护，当后级电路出现损坏或短路，该保护电路不能立刻断开电源，需要等待自恢复保险丝升温，直到电阻足够大时才断开接触，起到保护作用。在此期间电路的过载电流还会持续对电路产生破坏。通过DMB16C20A构成的过流保护电路，其过流保护反应灵敏，反应时间短，能够快速过滤浪涌电压和电流以防止过载电流对电路的损坏。
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发布时间：2026-01-16 15:11 阅读量：371 继续阅读>>
实现光MOS继电器国产化替代：<span style='color:red'>ARK</span> （方舟微）OP系列（下）
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实现光MOS继电器国产化替代：ARK （方舟微）OP系列（下）

　　1、OP系列产品　　ARK(方舟微)依托其在耗尽型MOSFET领域多年的研发与制造积淀，开发出耐压覆盖60V至1800V的光MOS继电器系列产品。公司构建了以FORM B型为核心、FORM A型为主力的“OP系列”产品线，其卓越的性能可全面满足工业自动化与电气控制领域的多样化需求，更加能替代松下、东芝等国际大牌同类产品。以下为ARK(方舟微)光MOS继电器的典型产品，更多信息欢迎咨询。　　2、产品应用　　·电信切换　　·工业自动化　　·测试与测量设备　　·电池管理　　·高速检验设备　　·安全设备　　·机械继电器的替代　　3、典型应用　　Ø BMS的应用　　在电动汽车电池管理系统(BMS)中，光MOS继电器凭借其卓越的隔离性能，被广泛应用于锂电池模组的电压采样与漏电流检测。ARK(方舟微)推出的OPV278D光MOS继电器，具备0.1ms的快速响应与μA级的超低关态漏电流，输入输出间绝缘耐压达3750V，能为800V高压电池组与低压控制电路提供安全、可靠的电气隔离保障。该产品拥有高达1800V的耐压，是应对800V高压BMS系统隔离需求的理想解决方案。　　Ø 测试与测量设备应用　　在自动化测试设备、数据采集系统和仪器仪表中，光MOS继电器能够提供高精度信号切换以及无干扰测量能力。图4为OPY214S产品组成的开关矩阵用于PCB四探针测试机的系统框图，使用光MOS继电器作为开关，可以有效避免测试干扰，提高测试精度。该产品耐压达400V，断态漏电流低，最大不超过 1μA，其开通关断时间短，Ton=40μs , Toff=20us可极大的提高了PCB测试效率。
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发布时间：2026-01-16 15:08 阅读量：323 继续阅读>>
实现光MOS继电器国产化替代：<span style='color:red'>ARK</span> （方舟微）OP系列（上）
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实现光MOS继电器国产化替代：ARK （方舟微）OP系列（上）

　　什么是光MOS继电器　　光MOS继电器，又称PhotoMOS或光耦合MOSFET继电器，其结构主要包含三个组成部分：输入部分的发光二极管(LED)、进行光电转换的光电二极管阵列(PVG)以及输出部分的MOS管。图1展示了该产品的结构示意图。　　工作原理：LED给定正向电流，LED发光。此光照射到光电二极管阵列(PVG)上，并在光电二极管阵列上产生光生电压，此电压作用MOS管的栅极，当电压等于或超过MOS管栅极电压的阈值时，输出端导通。如果输入端的正向电流消失，则LED不发光，光电二极管阵列的光生电压随即消失，输出端成断开状态。从而实现了电-光-电转换，实现了输入与输出间的电气隔离。　　器件特点　　与传统机械机电器进行对比，光MOS继电器具有很多优势：　　高可靠性，长寿命：因产品无机械触点和可移动的部件，不存在机械磨损，寿命几乎是半永久性的;没有触点抖动，完全消除了机械继电器触点闭合/断开时产生的弹跳现象，抗干扰能力强。　　低功耗，小型化：动作电流低，驱动功率小，且可采用表面贴装封装，常用封装SOP-4、SMD-4，适合高密度安装。　　优异的开关特性：光MOS的开关速度可达0.1ms，远快于机械继电器的10-100ms，适合高频应用，且开关过程中无噪音。　　参数详解
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发布时间：2025-12-30 16:41 阅读量：422 继续阅读>>
<span style='color:red'>ARK</span>（方舟微）：AKP10M60R-600V可开关电流调节器，以卓越瞬态抑制确保系统稳健运行
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ARK（方舟微）：AKP10M60R-600V可开关电流调节器，以卓越瞬态抑制确保系统稳健运行

　　01 产品简介　　AKP10M60R是ARK(方舟微)推出的一款高压、可开关的电流调节器，阳极和阴极间具备高达600V击穿电压和1~100mA电流输出能力。该器件可以通过外部电阻R灵活的设定电流值，并支持通过栅极电压(VG)进行开关控制。　　AKP10M60R具备优异的瞬态抑制能力，可有效抵御电流/电压冲击，确保稳定输出。该器件尤其适用于工业控制、汽车电子等严苛电磁环境，保障系统可靠运行。　　02 产品特性　　· 产品类型：高压电流调节器。　　· 高压能力：击穿电压600V，适用于高压环境。　　· 电流可编程：通过外部电阻R灵活设定输出电流。　　· 高功率耗散：连续功耗可达40W。　　· 可开关控制：支持通过栅极电压实现电流源的开启与关闭。　　03 应用领域　　· 开关电源(SMPS)启动电路　　· 高稳定性电压源　　· 限流器和过压保护装置　　· 快速恢复可复位保险丝　　· 软启动电路　　04 典型应用电路及原理　　如图2所示，AKP10M60R的输入端A可承受高达600V电压。相较于几十伏的常规输入或300V的整流市电，此耐压值提供了宽裕的余量。同时，其负反馈机制确保了输出电流的恒定，使器件能有效抑制浪涌电流与电压瞬变，具备优异的抗瞬态能力。　　输出电流的调节取决于电流调节电阻R，可以灵活地配置稳定的输出电流。也可直接在G-K上直接施加负电压，使得AKP10M60R完全关断。　　05 AKP10M60R的典型应用方案　　Ø 高压电机驱动电路应用　　对于感性负载的应用，AKP10M60R能有效的抑制感性负载产生的瞬态脉冲，同时也能有效地简化电路，提高应用的性价比。　　Ø 车载电器应用　　对于多媒体娱乐等车载电子应用，AKP10M60R能有效地抵御汽车各种电机的启停而产生的高达数百伏的瞬态脉冲对应用产品的干扰或破坏，同时也能有效简化电路。　　Ø LED驱动(可调光)　　如图5所示，采用高压调节器AKP10M60R可简便构建LED恒流驱动电路。前端由220V市电经整流滤波得到310V直流电压，后级由AKP10M60R与电阻R构成恒流源，为LED提供稳定驱动。通过调节电阻R即可轻松实现模拟调光，与PWM调光相比，此方案能有效避免可闻噪声。　　该LED驱动方案抗瞬态能力强;电路结构简单，系统成本低;输入电压范围极宽，可以直接联接到整流后的市电;另外，通过控制电阻R的阻值，可以进行模拟调光。
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发布时间：2025-12-26 15:52 阅读量：440 继续阅读>>
<span style='color:red'>ARK</span>(方舟微）低压低电阻双芯增强型P MOS：AKF20P45D
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ARK(方舟微）低压低电阻双芯增强型P MOS：AKF20P45D

　　01 产品简介　　AKF20P45D 是AKR(方舟微)推出的一款20V 双芯片P沟道 MOSFET，采用DFN-6(2*2)的封装，具有低导通电阻和非常紧凑的尺寸(典型值为35mΩ @ VGS=-4.5V)。适用于手持设备的充电管理、负载开关及DC-DC转换器，支持低电压栅极驱动(-1.5V即可导通)。‌　　02 产品特性　　· 产品类型：增强型双芯片P沟道 MOSFET　　· 低导通电阻：在栅极电压-4.5V、-2.5V、-1.8V和-1.5V下分别为35mΩ、50mΩ、100mΩ和160mΩ　　· 功耗：最大功率耗散7.8W　　· 紧凑的封装设计：采用DFN-6(2x2)封装，节省空间　　· 可替代 SIA923EDJ　　03 应用领域　　· DC/DC转换器　　· 充电管理　　· 负载开关　　04 典型应用　　Ø 电源控制开关　　PMOS作为负载开关，用于精确控制通向特定电路模块或负载的电源。如图2为PMOS应用于负载开关的典型应用拓扑，其通过控制栅极电压实现负载的通断。　　当控制信号为高电平时，三极管Q2导通，电阻R2相当于直接与地相连。由于R1和R2串联分压，MOS管Q1的VGS= - Vin*R1/(R1+R2)，若|VGS|>|VTH|，则MOS管Q1导通。当控制信号为低电平时，三极管Q2截止，R2下端相当于悬空，MOS管栅极电压与Vin相等，即VGS=0，MOS管Q1处于截止状态，切断电源。　　ARK(方舟微)推出的双芯PMOS产品AKF20P45D，其具有耐压20V、低电阻(35mΩ)、DFN-6(2*2)封装等特点，可直接应用于多路负载的电源控制，可节省PCB占用面积。　　Ø 电池保护的应用　　在锂电池保护电路中，PMOS可作为高边开关，PMOS源直接与电池正极相连，实现过充、过放、过流等保护保护功能。其电路保护方案如图3所示，两个PMOS的漏极相连，分别控制充电与放电回路。电池保护芯片通过监测电池的电压、电流，在发生过充、过放、短路或过流时，迅速关闭相应的MOSFET，切断电路。　　ARK(方舟微)的AKF20P45D产品，耐压20V，电阻35mΩ，非常适合2节或3节串联锂电池保护;其内部含双芯PMOS，封装形式为DFN-6(2*2)，其封装紧凑，占板面积小，可节约PCB占用面积。　　05 更多选型
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发布时间：2025-12-26 15:40 阅读量：424 继续阅读>>
<span style='color:red'>ARK</span>（方舟微）—DFN2×2超小体积AKF20P45D：实现高功率密度与优异散热，提供超低导通电阻及2500V ESD防护
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ARK（方舟微）—DFN2×2超小体积AKF20P45D：实现高功率密度与优异散热，提供超低导通电阻及2500V ESD防护

　　ARK(方舟微)推出的双芯片20V P沟道功率MOSFET——AKF20P45D。该产品性能卓越，兼具超低导通电阻与高达2500V的ESD防护能力。其采用的DFN2×2紧凑型封装，不仅有助于节省PCB布局空间，还具备优异的散热表现。　　AKF20P45D广泛应用于DC-DC转换器、智能手机、平板电脑、智能音乐播放器、电子书等手持设备，主要用于电池充电管理与负载开关。其超低的导通电阻能显著降低传导损耗，这不仅有效提升了电能利用效率，延长了电池单次充电的使用时长，还能减少发热，有助于延长电池的整体寿命。　　AKF20P45D具有±8V的栅-源额定电压，其在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V的栅-源电压条件下，分别对应35mΩ、50mΩ、100mΩ和160mΩ的超低导通电阻。相比Vishay公司同类型的SiA923EDJ产品，AKF20P45D具有更低的导通电阻。SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V的栅-源电压条件下，对应54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的导通电阻。　　在关键的导通电阻性能上，AKF20P45D 显著领先于主流竞品。对比 Vishay 的 SiA923EDJ，在相同的栅-源电压(4.5V/2.5V/1.8V/1.5V)条件下，AKF20P45D的导通电阻(35/50/100/160 mΩ)均低于后者的(54/70/104/165 mΩ)，相比AKF20P45D的导通电阻全面更低，性能优势明显。此外，它同样具备 ±8V 的栅-源耐压，确保工作的可靠性。　　AKF20P45D具备低至1.5V的导通阈值，使其非常适用于采用低压栅极驱动器的各类手持设备。该特性使其在低总线电压系统中能直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而有效节省了PCB空间与BOM成本。同时，其超低的导通电阻能够在峰值电流条件下产生更低的导通压降，这有助于稳定系统电压，降低因电压跌落引发非正常欠压锁定事件的风险，从而提升系统可靠性。　　附AKF20P45D的部分典型参数：
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发布时间：2025-12-09 15:03 阅读量：562 继续阅读>>
<span style='color:red'>ARK</span>方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型MOSFET抑制浪涌电流
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ARK方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型MOSFET抑制浪涌电流

　　在单极可控硅调光LED驱动电路中，由于没有bulk电容的储能，当调光器启动时或可控硅前沿调光切相时，会产生大量浪涌电流，如图1。　　浪涌电流或尖脉冲电流是有害的，可能会使调光失败甚至损坏调光器。抑制浪涌电流有以下几种方法。　　采用功率电阻　　如图2，采用功率电阻R1来抑制浪涌电流是最简单的方式。功率电阻抑制了浪涌电流，但同时对反激电路输入电流也造成了限制。并且功率电阻(通常10Ω)的功率损耗较高，导致电路效率降低。即便功率电阻为100Ω，峰值电流仍然超过2.0A。　　采用有源阻尼电路　　抑制浪涌电流另一种方法是采用有源阻尼电路，如图3。采用有源阻尼电路在大幅度地降低尖峰电流的同时，还可以大幅减少功率损耗。　　当调光器启动时，MOSFET Q4还处于关断状态，电流从电阻R1流过，因此能够有效地控制浪涌电流。当尖峰电流过后，Q4导通，电流从Q4通过，由于Q4具有非常低的导通电阻，因此电路的损耗非常低。这种方式的优点是不仅有效地抑制了浪涌电流，同时也具有很低的功率损耗。不足点是电路较为复杂并且成本高。　　采用耗尽型MOSFET　　一个更简单且成本更低廉的抑制浪涌电流的方法是使用耗尽型MOSFET Q4，如图4。Q4与电阻R1串联。当调光器启动时，产生浪涌电流，由于流经电阻R1的电流增大，这使Q4的栅极到源极的电压VGS变大，Q4的导电沟道变窄从而起到抑制浪涌电流的作用。浪涌电流过后，Q4的VGS变小使导电沟道变宽。由于Q4具有较低的VGS(OFF)值以及非常小的RDS(ON)，同时串联电阻R1的电阻也非常小，因此电路功率损耗非常小。　　由于电流值ID由耗尽型MOSFET Q4和串联电阻R1共同决定。当选定了耗尽型MOSFET的型号后，串联电阻R1的大小就非常重要，式(1)给出了计算串联电阻方法：　　式中，R为串联电阻R1的电阻值;VGS(OFF)为耗尽型MOSFET的阈值电压;ID为流过耗尽型MOSFET漏-源极的电流;IDSS为当栅极电压为0V时耗尽型MOSFET漏-源极的饱和电流。　　ARK(方舟微)提供的低阈值电压的耗尽型功率MOSFET DMD4523E，为高效抑制浪涌电流提供了解决之道。DMD4523E耗尽型MOSFET，产品击穿电压BVDSX超过450V，导通电阻RDS(ON)最大值仅2Ω，阈值电压VGS(OFF)为-4V～-1.7V，是抑制浪涌电流应用的首选产品。
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发布时间：2025-11-17 14:19 阅读量：528 继续阅读>>

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