<span style='color:red'>Murata</span> Electronics 2GT-001型多频带LoRa®连接模块
  Murata Electronics 2GT-001型多频带LoRa® 连接模块(LBAA0XV2GT-001)通过卫星S频带连接在860MHz至930MHz sub-GHz和2.4GHz ISM频带中,提供多频带LoRa和远距离跳频扩频(LR-FHSS)通信。(已获得主要地区无线电法规认证。) 2.4 GHz ISM频段支持简化了库存管理,确保更高吞吐量并消除了欧洲占空比限制。借助2.1 GHz卫星S频段,客户可以使用这款高度集成的2GT型模块与S频段卫星直接通信。多频段LoRa连接模块采用超低功耗设计,可延长电池寿命、出色的灵敏度以及业界领先的质量和可靠性,构建适合用于各种物联网(IoT)应用的成本优化型终端设备。      2GT-001型模块基于Semtech的第三代LoRa Connect™ LR1121收发器,具有温度补偿晶体振荡器(TCXO)、晶体振荡器、匹配网络、射频开关和多个通信接口(包括SPI和各种GPIO)。9.98mm×8.70mm×1.74mm(最大值)模块的工作电压范围为-40°C至+85°C。2GT-001型模块可帮助设计人员开发满足最苛刻要求的解决方案,特别是智能家居、农业传感器、楼宇自动化、智能城市、资产跟踪、零售店传感器、智能电表、环境传感器等。       特性  SEMTECH LR1121 LoRa收发器  频率:LoRa  860 MHz 至 930 MHz  2.4 GHz ISM  2.1GHz卫星S波段  低功耗  温度补偿晶体振荡器(TCXO),实现最大频率精度  高度集成模块,可减少终端设备占位面积和PCB层  轻松、低功耗远距离进入全球2.4GHz频段  只需极少额外元件即可实现简单的射频设计  单SKU,用于LoRa地面ISM频段和卫星S频段  易于便携式到各种MCU,可轻松集成到现有和新兴产品设计中  模块的射频认证可用于最终产品认证  业界领先的质量和可靠性  成本和功耗优化型解决方案  表面贴装LGA封装,最大尺寸为9.98mmx8.70mmx1.74mm  工作温度范围:-40 °C至+85 °C  湿度灵敏性等级(MSL)为3级  FCC/ISED/CE/TELEC监管认证  符合RoHS标准  应用  智能家居  农业传感器  楼宇自动化  智能城市  资产跟踪  零售商店传感器  智能电表  环境传感器  框图
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发布时间:2024-07-09 10:11 阅读量:455 继续阅读>>
<span style='color:red'>Murata</span> Electronics 2DT-158型紧凑型LoRa® Edge™模块
  Murata Electronics Type 2DT-158紧凑型LoRa® Edge™ 模块(LBA0XV2DT-158)是一款LoRa Edge解决方案,专门设计用于使用LoRa技术进行资产管理。该模块采用超低功耗设计,可延长电池寿命,具有出色的灵敏度和高度灵活性,可构建适用于室内和室外环境的低成本物联网(IoT)跟踪设备。基于Semtech LoRa Edge LR1110解决方案,该模块 具有温度补偿晶体振荡器(TCXO)、晶体振荡器、LNA、射频开关、SPI接口和各种GPIO。 多技术熔断LPWAN地理定位模块支持860MHz至930MHz的LoRa ISM频段、Wi-Fi® 无源扫描802.11b/g/n和低功耗GNSS扫描。2DT-158型模块可帮助设计人员开发满足最苛刻要求的解决方案,特别是在物联网(IoT)资产跟踪应用中,如资产定位、资产恢复、可追溯性、供应链、物流、冷链监控、库存管理、损失和防盗等。特性  Semtech LR1110 LoRa Edge™平台  LoRa收发器(860MHz至930MHz)  Wi-Fi无源扫描仪(2.4 GHz)  多卫星GNSS扫描仪(GPS和北斗)  低功耗  LGA封装  工作电压范围:1.8 V至3.6 V  工作温度范围:-40 °C至+85 °C  温度补偿晶体振荡器(TCXO),实现最大频率精度  集成LNA,可提高灵敏度  SPI和GPIO外设  外部天线  高度集成模块,可减少终端设备占位面积和PCB层  适用于各种室内和室外定位用例的多技术无线电  只需极少额外元件即可实现简单的射频设计  基于云的焊料,用于定位,延长电池寿命  易于便携式到各种MCU,可轻松集成到现有和新兴产品设计中  模块的射频测试报告可用于最终产品认证  业界领先的质量和可靠性  成本/功耗优化解决方案  快速上市  最大尺寸:9.98 mm x 8.70 mm x 1.74 mm  湿度灵敏性等级(MSL)为3级  FCC/ISED/CE/TELEC监管认证  符合RoHS标准  应用  资产定位  资产追回  可追溯性  供应链  物流  冷链监控  库存管理  损失和盗窃预防  框图
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发布时间:2024-07-02 11:57 阅读量:785 继续阅读>>
<span style='color:red'>Murata</span> Power Solutions MPS隔离式直流-直流转换器
<span style='color:red'>Murata</span> 村田多层陶瓷安全电容器介绍
<span style='color:red'>Murata</span>村田 Type2DK UWB模块评估套件
村田<span style='color:red'>Murata</span> Power Solutions 3000D表面贴装功率电感器
<span style='color:red'>Murata</span> Electronics 村田电子MRUS磁传感器
村田<span style='color:red'>Murata</span> Power Solutions 5000A表面贴装共模扼流圈
ROHM的SiC SBD成功应用于村田制作所集团旗下企业<span style='color:red'>Murata</span> Power Solutions的数据中心电源模块
  ROHM罗姆开发的第3代SiC肖特基二极管(以下简称“SBD”)成功应用于Murata Power Solutions的产品上。Murata Power Solutions是电子元器件、电池、电源领域的日本著名制造商——村田制作所集团旗下的一家企业。ROHM的高速开关SiC SBD产品“SCS308AH”此次成功应用于Murata Power Solutions的数据中心电源模块“D1U系列”,并且为该系列产品的性能提升和尺寸的小型化做出了贡献。  近年来,随着以AI(人工智能)和AR(增强现实)等技术为代表的IoT领域的发展,全球数据通信量正在不断增长。特别是对于负责进行通信管理的数据中心而言,其服务器的小型化和效率提升已经成为困扰各制造商的技术难题。在这种背景下,SiC功率器件因其有助于实现电源部分的小型化和高效化而备受期待。  Dr. Longcheng Tan, Senior Electrical Engineer and project leader, Murata Power Solutions表示:  “通过使用SiC功率器件,可以开发出效率更高、功率密度更高的电源产品。同时,SiC功率器件还可以提高开关频率,因而可以减少无源元件和散热件的体积。村田制作所集团内部设有专门负责对SiC器件制造商及其产品进行评估的部门,我们此次之所以选择ROHM,除了ROHM产品的可靠性高以外,还在于ROHM的服务支持非常迅速,从试制阶段开始就能提供样品。此外,我们正在开发的三相逆变器中也使用了ROHM的SiC MOSFET,相关产品可以满足我们的性能要求。”  Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示:  “能够为电源系统等工业设备领域的领军企业——Murata Power Solutions提供支持,我由衷地感到高兴。ROHM是SiC功率元器件的领军企业,在业内率先提供先进的元器件技术和驱动IC等产品相结合的电源解决方案,并取得了骄人的业绩。今后,ROHM将继续与Murata Power Solutions携手,通过面向工业以及数据基础设施领域尽可能地深挖SiC技术潜力,从而进一步提升电源系统的能效。”  关于Murata Power Solutions  Murata Power Solutions是一家设计、制造和销售DC-DC电源、AC-DC电源、磁性器件、数字式面板仪表、数据中心解决方案的企业。产品阵容涵盖标准品、半定制品和定制品。Murata Power Solutions的产品广泛应用于通信、计算机、工业控制设备、医疗保健、能源管理系统等全球主要市场领域的电子设备。  关于Murata Power Solutions的数据中心电源模块  Murata Power Solutions的AC-DC电源“1U前端”系列产品阵容中新增了高效率功率因数校正型前端电源模块“D1U54P-W-2000-12-HB3C”和“D1U54P-W-1200-12-HC4PC”等产品,可以实现多个电源模块并联工作。另外,“1U前端”系列还支持热插拔,具有过热、过电流、过电压等异常检测和保护功能。该系列产品不仅可以为服务器、工作站、存储系统等12V电源系统提供高可靠性、高效率的电源,而且产品还具有薄型尺寸(1U),有助于削减系统的安装面积。  关于ROHM的SiC功率器件  ROHM于2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来,作为SiC功率元器件领域的领军企业,一直在推动先进产品的技术开发。Murata Power Solutions所采用的第3代SiC SBD新产品具有总电荷量(QC)小、损耗低且开关速度高的特点。而且,与第2代SBD相比,其抗浪涌电流能力更出色,VF值更低。  支持信息  ROHM在官网特设网页中,介绍了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模块等SiC功率元器件的概况,同时,还发布了用于快速评估和引入第4代SiC MOSFET的各种支持资料,欢迎浏览。
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发布时间:2023-03-16 10:39 阅读量:2088 继续阅读>>
<span style='color:red'>Murata</span>村田推出GCM多层陶瓷电容器

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