三星电子与蔡司合作加强 聚焦<span style='color:red'>EUV技术</span>和半导体设备
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三星电子与蔡司合作加强 聚焦EUV技术和半导体设备

　　三星电子正在深化与蔡司集团在下一代EUV和芯片技术方面的合作，蔡司集团是全球唯一的极紫外(EUV)光系统供应商ASML Holding NV的光学系统唯一供应商。　　三星电子的执行董事长李在镕(Jay Y. Lee)近期在德国会见了蔡司总裁兼首席执行官卡尔·兰普雷希特(Karl Lamprecht)及其他公司高管。　　会议上，双方同意扩大在EUV技术和尖端半导体设备研发方面的合作，以增强两家公司在晶圆代工代工和存储芯片领域的业务竞争力。通过这次合作，三星希望提升下一代半导体技术，优化芯片制造流程，提高先进芯片的生产良率。　　蔡司还计划到2026年投资480亿韩元在韩国建设研发中心，加强同三星等韩企的战略合作。　　资料显示，蔡司是光学与光电解决方案开发商，也是光刻机大厂ASML EUV光刻机独家供应商，每台EUV光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的组件。蔡司在EUV技术方面拥有超过2000项核心专利，其掌握的技术可以在高性能先进芯片生产中发挥重要作用。　　三星电子希望通过与蔡司的技术合作，实现下一代半导体的性能提升、生产工艺优化和良率提升，从而提高其业务竞争力。    
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发布时间：2024-04-29 15:11 阅读量：626 继续阅读>>
<span style='color:red'>EUV技术</span>量产已进入最后冲刺阶段
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EUV技术量产已进入最后冲刺阶段

尽管极紫外光(EUV)步进机的大量生产面临复杂的问题以及紧迫的时间，专家们仍然抱持乐观态度.随着工程师们竞相解决错综复杂的相关问题，酝酿了20年的新世代微影工具终于来到大量问世前的最后一个阶段──尽管极紫外光(EUV)步进机的大量生产面临复杂的问题以及紧迫的时间，专家们仍然抱持乐观态度。好消息是，半导体产业界正众志成城、积极推动技术进展；如比利时研究机构Imec的技术与系统执行副总裁An Steegen所言：“在过去，可能会有一家公司率先采用最新的半导体技术，但现在几乎所有的逻辑工艺技术供货商都跳进来、咬紧牙关努力并勇于承担风险。”Imec是荷兰EUV微影设备大厂ASML的长期合作伙伴，他们与晶圆代工厂、半导体供货商携手，现在的目标是解决该种有尺寸有一个房间大小、将用以制造新一代芯片的设备剩下的最后几个主要问题；Steegen在Imec年度技术论坛接受EE Times采访时指出，这很像是在2008年问世的FinFET晶体管，是很重大但充满挑战的半导体性能提升关键。她表示：“人们比较过下世代节点的最糟情况以及旧节点的最佳情况，现在各方都同意FinFET是具备超高性能的组件；我学到的教训是要对所有事情抱持怀疑态度…未来的半导体工艺技术还有足够进步空间，让SoC设计工程师能得到他们想要的。”而在笔者于Imec总部排队等着喝咖啡时与一位有32年工作资历的EUV开发老将闲聊时，他简单表示：“现在有很多压力…但我们正在取得进展。”确实，三星(Samsung)的晶圆代工部门赶着在今年底于7纳米工艺导入EUV，该公司的目标是超越最大竞争对手台积电(TSMC)，后者正利用现有的浸润式微影设备进行7纳米设计案的投片；台积电与另一家晶圆代工大厂GlobalFoundries也不落人后，他们打算在明年以EUV量产强化版的7纳米工艺。Imec预期，DRAM制造商会在D14+节点采用EUV技术──应该会在2021年内存半间距(half pitches)来到20纳米以下时。目前Imec有两个技术开发重点，有助于舒缓边缘粗糙度(line-edge roughness)的问题，并消除所谓的随机效应(stochastics)、随机误差(random errors)等造成触点漏失(create missing)、触点断续(kissing contacts)的缺陷。那些误差在今年稍早于对下一代5纳米节点十分关键的15纳米临界尺寸首度被发现，但研究人员表示他们也在7纳米看到一样的问题。Steegen预期将会有混合式解决方案出现，这种方案会采用扫描机设定、光阻剂材料以及后期处理等方法的结合，以接续断裂的线路、将粗糙部分抹平或是填补漏失的触点。晶圆代工业者可以提供更高剂量的EUV光源──例如80 millijoules/cm2──以扩大工艺容许范围(process window)，但这会让生产速度减慢；Steegen表示：“第一次实作时的最高剂量决定权在于各家晶圆代工厂。”工程师正在利用一系列的光罩调整、步进机设定、光阻剂选择以及后期处理方法，来解决EUV的随机误差问题 （来源：Imec）混合式解决方案以及放宽的设计规则Imec正在开发能预测并定位随机误差可能在设计中出现的地方，以提供工艺容许范围的视野；但寻找缺陷往往非常仰赖快速的电子束检测系统(e-beam inspection systems)。随着工艺节点来到单纳米尺寸，研究人员开始将缺陷归因于为小细节；举例来说，一次EUV曝光中的光子数量，会影响化学放大光阻剂(chemically amplified resists)，而其他种类的光阻剂性能也会因为所嵌入的金属分子定向(orientation)而有所变化。对此Steegen表示：“并非所有的光阻剂作用都一样，它们因为不同基层而表现出的作用也会很独特…我们仍在经历一些基础性的学习。”为了简化工艺世代转移，GlobalFoundries采取分阶段EUV策略，在相对较宽松的7纳米节点只采用5层金属；该公司首席技术官Gary Patton在Imec技术论坛上接受采访时表示：“我们能够以较低剂量运作并达到良好的生产量。”Patton透露，GlobalFoundries将于今年稍晚采用浸润式微影进行首次7纳米设计投片，是一款AMD处理器；接着是一款IBM处理器，然后有数款ASIC。GlobalFoundries将7纳米节点的间距与SRAM单元制作得跟台积电的很类似，让芯片设计业者如AMD能够同时利用两家晶圆代工厂；他表示，AMD“的需求会高于我们拥有的产能，所以我们对(AMD也委托台积电生产)这件事没有意见。”不过，GlobalFoundries在开发10纳米节点的同时会跳过5纳米节点，该公司认为前者会有适度的递增收益；而该公司正在为下一代工艺寻求财务与技术上的伙伴，有可能会朝3纳米节点迈进。微影技术人员现在将良率问题视为EUV需要考虑的首要议题 （来源：Imec）在面对众多挑战的同时保持乐观尽管有重重挑战，Patton仍保持乐观；他认为，尽管智能型手机市场成长趋缓，产业界已经演变至进入AI时代，“新的无晶圆厂IC公司暴增”。在此同时，GlobalFoundries的FD-SOI工艺将至今年底将拥有75家设计伙伴，目前已经取得36件设计案。“很多人去年都在场边观望FD-SOI是否做得成，而现在结果已经很清楚；”Patton指出，该工艺技术能支持低至0.4V的设计，并在今年秋天量产Grade 2车规版本。GlobalFoundries与Imec的高层对于整体半导体技术蓝图的进展仍保持乐观，不过有一些工程师开始在公开谈论，晶体管速度的提升一般来说已经终结，晶体管密度与性能的进展则是一个节点比一个节点减少。对此Imec正在协助晶圆代工业者开发一系列性能提升技术来补强，包括简化的单元轨(cell tracks)、埋入式电源轨(buried power rails)，以及芯片上电路堆栈(on-die circuit stacks)。“一般来说我并没有看到报酬递减，”Steegen表示：“我对于3纳米与2纳米逻辑工艺节点与内存技术蓝图发展感到乐观，我们有足够的资源…因此设计工程师会看到芯片面积的微缩，但他们可能需要在设计上做一些改变。”因此Imec的芯片微缩核心项目，继续每年以每年5~10%的速率成长；Imec首席执行官Luc Van den Hove首席执行官表示：“十年前，我们预期我们在先进CMOS工艺技术方面的工作会持平发展，因为产业整并的缘故，但情况恰恰相反。”他指出，Imec的相关项目因为AI加速器芯片以及DNA储存等新题材而增加。
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发布时间：2018-06-04 00:00 阅读量：1657 继续阅读>>
时间上落后台积电7nm工艺,三星能靠<span style='color:red'>EUV技术</span>翻盘?
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时间上落后台积电7nm工艺,三星能靠EUV技术翻盘?

台积电因连续在14/16nm FinFET、10nm工艺上落后于三星，其急于在7nm工艺上取得领先优势，宣布将在明年初量产7nm工艺，三星也在明年量产7nm工艺，不过后者明年就会引入EUV（极紫外光微影）技术，在事实上领先台积电。     这一情形，其实在16nmFinFET工艺上出现过，当时台积电率先于2014年三季度投产16nm工艺，然而因为该工艺的能效不如20nm，导致少有客户采用，仅有的两个客户之一的华为海思也不过是用16nm工艺生产其对能效要求不高的网通处理器，其两个大客户高通和苹果都采用20nm工艺生产骁龙810、A8处理器。 于是台积电加紧为16nm引入FinFET工艺，直到2015年三季度才投产16nm FinFET工艺，而三星则在2015年一季度即投产14nm FinFET工艺。 由于三星的14nm FinFET工艺表现优异，采用该工艺生产的Exynos7420处理器表现优异；而采用台积电20nm工艺生产的高通的骁龙810出现了发热问题，骁龙810是高通首款采用ARM公版核心A57和A53的芯片，受骁龙810发热的影响，华为海思和联发科都放弃了采用ARM高性能公版核心A57推手机芯片的计划，这让三星的Exynos7420成为2015年Android手机芯片市场的性能之王。 三星于2016年四季度量产10nm工艺，台积电则于今年初量产10nm工艺，两家都出现了良率问题。似乎三星10nm工艺的良率提升较快，采用该工艺生产的骁龙835和Exynos8895芯片开始规模上市并用于它自家的Galaxy S8手机上，中国大陆的手机品牌小米也已采用骁龙835芯片推出小米6手机，再次领先台积电一局。 为扳回局面，台积电宣布将在明年初量产7nm工艺，有可能先于三星量产7nm工艺。不过消息指台积电的7nm工艺并没引入EUV（极紫外光微影）技术，其要到2019年才会推出采用EUV技术的7nm工艺，重演了16nm FinFET的历史，三星的7nm工艺则会引入EUV技术。 三星率先引入EUV技术，将会帮助它在更先进的5nm等工艺上领先台积电。EUV光刻被认为肩负着缩小晶体管尺寸的重任，是开发7nm、5nm等更先进工艺的关键，这与FinFET工艺帮助半导体制造工厂从20nm工艺提升至14/16nm相似。 当然三星方面似乎也担心自己采用EUV技术的7nm工艺能否按时量产，将会推出10nm工艺的改良版8nm工艺，以与台积电的7nm工艺竞争。 这就引发了一场争论，高通的下一代高端芯片骁龙845会采用台积电的7nm、三星的8nm或者采用EUV技术的7nm？考虑到台积电的先进工艺产能难以满足苹果和高通两大芯片企业的需求以及三星采用EUV技术的7nm工艺无法在明年初量产的问题，骁龙845很可能会采用三星的8nm工艺。
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发布时间：2017-06-19 00:00 阅读量：1369 继续阅读>>

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