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三星电子与蔡司合作加强聚焦<span style='color:red'>EUV</span>技术和半导体设备

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三星电子与蔡司合作加强聚焦EUV技术和半导体设备

　　三星电子正在深化与蔡司集团在下一代EUV和芯片技术方面的合作，蔡司集团是全球唯一的极紫外(EUV)光系统供应商ASML Holding NV的光学系统唯一供应商。　　三星电子的执行董事长李在镕(Jay Y. Lee)近期在德国会见了蔡司总裁兼首席执行官卡尔·兰普雷希特(Karl Lamprecht)及其他公司高管。　　会议上，双方同意扩大在EUV技术和尖端半导体设备研发方面的合作，以增强两家公司在晶圆代工代工和存储芯片领域的业务竞争力。通过这次合作，三星希望提升下一代半导体技术，优化芯片制造流程，提高先进芯片的生产良率。　　蔡司还计划到2026年投资480亿韩元在韩国建设研发中心，加强同三星等韩企的战略合作。　　资料显示，蔡司是光学与光电解决方案开发商，也是光刻机大厂ASML EUV光刻机独家供应商，每台EUV光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的组件。蔡司在EUV技术方面拥有超过2000项核心专利，其掌握的技术可以在高性能先进芯片生产中发挥重要作用。　　三星电子希望通过与蔡司的技术合作，实现下一代半导体的性能提升、生产工艺优化和良率提升，从而提高其业务竞争力。

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蔡司

发布时间：2024-04-29 15:11 阅读量：626 继续阅读>>

英特尔大规模量产Intel 4工艺采用<span style='color:red'>EUV</span>光刻

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英特尔大规模量产Intel 4工艺采用EUV光刻

　　英特尔宣布在位于爱尔兰的Fab 34晶圆厂成功安装和调试了EUV(极紫外)光刻机，并已正常启用，准备开始Intel 4工艺的量产。这将标志着极紫外 (EUV) 光刻技术首次用于欧洲批量生产。　　Intel 4工艺首发用于代号Meteor Lake的酷睿Ultra处理器，将在12月14日正式发布，面向主流和轻薄笔记本。　　目前，Intel正在稳步推进“四年五个制程节点”计划。　　其中，Intel 7和Intel 4已实现大规模量产，前者用于12/13/14代酷睿。　　Intel 3正在按计划推进，目标是2023年底。　　明年上半年，Intel将推出首个采用Inte 3工艺的Sierra Forest至强处理器，基于E核架构，最多288核心，随后是同样Intel 3工艺、P核设计的Granite Rapids。　　Intel 20A和Intel 18A同样进展顺利，目标是2024年，将首次采用RibbonFET全环绕栅极晶体、PowerVia背面供电技术。　　此外，Intel即将推出面向代工服务客户的Intel 18A制程设计套件(PDK)。

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英特尔

发布时间：2023-10-13 09:22 阅读量：1441 继续阅读>>

挥别国产存储上半年，<span style='color:red'>EUV</span>导入、DDR更迭下半场如何走？

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挥别国产存储上半年，EUV导入、DDR更迭下半场如何走？

在几个月就能历经一轮“生死劫”的前沿科技产业，变化本就是主旋律。步入 2020 年，黑天鹅齐飞，诸多新变量的引入，使存储业者面临更多不确定性。回顾存储产业上半年，一些事件值得回味，一些变动指向未来，全球半导体观察带您梳理观察重点。看亮点1. 国产存储“芯”势力国产替代预期催化，半导体成为上半年科技主题基金重仓焦点股，可谓风头十足。高景气度持续下，细分赛道龙头公司也纷纷迎来高速增长拐点。作为国内最大、全球第四大 NOR 芯片供货商，兆易创新开年不久便见识了半导体资本狂潮。2 月 13 日，兆易创新股票涨幅超 9%，股价创历史新高，总市值达到 1020.73 亿元，成为国内第六家市值破千亿的半导体公司。不过，一些投资人直呼“过热”并提醒当下静态估值可能偏高，市场也很快发出“入场需谨慎”的信号。国产存储制造在今年取得的突破，普通人也能感受得到。能买到国产固态硬盘 SSD 和内存条的消费者开始体会，“国产存储替代”趋势着实摸得着。 4 月 13 日，紫光集团旗下的长江存储宣布其 128 层 QLC 3D NAND 闪存研发成功。9 月 10 日，长江存储宣布推出两款消费级固态硬盘 SSD 产品。值得一提的是，长江存储布局多项专利，技术几乎都是自主研发。长江存储独有的 Xtacking 架构可以在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，使 NAND 拥有更高的 I/O 接口速度，实现更高的存储密度以及更小的芯片面积。进入 5 月，多款搭载长鑫存储 10 纳米级 DDR4 芯片的内存条上市，首款中国芯的光威弈 PRO DDR4 内存条由深圳嘉合劲威制造。中国自主研发的 DRAM 芯片终于投入市场，内存芯片产业史又写下一笔。长鑫存储不仅研发出 19 纳米工艺的 DRAM 芯片，填补了国产空白，更是打通了从设计到生产制造的全流程。国际内存芯片市场在迎来中国玩家后，未来将看到更多中国面孔。紫光集团重返 DRAM 赛场，兆易创新等国内企业也已入局。 2. 国际厂商激战升级，DRAM 进入 EUV 时代2020 年一季度，伴随 DRAM 价格回暖，存储龙头厂商的交锋也显得更为激烈。目前，三星电子、SK 海力士和美光科技占据全球 DRAM 市场超过九成的份额。其中，居于前两位的三星和 SK 海力士，都将在 DRAM 生产中导入极紫外光光刻设备 EUV 技术。最先跨入 EUV 时代的自然是三星。3 月 25 日，三星宣布成功出货 100 万个业界首款使用 EUV 的 10 纳米级 DDR4 DRAM 模组，且已经完成了全球客户评估。三星第四代 10 纳米（D1a）、更先进 10 纳米的 DRAM 会开始使用 EUV，预计 2021 年开始批量生产基于 D1a 的 DDR5 DRAM 和 LPDDR5 DRAM。 SK 海力士的相关内部人士透露，公司已开始研发第 4 代 10 纳米级制程(1a)的 DRAM，内部代号为“南极星”，预计将在制程中导入 EUV 技术。 2020 年的变数实在太多，业内人士观测，存储器厂商皆不轻易扩增产能，反而以优化制程技术的方式来增加其供应的能力。工艺提速的同时，预计基于 EUV 技术的存储器生产市场竞争将会更加激烈。 EUV 技术确有降本功效，门槛却极高，是否采用值得再三评估。美光企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示，美光不打算跟进，目前并无采用 EUV 计划。 3.DDR5 稍慢，LPDDR5 引领新一轮产品竞争主流内存规格在今年有何进展？相比量产和应用步伐稍缓的 DDR5，主要运用智能手机等移动终端市场的低功耗 LPDDR 则进展神速，且已在终端产品领域掀起浪潮。今年 2 月，美光宣布交付全球首款 LPDDR5 芯片。此后，小米 10 全线采用 LPDDR5 内存芯片，供应商为美光和三星。小米搭载 LPDDR5 芯片消息一出，努比亚总裁倪飞紧随其后宣布红魔 5G 全系列标配 LPDDR5。两天后，Realme 副总裁徐起宣布 realme 真我 X50 Pro 全系标配 LPDDR5。从采用效果来看，根据美光提供的参数，LPDDR5 相较 LPDDR4 整机省电 5%～10%，续航延长 5%～10%。 SK 海力士计划今年量产 DDR5，三星计划 2021 年基于 D1a 工艺大规模量产 DDR5，美光 1Znm 制程的 DDR5 寄存型 DIMM(RDIMM)已开始出样。 TrendForce 集邦咨询表示，DDR5 应用场景以计算机、服务器产品为主，但需要配合主流 CPU 的规格，预计到 2021 年的下半年才能在市场上看到一定数量的产品。看趋势1. 国产替代提速，从 0 到 5%半导体国产替代口号响亮，自给率极低的存储器无疑有着最强音。根据中国海关数据，2019 年，我国进口了价值 3040 亿美元的集成电路，超三分之一为存储器。而在 2018 年，国产存储的量产量为零。 DRAM 和 NAND Flash 是最主流的存储器产品。在 DRAM 领域，三家国际厂商把控全球主要市场份额。受益于长鑫存储 DRAM 芯片推出，中国存储器开始实现中低端领域的部分替代。 NAND Flash 制造厂长江存储新工厂目前有一座 12 英寸晶圆厂，满产产能为 10 万片 / 月。长江存储计划到年底，其位于武汉的新工厂可以月产量提高 3 倍，达到 6 万片的规模。 2020 的上半年，见证了不少国产存储制造的突破进展。《日经亚洲评论》报道指出，中国存储器产量的全球占比将在今年提升到 5%。 2. 价格罕见拉升，但压力仍在现货渠道部分存储器颗粒现货价格上涨，引发市场高度关注是否会带动存储器产业反转向上。TrendForce 集邦咨询表示，DRAM 现货价格出现久违涨势，但下半年 DRAM 价格仍有压力。 TrendForce 集邦咨询还表示，观察目前 DRAM 市场，consumer DRAM 仅占整体 DRAM 市场消耗量约 8%，涨跌关键仍在于供需双方的库存水位，以及主流 server DRAM 的采购动能何时回温。在 data center 与 enterprise server 业者尚未重启新一轮补货前，DRAM 价格压力仍在，现货价格反弹可能仅是短暂效应。 3. 扩产还是缩减开支？积极预测与审慎现实2018 年 9 月，存储器景气度开始下行，在去年三季度触底并开始回暖。存储市场显现复苏态势后，拉高半导体产业整体预期。市场预测，自 2020 年，全球半导体企业将开始进行扩产，2021 年半导体产业新增产能可望创下历史新高。但热闹是结构性的，或者说，新冠疫情等黑天鹅来了后，难免遭遇现实考量。分析人士指出，COVID-19 影响显著，预计在可预见的未来将继续对存储器市场产生影响。考虑到市场的不确定性，为确保存储器行业的长期健康发展，存储器供应商必须谨慎地作出应对。结语不管是回顾还是展望，国产替代无疑是备受瞩目的线索。EUV 技术导入、DDR 世代更迭、龙头厂商激战升级之外，以长江存储、长鑫存储、兆易创新为代表的本土厂商在应对本土供应难题的同时，也开始因突破性进展放出更大声量。挥别国产存储极具里程碑意义的 2020 上半年，国内存储厂商也迎来发展良机。

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存储产业 NOR芯片 DRAM EUV技术 LPDDR5

发布时间：2020-10-13 00:00 阅读量：1734 继续阅读>>

传三星从比利时获得<span style='color:red'>EUV</span>光刻胶半导体制造加速摆脱日本

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传三星从比利时获得EUV光刻胶半导体制造加速摆脱日本

日本对韩国发起的贸易制裁已经过去一个月了，分别是7月4日、8月7日推出了两波禁令，严控重要材料对韩国出口，其中第一波制裁中的光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢最为关键，对半导体、面板生产极为重要。但是日本通过贸易限制想让韩国屈服的愿望很有可能落空，尽管日本公司在十几种半导体材料中占据50%以上的份额，但是日本的限制迫使韩国公司加速寻求新的来源，即便日本宣布允许对韩出口，韩国三星等公司也决议扩大新的来源，摆脱日本限制。据报道，三星近日从欧洲获得了一种重要的半导体制造材料——EUV光刻胶，据悉三星从比利时一家公司获得了稳定的光刻胶供应，可以使用6到10个月。尽管三星方面没有透露具体的公司名字，但出售EUV光刻机的应该是日本JSR公司与比利时微电子中心IMEC合作成立的公司，2016年成立，主要由JSR比利时比利时子公司持股。当然，韩国在这方面依然是利用了日本政策的漏洞——日本的政策限制只针对日本国土上的公司，海外公司对外出售产品是不受限制的。从另一个角度来说，日本制定这样的政策限制对本国企业并不是什么好事，不仅影响本土销售，还会迫使这些公司加速向海外转移以绕过政策限制，毕竟韩国公司一年进口的半导体材料价值50亿美元。除了三星之外，韩国的SK海力士、LGD等公司也在使用日本本土之外的半导体、面板材料供应，在日本政府公开限制对韩国出口之后，韩国公司一方面加速寻求日本之外的第三方供应商，另一方面也会加强自主研发，韩国就投资了7.8万亿韩元，约合449亿人民币在未来5年研发100多种关键材料、装备。

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日本韩国半导体

发布时间：2019-08-12 00:00 阅读量：1341 继续阅读>>

麒麟985将采用7nm+<span style='color:red'>EUV</span>工艺制造？相比麒麟980性能提升了哪些？

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麒麟985将采用7nm+EUV工艺制造？相比麒麟980性能提升了哪些？

　　据外媒报道，华为即将推出的麒麟985旗舰级芯片组可能成为首款采用极紫外光刻工艺(EUV)制造的智能手机芯片，仍为7nm工艺。　　此前也有相关媒体报道称，华为下半年将大幅追加台积电7nm芯片的投产量，有望超过苹果成为台积电最大的7nm客户。　　按照惯例，麒麟985应该就是麒麟980的升级改良版，预计会提升CPU/GPU主频，进一步提升性能。同时，麒麟985的首发机型会是华为Mate 30系列，预计今年下半年推出。麒麟985的一大亮点就是标配5G基带，这也意味着华为Mate 30系列会支持5G网络。　　外媒报道称，EUV（极紫外光刻工艺）是采用光来蚀刻硅晶片上的晶体管，该技术可以让晶体管的位置更精确，同时芯片上的晶体管密度可以增加20%，使得单位面积的芯片性能更强大，能耗更低。　　值得一提的是，EUV将在后续的芯片中(5nm或更新的工艺)中展现真正价值，在7nm上其实还没有显示真正的潜力。虽然摩尔定律说每隔18个月-24个月晶体管数量翻一番，但很可能很快就会达到物理极限，EUV则有助于改善这一局面，并为下一代5nm芯片组的诞生奠定基础。　　此外，极紫外光刻技术(EUV)预计将在2020年成为大规模生产的可行解决方案。台积电并不是唯一一家致力于完善该技术的供应商，英特尔也在此领域进行了投资，但之前的报告显示英特尔推迟发布其首批基于EUV的芯片组直到2021年，这使得台积电成为领先的竞争对手。

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麒麟

发布时间：2019-03-25 00:00 阅读量：1554 继续阅读>>

台积电,三星与英特尔<span style='color:red'>EUV</span>光罩盒采购需求爆发,厂商接单供应告急

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台积电,三星与英特尔EUV光罩盒采购需求爆发,厂商接单供应告急

全球三大晶圆代工厂台积电、英特尔、三星，最快将在2019年导入极紫外光微影技术（EUV），值得注意的是，全球可提供EUV光罩盒的业者只有两家，家登是其中之一，且家登已经通过艾司摩尔（ASML）认证，此举无疑宣告，家登今年EUV光罩盒将大出货，公司更透露，接单强劲，目前已有供给告急压力。首先就台积电的部分，今年会进入采用EUV设备之7+制程的量产，而三星的7纳米制程也会采用EUV设备，并在今年进入量产阶段，至于英特尔方面，其7纳米发展进度佳，也确定会导入新一代EUV微影技术，但量产时间可能会落在2020年。而台积电和三星采用EUV设备的7纳米，预计在2019年导入量产，并在2020年大量，但其相关的光罩盒等设备大量采购时间会集中在2019年开始，至于英特尔，虽采用EUV的7纳米会在2020年量产，但其光罩盒采购时间，可望落在2019年下半。换言之，为了先进的EUV设备的7纳米制程，台积电、三星与英特尔将自2019年开始大举向家登采购相关的光罩盒，而家登新一代EUV光罩传送盒G/GP Type也在2018年底获得ASML认证通过，这意味着，家登光罩传送盒今年可望明显放量出货，营收与获利成长可期。

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三星,台积电,EUV

发布时间：2019-01-03 00:00 阅读量：1521 继续阅读>>

台积电挟<span style='color:red'>EUV</span>量产优势横扫5G,AI等订单

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台积电挟EUV量产优势横扫5G,AI等订单

台积电明年上半年将独步同业，成为全世界第一家采用最先进的极紫外光（EUV）微影设备完成量产的晶圆代工厂，助攻台积电横扫全球多数第五代行动通讯（5G）及人工智能（AI）关键芯片订单，稳坐全球晶圆代工龙头宝座。EUV透过高能量、波长短的光源，解决既有显影技术瓶颈，是先进制程发展的关键设备，一台要价1亿欧元，晶圆代工厂导入EUV量产的时程，被业界视为技术领先的关键。台积电明年领先群雄，率先导入EUV量产，意味再次棒打英特尔、三星等劲敌，晶圆代工龙头地位屹立不摇。台积电董事长魏哲家证实，台积电导入EUV的7纳米强化版（7+）将于明年第2季量产，是全球首家采用EUV为客户量产芯片的晶圆代工厂。稍早三星曾宣布取得苹果部分处理器订单，并宣称是全球第一家在7纳米导入EUV量产的半导体厂。魏哲家此言等于打脸三星，宣示台积电技术含金量远高于同业，凸显台积电在先进制程已赢得全球芯片大厂信任。魏哲家不愿透露首批导入EUV设备量产客户，强调有多个产品导入7+FFT先进制程将会量产。据悉，台积电将把EUV应用于2020年量产的5纳米制程，并开始应用于3纳米制程技术开发，业界预期，台积电挟EUV领先量产优势，将横扫5G、AI等订单。

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台积电,IC制造,EUV

发布时间：2018-07-23 00:00 阅读量：1704 继续阅读>>

ASML出货速度提升,中芯国际或更快获得<span style='color:red'>EUV</span>

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ASML出货速度提升,中芯国际或更快获得EUV

　　2018年7月18日，ASML公布了2018年第二季度业绩报告。　　报告指出，ASML第二季度销售额为27.4亿欧元，净利润为5.84亿欧元，毛利率达到43.3%。　　ASML CEO Peter Wennink表示，第二季度的销售额高于预期，主要是因为EUV的销量高于预期。此外，第二季度的毛利率也高于ASML预期，这也进一步表明了EUV强大的盈利能力。　　ASML曾表示计划在今年出货20套EUV系统。在第二季度财报中，ASML指出第二季度出货4套EUV系统，比预期多出一套，将能够稳步完成今年的目标。　　此外，第二季度共接到19.5亿欧元的新订单，其中45%来自于逻辑芯片客户，55%来自于内存芯片客户。　　新增订单来自中芯国际？这新增的订单来自哪里？　　据了解，台积电、英特尔和三星电子已经从ASML订购了许多EUV系统。来自供应链消息来源称，就营收而言为全球最大的芯片代工厂商台积电，今年就预订了10套该系统。三星电子公司预订了约6套EUV系统，而英特尔今年将订购3套。全球第二大芯片代工厂商格芯也预订了1套。　　不难看出，依靠这几家，ASML今年计划的20套EUV销量基本可以实现。　　在5月份集微网曾报道过，中国大陆最大的晶圆代工厂中芯国际已经订购了一台EUV设备，而这一设备正是购自ASML，价值1.2亿美元。此举表明，中芯国际帮助提升中国本土半导体制造技术的抱负日益增强，尽管中芯国际在这一市场仍落后于市场领先者两至三代技术。　　那么，这笔新的订单或许就来自中芯国际。　　不过我们也可看到，ASML的EUV交货数量要比预期要高。ASML表示，目前出货的4套EUV设备是根据原本的生产排期和能力而定的，与此前的下单时间有关。　　Peter Wennink也指出，“ASML 现阶段的执行重点在于加速提升EUV系统的良率和生产力，这将为EUV业务提供更强健的基础，有助于实现2019年至少出货30台EUV系统的计划。 ”　　这是否意味着ASML的出货速度正在提升，中芯国际预定的EUV系统或将更快出货？　　此外，5月，长江存储也迎来了自己的第一台光刻机，同样是由ASML供应，不过这台机器并不是最新的EUV光刻机，而是193nm沉浸式光刻机，可用于生产20nm-14nm工艺的3D NAND闪存晶圆，售价7200万美元一台。　　无独有偶，在上海浦东新区康桥工业园南区，华虹集团旗下上海华力集成电路制造有限公司建设和营运的12英寸先进生产线建设项目（“华虹六厂”）首台工艺设备光刻机也已在5月进厂。　　据了解，这台光刻机的型号是NXT 1980Di，依然是由ASML供应。官方资料显示，这是一台193nm双级沉浸式光刻机，用于10nm级（14~20nm）晶圆生产，同时它也是大陆装备的最先进的沉浸式光刻设备。　　而这些数据都应当已经归入到ASML第二季度的财报之中。　　光刻机需求持续增长　　此外，从终端应用来看，2018年第一季度内存芯片市场占比为74%，逻辑芯片占比为26%。到第二季度，内存芯片占比下降到54%，而逻辑芯片占比上升到46%。Peter Wennink指出，“今年内存芯片市场对于光刻系统的强劲需求，推动EUV业务的成长，我们预估市场需求增势将从今年持续到2019年。”　　具体来看，ASML在电话会议上表示，由于现有的和新兴的市场对于高性能计算的需求，逻辑芯片市场未来的发展依然稳健。这一市场中的客户正在着力推动7nm技术节点，这将会进一步刺激EUV系统需求的增长。同时，因为EUV系统的不断改善，客户对于系统以及逻辑芯片未来工艺路线的信心正不断增加。　　在内存方面，ASML表示，随着客户技术的迁移和内存容量的增加，几乎每一个客户都需要提升晶圆厂的生产容量，这也将会刺激EUV系统的需求。　　在此影响之下，ASML正在有计划地推进EUV系统的发展。ASML强调，无论是逻辑芯片还是内存，随着工艺的提高，都需要更好的设备来提高生产力。尤其是随着内存层数的不断提高，层数越多就越需要EUV提高生产力，降低生产成本，因为更高的生产力就意味着更低的成本。　　从地区分布上来看，韩国的出货量相比于第一季度的51%已下降到了35%。中国台湾地区的出货量从3%上升到了18%，中国大陆的出货量从20%下降到了19%。　　面向这些市场的产品主要包括EUV、ArF i、ArFdry、KrF、I-Line。其中，EUV的出货量由第一季度的1台上升到7台，ArF i出货量由第一季度的21台下降到了19台，ArFdry由3台上升到5台，KrF依然为19台，I-Line从5台上升到了8台。　　值得注意的是，由于ASML产品的出货量不高，而产品的价格很高，所以不难看出在财报中，部分产品的销售比重一直较低。而像EUV这类设备，由于单价高，出货速度慢，所以反映在财报中的波动就非常大。此外，也正是因为这一原因，销售地区占比波动也比较大。　　预计第三季度销售额约27亿-28亿欧元　　财报中还指出，第二季度共销售了52套全新的光刻设备、7套二手光刻设备。不过对于具体二手设备的销售情况，ASML并没有给出进一步的数据。　　对于第三季度，ASML表示，2018年第三季度的销售额将会介于27亿至28亿欧元之间，其中来自EUV系统的收入为5亿欧元。毛利率介于47%到48%之间，研发费用为3.95亿欧元，主要用于NXT 3400产品线的研发和EUV生产的提速。ASML还强调，今年EUV的预定出货目标依然是20套，在第三季度将会出货5套。　　此外，ASML还表示，与2017年相比，2018年预计销售额和利润都会有稳定的增长，尤其是在上半年良好的业绩下，预计下半年的销售额将会更高，公司整体的盈利能力将会更好。

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ASML,中芯国际

发布时间：2018-07-20 00:00 阅读量：2078 继续阅读>>

<span style='color:red'>EUV</span>技术量产已进入最后冲刺阶段

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EUV技术量产已进入最后冲刺阶段

尽管极紫外光(EUV)步进机的大量生产面临复杂的问题以及紧迫的时间，专家们仍然抱持乐观态度.随着工程师们竞相解决错综复杂的相关问题，酝酿了20年的新世代微影工具终于来到大量问世前的最后一个阶段──尽管极紫外光(EUV)步进机的大量生产面临复杂的问题以及紧迫的时间，专家们仍然抱持乐观态度。好消息是，半导体产业界正众志成城、积极推动技术进展；如比利时研究机构Imec的技术与系统执行副总裁An Steegen所言：“在过去，可能会有一家公司率先采用最新的半导体技术，但现在几乎所有的逻辑工艺技术供货商都跳进来、咬紧牙关努力并勇于承担风险。”Imec是荷兰EUV微影设备大厂ASML的长期合作伙伴，他们与晶圆代工厂、半导体供货商携手，现在的目标是解决该种有尺寸有一个房间大小、将用以制造新一代芯片的设备剩下的最后几个主要问题；Steegen在Imec年度技术论坛接受EE Times采访时指出，这很像是在2008年问世的FinFET晶体管，是很重大但充满挑战的半导体性能提升关键。她表示：“人们比较过下世代节点的最糟情况以及旧节点的最佳情况，现在各方都同意FinFET是具备超高性能的组件；我学到的教训是要对所有事情抱持怀疑态度…未来的半导体工艺技术还有足够进步空间，让SoC设计工程师能得到他们想要的。”而在笔者于Imec总部排队等着喝咖啡时与一位有32年工作资历的EUV开发老将闲聊时，他简单表示：“现在有很多压力…但我们正在取得进展。”确实，三星(Samsung)的晶圆代工部门赶着在今年底于7纳米工艺导入EUV，该公司的目标是超越最大竞争对手台积电(TSMC)，后者正利用现有的浸润式微影设备进行7纳米设计案的投片；台积电与另一家晶圆代工大厂GlobalFoundries也不落人后，他们打算在明年以EUV量产强化版的7纳米工艺。Imec预期，DRAM制造商会在D14+节点采用EUV技术──应该会在2021年内存半间距(half pitches)来到20纳米以下时。目前Imec有两个技术开发重点，有助于舒缓边缘粗糙度(line-edge roughness)的问题，并消除所谓的随机效应(stochastics)、随机误差(random errors)等造成触点漏失(create missing)、触点断续(kissing contacts)的缺陷。那些误差在今年稍早于对下一代5纳米节点十分关键的15纳米临界尺寸首度被发现，但研究人员表示他们也在7纳米看到一样的问题。Steegen预期将会有混合式解决方案出现，这种方案会采用扫描机设定、光阻剂材料以及后期处理等方法的结合，以接续断裂的线路、将粗糙部分抹平或是填补漏失的触点。晶圆代工业者可以提供更高剂量的EUV光源──例如80 millijoules/cm2──以扩大工艺容许范围(process window)，但这会让生产速度减慢；Steegen表示：“第一次实作时的最高剂量决定权在于各家晶圆代工厂。”工程师正在利用一系列的光罩调整、步进机设定、光阻剂选择以及后期处理方法，来解决EUV的随机误差问题（来源：Imec）混合式解决方案以及放宽的设计规则Imec正在开发能预测并定位随机误差可能在设计中出现的地方，以提供工艺容许范围的视野；但寻找缺陷往往非常仰赖快速的电子束检测系统(e-beam inspection systems)。随着工艺节点来到单纳米尺寸，研究人员开始将缺陷归因于为小细节；举例来说，一次EUV曝光中的光子数量，会影响化学放大光阻剂(chemically amplified resists)，而其他种类的光阻剂性能也会因为所嵌入的金属分子定向(orientation)而有所变化。对此Steegen表示：“并非所有的光阻剂作用都一样，它们因为不同基层而表现出的作用也会很独特…我们仍在经历一些基础性的学习。”为了简化工艺世代转移，GlobalFoundries采取分阶段EUV策略，在相对较宽松的7纳米节点只采用5层金属；该公司首席技术官Gary Patton在Imec技术论坛上接受采访时表示：“我们能够以较低剂量运作并达到良好的生产量。”Patton透露，GlobalFoundries将于今年稍晚采用浸润式微影进行首次7纳米设计投片，是一款AMD处理器；接着是一款IBM处理器，然后有数款ASIC。GlobalFoundries将7纳米节点的间距与SRAM单元制作得跟台积电的很类似，让芯片设计业者如AMD能够同时利用两家晶圆代工厂；他表示，AMD“的需求会高于我们拥有的产能，所以我们对(AMD也委托台积电生产)这件事没有意见。”不过，GlobalFoundries在开发10纳米节点的同时会跳过5纳米节点，该公司认为前者会有适度的递增收益；而该公司正在为下一代工艺寻求财务与技术上的伙伴，有可能会朝3纳米节点迈进。微影技术人员现在将良率问题视为EUV需要考虑的首要议题（来源：Imec）在面对众多挑战的同时保持乐观尽管有重重挑战，Patton仍保持乐观；他认为，尽管智能型手机市场成长趋缓，产业界已经演变至进入AI时代，“新的无晶圆厂IC公司暴增”。在此同时，GlobalFoundries的FD-SOI工艺将至今年底将拥有75家设计伙伴，目前已经取得36件设计案。“很多人去年都在场边观望FD-SOI是否做得成，而现在结果已经很清楚；”Patton指出，该工艺技术能支持低至0.4V的设计，并在今年秋天量产Grade 2车规版本。GlobalFoundries与Imec的高层对于整体半导体技术蓝图的进展仍保持乐观，不过有一些工程师开始在公开谈论，晶体管速度的提升一般来说已经终结，晶体管密度与性能的进展则是一个节点比一个节点减少。对此Imec正在协助晶圆代工业者开发一系列性能提升技术来补强，包括简化的单元轨(cell tracks)、埋入式电源轨(buried power rails)，以及芯片上电路堆栈(on-die circuit stacks)。“一般来说我并没有看到报酬递减，”Steegen表示：“我对于3纳米与2纳米逻辑工艺节点与内存技术蓝图发展感到乐观，我们有足够的资源…因此设计工程师会看到芯片面积的微缩，但他们可能需要在设计上做一些改变。”因此Imec的芯片微缩核心项目，继续每年以每年5~10%的速率成长；Imec首席执行官Luc Van den Hove首席执行官表示：“十年前，我们预期我们在先进CMOS工艺技术方面的工作会持平发展，因为产业整并的缘故，但情况恰恰相反。”他指出，Imec的相关项目因为AI加速器芯片以及DNA储存等新题材而增加。

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发布时间：2018-06-04 00:00 阅读量：1657 继续阅读>>

<span style='color:red'>EUV</span>订单疯长,ASML将向中国5家本土晶圆厂供货

行业新闻

EUV订单疯长,ASML将向中国5家本土晶圆厂供货

光刻系统供应商ASML公布了强劲的第四季度业绩，其销售额在本季创造了新纪录，还接了10台新一代极紫外（EUV）光刻设备的订单……EETimes伦敦报道——光刻系统供应商ASML公布了强劲的第四季度业绩，其销售额在本季创造了新纪录，还接了10台新一代极紫外（EUV）光刻设备的订单。姗姗来迟的EUV终于进入量产阶段，一些顶尖芯片制造商计划在今年晚些时候或最迟明年初采用。ASML总裁兼首席执行官Peter Wennink在2017年表示，“EUV进入大批量芯片制造的准备工作将进一步加快”。ASML在2017年获得了11亿欧元（约合13.4亿美元）的收入，并在第四季度获得了额外的10个EUV系统订单，在这一年中，他们手里积压的EUV设备订单高达28个。总体上，ASML公布2017年销售额90.5亿欧元（约合110.4亿美元），比2016年增长33％。该公司2017年实现利润21.2亿欧元（约合25.9亿美元），比2016年增长44％。单看第四季度，ASML总销售额为25.6亿欧元（约合31.2亿美元），比第三季度增长4％。该公司报告季度净收入为6.44亿欧元（约合7.86亿美元），比第三季度增长16％。Peter WenninkWennink表示，由于有大客户给了压力，促使ASML在第四季度提前交付了客户要求的两台EUV光刻系统。ASML还报告说，随着公司继续支持中国不断扩张的半导体产业，2016年半导体制造设备对中国的销售额增加了20％以上。随着向在中国运营的外资晶圆工厂出货达成，ASML还计划于2018年向五家中国本土客户供货。2017年光学光刻工具的出货量也大幅增长。该公司表示，光刻系统出货量比2016年增长了21％，达到了161个。ASML预计2018年第一季度销售额约为22亿欧元（约合27亿美元）。

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发布时间：2018-01-24 00:00 阅读量：1334 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
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STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
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BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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