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君正丨<span style='color:red'>技术</span>迭代与场景深耕：中科迅驰 4G 免流安防摄像头全解析

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君正丨技术迭代与场景深耕：中科迅驰 4G 免流安防摄像头全解析

　　直击海外安防痛点，　　亮出核心解决方案　　在海外安防市场中，农场、工地、牧场、果园、池塘及偏远物业等场景的监控需求日益迫切，但普遍面临无电源、无WiFi的困境，拉网布线成本高、施工难度大成为行业共性难题。传统4G摄像机更是雪上加霜，不仅需要插入实体SIM卡，跨境漫游费用高昂、换卡流程繁琐，且流量月租偏高、超量后易限速，长期使用成本居高不下;同时功耗过高导致续航不足，无法满足全天候无人值守的核心需求。针对这些痛点，深圳市中科迅驰科技有限公司(君正Ingenic深度合作伙伴)重磅推出4G免流+eSim+vSim双云卡+超低功耗一体化安防摄像头，涵盖单目型号S49与双目型号SQ65，以技术创新打破行业壁垒，而这一切的背后，离不开长期自研的技术积累与市场的长期需求判断，中科迅驰成功打造出兼具差异化与实用性的安防解决方案，在海外市场脱颖而出。　　核心产品：　　中科4G免流安防摄像头(S49/SQ65)核心亮点　　中科迅驰S49单目、SQ65双目4G免流安防摄像头，以用户需求为核心，聚焦海外偏远场景痛点，打造四大核心亮点，全方位提升安防体验。　　核心技术方面　　产品搭载全球4G免流方案，内置eSim+vSim双云卡技术，自建全球流量池，彻底摆脱实体SIM卡的束缚，无需手动充值，可自动适配全球40+国家和地区的多个运营商4G频段，智能切换当地最优网络，真正实现0漫游费、0流量成本，彻底颠覆传统流量盈利模式，大幅降低用户长期使用成本。　　供电与续航上　　产品采用太阳能供电搭配低功耗设计，结合核心芯片的功耗优化，有效延长设备续航能力，实现7×24小时稳定联网，用户可远程实时查看监控画面，无需担心无电无网场景下的监控中断问题，完美适配海外偏远场景的全天候值守需求。　　硬件配置上　　产品搭载君正核心芯片，支持事件触发存储与快速唤醒功能，配合芯片自带的AI算力，大幅提升AI识别精度，有效减少误报情况，既节省流量与存储资源，又提升安防监控的可靠性，让用户精准掌握现场动态。　　产品形态上　　除了基础的单目S49、双目SQ65两款核心型号，基于核心技术的升级迭代，还可拓展至庭院灯4G免流摄像机(庭院照明+监控一体)、4G免流路灯摄像机(路灯+监控+物联网一体化)、野外4G免流打猎摄像机等多种形态，覆盖更多户外物联网安防场景，满足不同用户的个性化需求。　　技术迭代：　　从君正T31到T33，持续升级场景适配能力　　中科迅驰在海外4G免流安防领域的突破，离不开君正芯片技术的持续赋能，从T31到T33的迭代，见证了产品竞争力的稳步提升，也实现了场景适配能力的全面升级。　　前代积淀阶段，2025年中科迅驰基于君正T31芯片率先落地4G免流方案，实现近百万台出货量，成功打开海外市场。君正T31芯片以稳定的性能为产品提供核心支撑，其低功耗特性适配太阳能供电设备，稳定的运算能力保障监控画面清晰传输，同时良好的生态兼容性，助力eSim+vSim双云卡技术顺利落地，为后续产品迭代奠定了坚实基础。　　新一代升级阶段，中科迅驰同步君正技术迭代，将产品升级至君正T33专业普惠视频处理器平台。T33芯片继承了T31的核心优势，同时在核心架构、新加入算力算法，影像编码、低功耗表现、开发兼容性等方面实现全面优化，不仅运算效率更高、影像画质更清晰，功耗也进一步降低，更适配海外极端场景的使用需求。　　此次迭代的核心价值在于，T33芯片与君正前代芯片软硬件兼容，可实现原有方案的平滑迁移，大幅缩短产品研发周期、降低研发成本;同时，性能的提升让产品在画质、续航、AI识别等方面实现突破，能够适配更多海外极端场景，进一步扩大产品的市场覆盖范围。　　品牌实力：　　中科迅驰的行业地位与市场优势　　作为海外4G免流安防领域的先行者，中科迅驰凭借技术创新与稳定的产品品质，奠定了行业领先地位，拥有显著的市场优势。　　行业地位上，中科迅驰是全球首家实现eSim+vSim云卡技术+4G免流+超低功耗一体化方案的安防厂商，成功定义了海外无电无网场景监控的新标准，为行业发展提供了可借鉴的范本。　　市场表现方面，产品已覆盖全球40+国家，在海外农场、工地、牧场、矿区等极端场景均有成功项目落地，用户复购率高达85%;同时，中科迅驰是亚马逊等跨境平台AI安防类目TOP供应商，也是北美品牌与海外工程的首选方案商，品牌认可度与市场影响力持续提升。　　制造能力上，中科迅驰拥有10000㎡全自动产线，月产能可达60万台，是国内最大的海外4G免流安防制造基地之一，强大的生产实力能够快速响应海外市场需求，保障产品稳定供应，为市场拓展提供坚实支撑。　　芯片赋能：　　君正芯片为产品核心竞争力保驾护航　　中科迅驰4G免流安防摄像头的核心竞争力，离不开君正芯片的底层赋能，从T31到T33，君正始终以技术创新助力产品升级，为产品性能落地提供坚实保障。　　君正T31芯片作为前代核心支撑，为中科迅驰4G免流方案的落地奠定了基础，其低功耗、高稳定性的特性，保障了产品在海外复杂场景下的稳定运行，良好的生态兼容性的支撑，让eSim+vSim双云卡技术与涂鸦云平台顺利衔接，推动产品快速打开海外市场。　　新一代君正T33芯片则实现全面升级，以低功耗、高画质、普惠AI、全兼容四大核心特性，进一步提升产品竞争力。其极致的低功耗设计，助力产品延长续航;升级的影像编码技术，让监控画质更清晰、传输更高效;0.5Tops@int8的NPU算力，赋能AI精准识别，减少误报;与前代芯片的兼容特性，助力产品快速迭代，拓展更多应用场景，为中科迅驰产品的市场竞争力保驾护航。　　传递品牌价值，　　强化市场认知　　从解决海外偏远场景安防痛点出发，中科迅驰以技术创新为核心，依托君正芯片的持续迭代，打造出兼具实用性与性价比的4G免流安防解决方案。无论是单目S49、双目SQ65核心型号，还是拓展后的多形态产品，都始终围绕用户需求，以0漫游、0流量成本、低功耗、高稳定的核心优势，为海外用户提供全天候安防值守服务，大幅降低安防部署与使用成本。　　未来，中科迅驰将继续依托君正芯片技术，持续深耕海外市场，不断优化产品性能、拓展应用场景，坚守技术创新理念，致力于打造全球4G免流安防领军品牌，为更多海外用户提供更贴合场景、更具竞争力的安防解决方案，助力海外安防行业高质量发展。

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君正

发布时间：2026-04-30 10:54 阅读量：366 继续阅读>>

变频<span style='color:red'>技术</span>之巅！九江恒通(海尔，长虹)搭载航顺 HK32MCU 开启无电解冰箱压缩机先享计划

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变频技术之巅！九江恒通(海尔，长虹)搭载航顺 HK32MCU 开启无电解冰箱压缩机先享计划

　　一、九江恒通携手航顺HK32MCU，竞争市场突破　　九江恒通作为国内冰箱压缩机电控领域核心高新技术企业，深耕变频控制、压缩机驱动、家电电控研发制造多年，拥有成熟量产能力与完善下游冰箱品牌客户渠道，在家电压缩机控制红海市场持续深耕技术升级。当下传统冰箱压缩机电控普遍采用高压电解电容母线结构，存在寿命短、易老化鼓包、高温失效、体积大、成本高、EMC 干扰大等行业痛点，同时进口主控芯片供应链不稳定、成本居高不下，行业急需全新一代极简可靠电控技术。　　为打破传统电解电容方案技术瓶颈，抢占高端变频冰箱压缩机市场红利，九江恒通正式联合航顺芯片，基于航顺 HK32MCU 主控芯片，联合研发新一代冰箱压缩机无母线电容变频控制方案。双方深度协同：九江恒通负责压缩机 FOC 控制算法、硬件电路设计、量产测试与市场渠道;航顺 HK32MCU 提供高算力、高抗干扰、电机控制专用国产主控芯片及算法支撑。　　本次合作实现三大关键市场突破：一是技术突破，业内领先实现冰箱压缩机无电解电容的极简驱动方案;二是供应链突破，主控全面采用航顺 HK32MCU 国产芯片，自主可控、现货稳定，彻底替代进口芯片;三是市场突破，以极致精简硬件、超高可靠性、更低综合成本，全面提升九江恒通产品竞争力，在家电压缩机电控市场实现差异化弯道超车，快速切入一线冰箱品牌高端变频机型供应链。　　二、航顺HK32MCU 给九江恒通市场赋能　　航顺 HK32MCU 是专为白色家电变频电机控制优化的国产高性能主控芯片，从芯片性能、算法能力、供应链稳定、成本优势、技术服务等多维度，为九江恒通冰箱压缩机业务全面赋能。　　1.算法算力赋能：HK32MCU 具备高主频、高精度 12 位 ADC、硬件电机控制外设、高速电流采样与运算能力，可完美支撑无电解电容的电压动态波动抑制算法，单芯片即可完成压缩机全部 FOC 无感控制，无需额外辅助芯片。　　2.成本优化赋能：国产高性价比 HK32MCU 搭配九江恒通零电容极简电路，大幅精简 BOM 物料，整体电控成本显著下降，有效提升九江恒通产品毛利率与市场价格竞争力。　　3.供应链安全赋能：航顺 HK32MCU 国产自主、现货充足、交期稳定可控，彻底摆脱进口芯片缺货、涨价、断供风险，保障九江恒通大批量稳定量产交付。　　4.可靠性品质赋能：HK32MCU 具备高 ESD 抗干扰、宽温宽压稳定运行特性，适配压缩机复杂电磁环境，解决无电解电容电压波动剧烈、易失控的难题，提升九江恒通产品良品率与市场口碑。　　5.研发落地赋能：航顺提供完整无电解电容压缩机 FOC 控制算法库、软硬件调试技术支持，大幅缩短九江恒通新品开发周期，加快新品上市节奏，快速抢占市场窗口期。　　6.智能化升级赋能：HK32MCU 丰富通讯接口，支持转速调节、故障自检、温控联动、智能保护，助力九江恒通压缩机向高效智能变频方向升级，适配智能家居冰箱发展趋势。　　三、方案概述　　本方案为九江恒通定制量产级冰箱压缩机无电解电容变频控制解决方案，以航顺 HK32MCU为唯一核心主控，采用九江恒通自研先进 FOC 无感控制算法与母线电压动态抑制策略，彻底取消高压电解电容，同时不采用薄膜电容等任何其他电容进行替代，实现完全无电解电容极简架构驱动冰箱永磁同步变频压缩机。　　方案电路架构：市电输入→控整流→无电解电容直接母线→主控逆变驱动电路→冰箱变频压缩机。由航顺 HK32MCU 实时完成高速电压采样、电流重构、无感位置观测、母线电压波动动态抑制、转速闭环控制、过流过压过热全维度保护，在完全无电容支撑母线电压的工况下，实现压缩机平稳启动、精准调速、低噪高效、稳定可靠运行。方案兼容家用变频冰箱、商用冷柜各类旋转式变频压缩机，可直接适配九江恒通现有电控平台量产落地，是新一代冰箱压缩机电控革命性升级方案。　　四、方案核心优势　　本方案最大核心创新：无电解电容，并且不使用薄膜电容等任何电容器件替代，真正零母线电容设计，对比传统电解电容方案优势全面领先：　　1.彻底根除电解电容寿命短板，整机寿命大幅提升电解电容存在电解液干涸、高温老化、鼓包漏液、寿命短等先天缺陷;本方案完全去掉电解电容、也不替换其他电容，从根源消除电容失效故障点，电控系统使用寿命成倍延长，压缩机整机可靠性大幅提升，售后故障率显著降低。　　2.电路极致精简，硬件成本大幅下降省去电解电容、省去电容充放电辅助电路、省去 PFC 电路，物料数量大幅减少，PCB 布线更简单，BOM 综合成本显著降低，生产贴片工序简化，量产效率更高，为九江恒通创造更大盈利空间。　　3.体积更小、结构更紧凑无母线电容设计取消庞大电容占位，电控板尺寸大幅缩小，更适配冰箱内部狭小安装空间，优化整机结构布局，降低装配难度与整机重量。　　4.宽压适应性更强，运行稳定性更高依托航顺 HK32MCU 超强高速运算与动态抑制算法，在电网电压波动、负载动态变化工况下，无电容母线依然可以稳定控制压缩机运行，抗电网波动能力远优于传统电解电容方案。　　5.能效更高、噪音振动更低HK32MCU 高精度 FOC 控制配合零电容极简拓扑，压缩机转矩波动更小、运行更平稳，低速启动平顺，整机运行噪音更低，制冷效率更高，冰箱综合能耗更优，符合国家绿色低碳能效标准。　　6.EMC 电磁性能更优无母线电容结构降低母线谐波干扰，电磁辐射更小，更容易通过家电安规 EMC 测试，产品认证周期更短、通过率更高。　　同时搭配航顺 HK32MCU 主控额外优势：电机控制专用优化、高抗干扰、宽温 - 40℃~105℃稳定工作、国产自主可控、成熟算法快速量产，结合九江恒通电控研发、量产制造、品牌渠道综合实力，成为冰箱压缩机国产替代、技术升级、差异化竞争的标杆方案。

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航顺

发布时间：2026-04-29 09:37 阅读量：299 继续阅读>>

广和通丨广通远驰AN778车规级5G模组：DSDA双卡双通<span style='color:red'>技术</span>突破，赋能高阶智驾通信

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广和通丨广通远驰AN778车规级5G模组：DSDA双卡双通技术突破，赋能高阶智驾通信

　　广通远驰5G-A车规级模组AN778基于MediaTek 天玑汽车联接平台 MT2739 开发(四核Cortex-A55，CPU 25K DMIPS)，支持400MHz带宽、NR 5CC，下行速率峰值9.8Gbps、上行速率峰值 1.875Gbps，率先在模组侧完成 DSDA 3TX(双卡双通)通信能力验证，为车载多网融合与高阶智驾筑牢通信底座。　　设计亮点：　　双通道+冗余链路，重构车载通信　　• 新一代DSDA硬件射频架构：独立射频前端实现两路SIM卡并行收发+智能协同，构建真双通道通信基座。　　• 灵活制式组合：支持LTE+5G、5G+5G等多种组合，结合DL 4RX/UL 3TX领先射频性能，从容应对多网融合场景，建立高可靠冗余链路。　　• 智能信号管理：双路信号实时侦听+无缝切换，解决数据中断风险，数据传输稳定性、实时性跃升，保障高速移动、多网交织下的可靠连接。　　实测硬核数据：　　切换快、吞吐量高、可靠性强　　网络异常快速切换：　　• 单TCP链路：卡间切换时延≤1s，成功率99.99%;　　• 双TCP(MPTCP)链路：切换时延≤10ms，成功率99.99%; 连续多次切换，通信过程全程稳定。　　双卡数据聚合：双卡同时在线时系统无明显掉线，整体数据吞吐量较单卡提升约60%。　　底层设计逻辑：　　从“双活”到“聚合”的全栈优化　　• ECU层：支持2路VLAN，每路对应SIM卡数据通道，通过VLAN选双链路发送(如MPTCP);　　• NAD层：绑定不同VLAN流量与SIM卡，让两张卡同时“活跃”，底层实现“双活”;　　• 云端：接收两路通道数据后聚合，最大化利用多网资源。　　AN778的DSDA功能验证，不仅为产品迭代提供技术支撑，更为车企通信系统设计、车型迭代提供确定性参考，加速车载多链路通信能力落地，助力高阶智驾与全域互联时代到来。

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广和通

发布时间：2026-04-29 09:15 阅读量：286 继续阅读>>

OFC2026，村田展示了哪些光通信相关产品与<span style='color:red'>技术</span>？

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OFC2026，村田展示了哪些光通信相关产品与技术？

　　近年来，以生成式AI的普及以及云服务的持续扩展，数据通信量正在迅速增长。伴随这一趋势，以AI数据中心为代表的数据基础设施对高速处理能力以及大容量数据传输能力提出了更高要求。与此同时，在全球电力需求增加的背景下，数据基础设施也需要兼顾高效率与低功耗运行。　　在这一趋势下，能够将电信号转换为光信号，并通过光纤实现高速、大容量、低功耗数据传输的光通信技术，正变得愈发重要。　　基于此，村田制作所正将以往在电子元器件开发与制造过程中积累的材料、设计、工艺以及量产等基础技术应用于光通信相关产品，致力于提供兼顾小型化、高性能与低成本的解决方案。　　特别是在当前持续扩张的AI数据中心场景中，能够在电信号与光信号之间相互转换、并通过光纤进行数据收发的光收发器及共封装光学元件(CPO)作为系统核心部件得到大量应用。这些设备由众多部件构成，例如光IC、电子IC及其封装基板、用于优化光输入与输出的光纤阵列等，是村田公司技术能力可以充分发挥作用的重要领域。　　为此，村田制作所于2026年3月17日至3月19日出展美国洛杉矶举办的光通信技术展览会“OFC2026”，展示了有助于提升下一代网络性能的自主研发电子元器件与解决方案，并首次公开展示了村田光通信相关产品与技术。　　参展产品亮点　　在“OFC2026”上，村田重点介绍能有助于发挥光收发器和共封装光学元件性能的开发产品，例如利用高频设计技术、LiNbO3的高频滤波器相关知识与量产经验所开发、支持3.2Tbps(Terabits per second)以上高速传输的光调制器等。LiNbO3(铌酸锂)是在光学、电子工程以及声学领域被广泛应用的一种多功能单晶材料，作为下一代光通信技术和高性能设备用材料而备受关注;Tbps表示数据传输速度的单位，1Tbps表示每秒可进行约1万亿比特的收发。具体来说，村田主要展示的四款光通信相关产品系列是：　　TFLN EO Modulator　　村田展示的TFLN EO Modulator是面向光收发器及共封装光学元件、具有超过100GHz的EO带宽的光调制器。支持400Gbps/ch PAM4，支持1.6Tbps通信及今后的3.2Tbps高速通信。　　TFLN(Thin Film Lithium Niobate)，即薄膜化的铌酸锂。作为适用于以高速、低功耗方式对光信号进行调制的下一代光通信技术材料而备受期待;EO带宽表示在将电信号调制为光信号时，能够进行调制操作的频率范围的指标。PAM4使用4种不同信号电平来传输信息的调制方式。　　LTCC Substrate　　LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)低温共烧陶瓷的、面向超过1.6Tbps光收发器及共封装光学元件的基板。具备优良的高频特性，通过抑制高温环境下的变形，在温度变化时也能实现稳定的光通信质量。LTCC相比一般陶瓷，可在较低温度下烧结，具有优良的高频特性和可靠性。　　Optical Sub-assembly　　在LTCC基板上设置光波导、微透镜及镜子，实现高度自由的器件布局，并在光输入输出部分抑制因光纤与光子集成电路位置偏移而产生的耦合损耗的概念产品。　　Organic Electrical & Optical Substrate　　村田自主研发的薄型且可设计任意形状电路的LCP基板上叠加光波导层，形成可传输光与电两种信号的概念产品。　　除本次展出的产品系列之外，本公司还将陆续推出面向传感及光量子计算等领域的系列产品，充分发挥公司长期积累的技术与经验，为Society 5.0的实现提供支持。今后，本公司也将继续与各利益相关方保持沟通，进一步提升产品制造与研发能力，持续推动对光通信市场的贡献。

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村田

发布时间：2026-04-28 09:21 阅读量：280 继续阅读>>

上海雷卯丨告别“烧坏”焦虑：深挖便携设备背后的OVP与OCP保护<span style='color:red'>技术</span>

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上海雷卯丨告别“烧坏”焦虑：深挖便携设备背后的OVP与OCP保护技术

　　“为什么我们的TWS耳机在用某品牌快充头充电后，出现了充电仓‘冒烟’甚至主控芯片击穿的现象?”　　“在Type-C接口统一的大趋势下，面对非标充电线和各种‘魔改’快充协议，我们的智能手表如何才能保证那颗敏感的电池管理系统(BMS)不被浪涌电压打死?”　　这是我在与多家消费电子ODM/OEM厂商交流时，听到的最频繁的抱怨。　　市场数据显示，2025年全球因电源异常导致的便携设备故障率同比上升18%，其中TWS耳机、智能手表等微型设备占比超60%。更严峻的是，消费者对“充电安全”的敏感度已超越“续航时长”，成为购买决策的首要因素。如何在成本可控的前提下，为设备构建“电源防火墙”?答案指向了过压保护(OVP)与过流保护(OCP)技术。　　一、技术破局：OVP/OCP如何成为便携设备的“生存刚需”?　　OVP与OCP并非新技术，但在便携设备领域，其应用正经历从“可选”到“必选”的转变。核心矛盾在于：设备越轻薄，电源管理芯片的“容错空间”越小。　　1、过压保护(OVP)：对抗“高压刺客”　　当输入电压超过阈值(如6.1V)，OVP芯片需在纳秒级关闭内部MOSFET，阻断高压传导。以雷卯LMOVP3608为例，其100ns的响应速度可抵御42V热插拔冲击，相当于在“高压闪电”击中设备前，提前切断通路。　　2、过流保护(OCP)：拦截“电流洪流”　　设备短路或负载异常时，电流可能瞬间飙升至数安培。OCP通过监测电流并延时判断(如460μs防误触发)，避免因毛刺电流误关断，同时防止持续大电流烧毁电路。LMOVP3616的100mA-2.0A过流保护可调与460ms恢复延时，恰好在“保护”与“稳定”间取得平衡。　　3、过温保护(OTP)：最后一道防线　　当芯片结温超过165℃，OTP自动关闭功率管，待冷却至130℃后恢复。这一机制在密闭的TWS耳机充电仓内尤为重要，可避免因散热不良引发的热失控。　　二、市场痛点与技术方案的精准匹配　　便携设备市场正呈现三大趋势，而OVP/OCP技术恰好直击痛点：　　1、微型化与高集成度　　SOT23封装的BCV3608仅2.9mm X 2.3mm，兼容标准SMT产线，无需DFN专用设备。对于TWS耳机等“寸土寸金”的设备，封装尺寸直接决定PCB布局可行性。　　2、快充普及与电源风险　　随着PD、QC快充协议渗透率超70%，输入电压波动范围扩大LMOVP3608的50V耐压与10ms上电软启动时间，可兼容各类快充头，避免因协议握手失败导致的高压冲击。　　3、成本敏感与量产效率　　LMOVP3608无需输入输出电容的设计，单颗可节省约2分钱物料成本。对于年出货千万级的TWS耳机厂商，这意味着每年数十万元的成本优化。　　三、推荐型号：上海雷卯LMOVP3608与LMOVP3616的差异化价值　　针对便携设备的不同需求，上海雷卯推出两款明星产品：　　LMOVP3608：性价比之选　　凭借“40V热插拔能力”与“无需电容”特性，已成为TWS耳机市场的“标配”芯片。　　LMOVP3616：高可靠性升级　　适合对电源稳定性要求严苛的平板电脑与导航设备。其SOT23-6L封装支持更多功能引脚，比如输出使能脚CE, 工作状态FAULT 输出给MCU。　　四、典型应用电路：从理论到实践的落地　　为了让工程师更直观地理解这两款芯片的应用，以下是它们的典型电路设计：　　1、LMOVP3608典型应用电路(极简设计)　　LMOVP3608的设计哲学是“极简”。其典型电路仅需芯片本身及输入输出端的去耦电容(甚至可省略)，非常适合空间受限的TWS耳机充电仓。　　电路连接　　输入端(VIN)：连接Type-C接口的VBUS，建议首先根据输入电压放一颗TVS ，防止输入电压出现浪涌超过50V 损坏LMOVP3608，然后并联一颗0.1μF/50V电容(可选，用于滤波)。　　输出端(VOUT)：连接后端充电IC或电池保护板，建议并联一颗0.1μF电容(可选)。　　接地(GND)：直接接地。　　优势：整个电路仅需3个引脚，PCB占用面积极小，且无需额外外围器件，大幅降低BOM成本。　　2、LMOVP3616典型应用电路(功能增强)　　LMOVP3616在LMOVP3608的基础上增加了“使能控制(CE)”和“故障指示(FAULT)”功能，适合需要与主控MCU交互的智能设备。　　电路连接　　输入/输出：与LMOVP3608一致，VIN/VOUT端各接0.1μF电容以确保42V热插拔能力。　　建议输入端首先根据输入电压放一颗TVS ，防止输入电压出现浪涌超过50V 损坏LMOVP3616　　使能引脚(CE/)：通过一颗10kΩ电阻连接MCU GPIO控制。当CE为低电平时，芯片导通工作。　　故障指示(FAULT)：开漏输出，需外接一颗10kΩ上拉电阻至VCC。当发生过压/过流时，FAULT引脚拉低，MCU可读取该信号并触发报警(如LED闪烁或屏幕提示)。　　过流设置(ILIM)：通过外接电阻(RILIM)调节过流阈值，公式为：I_OCP=1540/(R_ILIM+752)。　　优势：支持MCU主动控制与故障反馈，提升系统智能化水平，适合平板电脑、导航仪等高端设备。　　五、从“被动防护”到“主动安全　　OVP/OCP技术的价值，早已超越“故障补救”的范畴。在便携设备市场，它既是应对劣质充电器的“盾牌”，也是实现高集成度设计的“钥匙”。随着LMOVP3608、LMOVP3616等芯片的普及，我们正见证一个趋势：安全防护不再是成本负担，而是产品竞争力的核心组成部分。　　未来，随着AIoT设备对电源管理提出更高要求，OVP/OCP技术或将与智能诊断、自适应保护等功能融合，成为便携设备“主动安全”生态的关键一环。而上海雷卯的持续创新，无疑为这一进程注入了强劲动力。

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上海雷卯

发布时间：2026-04-22 09:48 阅读量：424 继续阅读>>

瑞萨丨<span style='color:red'>技术</span>干货借助GaN双向开关革新电源设计

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瑞萨丨技术干货借助GaN双向开关革新电源设计

　　随着全球电源需求正出现前所未有的激增，设计人员不断面临挑战，需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸，并以更高的效率提供更高的功率水平。氮化镓(GaN)以其优越的半导体特性，正在推动一场变革，引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。　　高电压GaN双向开关(BDS)通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断，从而助力打造更加高效、紧凑且更具成本效益的功率转换器。此类开关支持创新的单级功率变换器拓扑结构，从而在AI数据中心基础设施、太阳能微型逆变器、电池系统以及汽车车载充电器等应用中减少了元器件数量并提高了效率。　　单级功率转换　　利用瑞萨GaN BDS，设计人员可以摒弃带电解直流母线电容的传统两级式交流/直流转换器，实现元器件更少、重量更轻、效率更高的单级拓扑结构。此类拓扑支持双向能量流动，对于交流/直流转换和直流/交流逆变器均十分有用。这些设备还实现了非隔离多电平T型中点钳位(T-NPC)拓扑(如Vienna整流器)。这类拓扑具有更低的传导损耗，并且适用于三相AI基础设施和电机驱动器，同时提供双向流动特性并能降低EMI。　　Figure 1. Renesas GaN BDSs enable innovative topologies such as single-stage AC/DC converters, resulting in lower part count for smaller, lighter, more efficient power systems　　瑞萨电子的TP65B110HRU 650V、110mΩ高电压GaN双向开关可在单个器件中同时阻断正向和反向电流，与传统单向硅基或碳化硅开关相比，能够以更少的元器件实现更高效率的单级功率转换。该器件减少了开关数量并省去了太阳能微型逆变器中的中间直流母线电容，根据美国加州能源委员会(CEC)标准，其功率转换效率可达97.5%以上。　　这些创新的D模式氮化镓BDS产品具有650V连续电压额定值、低导通电阻、顶部散热的表面贴装封装(集成硅基MOSFET)，并与标准栅极驱动器兼容。对于设计人员来说，只要使用标准驱动器和简单的栅极电阻，驱动D模式氮化镓器件就和驱动硅基MOSFET一样简单。这与E模式氮化镓形成鲜明对比——后者需要额外元器件，不仅占用更多电路板空间，还会增加物料清单(BOM)成本和驱动损耗。　　Figure 2. GaN BDS implementation in a solar microinverter application and TP65B110HRU efficiency curves at different panel voltages, reaching 97.5% CEC efficiency　　该GaN BDS具有快速开关特性，以及清晰的波形和出色的效率(在太阳能微型逆变器中最高可达97.5%)。产品通过了JEDEC和其他针对氮化镓的可靠性标准测试(包括交流和直流偏置测试)，确保满足工业和汽车应用的稳健性要求。您可以在评估板用户手册和氮化镓BDS技术白皮书中阅读有关性能测试和资格认证的更多信息。　　亲自使用GaN BDS评估板来评估这些新型开关，测试不同的驱动选项，进行交流过零检测，并实施ZVS软开关。我们还将GaN BDS与其他兼容组件相结合，开发了系统级解决方案，以实现优化且低风险的设计，从而加快各类电力电子应用中的产品上市速度，其中包括500W太阳能微型逆变器、3.6kW功率因数校正(PFC)Vienna整流器以及多种单级家用电器。　　深入了解TP65B110HRU GaN双向开关及其在高能效电源系统中的应用，并阅读我们的白皮书以进一步了解该技术的架构设计及部署优势。

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瑞萨

发布时间：2026-04-21 09:38 阅读量：404 继续阅读>>

<span style='color:red'>技术</span>解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升

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技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升

　　数字化转型(DX)和AI的迅猛发展，为社会带来了巨大的便利，而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。　　为了助力解决这一社会课题，罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势，更大程度地提高服务器能效当作使命。其中，服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升，以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能，是实现无碳社会的重要课题。　　从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件，到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件，罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体，为客户提供前瞻性的解决方案。　　罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求，同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。　　AI服务器主板(Server Board)　　随着生成式AI的普及和数字化转型的加速，现代服务器面临着前所未有的算力需求，以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE)，从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型，以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。　　罗姆利用多年积累的高效电源IC技术，结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET，为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术，大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度，助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。　　电源供应单元(PSU)　　罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路，可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群，助力应用产品大幅提升效率。另外，针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途，可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群，可将导通损耗降至超低水平。当然，罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。　　在这些种类繁多的产品群基础上，罗姆还可提供系统层面的综合解决方案，其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。　　备用电池单元(BBU)　　在BBU(备用电池单元，用来在电源异常时保护数据)设计中，能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品，助力BBU的小型化和可靠性提升。　　此外，在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中，能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器，对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET，可满足其严苛要求，并可提高系统的可靠性和稳健性。　　罗姆不仅提供这类元器件级解决方案，还针对多样化的电源架构，提供满足从传统的12V/50V级电源，到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。

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罗姆

发布时间：2026-04-15 13:05 阅读量：459 继续阅读>>

瑞萨丨大咖谈<span style='color:red'>技术</span> 为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点

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瑞萨丨大咖谈技术为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点

　　在数据中心设计的新纪元，人工智能(AI)正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化，而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心，其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构，进而加速氮化镓(GaN)半导体的普及应用。　　剖析AI数据中心的电力挑战　　相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显著特征：更高的电力消耗，以及功耗动态变化的急剧增加。传统数据中心的服务器电源柜的功率上限可能最高为30千瓦。而如今，AI系统的单个电源柜运行功率已跃升至50千至300千瓦之间(具体数值因供应商而异)，按照这一趋势，预计到明年，单个机柜的功率甚至有望突破1兆瓦大关。在电源功率如此飙升的背景下，功率分配和电力转换已无法再作为后台的辅助环节被忽视。　　为了实现AI应用的可持续规模化扩展，电源架构必须迈向更高效、更紧凑，且更具适应性的新阶段。简而言之，电力已从昔日的运营支出项，演变为复杂且资本密集型的核心考量因素。并且，只要对算力的渴求继续由日益庞大的AI模型所驱动，这一趋势就将长期持续。　　AI推动新型电源架构　　这场变革最明显的标志之一，便是从传统的415V交流(AC)配电向800V直流(DC)(或±400V直流)架构演进。更高电压可降低传输电流、减少传导损耗，并全面提升系统效率。与此同时，这也对电力转换环节及其核心器件的性能提出了全新要求。　　深入服务器机架内部观察，可看到AI加速器已成为重塑数据中心供电方式的关键驱动力。这些计算引擎早已超越单一芯片范畴，演变为庞大而复杂的分布式系统。单个AI计算单元(或称“超级集群”)最多可容纳9,000个加速器、4,500个CPU、庞大的光纤互连网络，以及配套的电源管理模块、水泵和液冷基础设施。这还仅仅是一个单元，超大规模数据中心每年部署的此类单元可达数百个之多。　　更少的转换环节，更高的电压　　面对日益加剧的压力，数据中心运营商正在重新审视电力到芯片的整个传输链路。一大核心转变是采用更高电压的直流配电方案，包括800V(或±400V)直流架构，业内甚至已开始探讨未来实现1,200V或1,600V直流方案的可行性。　　其背后的逻辑直指效率：每一个中间电力转换环节都意味着能量的损耗。在传统拓扑结构中，电力以交流电(480V三相交流)形式输入，需经历数次形态转换：先转换为直流电用于电池充电，再逆变为交流电进行配电(415V交流)，最终再次转换为直流电(48V)供机架及板级使用。减少转换步骤能显著提升端到端效率，让更多来自电网的电能真正用于计算任务。　　这些变化正在重塑功率半导体的角色。例如，在高压应用场景下，固态变压器正逐步取代传统的油浸式线路变压器。通过一系列新物料应用使得新一代电源设计能在更高频、高压下提高效率。　　与此同时，机架功率的激增正推动交流/直流转换从服务器机箱内部转移至独立机柜。目前，相当一部分宝贵的机架空间被用于部署将415V交流电转换为48V直流电的设备。由于机架空间寸土寸金，电力转换硬件如今占据了高昂的空间成本。将这些转换环节集中至一个专用机柜，不仅能为AI计算单元腾出更多空间，还能更有效地集中管理散热。　　为何是GaN，又为何是现在?　　GaN的普及步伐加快，根源在于AI数据中心将其两大核心优势放大了：在紧凑尺寸下实现高压能力，以及快速高效的开关性能。　　与硅器件相比，GaN器件能在更小的芯片内承受更高反压。GaN的高电子迁移率和饱和速度使其开关频率可达到兆赫兹(MHz)级别，而硅器件通常运行的开关频率远低于此。此外，GaN的固有寄生电容低于硅，能够实现更快的开关速度且损耗更低。　　从系统层面看，开关频率与磁性元件及无源器件的尺寸成反比。如果设计人员能提高开关频率，便可缩小磁性元件体积，并减少电力转换环节的占板面积。消费电子领域已经通过微型快充产品成功展示了这一趋势。如今，AI基础设施正采用同样的策略，只是其规模已跃升至千瓦乃至兆瓦级别。　　GaN的“黄金应用区间”：　　800V至48V转换与双向供电　　在AI数据中心的电源链路中，不同的电压区间恰如其分的适配着不同材料。在数千伏的超高电压等级中，碳化硅(SiC)于固态变压器应用中大放异彩，而GaN在数据中心中最合宜且近期最具潜力的应用场景，当属从约800V高压到中间电压(如48V，特定情况下为12V)的转换环节。800V至48V的转换阶段正是GaN的“黄金应用区间”，在此区间内，GaN展现出比硅具有更高的效率、更稳定的运行性能和更快的开关速度。　　此外，AI数据中心还在交流/直流转换环节催生了双向供电的需求。这主要源于大型AI加速器极端瞬态变化的负载特性。当负载快速波动时，存储在电容元件中的能量要么以热能形式耗散，要么被智能地回收利用。双向架构使得能量在负载激增时能迅速流入系统，在能量过剩时又能回输至系统储能装置——这一概念与汽车的再生制动系统异曲同工。　　双向GaN器件极大的简化了此类设计。例如，以往需要四个分立式MOSFET构建的全桥电路，如今两个双向GaN器件即可胜任。瑞萨电子近期推出的首款双向GaN开关便是一例：该产品采用单级电力转换替代了传统的两级架构，进一步提高了效率。　　瑞萨电子：　　将GaN定位为系统级解决方案　　AI数据中心的创新节奏之快，已使设计人员无法再通过逐个优化元器件来构建系统。产品开发周期曾以三到四年为衡量，如今已缩短至12到15个月。这意味着AI数据中心架构师需要的是端到端的电源解决方案，以及全面、长远的规划蓝图，而非将整合风险转嫁给系统设计人员的零散产品组合。　　依托数十年的电源技术积累，瑞萨深知：要降低GaN的采用门槛并缩短设计周期，离不开控制器、栅极驱动器与保护器件的协同设计，再辅以完善的参考设计和专业的技术支持。我们在应用电力电子会议(APEC)上最新发布的GaN解决方案，正是这一系统级理念如何转化为更快速、更低风险设计的生动例证。　　通过收购Transphorm公司及其高压SuperGaN® D-mode GaN FET技术，瑞萨电子的市场地位得到了进一步的巩固。我们致力于为数据中心OEM厂商提供从器件级创新到系统级支持的全方位赋能，从而加速其评估进程，缩短产品设计周期。　　普及之路的挑战与未来展望　　尽管GaN优势显著，但其全面普及仍面临挑战。成本、严苛的认证要求，以及设计人员的熟悉程度，都将影响其普及速度。展望未来三至五年，GaN在AI数据中心内的集成深度，将取决于供应商能否通过有效的技术培训、便捷的设计工具和经充分验证的可靠性，切实化解这些顾虑。　　可以预见的是，AI工作负载将持续推动电源架构向更高密度和更高效率的方向演进。对于数据中心架构师而言，GaN是在避免能源消耗失控增长的前提下，推动AI算力持续突破的关键路径。对于习惯在效率上渐进式提升的功率半导体供应商来说，这更标志着电力传输方式的一次根本性转变。随着这一趋势的深化，那些曾让硅材料占据优势的权衡取舍，如今正使GaN的优势日益凸显。当下的问题已不再是GaN能否在AI数据中心占据一席之地，而是它将以多快的速度、多广的范围内被部署应用。

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瑞萨

发布时间：2026-04-15 10:15 阅读量：467 继续阅读>>

4月14日-16日，海凌科诚邀您参加深圳国际传感器与应用<span style='color:red'>技术</span>展览会

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4月14日-16日，海凌科诚邀您参加深圳国际传感器与应用技术展览会

　　第四深圳国际传感器与应用技术展览会Sensor Shenzhen，将于2026年4月14日-16日在深圳会展中心(福田)举办。本次展会上，海凌科除了展出现有的通信、电源、传感等全系列产品方案，还将带来LD2453、LD2417等近一年来新研发的毫米波雷达模组，展示在智能家居、智慧交通、商业感应等AIoT场景中的最新应用，诚邀各位客户前往参展。　　展会详情　　深圳国际传感器与应用技术展览会(Sensor Shenzhen)汇集时下发展热点、探索未来创新点，为新产品、新技术提供“全球首发、中国首展”的平台。本届展会聚焦智能传感器全产业链，串联产品端、应用端、科研端、资金端、人才端，涵盖人工智能、数字能源、汽车电子、智慧医疗、工业互联网等行业热点，与业界同仁共绘感知行业美好蓝图。　　展馆：深圳会展中心(福田)　　地址：广东省深圳市福田区福田街道福安社区福华三路111号　　地铁路线：　　地铁1号线‌：在会展中心站下车，从D出口出站即可到达会展中心‌。　　‌地铁4号线‌：在会展中心站下车，可以从A出口或D出口出站，步行至会展中心。　　展会时间：2026年4月14日-16日　　展位号：7C106　　Hi-Link/海凌科拥有十多年的物联网行业研发经验，专注于物联网智能家居、消费电子、智能穿戴及工、农业控制等多个领域，是一家专业的物联网模组提供商。　　海凌科产品主要包括四个部分，通信模组：串口 WiFi、路由网关、BLE 蓝牙、4G/5G 移动通信、NB-IoT、Cat1、LoRa;电源模组：AC/DC 电源、DC/DC 电源、机壳电源;传感模组：语音识别、人脸识别、雷达模组等;智能设备配件：成品系列、天线、测试套组以及继电器等，同时提供软硬件一体化物联网解决方案。　　海凌科技术研发团队在雷达、通信、传感、电源、软件等技术研发领域具有16年以上的丰富经验，除了提供各种专业的模组产品外，还提供从PCBA设计到后台SaaS包括APP小程序等快速落地的一站式解决方案。　　Hi-Link/ 海凌科已经成功地将产品远销至八十多个国家，包括俄罗斯、土耳其、印度、泰国等。我司已建立了广泛的全球销售网络，以其高品质的产品和服务获得了全球客户的认可。

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海凌科

发布时间：2026-04-14 11:07 阅读量：498 继续阅读>>

美光的智能制造：AI<span style='color:red'>技术</span>在企业中的应用

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美光的智能制造：AI技术在企业中的应用

　　制造芯片的复杂程度超过制造火箭。阅读本案例研究，了解美光如何率先在制造、物流和业务流程中应用 AI，并将其大规模部署，从而实现技术优势地位。　　美光在利用人工智能 (AI) 技术方面绝不仅限于空谈。公司将数据分析和 AI 应用于自身制造流程，真正做到了言行一致。美光将 AI 融入业务运营的核心，通过业界前沿内存和存储解决方案，彰显其赋能技术的卓越价值。　　智能制造是自动化的更高阶段。其关键在于大规模智能感知、决策与优化。智能制造涵盖内容广泛，从仿真和预测分析，到机器学习和生成式 AI 等。这是一项更广泛的企业战略，其中感知 AI 和智能体 AI 发挥着关键作用：感知 AI 通过计算机视觉、声学监听和热成像等技术，使机器能够“看到、听到、感觉到”周围的环境。智能体 AI 系统能够解读这些输入信息并自主行动，持续学习、在复杂的工作流程中进行协调。　　这些能力相结合，为美光的制造战略转型提供了支撑，使智能系统能够实时检测异常、优化流程并灵活适应新变化。智能制造带来了诸多优势：更高的良率、更安全的工作环境、大幅提升的效率、更短的产品上市时间，以及更可持续的业务。本案例研究探讨美光如何利用 AI 技术来应对全球最复杂的工程挑战之一：在硅晶圆上制造内存。　　复杂的制造工艺　　美光的制造工厂在基于硅晶圆开发内存技术时需要使用高度复杂和精密的工艺，耗时数月，涉及约 1,500 个步骤。出错和浪费的可能性很高。利用数据分析和 AI，有助于降低这种可能性。如果仅依靠人类警觉性来发现和跟踪缺陷、机械问题和其他潜在问题领域，公司将会损失时间和金钱。而通过利用当今的前沿 AI 技术来提高准确性和检出率，就可以避免这些损失。　　美光智能制造和人工智能企业副总裁 Koen de Backer 表示：“我们在这里打造的东西完全与众不同，能够实现更高水平的准确性。现在，我们可以将产品上市速度加快一倍，同时每年节省 100 万工时。这确实是革命性的成就。”　　美光如何将晶圆转化为先进内存　　制造先进内存的起点是二氧化硅——一种经提纯后纯度高达 99.999% 的沙子。这种电子级硅原料先被熔铸成硅锭，再切成厚度仅为 0.67 [BG1] 毫米 [E]2] 的超薄晶圆。美光从专业供应商处采购电子级晶圆，然后通过先进的制造系统进行加工，最终生产出高性能内存芯片。　　通过扩散工艺，晶圆上的涂层能够均匀分布。添加涂层材料时，每个晶圆都在高速旋转(有时在超热环境中)，材料在离心力的作用下沿着表面扩散。　　在美光的尖端制造工厂中，这些采购而来的晶圆将经历一系列精密设计的加工步骤——每个环节都旨在将电子级硅原料转化为智能内存，加工精度可达微米级别。　　抛光：去除从硅锭切割下来的初始晶圆表面的微小瑕疵，确保形成后续加工所需的光洁表面。　　光刻胶涂覆：涂覆光敏材料，以便能够通过光刻技术刻印精密电路图案。　　光刻：利用紫外线将设计好的精密电路逐层转印到晶圆上，类似于相片曝光的过程。　　掺杂与金属化：加入离子化等离子体(掺杂)来改变晶圆的电学特性，并添加导电金属层以形成互连结构。　　添加防护层：用薄膜密封晶圆，以便在测试和搬运过程中保护其中的电路。　　检验与检测：通过 AI 增强成像和分类系统验证功能性和结构完整性，并检测人眼无法察觉的缺陷。　　整个制造过程在无菌制造室(称为洁净室)中进行，以防止微小的灰尘污染原始晶圆。然而，尽管采取了这些预防措施，晶圆仍然可能存在瑕疵。微小的划痕、保护膜下的气泡、细微的结构缺陷等——若未及时检出，这些小缺陷可能导致整批产品报废。　　这些瑕疵通常很微小，肉眼完全看不见。即使可见，检测人员在扫视每片晶圆的 30 到 40 张照片时，也可能会因为眼睛疲劳或暂时走神而未注意到缺陷。眨眼之间，瑕疵品便流向了下一个环节。　　如果到测试阶段才发现问题，就会浪费大量时间和金钱。这些瑕疵的根源问题不仅仅只影响一片晶圆，而可能影响成千上万片晶圆。　　在生产中还有其他方面也可能会出现问题。设备零部件磨损;管道危险化学品泄漏或滴落到产品或员工身上。我们必须及早发现这些问题并予以纠正。一旦停工，往往就要付出很高的代价，导致收入损失并错失生产良机。由于半导体制造的复杂性，恢复生产需要耗费大量的时间，这可能会使真实成本达到数百万美元。并且，还存在很多与员工受伤相关的风险。最后，为践行美光对可持续发展和卓越运营的承诺，我们应当尽力实现每个流程的高效节能、稳定可靠。　　及时检测出产品和机械问题，对于生产效率、效能和安全至关重要。遗憾的是，人难免会犯错。即使是最专业的员工也未必总能察觉出细微的问题迹象。　　这正是 AI 大显身手的领域。AI 系统能以激光般的精度和速度检测出人类不易觉察的异常，比如划痕、气泡、设备磨损等，其能力远远超过人类。AI 系统会从超过 590,000 个源收集 PB 级的制造数据 [JB1]——这些数据持续流入美光的云分析环境，以供优化生产流程以及实时发现问题。这些系统包括计算机视觉、声学监听和热成像，当机器具备了这些感知 AI 能力，便能够感知周围环境。　　计算机视觉让制造过程“被看见”　　美光的 AI 制造基于图像分析技术。Koen 解释道：“图像在半导体制造工艺中具有强大的作用，我们可以分析每个工艺步骤的详细图像。”　　他还表示：“通过利用 AI 计算机视觉并分析每个阶段的图像，我们可以快速识别发生的任何偏差。所有过程都完全采用自动化方式。这种分析涵盖各个方面，包括前道、封装与测试。”　　在整个晶圆厂和制造工艺中，美光通过 AI 计算机视觉寻找微观层面的潜在瑕疵。　　除了图像，美光还采用视频分析来消除封装和测试中的质量问题。您也许会认为视频的数据量太大，因而不太可行。但是，美光同样使用了 AI，来确定需要分析的关键时间点。AI 会适时启动和停止视频流，仅捕获关键过程，从而控制数据量的大小。美光的一大优势是，同时生产内存和存储设备，确保这些宝贵数据能够被采集、保存并随时可用。　　图像和视频非常有用，因为晶圆瑕疵有很多种形式。大多数瑕疵属于以下这些常见类型：晶圆边缘附近有小孔，或外层薄膜上有划痕和气泡。在晶圆制造过程中，光刻机在晶圆上蚀刻电路时，其摄像头会捕获一些图像，美光的 AI 系统使用计算机视觉技术在这些图像上识别上述缺陷。　　根据工程师的指示，系统会自主扫描晶圆边缘的小点(孔)，或者连续或轻微断开的线条(划痕)，也可以根据深浅不同的斑点来发现颜色变化。某些缺陷能以近乎实时的速度检出，在拍摄图像后数秒内触发警报。在照片存储几分钟后的二次扫描中可能会发现其他缺陷。所有这些过程都依赖于 AI 系统对数据库环境中存储的数百万张图像进行比较和对照。　　事实证明，这些结果比工程师的评估要准确得多，因为 AI 计算机视觉具有更高的准确性和效率。最重要的是，工程师们现在可以专注于数据采集以及根本原因的解决。　　美光的 AI 自动缺陷分类 (ADC) 系统进一步简化了这项工作。技术人员和工程师不再需要手动对晶圆缺陷进行分类。借助深度学习技术，AI-ADC 每年可对数百万个缺陷进行分类和归类，并能够自主学习，在迭代中不断提升准确率。这种机器学习方式按类型对缺陷进行聚类处理，可帮助工程师追溯缺陷产生的根本原因，并使 AI 系统能够自主发现缺陷及优化结果。　　监听声音　　美光除了将 AI 成像作为制造工艺的核心外，还利用声学监听来预防问题。异常声音往往表示部件存在磨损或即将发生故障。　　美光的 AI 系统可以通过声学传感器监听工厂机械的异常情况。这些传感器通常有计划地安装在机器人执行装置或泵设备附近。这些麦克风可以连续数周对正常工作状况录音，软件将检测到的频率转换为图形或图表，以视觉数据来描述声音。当出现新的音高或频率时，系统会发出警报。很多情况下，系统甚至可以辨别出发生异常的原因。　　搜索这些庞大的数据库可能非常耗时。但当机器有可能发生故障时，工厂经理又需要立即知晓情况。相比基于 CPU 的系统，将数据发送到由 GPU、加速器以及美光的内存和存储设备组成的 AI 系统可以更快获得智能结果。这些 AI 系统具有数十万个 GPU 核心和高带宽内存，可以同时协同工作，瞬间优化结果，几乎无需人工干预。此外，它们还可以在每次迭代中改进诊断机制。　　热成像感知　　并不是每种故障都会发出声响。在制造环境中，寂静无声也可能隐藏着致命危险。有时候，唯一的预警信号是温度的变化。直到最近，检测温度骤升的方法仍然只有观察红光、火花或烟雾。当这些状况出现时，意味着事态已进入危险阶段，工厂需要尽快疏散员工。　　因此，除了图像分析和声学监听外，美光还使用热成像技术测量关键器件的温度。　　Koen 解释道：“测量变压器的温度是防止过热的关键。及早发现问题也许只需要进行简单的修理，而如果错过了时机，可能就只能更换整套昂贵的设备。”　　最终，这些用于采集图像、声音和温度的 AI 传感器将直接影响公司的利润。Koen 补充道：“这些传感器在提高质量和效率方面表现出色，在成本节约方面同样作用巨大。它们能够实现细粒度的能源计量，从而显著节约原材料和能源。”　　数据　　美光通过 590,000 个传感器生成 1 亿张晶圆图像，涉及到 4.36 亿个控制点。所有这些数据每周都会通过 AI 模型进行处理。此外，已存储 77 PB 数据，并且每天捕获 58 TB 的新数据。　　AI 的大规模采用可支持多种应用，包括良率分析、数字孪生规划、物联网 (IoT) 和图像分析、优化和高级算法、过程自动化以及移动应用。　　结果1毋庸置疑：　　制造工具可用性提高 4%　　每年劳动生产率增加 100 万工时　　新品上市时间缩短 50%　　产品报废率降低 50%　　其效益不仅限于晶圆厂。从销售和市场营销，到人力资源、业务运营、研发及业务系统——AI 现已融入美光运营的方方面面。　　Koen 表示：“这是整个企业层面的转型，而不仅仅是车间改造。我们已将 AI 应用于公司内部所有业务流程。”　　生态系统合作伙伴关系　　美光不仅在内部优化制造工艺，在与供应商直接合作时也使用 AI，向他们提供与产品相关的详细反馈，以确保尽可能提高能效。美光同这些供应商一起协调 DIMS(数据摄入美光系统)，尽可能提高数据摄取的频率。美光工程师会实时监控这些摄取状态，同时持续进行精益求精的校正和优化。　　此外，美光还使用遥测数据来衡量旗下产品在供应商数据中心内的效果。这些数据与美光内部数据相结合，可支持实时协作，以便改进产品，使其满足特定工作负载的需求。　　美光也会密切监控这些模型的表现。使用 AI 处理传入的数据并进行反复训练，工程师能够专注于自动化机器学习的流程。如果不使用 AI，可能数据科学家永远无法腾出手来推动技术发展，他们将忙于研究那些已经发生的各种事件。　　这些计划得到了内部数据科学学院的支持，同时公司也在内部数据科学家、工程师和解决方案架构师方面进行了持续投资。通过这些资源以及美光的公民数据科学模型，职能专家能够有效利用 AI 支持的工具和见解。　　行业领导力　　如今，美光正在将丰富的核心工艺知识与 AI 出类拔萃的效率相结合。数据专家们创建了大型良率管理平台，公司内有 14,000 名员工正在使用这些平台。与此同时，以前专注于日常良率优化的专业团队正在快速集成周期中构建新的原型。团队成员经常会应用这些原型来优化主要平台。　　得益于美光团队成员的敬业精神及其开发的 AI 增强型先进制造工艺，公司在多代内存技术的采用过程中均实现了创纪录的良率。凭借最新创新成果，美光的近几代技术能够比前几代更快达到成熟良率，彰显出公司的工程研发与卓越运营能力，并进一步巩固了美光的技术优势地位。　　美光针对产品制造不断优化 AI。AI 已不仅是一种工具，更是一种智能系统，彻底改变了生产流程。而真正让美光在 AI 应用领域脱颖而出的，则是通过大规模应用 AI 来重塑整个企业。从仿真与预测分析，到机器学习、生成式 AI 以及实时工艺优化，美光的 AI 战略已渗透至业务的每个角落。新技术不仅不会取代团队成员的工作，反而会为团队助力和赋能，让他们无需再忙于获取数据并进行大量基础分析。现在，他们可以专注于自己擅长的事情——通过创新来开发行业前沿产品及良好业务实践。

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美光

发布时间：2026-04-08 09:48 阅读量：482 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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