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Microchip推出新型600V栅极驱动器

　　Microchip Technology宣布推出其600V栅驱动器系列，包含12款器件，提供半桥、高侧/低侧和三相驱动配置。基于Microchip的电源管理解决方案，这些高压栅极驱动器旨在促进工业和消费应用的电机控制和功率转换系统的开发。　　600V门极驱动器实现快速切换和高效性能，当前驱动功率范围从600mA到4.5A不等。它们支持3.3V逻辑，实现与微控制器的无缝集成。这些栅极驱动器设计具有增强的抗噪能力、施密特触发输入和内部死区以保护MOSFET，能够在高噪声环境中实现可靠的性能。　　Microchip模拟电源与接口部门副总裁Rudy Jaramillo表示：“Microchip的600V门极驱动器为我们的客户提供了应对复杂电机控制和电力转换挑战所需的可靠性和效率。这些器件帮助工程师更快、更有信心地将功率系统推向市场。”　　为了实现全面的系统解决方案，Microchip的电机控制和功率转换产品可以与公司的MCU和MOSFET一起使用。这些门极驱动力支持工业系统电气化、可再生能源增长以及对紧凑高效电机控制解决方案需求的增长等行业趋势。　　Microchip提供多种栅极驱动器产品，支持从直流-直流电源到多种电机应用的广泛应用，同时促进高设计灵活性、系统效率和稳健运行。　　Microchip Technology Inc 开发嵌入式控制与处理解决方案，旨在实现安全、互联和智能应用。凭借广泛的产品组合和简化的开发工具，公司支持高效的系统设计，旨在降低开发风险、成本和部署时间。Microchip 服务全球超过 10 万客户，其技术应用于工业、汽车、消费电子、航空航天与国防、通信及计算机等多个领域。公司总部位于亚利桑那州钱德勒，专注于可靠的产品交付、高质量的制造质量和强大的技术支持。

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Microchip

发布时间：2026-01-27 10:08 阅读量：301 继续阅读>>

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森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准

　　在追求更高效率、更高功率密度的电力电子领域，碳化硅(SiC)功率器件的性能优势已得到广泛认可。然而，传统的封装技术正成为限制其潜能全面释放的关键瓶颈。森国科(SGKS)近日创新性地推出KM025065K1(650V/25mΩ)与 KM040120K1(1200V/40mΩ)两款SiC MOSFET产品，率先将TOLL封装与铜夹片(Cu-Clip)技术深度融合，为下一代高性能电源方案树立了新标杆。　　01 技术基石：为何选择TOLL封装?　　TOLL(TO-Leaded，L-type)封装是一种专为大电流、高散热需求设计的表面贴装(SMD)封装。其外形与标准的TO-LL规范兼容，具备以下核心优势：　　低外形与高功率密度：　　TOLL封装的高度通常极低(如规格书中标注的典型值为2.30mm)，非常适合在空间受限的应用中实现高功率密度布局。　　出色的散热能力：　　封装底部具有大面积的可焊接散热焊盘，为芯片到PCB(或散热器)提供了极低的热阻路径。规格书中KM025065K1的结壳热阻(RθJC)低至0.46°C/W，KM040120K1更是达到0.42°C/W，为高效散热奠定了基础。　　低寄生电感：　　多个开尔文源极引脚和功率引脚的优化布局，有助于减小开关回路中的寄生电感，这对于发挥SiC高频开关优势、抑制电压过冲和振铃至关重要。　　02 性能跃迁：Cu-Clip技术如何赋能TOLL封装?　　森国科的创新之处在于，在TOLL封装内部，用铜夹片(Cu-Clip) 替代了传统的铝键合线(Bonding Wires)。　　彻底告别键合线瓶颈：　　传统键合线存在寄生电感较大、载流能力有限、热机械可靠性等问题。Cu-Clip通过一块扁平的铜片直接连接芯片源极和引线框架，实现了面接触。　　实现“三位一体”的性能提升：　　超低导通电阻：　　铜的导电性远优于铝，Clip结构提供了更广阔的电流通道，显著降低了封装内部的导通电阻。　　极致散热性能：　　铜片成为高效的导热桥梁，将芯片产生的热量快速、均匀地传导至整个引线框架和封装外壳，这正是实现超低RθJC的关键。　　更高的可靠性与电流能力：　　消除了键合线可能因热疲劳而脱落的风险，载流能力大幅提升，规格书中KM025065K1的连续漏极电流在Tc=25°C时高达91A。　　03 强强联合：TOLL+Cu-Clip与SiC晶圆的完美协同　　当优化的TOLL封装、先进的Cu-Clip互联技术与高性能SiC晶圆相结合，产生了“1+1+1>3”的协同效应：　　充分发挥SiC高频特性：　　低寄生电感的封装允许SiC芯片以更快的速度开关(如KM025065K1的上升时间tr=28ns)，从而显著降低开关损耗，提升系统频率和效率。　　最大化功率密度：　　优异的散热能力使得器件能在更高结温(Tj=175°C)下持续输出大电流，允许使用更小的散热器，最终实现系统体积和重量的大幅缩减。　　提升系统鲁棒性：　　KM040120K1规格书中特别提到“带有单独驱动源引脚的优化封装”，这有助于进一步改善开关性能，减少栅极振荡，使系统运行更稳定可靠。　　04 应用场景：为高效能源未来而生　　这款创新封装的SiC MOSFET非常适合对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的应用：　　光伏/储能逆变器：　　高开关频率可减小无源元件体积，高效率直接提升发电收益。　　电动汽车车载电源(OBC/DCDC)与电机驱动：　　高功率密度和卓越散热是满足紧凑空间和高温环境要求的关键。　　服务器电源/通信电源：　　助力打造效率超过80 Plus钛金标准的高密度电源模块。　　工业电机驱动与不间断电源(UPS)：　　高可靠性和高频特性满足工业环境的严苛需求。　　森国科KM025065K1与KM040120K1的推出，不仅是两款新产品的面世，更是一次针对功率封装瓶颈的精准突破。它证明了通过封装-互联-芯片的协同设计与创新，能够充分释放第三代半导体的巨大潜力。这为设计工程师在面对未来能源挑战时，提供了一把兼具高性能、高可靠性与高功率密度的利器，必将加速光伏、电动汽车、数据中心等关键领域的技术革新。

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森国科

发布时间：2026-01-26 17:39 阅读量：333 继续阅读>>

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森国科SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命

　　在小体积、高功率密度、高效散热成为行业刚需的今天，　　森国科通过创新的封装技术给出了自己的解决方案。　　继成功推出PDFN8 * 8+Cu-Clip封装的SiC二极管后，森国科正式发布三款同封装类型的SiC MOSFET产品——KM025065P1、KM040120P1和KM065065P1，形成了完整的650V-1200V电压覆盖，为高功率密度应用提供了更为丰富的选择。　　这一系列新品基于森国科自主研发的第三代平面栅SiC MOSFET芯片技术，通过创新的铜夹片封装技术和优化的内部结构设计，在保持高性能的同时显著提升了散热效率和功率密度。　　PART01 三款新品核心参数解析：满足不同功率等级需求　　KM025065P1：650V/25mΩ高电流型号　　这款产品在25℃条件下连续漏极电流高达91A，脉冲电流能力达到261A，特别适合大电流应用场景。其低导通电阻(典型值25mΩ)确保在高电流下仍保持较低的导通损耗。　　该器件结壳热阻低至0.49°C/W，配合Cu-Clip技术，能够将芯片产生的热量快速传导至PCB板，保证在高功率运行时的稳定性。　　KM040120P1：1200V/40mΩ高压应用优选　　针对光伏逆变器、工业电机驱动等高压应用，KM040120P1提供了1200V的耐压能力，同时在15V驱动电压下导通电阻典型值为40mΩ。该产品静态栅源电压为-5/+15V，适用于严苛的工业环境。　　值得一提的是，这款产品特别优化了开关特性，在800V/33A测试条件下，开关能量表现优异(Eon典型值530μJ，Eoff典型值32.1μJ)，有效降低系统开关损耗。　　KM065065P1：650V/65mΩ性价比之选　　对于成本敏感型应用，KM065065P1提供了平衡的性能与价格。其导通电阻典型值为65mΩ，连续漏极电流38A，适合中小功率场景。该产品输入电容仅为977pF，栅极总电荷41nC，便于驱动电路设计。　　三款产品均支持-55℃至+175℃的工作结温范围，满足汽车电子、工业控制等严苛环境要求。　　PART02 PDFN8 * 8+Cu-Clip封装技术深度解读　　PDFN8 * 8+Cu-Clip封装是森国科为应对高功率密度挑战而推出的先进封装解决方案。与传统的引线键合技术不同，Cu-Clip(铜夹片)技术采用扁平铜桥连接芯片表面和外部引脚，有效降低封装电阻和热阻。　　这种封装结构的优势显而易见：更低的寄生参数、更好的热性能以及更高的电流承载能力。实测数据显示，与传统封装相比，Cu-Clip技术能够降低约35%的封装电阻，同时提升约20%的电流能力。　　热性能是功率器件的关键指标。PDFN8 * 8+Cu-Clip封装通过优化设计，实现了从芯片到PCB的高效热管理路径。三款新品的结壳热阻均在0.46-0.81°C/W范围内，大幅提升了整体散热能力。　　封装尺寸方面，PDFN8 * 8保持了8mm×8mm的紧凑外形，引脚间距为2.0mm典型值，厚度控制在0.95mm典型值。这种紧凑设计使得器件在空间受限的应用中具有明显优势。　　PART03 电气性能优势：低损耗与高可靠性兼备　　开关损耗是影响功率转换效率的关键因素。三款新品在开关特性方面表现出色：　　优化的开关速度:　　由于减少了栅极回路的寄生电感，新品的开关速度得到显著提升。以KM025065P1为例，其开启延迟时间仅12ns，上升时间28ns，下降时间22ns，支持更高频率的运行。　　低栅极电荷：　　KM065065P1的栅极总电荷仅为41nC，KM040120P1为84nC，降低驱动电路的设计难度和功率需求。　　优异的体二极管特性：　　内置的快恢复体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)，KM065065P1的Qrr典型值仅为67nC，减少反向恢复损耗。　　可靠性方面，所有产品均通过严格的可靠性测试，包括高温反偏(HTRB)、高低温循环等测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。　　PART04 应用场景全覆盖：从消费电子到工业驱动　　新能源汽车领域　　在车载充电机(OBC)和直流-直流转换器中，KM025065P1的高电流能力(91A连续电流)可直接替代多个并联的传统器件，简化系统设计。KM040120P1的1200V耐压适合800V电池系统应用。　　可再生能源系统　　光伏逆变器是SiC MOSFET的重要应用领域。KM040120P1的高耐压和低导通损耗可有效提升系统效率，配合其优异的开关特性，助力实现99%以上的转换效率。　　工业电源与电机驱动　　服务器电源、通信电源等场景中，KM065065P1的平衡性能和成本优势明显。其紧凑的封装尺寸有助于提升功率密度，满足现代数据中心对高密度电源的需求。　　消费类电子　　大功率快充电源适配器、便携式充电站等应用中，KM025065P1的高功率密度特性可在有限空间内实现更大的功率输出。　　PART05 设计与应用支持：助力客户快速量产　　针对不同的应用场景，森国科技术团队可提供定制化的解决方案，帮助客户优化系统性能，缩短产品上市时间。　　在驱动设计方面，由于三款产品的阈值电压(VGS(th))在2.7-3.2V范围内，建议驱动电压在15-18V之间，以确保充分导通的同时避免过驱动。　　散热设计建议　　虽然Cu-Clip封装具有良好的散热性能，但在大功率应用中仍需注意PCB的热设计。建议使用2盎司及以上铜厚的PCB，并合理设计散热过孔和散热焊盘。　　森国科此次推出的三款PDFN8 * 8+Cu-Clip封装SiC MOSFET产品，与先前发布的同封装SiC二极管共同构成了完整的功率半导体解决方案。这一产品组合体现了森国科在碳化硅技术领域的深厚积累和对市场需求的精准把握。　　随着新能源、电动汽车等行业的快速发展，对功率器件的功率密度、效率、可靠性要求不断提高。森国科通过持续的技术创新和产品优化，为行业客户提供更具竞争力的解决方案。　　未来，森国科将继续扩展Cu-Clip封装的碳化硅功率器件产品线，包括2200V及更高电压等级的器件，为全球绿色能源转型提供核心半导体支撑。　　以下是三款产品的规格：

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森国科

发布时间：2026-01-23 11:02 阅读量：369 继续阅读>>

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森国科创新推出PDFN8 * 8结合Cu-Clip封装碳化硅二极管，实现高功率密度新突破

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森国科

发布时间：2026-01-20 17:20 阅读量：363 继续阅读>>

纳芯微推出集成隔离电源的隔离接口NS<span style='color:red'>IP</span>93086和NS<span style='color:red'>IP</span>9042系列

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纳芯微推出集成隔离电源的隔离接口NSIP93086和NSIP9042系列

　　纳芯微今日宣布推出集成隔离电源的隔离接口NSIP93086和NSIP9042，其中NSIP93086集成了RS485收发器，为NSIP83086的升级款;NSIP9042集成了自带振铃抑制功能的CAN SIC收发器，为NSIP1042的升级款。　　新发布的器件可广泛适用于光伏、储能、充电桩、电力设备、服务器电源等对尺寸、可靠性、电磁兼容等方面具有高要求的系统应用。　　三合一集成设计，大大降低PCB占板空间　　在传统方案中，数字隔离器和接口收发器均需单独配置电源进行供电，无论是采用传统的电源模块还是分立的电源IC，都会增加PCB占板面积，并且增加系统设计难度和可靠性风险。　　纳芯微NSIP93086和NSIP9042采用集成数字隔离器、接口、电源三合一的设计，相比采用电源模块的传统设计，可将PCB面积降低至少三分之二，高度更是仅为电源模块的五分之一，大大降低了占板空间。不同隔离通信方案的PCB尺寸对比　　NSIP93086和NSIP9042集成的变压器还拥有业界领先的电源转换效率，在500mW功率下，可达到49%的转换效率。此外，内置变压器的设计不仅降低了成本和设计难度，还减少了因外置变压器或电源模块带来的可靠性风险，为系统的持久稳定运行提供保障。　　接口方面，NSIP93086集成全双工/半双工的RS485收发器，传输速率为16Mbps;NSIP9042集成具有振铃抑制功能的CAN SIC收发器，传输速率为5Mbps，高性能接口的集成可显著助力降低信号延迟，减少传输误码，进一步增强了系统的可靠性。　　RE性能大幅优化，轻松通过CISPR32 Class B测试　　无论是系统还是器件层面，电磁干扰(EMI)一直是高集成设计需要着重攻克的挑战之一，随着相关系统功率密度的提升，如何在日益有限的空间内，降低器件之间电磁干扰的互相影响，保证系统电路的稳定、可靠运行，成为工程师需要重点考虑的设计点。　　纳芯微NSIP93086和NSIP9042凭借已申请专利的EMI改善技术，实现了器件级RE (Radiated Emission，辐射发射)性能的大幅优化，在两层PCB板、外围电路无磁珠、无拼接电容，输入5V，带载100mA的测试条件下，NSIP93086和NSIP9042均可轻松通过CISPR32 Class B 测试，并保有裕量。外围电路的简化和业内卓越的EMI性能可大大降低系统BOM成本和设计调试难度，缩短终端产品的上市时间。　　出色的隔离性能，全面满足安规要求　　NSIP93086和NSIP9042采用纳芯微业内领先的电容隔离技术，隔离耐压高达5kVrms，CMTI高达100kV/μs，满足加强绝缘认证标准，可提供CQC、VDE、UL、TÜV等国内外主流认证机构的权威报告，助力用户简化系统设计和测试流程。　　NSIP93086和NSIP9042的爬电距离亦高达8.15mm，能够满足IEC 62477-1:2022标准中直流1500V、过电压等级I级、污染等级II、5000米海拔基本绝缘的应用需求。　　封装和选型　　纳芯微NSIP93086和NSIP9042采用SOW16、SOW20封装，可与纳芯微上一代产品以及竞品同类器件实现完全P2P引脚兼容，工程师在进行产品升级时，无需重新设计，极大地降低了设计难度和开发周期。NSIP93086和NSIP9042满足工规要求，工作温度均可达到-40℃~125℃。目前NSIP93086和NSIP9042已经量产。　　丰富的“隔离+”产品，满足多元化应用需求　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列 “隔离+”产品。纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。

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纳芯微

发布时间：2025-11-05 09:53 阅读量：510 继续阅读>>

广和通推出MagiCore 2.0，提升<span style='color:red'>IP</span> Agent定制体验

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广和通推出MagiCore 2.0，提升IP Agent定制体验

　　10月28日，广和通发布全新升级的MagiCore 2.0，以精巧尺寸、便携易用、低功耗、IP Agent定制等优势，为AI毛绒包挂场景带来个性化AI交互体验。MagiCore 2.0提供毛绒终端、机芯盒、AI音频流模组等多种交付方式，目前，MagiCore 2.0已率先进入客户送样阶段。　　MagiCore 2.0机芯盒拥有50*48*23mm的精巧尺寸和50g轻盈重量，使其能够轻松内置到大多数毛绒挂件中，保持产品原有的便携性与美观度。MagiCore 2.0采用阻燃防静电的环保材质，同时，为解决毛绒材质下的散热难题，研发团队进行了专业热管理方案设计，确保在正常工作模式和充电模式下均无安规风险。在功耗控制上，MagiCore 2.0继承了上一代产品的超低功耗特性，并通过4G超长待机技术实现待机7天、连续工作3小时的出色续航表现。其自动休眠机制与云端保活快速响应技术，有效缓解用户长时间外带的电量焦虑。　　MagiCore 2.0支持WebSocket和RTC模式，可根据用户需求进行定制。端侧处理能力方面，MagiCore 2.0具备离线唤醒功能，可以通过关键词或按键进行设备唤醒，同时基于设备优良的音频3A算法实现自然语言对话和打断功能，无需通过关键词或按键打断，带来更好的人机交互体验。　　新一代MagiCore 2.0在情感交互上带来创新，专注提升IP Agent定制，为18-35岁一线白领和潮玩二次元爱好者提供全新的IP Agent架构模型。这一创新模型能够根据用户对话和情绪，生成角色特有的内心OS，让AI陪伴更具个性与情感深度。同时架构模型搭载广和通自研情感模型、环境关系图谱、多层级记忆体等独创能力，能够为客户提供快速IP客制化以及特殊玩法定制等服务。　　MagiCore 2.0支持配套APP，可利用生成式AI创造当前城市特色背景，随着用户地理位置变化，角色IP会开启自己的“赛博旅程”，并自动书写独特的赛博旅行日记。这种动态叙事体验让用户与AI角色间建立起持久且独特的情感联结。　　MagiCore2.0的问世印证了广和通在AI陪伴领域的持续创新能力，推动AI陪伴方案由专注功能性向情感联结升级，以科技提供搭子式的情感陪伴。未来，广和通将通过MagiCore的持续迭代，为每一个终端赋予智能灵魂。

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发布时间：2025-10-28 17:47 阅读量：581 继续阅读>>

上海雷卯高速M<span style='color:red'>IP</span>I 接口静电保护方案

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上海雷卯高速MIPI 接口静电保护方案

　　MIPI(Mobile Industry Processor Interface移动产业处理器接口)是2003年由ARM,Nokia,ST,TI等公司成立的一个联盟，MIPI 联盟定义了一套接口标准，把移动设备内部的接口如摄像头、显示屏、基带、射频接口等标准化，从而增加设计灵活性，同时降低成本、设计复杂度、功耗和EMI。MIPI接口标准在移动设备、汽车电子和物联网等领域得到广泛应用，对于实现高性能、低功耗和小型化的连接需求起到了重要作用。　　比较成熟的应用有MIPI-CSI (camera Serial interface) 接口可以连接摄像头，MIPI-DSI (display Serial interface) 接口可以连接显示屏。　　一般应用是通过 MIPI -CSI 接口摄像头输入信号，经过CPU 对数据处理，通过 MIPI-DSI 接口连接的显示屏播放显示。　　1. MIPI 差分信号摆幅多少　　MIPI接口标准通常使用低压差分信号传输，其中包括两个互补的信号线，分别是正向和负向的差分信号。这种设计有利于减少传输中的干扰和噪音，并提高抗干扰能力。　　在MIPI CSI-2和DSI中，通常采用的电平幅度是低压差分信号，主要包括以下几种：　　C-PHY：C-PHY采用较低的供电电压，通常为1.2V，其数据信号的电平幅度为0.2V到1.0V之间。　　D-PHY：D-PHY也采用较低的供电电压，通常为1.2V，其数据信号的电平幅度为0.4V到1.1V之间。　　这些低压差分信号的电平幅度设计有利于降低功耗、减小传输线路的大小和成本，并且能够满足移动设备对功耗和尺寸的严格要求。　　2. MIPI 接口数据速率　　MIPI接口的数据速率取决于具体的协议和规范，以及设备的性能和需求。以下是一些常见的MIPI接口和它们的数据速率范围：　　MIPI CSI-2(Camera Serial Interface 2)：CSI-2用于摄像头到处理器的数据传输。它支持多种数据速率，包括低速(10 Mbps至100 Mbps)、中速(100 Mbps至1 Gbps)和高速(1 Gbps以上)的模式。具体的数据速率取决于摄像头模块的要求和设备的性能。　　MIPI DSI(Display Serial Interface)：DSI用于处理器到显示屏的数据传输。它也支持多种数据速率，包括低速(10 Mbps至100 Mbps)、中速(100 Mbps至1 Gbps)和高速(1 Gbps以上)的模式。具体的数据速率取决于显示屏的分辨率、刷新率和设备的性能。　　MIPI RFFE(RF Front-End Control)：RFFE用于控制射频前端模块，通常用于移动设备的无线通信。它的数据速率通常在100 kbps至10 Mbps之间，根据具体的应用需求而定。　　3. MIPI差分数据线对　　MIPI 接口支持最多1对差分时钟配1-4对差分数据，具体差分线对多少与配备的设备有关。　　4. 上海雷卯MIPI 接口ESD保护　　在MIPI接口中，为了保护设备免受静电放电(ESD)的影响，在MIPI 接口处放置ESD保护器件是最可靠的防护，当然合理的器件布局走线和接地也是必不可少的。　　因为MIPI 接口电平在0.2-1.4V 之间，因此选择VRWM为3.3V 集成ESD 最为合理。　　接口差分数据在1-4之间，可以根据设备匹配相应数量ESD ,在此按最多4组数据为例。　　(1)高速接口保护方案　　高速一定要低容ESD 来保护　　(2)中低速接口保护方案(10M-1Gbps)　　EMC小哥ESD知识分享　　电路板布局和ESD保护器件放置　　电路板布局对于抑制 ESD、电子快速瞬变 (EFT) 和瞬变浪涌至关重要，建议遵循以下准则：　　1.将ESD放置在尽可能靠近输入端子或连接器的位置。　　2.尽可能缩短ESD器件与受保护线路之间的路径长度。　　3. 除差分及同类数据地址总线外，非同类信号线尽可能的不要并行。　　4.避免将受保护的导体与未受保护的导体并行放置。　　5.尽量减少所有印刷电路板 (PCB) 导电回路，包括电源和接地回路。　　6.尽量减少对地瞬态回流路径的长度　　7.避免使用瞬态响应路径做公共接地点　　8.对于多层 PCB，尽可能使用接地平面，接地通孔。　　Leiditech上海雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。

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发布时间：2025-10-20 16:00 阅读量：577 继续阅读>>

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苹果iPhone 17核心供应链揭秘，A股核心供应商名单出炉！

　　9月10日凌晨，苹果召开秋季新品发布会。苹果发布iPhone 17、iPhone 17 Pro、iPhone 17 Pro Max;以及史上最纤薄iPhone——iPhone Air。　　据多家权威机构透露，苹果公司计划量产近1亿部iPhone 17系列手机。这一数字远超去年同期水平，机构分析指出，iPhone 17系列预计将在AI功能、影像系统、外观设计等方面迎来重大升级，这极有可能驱动一轮前所未有的“超级换机潮”。　　总所周知，支撑起IPhone17的成功打造，离不开其强大的供应链体系。销往美国的iPhone17主要由印度工厂生产组装，而中国大陆仍是全球市场的核心供应地——从材料研发到整机组装，从芯片封装到影像模组等等，都是中国供应链的精密协作。　　AMEYA360就苹果产业链及涉及供应商进行了部分总结，具体内容如下：　　核心制造与代工　　工业富联：　　母公司为苹果最大代工厂富士康，主要负责精密金属结构件的制造，是iPhone生产的“基础设施”，业绩与iPhone销量高度绑定。　　承担了 iPhone 传统机型以及折叠屏机型的整机组装，还为iPhone 17提供精密结构件，并且为苹果AI基础设施提供高端AI服务器代工。　　立讯精密：　　苹果产品线覆盖最广的代工厂，从零部件到整机代工的超级平台，深度供应无线充电、声学器件、线性马达等模组。　　承接iPhone17全系列代工，生产Apple Watch Series 10，以及为苹果Vision Pro头显的独家组装商;为苹果提供智能声学终端组件;持续为苹果供应连接器、线缆等精密零部件，这些产品广泛应用于苹果多款产品。　　比亚迪：苹果电池模组核心供应商，切入多品类供应链。　　关键零部件　　领益智造：　　精密功能件龙头，覆盖多品类苹果产品结构件，产品线极广，包括磁材(MagSafe核心)、散热、充电器等iPhone中大量不可或缺的“小零件”。　　为苹果提供几千种模组件和零部件，产品覆盖Mac，iPhone，iPad，AirPods等终端。为iPhone 17提供散热解决方案，具备热管、空冷散热模组、导热垫片、导热胶相关产品的研发、生产能力及系统性散热解决方案。　　蓝思科技：超瓷晶玻璃全球独家供应商，折叠屏UTG技术领先，为iPhone提供前后盖板玻璃及蓝宝石材料，并且供应高导热铝合金中框。　　京东方A：国内面板龙头，已为iPhone标准版供应OLED屏幕。值得注意的是，京东方也同步为华为Mate XTs供应超薄柔性玻璃(UTG)，形成“双品牌技术储备”　　鹏鼎控股：　　iPhone主板及软板全球龙头，A系列芯片封装核心合作方。　　为苹果iPhone 17系列提供印制电路板(PCB)，具体包括柔性电路板(FPC)、高阶HDI板和SLP(类载板) 等。iPhone 17系列在AI化方面，单机PCB用量有所增加，价值量进一步提升。　　东山精密：为苹果iPhone 17系列提供柔性电路板(FPC)，是苹果FPC的第二大供应商。iPhone 17系列新推出的SLIM超薄机型使用了更多且技术难度更高的FPC，带来了价值和用量提升。同时在精密金属结构件领域占据重要地位。　　技术组件　　歌尔股份：AirPods声学模组独家供应商，为iPhone系列和AirPods提供扬声器、麦克风等声学组件和模组。VR/AR代工领先。　　精研科技：折叠屏铰链全球独家供应商，MIM精密零部件技术。　　水晶光电：　　红外滤光片全球龙头，AR光学方案适配Vision Pro，为iPhone供应摄像头用的滤光片和实现Face ID功能的衍射光学元件。　　作为苹果在光学元器件领域的核心供应商，公司参与了大客户(指苹果)诸多新产品的研发进程，为其产品成像、感知和投影系统提供不同元器件产品。为iPhone Pro系列提供四重反射棱镜。　　设备与材料　　赛腾股份：苹果自动化检测设备核心供方，为iPhone系列提供自动化检测设备、自动化组装设备、治具类产品，应用于终端产品整机的组装和检测环节，并已纵向延伸至前端模组段、零组件的组装和检测等环节。　　隆扬电子：电磁屏蔽膜技术垄断，MacBook份额超40%。　　恒铭达：防水结构件独家供应商，接口密封技术壁垒高。　　杰普特：国内领先的光电精密检测提供商。　　半导体与载板　　深南电路：IC载板国产化核心，AIP天线模组基板认证通过。　　胜宏科技：作为高端HDI PCB供应商，成功切入iPhone Air超薄机型主板供应链。　　环旭电子：全球SiP封装龙头，供应AirPodsPro2的SiP模组，全球首发iPhone17全系eSIM模组，替代实体SIM卡趋势带来技术溢价　　新兴领域　　欣旺达：消费电子电池模组创新者，快充技术领先。iPhone采用欣旺达独家的“纳米硅+硬碳”负极材料，充电速度提升30%，循环寿命延长至1200次。　　闻泰科技：摄像头模组主力供方，Vision Pro传感器技术突破。　　统联精密：折叠屏转轴组件核心供方，精密金属加工技术独特。　　值得一提的是，从苹果A股各大龙头供应商来看，各自新的业务增长点出现了差异化，例如立讯精密在加强与苹果的代工服务之际，同时布局AI产业链，而富士康更是成为AI服务器等AI产业链的主要受益者，歌尔股份则加强在XR领域的布局，领益智造、蓝思科技则加强在机器人的布局。

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苹果

发布时间：2025-09-16 14:31 阅读量：5894 继续阅读>>

海凌科：DCDC系列3W电源模块 S<span style='color:red'>IP</span>-8引脚封装

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海凌科：DCDC系列3W电源模块 SIP-8引脚封装

　　海凌科URB24_S-3WR3系列电源模块是 4:1输入，隔离稳压输出3W。该产品为 SIP-8的引脚封装，较高的效率，满足-40℃~+85°C工作温度，具有输入欠压保护，输出过流和可持续短路保护功能。　　一、产品介绍　　URB24_S-3WR3系列电源模块，输出功率3W，隔离稳压输出，转换效率高达81%，共有6款产品，每款输出电压和电流有所区别，用户可根据需求自行选择。　　二、产品参数　　超小型 SIP 封装　　单路输出，DC/DC模块电源宽输入电压范围:4:1　　工作温度范围:-40°C~+85°C　　隔离电压 1500VDC　　低纹波噪声　　短路保护(自恢复)　　隔离稳压输出/ROHS　　效率:最高效率高达 81%　　三、应用场景　　该3W超小型SIP封装DC/DC模块URB24_S-3WR3具备4:1 宽输入、1500VDC高隔离、-40°C~+85°C宽温及低纹波等优良特性，是工业控制、能源管理、高端装备等领域理想的低成本、高可靠电源解决方案。

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发布时间：2025-07-28 13:54 阅读量：677 继续阅读>>

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Microchip与台达电子签署碳化硅解决方案合作协议，共创电源管理未来

　　随着人工智能(AI)快速发展与万物电气化进程加速，市场对更高的电源效率与可靠性的需求持续增长。Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)(纳斯达克代码：MCHP)今日宣布与全球电源管理与智能绿色解决方案领导者台达电子工业股份有限公司(Delta Electronics, Inc.)(以下简称“台达电子”)签署全新合作协议。双方将携手在台达设计中应用Microchip的mSiC™产品与技术，通过双方合作加速创新型碳化硅(SiC)解决方案、节能产品及系统的开发，助力构建更可持续的未来。　　Microchip负责高功率解决方案业务部的副总裁Clayton Pillion表示：“凭借宽禁带特性，碳化硅在可持续电源解决方案中的重要性日益凸显。它能为高压、高功率应用提供更小巧、更高效的设计，同时降低系统成本。我们期待与台达电子共创卓有成效的发展路径，在碳化硅解决方案领域持续创新，以满足万物电气化带来的不断增长的市场需求。”　　作为电源管理领域的全球领导者，台达电子持续强化在高效电力电子技术领域的核心竞争力，并不断评估与利用下一代技术以提升产品与解决方案的能源效率。台达电子计划借助Microchip在碳化硅与数字控制领域的丰富经验与先进技术，加速其解决方案在人工智能、移动出行、自动化及基础设施等高增长细分市场的上市速度。　　本合作协议将优先调配双方资源，验证并加速Microchip mSiC解决方案在台达电子设计与项目中的落地。协议的其他关键优势还包括一流的设计支持，涵盖技术培训、对研发工作的洞察及产品样品优先获取。　　Microchip在碳化硅器件与电源解决方案的开发、设计、制造与支持领域拥有逾20年经验，致力于帮助客户轻松、快速且自信地采用碳化硅技术。Microchip的mSiC产品包括碳化硅MOSFET、二极管及栅极驱动器，可选择标准、可调型及定制方案。

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Microchip

发布时间：2025-07-24 15:37 阅读量：579 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi

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BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
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