ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证
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ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证

　　中国上海，2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS® *开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”，该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况，非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。　　“ROHM PLECS Simulator”可以通过从官网的列表中选择电力电子电路的拓扑以及ROHM提供的各种功率器件，在数秒到数分钟内即可完成损耗和温升等参数的仿真。在电路设计的初期阶段，该工具可大幅减少理想器件选型所需的工时。ROHM官网上目前已发布20种拓扑，并且计划未来将进一步扩充SiC器件、IGBT和功率模块等产品的器件模型及拓扑。　　本仿真工具只需在ROHM官网上完成用户注册，即可免费使用。另外，在专题页面上，除了该仿真工具的访问入口外，还发布了用户使用时所需的资料(用户操作手册、电路工作说明应用指南)。　　在电路设计时，尤其是在电力电子电路中，通常会采用仿真来代替成本高又耗时长的硬件试制。ROHM于2020年发布了可一次性验证功率器件产品和IC产品的“ROHM Solution Simulator”，并致力于不断扩充拓扑和器件模型。通过ROHM提供的高精度SPICE模型，用户能够以高度的复现性确认接近实际设备的波形，这一点获得了广泛好评。另一方面，用户还希望在开发初期阶段，能够基于损耗和发热验证，在短时间内选出理想的功率器件。　　针对这一需求，ROHM推出了“ROHM PLECS Simulator”，专门用于损耗和热计算。用户可以利用PLECS®进行快速的初期探讨，运用“ROHM Solution Simulator”的优势进行详细且高精度的验证，并根据不同的开发阶段进行区分使用，进而实现从设计的损耗和发热验证到波形检查的一体化仿真。　　<术语解说>　　*) PLECS®　　为了在虚拟空间中对含有控制的复杂电气与电力系统进行建模和仿真而开发的电力电子电路及系统的仿真工具。擅长进行损耗等参数的高速计算，能够在开发的上游阶段快速验证整个系统的响应性能。　　PLECS® 是 Plexim,Inc.的注册商标。
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发布时间：2026-04-23 16:21 阅读量：448 继续阅读>>
国内首款，纳芯微推出通过TÜV莱茵认证的A<span style='color:red'>SI</span>L D等级隔离栅极驱动N<span style='color:red'>SI</span>6911F系列
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国内首款，纳芯微推出通过TÜV莱茵认证的ASIL D等级隔离栅极驱动NSI6911F系列

　　纳芯微今日宣布推出国内首款基于全国产供应链、通过TÜV莱茵认证并达到ISO 26262 ASIL D等级的隔离栅极驱动——NSI6911F系列。　　该系列产品专为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机及DC-DC转换器等高压应用设计，具备高达19A的峰值驱动能力、±150kV/μs的共模瞬态抗扰度(CMTI)，并集成12位高精度隔离采样ADC与先进诊断架构，为新能源汽车电驱系统提供更高安全性与系统集成度的解决方案。　　随着新能源汽车向800V高压平台及SiC功率器件加速演进，电驱系统的开关速度显著提升，dv/dt水平不断提高，对栅极驱动器在抗干扰能力、驱动性能及系统可靠性方面提出了更高要求。同时，根据《GB/T 43254-2023 电动汽车用驱动电机系统功能安全要求及试验方法》及《GB 21670-2025 乘用车制动系统技术要求及试验方法》等最新国家标准，电驱系统在防范非预期扭矩及协同制动能量回收等关键场景中，其功能安全等级需达到ASIL C甚至最高等级ASIL D。　　在此背景下，具备高等级功能安全能力并可直接支撑系统设计的隔离栅极驱动芯片，正成为整车厂与Tier 1实现安全合规与规模化量产的关键基础。　　TÜV莱茵权威认证，　　满足最高ASIL D功能安全等级　　NSI6911F系列已通过TÜV莱茵权威认证，达到ISO 26262 ASIL D等级，可为客户提供符合最高功能安全要求的硬件基础。　　该系列严格遵循ISO 26262 V-Model开发流程，从SEooC假设定义、硬件安全需求分解到功能安全验证，均经过系统化分析与严格验证。结合纳芯微完善的功能安全文档体系与技术支持能力，NSI6911F可助力整车厂及Tier 1高效完成电驱系统级功能安全评估，显著缩短开发周期。　　NSI6911F系列通过TÜV莱茵ASIL D功能安全认证　　领先驱动能力与全方位保护架构，　　打造高可靠电驱系统　　NSI6911F系列提供高达19A的峰值驱动能力，并具备±150kV/μs的高CMTI性能，可满足SiC及IGBT器件在高频、高dv/dt环境下的稳定驱动需求。产品集成米勒钳位、过温保护、可调DESAT/SC/OC、可调UVLO、可调软关断及两电平关断等关键保护功能，能够灵活且有效地优化功率器件的开关性能，降低开关损耗与短路失效风险，为电驱系统提供全面保护。　　在故障处理方面，NSI6911F系列支持三态输出策略，使驱动在异常情况下具备更合理的响应路径，显著提升整车电驱系统的鲁棒性。　　同时，NSI6911F系列丰富的电源管理与保护阈值配置选项可满足不同应用场景下的灵活设计需求，简化系统替换与开发流程。NSI6911F支持原边最高32V输入，并提供5V LDO电源，副边支持5V LDO电源及14V-21V的宽范围可调VCC2 LDO，丰富的内置电源可以为上层系统节约低压侧前级Pre DC-DC以及高压侧电源，灵活的可调电压可以提高系统适用性，减少上层系统电源设计变更。　　纳芯微功能安全驱动NSI6911F一览　　集成12位高精度隔离ADC，　　“就地感知”提升系统实时性　　NSI6911F系列集成业内领先的、达到ASIL B等级的12位高精度隔离ADC，实现系统关键电压与电流信号的本地高精度采样与隔离传输。相比传统分立方案，该设计显著减少外部运放、隔离器及独立ADC等器件数量，有效降低系统复杂度与BOM成本。ASIL B等级的ADC也具备在线诊断能力以及噪声抑制等技术，使得NSI6911F能够同时提升采样鲁棒性与与抗干扰能力。　　在高dv/dt环境下，内置隔离ADC可提供更稳定、低延迟的数据反馈，为控制与保护决策提供可靠依据。此外，该集成方案可直接支撑功能安全设计需求，提升关键参数的可观测性与诊断覆盖率，助力客户构建更高集成度与更高可靠性的电驱系统。　　引脚兼容设计与全国产供应链，　　保障快速导入与稳定交付　　NSI6911系列采用SSOW32封装设计，与对标器件实现Pin to Pin/BOM to BOM级兼容，支持客户在现有设计基础上快速替换，无需调整PCB布局，从而显著降低导入门槛并缩短开发周期。　　在供应链方面，该系列基于从晶圆制造到封装测试的全国产体系构建，具备更高的可控性与稳定性，有效降低外部环境变化带来的供货风险。结合纳芯微本地化技术支持与灵活交付能力，NSI6911F系列可助力整车厂及Tier 1在保障性能与功能安全的前提下，实现更高效率的产品迭代与量产落地。　　NSI6911F系列选型表　　筑牢安全底座，　　持续构建完善的功能安全体系能力　　作为国内汽车模拟芯片行业的头部企业，纳芯微始终重视功能安全体系和产品开发能力建设。早在2021年，纳芯微就已获得TÜV莱茵颁发的ISO 26262功能安全管理体系ASIL D “Managed”等级认证。2025年，纳芯微正式通过TÜV莱茵审核的ISO 26262 ASIL D “Defined–Practiced”级别功能安全管理体系认证，证明纳芯微已全面建立起从管理体系到工程实践的完整能力框架。　　这套成熟的体系已成功赋能多款关键产品的全生命周期开发，实现从标准到落地、从流程到产品的可靠闭环。NSI6911F系列芯片获得权威机构TÜV莱茵ASIL D产品认证，正是这一体系实力的最佳例证。　　纳芯微的功能安全核心能力体现于三大维度：　　深度融合的正向开发流程：公司已将ISO 26262功能安全标准系统性融入研发全流程，确保安全要求内生于每个开发环节，并通过持续迭代优化，确保流程始终为产品的高安全与高可靠赋能。　　覆盖系统至芯片的全链路能力：纳芯微具备从系统级安全概念定义到芯片架构、设计与实现的端到端技术能力，能为客户提供跨系统与芯片的完整功能安全解决方案。　　可靠协同的组织文化：专职的功能安全团队自产品定义阶段即深入参与，全程赋能。项目之外，更致力于构建纳芯微安全文化，并通过设立功能安全能力中心(FuSa CoC)，建立跨部门协同与独立审核机制，确保每一项安全活动均受控、可信、可追溯。纳芯微ISO 26262 V-Model开发流程　　纳芯微通过 TÜV 莱茵 ISO 26262 ASIL D　　"Defined-Practiced" 级别认证　　在智能汽车技术的飞速演进中，安全是永不妥协的必选项，也是最复杂的挑战之一。纳芯微凭借从芯片到系统的全链路功能安全能力、经权威机构认证的流程体系，以及不断丰富的SafeNovo®功能安全产品矩阵，构建起完整的“功能安全赋能体系”。通过“流程管控”与“技术聚焦”的深度融合，确保每颗芯片都成为系统安全最可靠的保障。纳芯微致力于携手业界伙伴，以坚实的半导体技术和功能安全开发体系，守护每一程出行的安全。
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发布时间：2026-04-22 09:17 阅读量：349 继续阅读>>
ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
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发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：381 继续阅读>>
纳芯微推出新一代隔离式CAN收发器N<span style='color:red'>SI</span>1150，支持±70V总线保护耐压和更高的通信速率
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纳芯微推出新一代隔离式CAN收发器NSI1150，支持±70V总线保护耐压和更高的通信速率

　　纳芯微今日宣布推出全新工规级隔离式CAN收发器NSI1150，新器件基于纳芯微第三代隔离技术，提供±70V的总线保护耐压和高达±150kV/μs(典型值)的CMTI，可靠性和抗扰性相比前代产品(NSI1050)实现了全面提升，NSI1150亦集成了纳芯微自研的CAN FD收发器，可提供高达5Mbps的通信速率。　　NSI1150支持SOW16，SOW8，SOP8，SOWW8，DUB8等多种封装，满足用户的多样化设计需要，可广泛适用于工业自动化与控制、能源电力、通信与服务器等高电压、强干扰、多节点的应用场景。　　可靠性全面升级　　应对严苛应用需求　　NSI1150在可靠性与抗扰性上实现了业内领先的水平，以±150kV/μs(典型值)的高CMTI与±70V的总线保护耐压，轻松应对严苛场景中的强电磁干扰与地电位差挑战。　　此外，NSI1150全引脚支持±6kV HBM ESD防护与10kV隔离栅浪涌耐受，确保极端环境下的稳定通信;隔离耐压覆盖3kVRMS，5kVRMS，7.5kVRMS多档选择，满足各类应用的严苛安规需求，为工业自动化、能源电力等关键场景筑牢安全屏障。　　多种封装可选　　支持多样化设计需要　　NSI1150提供SOW16，SOW8，SOP8，SOWW8，DUB8五大主流封装选择，适配不同设计的空间与安规需求。其中新推出的SOWW8超宽体封装凭借高达15mm的爬电距离优势，可从容应对光伏、充电桩、工业电源等领域对爬电距离的强制要求，简化安规认证流程，为高功率密度系统设计提供更灵活的布局空间。多封装的矩阵化产品族，进一步支持了用户多样化的设计需要，提高系统落地效率。　　NSI1150系列选型表　　丰富的“隔离+”产品　　引领隔离芯片标杆　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品。纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。　　纳芯微全面的“隔离+”产品布局，以核心技术IP和全产品生态，引领隔离芯片标杆，为不同客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
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发布时间：2026-04-16 10:14 阅读量：463 继续阅读>>
突破地面局限！芯讯通联合Skylo启动<span style='color:red'>SI</span>M7070G-HP-S模组NTN认证
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突破地面局限！芯讯通联合Skylo启动SIM7070G-HP-S模组NTN认证

　　芯讯通正式宣布，与非地面网络通信领域的先驱企业Skylo携手，启动SIM7070G-HP-S模组的NTN认证工作。　　此次启动认证的SIM7070G-HP-S模组，是芯讯通专为卫星物联网场景自主研发的NTN模组，支持3GPP Rel.17 5G IoT-NTN协议、兼容全球卫星网络，采用LCC+LGA封装，接口丰富、扩展性强。24×24×2.3mm的尺寸可灵活适配各类小型化物联网设备设计需求。　　依托芯讯通成熟的低功耗技术，SIM7070G-HP-S通过PSM和eDRX技术可将设备电池寿命延长至10年，覆盖能力优于GSM，适配低延迟、低吞吐量的卫星物联网通信场景。　　此次SIM7070G-HP-S模组NTN认证的启动，是芯讯通与Skylo前期合作的深化，更是芯讯通布局卫星物联网领域的重要一步。芯讯通将充分发挥自身在模组研发、生产及全球布局的优势，结合Skylo的卫星网络资源，突破传统地面网络局限，为全球客户提供无缝可靠的连接支撑。　　SIM7070G-HP-S可广泛应用于资产追踪、智能抄表、远程监控等场景，有效填补偏远地区物联网覆盖空白，进一步拓展芯讯通的产品应用边界。未来，芯讯通将与Skylo携手加快认证进程，推动解决方案全球部署，实现物联网全域覆盖，推动卫星物联网产业高质量发展。
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发布时间：2026-04-08 09:44 阅读量：472 继续阅读>>
高性能高性价比 | 纳芯微NSSine™系列实时控制MCU/DSP以稳定供给支撑应用落地
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高性能高性价比 | 纳芯微NSSine™系列实时控制MCU/DSP以稳定供给支撑应用落地

　　在电子制造业向高效化、精细化发展的当下，工业控制、汽车电子等市场面临着供应链管控与产品竞争力的双重挑战。纳芯微NSSine™系列实时控制MCU/DSP深度洞察行业痛点，兼顾高性能、高兼容性与高性价比，全方位满足各类场景的系统成本控制与更高效的产品开发。　　核心优势：硬件不改，软件小改　　在性能表现上，NSSine™系列实时控制MCU/DSP 基于Arm® Cortex®-M7内核正向开发专属外设，搭载eMATH & mMath 数学加速核，具备超高运算速度与皮秒级 PWM 控制能力，能够高效处理复杂算法，大幅提升终端设备的响应效率与控制精度。　　在兼容性与易用性方面，NSSine™系列进行了针对性优化，硬件不改，软件小改：无需改动现有PCB板，可直接适配现有设计方案，极大降低了客户的硬件改板成本与项目周期风险，助力企业快速完成产品迭代。同时，纳芯微提供完善的底层驱动库，工程师仅需进行简单的软件适配，即可快速完成算法迁移，轻松上手使用，进一步提升研发效率，降低研发成本。　　此外，该系列产品具备优异的抗干扰能力与稳定性，采用先进的隔离技术与封装工艺，能够在高温、高湿、高压等复杂工业环境下稳定运行，有效降低终端设备的故障率，提升产品使用寿命，为客户减少后期维护成本。　　全系列产品矩阵：从入门到高端全覆盖　　为满足不同行业、不同目标的应用需求，NSSine™系列构建了全档位产品矩阵，实现从入门到高性能算力的全面覆盖，同时提供工规与车规(AEC-Q100 Grade1)双版本，适配工业控制、汽车电子、数字电源等多元场景，为客户提供一站式芯片解决方案。　　以下为NSSine™系列核心产品型号，可广泛适配各类主流应用场景，为客户提供多元化选择：　　国产供应链与完善开发生态　　纳芯微始终以客户需求为导向，构建了完善的供应链体系与开发生态，为客户提供全流程服务保障。　　在供应链方面，NSSine™系列采用全国产供应链体系(大陆本土晶圆制造)，有效保障芯片供应的稳定性与安全性，同时简化供应链流程，降低采购成本。　　在开发生态建设上，NSSine™系列全面支持Keil MDK、IAR EWARM等主流工具链。同时纳芯微推出自研免费IDE：NovoStudio开发平台(基于Eclipse/GCC)，集成数字示波器、图形化代码生成等实用功能，开箱即用，大幅降低工程师的开发门槛，缩短开发周期，加快产品上市。
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发布时间：2026-04-02 10:36 阅读量：554 继续阅读>>
美光与Cadence Design Systems合作，加速DLEP验证和合规进程
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美光与Cadence Design Systems合作，加速DLEP验证和合规进程

　　半导体生态系统是一个高度复杂、互相关联的框架，其中包括各种行业、技术和机构，旨在促进半导体器件的设计、制造、分销和应用。设计和知识产权 (IP) 提供商是该框架的组成部分，在经历了各种大幅演变之后，这些提供商已成为当代芯片开发中不可或缺的参与者。　　随着上世纪 80 年代电子设计自动化 (EDA) 工具的出现，以及上世纪 90 年代半导体 IP 产业的发展，片上系统 (SoC) 设计越来越依赖于可复用的 IP 模块。目前，在 SoC 所包含的器件中，超过 80% 为可复用 IP，典型的芯片会集成 200 多个 IP 模块。1　　在半导体市场引入新技术，是一个相当复杂的过程。其中生态系统伙伴(包括 IP 提供商和验证 IP (VIP) 软件供应商)对新技术的支持程度往往起着决定性作用——可能会阻碍新技术的普及，也可能加速商业上的成功。　　美光与 Cadence Design Systems 之间的战略合作，标志着内存技术进步旅程中的重大里程碑。此次合作的重点是将直接链路 ECC 协议 (DLEP) 功能嵌入 Cadence 最新的 LPDDR5/5X 内存控制器 IP、物理层 (PHY) IP 和验证 IP (VIP) 中，从而显著提高人工智能、汽车和数据中心应用中的系统性能。　　DLEP 在内存技术中的重要性　　DLEP 是一项重大创新，旨在解决传统内联纠错码 (ECC) 技术的固有局限性。对于现代车辆中的高性能 AI 应用和高可靠性高级驾驶辅助系统 (ADAS) 应用而言，该技术尤为重要。DLEP 的核心优势在于其能够回收较大比例的有效负载内存空间和带宽，否则这些空间和带宽将被分配给内联 ECC 使用。这种回收能力，是 DLEP 能够提高系统性能和资源效率的基础。美光与 Cadence 携手合作，充分实现了这些增强功能。　　DLEP 是一项重大创新，旨在解决传统内联 ECC 技术存在的局限性。DLEP 所实现的改进对于需要高可靠性和极高性能的应用至关重要，例如汽车行业中的 AI 加速器和 ADAS。使用标准 DRAM 与使用支持 DLEP 的 DRAM 进行 ECC 数据传输的对比　　DLEP 的主要优势之一是它能够回收相当大比例的有效负载内存空间、至少 6% 的额外可寻址内存空间和带宽，可将带宽增加 15% 至 25%。如果没有 DLEP，这些空间和带宽将被用于内联 ECC 纠错。这种回收能力可带来系统性能和效率的提高，从内存管理的角度来看，功耗(pJ/b，皮焦耳/位)可降低约 10%。2 美光与 Cadence 之间的合作确保了这些优势的充分发挥。　　从图中可以看出，与内联 ECC 相比，DLEP 的带宽要增加 15% 至 25%　　通过战略合作确保集成和验证　　美光的高级 DLEP 功能已无缝集成到 Cadence 的 LPDDR5/5X IP 组合和 VIP 工具套件中。这种集成旨在优化复杂 SoC 设计的验证过程，从而能够在各种应用中高效部署 DLEP 技术。VIP 解决方案对于验证新兴内存技术的运行和效率起到重要作用。美光与 Cadence 建立了稳固的合作关系，以确保 DLEP 的快速普及，从而为内存技术确立新的标准。　　Cadence 的 VIP 工具集提供了一些至关重要的优势，例如对复杂 SoC 架构进行彻底验证、提高验证准确性、加速产品上市、降低成本，以及协议合规性评估和自动测试生成等高级功能，所有这些优势都有助于可靠、高效地部署新的内存解决方案。Cadence 的 LPDDR5X VIP 内存模型3支持 DLEP 功能，允许开发人员在调试模式下访问用于存储 ECC 的额外内存单元，在读取/写入时即时回调覆盖存储位的值，以及在启用 DLEP 时检查被禁用的模式。　　这种集成方法有助于充分实现 DLEP 技术的优势，为下一代解决方案提供底层支持。　　DLEP 在 AI 和汽车应用中的优势　　将 DLEP 集成到内存架构中，可为 AI、汽车行业以及其他需要增强的可靠性、卓越性能、数据完整性和更高能效的行业带来巨大优势。所有这些优势相结合，可延长任务关键型系统的正常使用期限。此外，这些技术进步还有助于降低成本，增大 DLEP 技术所带来的价值。　　推动 DLEP 普及　　Cadence 与美光的合作正在推动 DLEP 技术普及，使系统设计人员能够实现更高的带宽、更好的内存利用率、更低的功耗，同时满足严格的功能安全要求。通过将 DLEP 集成到 Cadence 的 LPDDR5/5X 控制器、PHY IP 和 VIP 中，工程师可从经过硅验证的强大解决方案中受益——这些解决方案可简化验证过程，缩短产品上市时间。随着数据密集型工作负载和安全关键型工作负载不断增加，Cadence 和美光的合作为汽车、AI 等领域带来了高效可靠的高性能内存解决方案。　　1带有增强型 ECC 功能的 LPDDR5X 直面汽车行业挑战 | 美光科技。 典型内联系统 ECC 方案与 DLEP 进行对比测试的结果值　　2《知识产权的发展趋势》，全球半导体联盟知识产权利益小组　　3https://www.cadence.com/en_US/home/tools/system-design-and-verification/verification-ip/simulation-vip/memory-models/dram/lpddr5.html
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发布时间：2026-03-12 13:55 阅读量：509 继续阅读>>
芯力特<span style='color:red'>SI</span>T1044GQ通过芯片级IBEE/FTZ Zwickau和系统最高等级EMC测试认证
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芯力特SIT1044GQ通过芯片级IBEE/FTZ Zwickau和系统最高等级EMC测试认证

　　在汽车智能化、电动化加速推进的当下，CAN总线作为整车电子系统的 “神经网络”，数据传输稳定性直接关乎行车安全。芯力特作为国内首家同时拥有CAN、LIN收发器芯片的模拟IC厂商，是国内CAN/LIN接口细分领域产品系列最齐全、出货量最大、产品最成熟的IC设计公司。全新推出汽车级CAN FD收发器SIT1044GQ，凭借出色抗干扰设计，符合IEC62228-3国际标准与德国大众VW80121-3标准规范认证，为全球车企提供高可靠、高性能解决方案。　　全流程国产化供应链+双标准(IEC、VW)认证　　SIT1044GQ是具有待机模式的CAN FD收发器。该产品设计、晶圆制造、封装、测试流程均实现全国化，切实保障国内外客户的持续稳定供应。　　随着汽车智能化、电动化升级，整车电子模块数量激增，电磁环境愈发复杂，对核心器件的EMC性能要求更为严苛。SIT1044GQ凭借卓越的芯片设计，全面通过了IBEE/FTZ-Zwickau测试认证，符合IEC62228-3和VW80121-3各项标准规范。涵盖四大核心测试维度，全面覆盖车载场景电磁辐射风险，在抗干扰功率、瞬态防护，ESD防护等关键指标上设置更高阈值，充分验证芯片在复杂车载环境中的稳定性。　　EMC最高标准等级 = 降本增效　　芯力特SIT1044GQ即使在总线无共模电感滤波的情况下，DUT的整体EMC依然能达到标准要求的最高等级。大电流注入(BCI)抗扰度测试满足标准最高要求全频段200mA通信无错误帧;RE/CE根据CISPR25测试满足class5(标准最高等级)限值要求;7637-2/3测试满足level IV(标准最高等级)要求;静电测试在ISO 10605标准下可以通过主机厂的最高放电要求(接触放电±15kV、空气±25kV)。SIT1044GQ卓越的性能表现可帮助用户减少系统外围电路，降低成本，提升系统鲁棒性。　　搭配SIT1044GQ的DUT在总线无共模电感滤波的情况下系统级EMC表现如下表：　　搭配SIT1044GQ的DUT在总线无共模电感滤波的情况下按照ISO 10605标准的静电测试如下表：　　封装　　　选型　　SOP8编带式包装为2500颗/盘，DFN3*3-8编带式包装为6000颗/盘。
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发布时间：2026-03-10 09:32 阅读量：480 继续阅读>>
ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计！
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ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计！

　　2026年3月5日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次发布的参考设计数据制作驱动电路板，与ROHM的SiC模块组合使用，可缩减实际设备评估的设计周期。　　在以大功率工作的功率转换电路中，SiC功率元器件虽有助于提高效率和可靠性，但外围电路设计和热设计所需的工时往往会增加。ROHM此次发布的参考设计可覆盖高达300kW级的输出功率范围，支持在车载设备及工业设备等广泛的应用领域中使用SiC功率模块。　　目前已有三种可与本参考设计配套使用的SiC模块在电商平台上销售，可通过Ameya360平台进行购买。　　关于参考设计　　※本参考设计旨在供用户利用已公开的设计数据进行开发。如需获取参考设计板或评估套件，请联系AMEYA360客服垂询。(※数量有限)　　关于SiC模块的网售　　可通过登录罗姆官网查看下述新闻稿，或点击下面链接查看电商平台正在销售的SiC模块详细信息：　　新闻稿：ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售　　仿真支持　　为了加快产品的评估和应用，ROHM还提供各种支持资源，通过包括仿真和热设计在内的丰富解决方案，为用户的产品选型提供支持。　　用户可从各参考设计页面下载与评估板相关的各种设计数据，并可从各产品页面下载可与参考设计配套使用的SiC模块产品信息。　　另外，利用ROHM官网提供的仿真工具ROHM Solution Simulator，从元器件选型阶段即可进行系统级验证。　　■HSDIP20：　　参考设计：　　https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68005　　ROHM Solution Simulator：　　https://www.rohm.com.cn/solution-simulator/b-006_dcac_inv_3ph_5kw_hsdip20　　LTspice®电路模型：https://fscdn.rohm.com/en/products/library/spice_circuit/application/ltspice/b-006_dc-ac_3-phase_3-wire_inverter_pout=15kw_hsdip_ltspice.zip　　■DOT-247：　　参考设计：https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68006　　ROHM Solution Simulator：　　https://www.rohm.com.cn/solution-simulator/b-006_dcac_inv_3ph_5kw_dot-247　　LTspice®电路模型：https://fscdn.rohm.com/en/products/library/spice_circuit/application/ltspice/b-006_dc-ac_3-phase_3-wire_inverter_pout=15kw_dot247_ltspice.zip　　■TRCDRIVE pack™：　　参考设计：　　https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68004　　其他参考设计　　除本新闻稿中介绍的参考设计外，ROHM还准备了众多可助力用户缩减设计周期的参考设计方案，详情请登录ROHM官网或点击下面的链接：　　参考设计：　　https://www.rohm.com.cn/reference-designs　　应用评估套件：　　https://www.rohm.com.cn/reference-designs　　相关信息　　・新闻稿(HSDIP20)　　ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化!　　・新闻稿(TRCDRIVE pack™)　　ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”~助力xEV逆变器实现小型化!~　　・新闻稿(DOT-247)　　ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度　　关于“EcoSiC™”品牌　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　・TRCDRIVE pack™和EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　・LTspice®是Analog Devices, Inc.的注册商标。　　如需使用其他公司的商标，请遵循权利方规定的使用方法进行使用。
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发布时间：2026-03-06 11:56 阅读量：817 继续阅读>>
ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！
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ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更多的应用产品通过采用SiC产品来实现高效率的功率转换。　　这些产品可通过Ameya360平台购买。　　<产品型号>样品价格型号TRCDRIVE pack™75,000日元/个（不含税）1200V　A type (Small) (BST400D12P4A101)HSDIP2015,000日元/个（不含税）750V 4in1 (BST91B1P4K01) 6in1 (BST91T1P4K01、BST47T1P4K01)1200V 4in1 (BST70B2P4K01)DOT-24710,000日元/个（不含税）1200V　半桥 (SCZ4011KTA)　　除上述型号外，其他型号的产品也将陆续发售。　　■TRCDRIVE pack™　　TRCDRIVE pack™是适用于300kW以下xEV(电动汽车)牵引逆变器的二合一(2in1)SiC塑封型模块。该系列产品搭载了低导通电阻的第4代SiC MOSFET，与普通的SiC塑封型模块相比，可实现1.5倍的业界超高功率密度，非常有助于电动汽车逆变器的小型化。另外，产品采用ROHM自有的引脚排列方式，仅需从顶部按压栅极驱动器电路板即可完成连接，有助于减少安装工时。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用的牵引逆变器　　<相关信息>　　・新闻发布：ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”~助力xEV逆变器实现小型化!　　・各种设计模型可通过ROHM官网的产品页面获取　　■HSDIP20　　HSDIP20是非常适用于xEV用的车载充电器(OBC)、 电动汽车充电桩、服务器电源、AC伺服等应用的四合一(4in1)及六合一(6in1)结构的SiC模块。该系列产品包括750V耐压6款、1200V耐压7款型号。由于已在小型模块封装中内置各种大功率应用所需的功率转换基础电路，因此有助于缩短客户的设计周期并减小功率转换电路的规模。　　<应用示例>　　车载设备：OBC(车载充电器)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：电动汽车充电桩、V2X系统、AC伺服系统、服务器电源、　　光伏逆变器、功率调节器　　<相关信息>　　・新闻发布：ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化!　　・各种设计模型可通过ROHM官网的产品页面获取　　■DOT-247　　DOT-247是适用于光伏逆变器、UPS等工业设备的二合一(2in1)SiC模块。该系列产品不仅保持了功率元器件广为采用的“TO-247”封装的通用性，还实现了更高的功率密度。另外，具有半桥和共源两种拓扑，可适配多种电路结构。通过采用搭载多个分立器件的功率转换电路，减少了元器件数量和安装面积，从而有助于实现应用产品的小型化并缩短设计周期。　　<应用示例>　　车载设备：ePTO(电动取力器)、FCV(燃料电池汽车)用的升压转换器　　工业设备：光伏逆变器、UPS(不间断电源装置)、AI服务器、数据中心、　　电动汽车充电桩、半导体继电器、eFuse　　<相关信息>　　・新闻发布：ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度　　・各种设计模型可通过ROHM官网的产品页面获取　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　・TRCDRIVE pack™和EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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发布时间：2026-02-26 15:17 阅读量：635 继续阅读>>

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