<span style='color:red'>肖特基二极管</span>和快恢复二极管区别
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肖特基二极管和快恢复二极管区别

　　肖特基二极管(Schottky Diode)和快恢复二极管(Fast Recovery Diode)是电子元件中常见的二极管类型，它们在性能特点和应用上有着明显差异。　　1.肖特基二极管　　特点　　正向压降低：肖特基二极管的正向压降较低，通常为0.3V至0.5V，远低于普通二极管。　　快速开关特性：具有快速导通、截止的特点，响应速度快，适用于高频电路。　　热稳定性差：在高温环境下，肖特基二极管的性能可能会受到影响，容易发生热漂移。　　应用　　功率转换器：用于开关电源、DC-DC变换器等领域。　　射频检波：在射频电路中作为检波器使用。　　低电压整流：适用于要求低正向压降的场合。　　2.快恢复二极管　　特点　　反向恢复时间长：快恢复二极管在正向导通后，在反向击穿时需要较长时间才能恢复至截止状态。　　高反向击穿电压：具有较高的反向击穿电压，能够承受较大的反向电压。　　热稳定性好：对高温环境具有较好的抗性能变化能力。　　应用　　整流电路：用于AC/DC整流电路中。　　逆变器：在逆变器中充当整流二极管，转换直流电为交流电。　　电源供应：作为电源模块中的整流器。　　3.区别对比　　1. 正向压降　　肖特基二极管：0.3V至0.5V　　快恢复二极管：约0.7V至1.5V　　2. 反向恢复时间　　肖特基二极管：快速恢复　　快恢复二极管：反向恢复时间长　　3. 热稳定性　　肖特基二极管：热稳定性差　　快恢复二极管：热稳定性好　　4. 适用范围　　肖特基二极管：适用于高频电路和要求低正向压降的场合。　　快恢复二极管：适用于高反向击穿电压和高稳定性要求的场合。　　肖特基二极管和快恢复二极管在正向压降、反向恢复时间、热稳定性等方面存在明显区别，各自适用于不同的电路设计和应用场景。了解并合理选择二极管类型，可以优化电路性能，提高系统效率，同时确保电子设备的稳定运行。
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发布时间：2024-09-13 16:17 阅读量：317 继续阅读>>
佑风微电子：碳化硅<span style='color:red'>肖特基二极管</span>应用及产品选型
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佑风微电子：碳化硅肖特基二极管应用及产品选型

       广东佑风微电子有限公司推出多款650V 1200V 1700V SiC Schottky Diode碳化硅肖特基二极管。产品广泛应用于光伏逆变器，开关模式电源，电池充电器，电动驱动，不间断电源等产品上。　　       广东佑风微电子有限公司是一家专注于半导体芯片研发设计、封装测试、销售服务于一体的高新科技企业。公司成立于2013年，工厂设立于江苏常州。公司深耕半导体领域多年，始终坚持以产品品质，技术创新为核心，为客户提供高可靠性、高稳定性的二极管、MOSFET、整流桥、三极管、可控硅、碳化硅管、光电器件、模拟IC等系列产品及技术解决方案，以满足客户产品设计选型、产品特殊定制服务需求。公司产品广泛应用于消费类电子、通讯、照明、电源、安防、工控、汽车电子、医疗设备、新能源等诸多领域。　　佑风微以客户为中心 以诚信为准则 以效益为导向，致力于成为全球半导体器件研发制造商和一体化综合方案提供商。公司将不断创新，发挥自身优势，向产业链上下游延伸发展，努力实现跨越式发展，以“佑风微”品牌助力中国半导体产业升级，为铸就民族品牌不懈奋斗!
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发布时间：2024-07-18 14:39 阅读量：361 继续阅读>>
<span style='color:red'>肖特基二极管</span>和整流二极管的区别
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肖特基二极管和整流二极管的区别

　　二极管是一种最简单的半导体器件，用于控制电流的流动方向。肖特基二极管和整流二极管是两种常见的二极管类型，它们在结构、工作原理和应用方面有着明显的区别。　　1. 肖特基二极管　　1.1 结构：金属-半导体结构：肖特基二极管由金属和半导体材料组成，其中金属为阴极部分，半导体为阳极部分。　　1.2 工作原理：低势垒：肖特基二极管具有较低的势垒高度，因此在导通时会产生较少的热量。　　1.3 特点　　快速开关速度：响应时间短，适合高频应用。　　低电压降：较低的正向电压降使其功耗更低。　　1.4 应用　　频率调制器：通信设备中用于频率调制。　　功率电子器件：高效能源转换器中常用。　　2. 整流二极管(Rectifier Diode)　　2.1 结构：P-N结构：整流二极管由P型半导体和N型半导体组成。　　2.2 工作原理：正向/反向特性：整流二极管在正向偏置时导通，反向偏置时截止。　　2.3 特点　　较大的耐压能力：相比肖特基二极管，整流二极管通常具有更高的反向击穿电压。　　较慢的反应速度：与肖特基二极管相比，整流二极管的开关速度较慢。　　2.4 应用　　整流器：在电路中用于将交流信号转换为直流信号。　　电源供应：电源转换器中广泛应用。　　3. 区别对比　　3.1 功能差异　　肖特基二极管适用于高频应用，具有快速开关速度和低电压降的特点。　　整流二极管主要用于电路整流，具有较慢的反应速度但较大的耐压能力。　　3.2 结构差异　　肖特基二极管采用金属-半导体结构，势垒低。　　整流二极管采用P-N结构，用于整流和电源转换。　　3.3 应用范围　　肖特基二极管常用于频率调制器和功率电子器件中。　　整流二极管广泛应用于整流电路和电源供应中。
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发布时间：2024-05-22 10:24 阅读量：594 继续阅读>>
<span style='color:red'>肖特基二极管</span>和普通二极管的区别
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肖特基二极管和普通二极管的区别

　　肖特基二极管和普通二极管是电子元件中常见的两种二极管，具有各自独特的特性和应用场景。本文将对肖特基二极管和普通二极管进行详细比较，从结构、工作原理、特性以及应用等方面来探讨它们之间的差异。　　1. 结构与材料　　普通二极管：　　普通二极管是由P型半导体和N型半导体组成的二极管结构。　　最常见的普通二极管使用硅(Si)或锗(Ge)这样的半导体材料制造。　　普通二极管的PN结构使得当施加正向偏置时，载流子得以注入并导通;反向偏置时，形成耗尽层而截止导通。　　肖特基二极管：　　肖特基二极管由金属与半导体接触而成，没有PN结构。　　金属与半导体之间的界面形成了肖特基势垒，具有更快的开关速度和低的前向电压降。　　典型的肖特基二极管使用金属如铝或钛与半导体材料如硅或碳化硅接触制造。　　2. 工作原理与特性　　普通二极管：　　普通二极管在正向偏置下，电子从N区域进入P区域，空穴从P区域进入N区域，导致电流流动。　　反向偏置时，普通二极管会出现倒向击穿现象，电流流过但会受到限制。　　普通二极管的导通特性取决于PN结的电压降和导电能力。　　肖特基二极管：　　肖特基二极管采用金属-半导体接触，其势垒高，具有更低的正向压降和更快的开关速度。　　正向电压下，肖特基二极管具有较低的开启电压(约0.15V至0.45V)，适用于高频应用和低功耗设计。　　肖特基二极管的迁移时间短，响应速度快，适合作为高速开关和整流器使用。　　3. 应用领域　　普通二极管的应用领域：　　整流和保护：普通二极管在整流电路中常用于将交流信号转换为直流信号，同时在电路中承担过载和反向电压保护的任务。　　信号检测：普通二极管可用于检测信号强度、变化或幅度，常见于无线通信、音频设备和传感器电路中。　　电源管理：在各种电源管理电路中，普通二极管被广泛应用于稳压器、开关电源等部分，以确保电源输出的稳定性和可靠性。　　逻辑门电路：普通二极管在数字电路中作为逻辑门元件的构建模块，用于实现逻辑运算和信号处理。　　肖特基二极管的应用领域：　　高频电路：由于肖特基二极管具有快速开关特性和低正向压降，适用于高频电路中，如射频调谐器、混频器等。　　开关电源：肖特基二极管能够迅速响应并有效控制开关信号，常用于开关电源的整流和控制环节，提高效率和减小功耗。　　RFID标签：肖特基二极管在射频识别(RFID)标签中扮演重要角色，用于数据存储和调制解调过程。　　太阳能电池：肖特基二极管可以减小光伏系统中的功率损失，提高太阳能电池组件的效率和性能。　　功率因素校正器：在电力系统中，肖特基二极管可用于调整负载的功率因数，改善电网稳定性和效率。　　4. 优缺点比较　　普通二极管：　　优点：　　成本低，制造工艺成熟。　　在一般的整流和保护电路中表现稳定可靠。　　缺点：　　正向压降比较高，功耗较大。　　开关速度较慢，适用于低频应用。　　肖特基二极管：　　优点：　　低正向压降，功耗小。　　高速开关，响应迅速。　　适合高频、高速应用。　　缺点：　　成本相对较高。　　肖特基二极管的反向漏电流较大，不适合在高温环境下长时间使用。　　普通二极管具有成本低、制造工艺成熟等优势，在一般的整流和保护电路中被广泛应用;而肖特基二极管则以低正向压降、高速开关等特点而在高频、高速电路中大显身手。在选择二极管时，需根据具体应用需求来决定选用普通二极管还是肖特基二极管，以实现最佳性能和效果。
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发布时间：2024-05-22 10:22 阅读量：567 继续阅读>>
<span style='color:red'>肖特基二极管</span>和普通二极管区别
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肖特基二极管和普通二极管区别

　　两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。肖特基二极管是一种具有金属-半导体结的电子器件，而普通二极管主要由半导体材料制成。本文AMEYA360将详细介绍肖特基二极管和普通二极管的区别。　　工作原理　　肖特基二极管：肖特基二极管是基于金属-半导体结的原理制成的。其核心结构是在半导体材料上覆盖一层金属薄膜，形成金属-半导体结。当正向电压施加时，电子从金属流向半导体，形成正向电流。当反向电压施加时，电子难以从半导体流向金属，因此几乎没有反向电流。　　普通二极管：普通二极管通常由半导体材料(如硅或锗)制成，并具有一个PN结。当正向电压施加时，电流可以通过PN结流动。当反向电压施加时，PN结阻挡电流流动。普通二极管的反向电流远小于肖特基二极管，但其正向压降通常较大。　　特性参数　　肖特基二极管：肖特基二极管具有较低的正向压降和较高的反向耐压能力。由于其金属-半导体结的特性，肖特基二极管的正向压降通常较小，使得其在低电压、大电流的应用场景中具有优势。此外，肖特基二极管的反向恢复时间较短，适用于高频电路。　　普通二极管：普通二极管的正向压降较大，但其反向漏电流较小。普通二极管的反向漏电流较小，使得其在高电压、小电流的应用场景中较为适用。此外，普通二极管的温度稳定性较好，适用于需要较宽工作温度范围的应用。　　应用场景　　肖特基二极管：由于肖特基二极管具有较低的正向压降和较高的反向耐压能力，因此适用于低电压、大电流的应用场景，如开关电源、太阳能逆变器、高频信号处理等。此外，肖特基二极管还广泛应用于高频电路和数字逻辑电路中。　　普通二极管：普通二极管适用于高电压、小电流的应用场景，如整流器、稳压器、信号放大器等。此外，普通二极管也常用于温度传感器和光电传感器中。　　肖特基二极管和普通二极管在特性参数上存在一些显著差异。以下是一些可能的特性参数比较：　　正向压降：肖特基二极管的正向压降通常较低，而普通二极管的正向压降较高。这是由于肖特基二极管的金属-半导体结结构使得其正向导通时的电压降较小。　　反向耐压：肖特基二极管的反向耐压通常较低，而普通二极管的反向耐压较高。这是由于肖特基二极管的金属-半导体结结构在反向偏置时更容易发生击穿。　　反向恢复时间：肖特基二极管的反向恢复时间通常较短，而普通二极管的反向恢复时间较长。这是由于肖特基二极管的金属-半导体结具有较快的电荷存储效应，使得其反向恢复时间较短。　　正向电流容量：肖特基二极管的正向电流容量通常较大，而普通二极管的正向电流容量较小。这是由于肖特基二极管的金属-半导体结结构使得其具有较高的电流密度。　　温度稳定性：普通二极管通常具有较好的温度稳定性，而肖特基二极管的温度稳定性较差。这是由于肖特基二极管的金属-半导体结结构的温度系数较大。　　总结，肖特基二极管和普通二极管在工作原理、特性参数和应用场景方面存在显著差异。肖特基二极管适用于低电压、大电流的应用场景，而普通二极管适用于高电压、小电流的应用场景。在选择使用肖特基二极管还是普通二极管时，需要根据具体的应用需求和电路要求进行评估。
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发布时间：2024-02-04 09:13 阅读量：1558 继续阅读>>
<span style='color:red'>肖特基二极管</span>和快恢复二极管的区别
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肖特基二极管和快恢复二极管的区别

　　肖特基二极管(Schottky Diode)和快恢复二极管(Fast Recovery Diode)是常见的半导体二极管，它们在电子领域有着广泛的应用。本文AMEYA360将介绍肖特基二极管和快恢复二极管的区别，包括工作原理、特性以及适用场景等方面。　　一、工作原理　　1、肖特基二极管　　肖特基二极管是一种金属与半导体接触的二极管。它由一个金属阴极和一个半导体阳极构成。当肖特基二极管正向偏置时，金属与半导体接触界面会形成肖特势垒，这个势垒较普通二极管的PN结势垒要低。因此，肖特基二极管具有较低的正向压降和快速的开关速度。　　2、快恢复二极管　　快恢复二极管是一种特殊设计的二极管，它通过控制内部电场和材料结构来实现快速恢复速度。当快恢复二极管正向偏置时，内部电场帮助电荷载流子更快地重新组合，从而缩短了开关过程中的恢复时间。快恢复二极管通常包含一个PN结和一个PPI(Passivated Planar Intersection)结构。　　二、特性对比　　1、正向压降　　肖特基二极管具有较低的正向压降。由于金属与半导体接触，肖特基二极管的正向压降约为0.3V左右，远低于普通二极管的0.5V或更高。这使得肖特基二极管在需要低电压损耗的应用中表现出色。　　快恢复二极管的正向压降略高于肖特基二极管，在0.6V到1V之间。虽然比肖特基二极管高一些，但仍然低于传统PN结二极管。　　2、反向恢复时间　　肖特基二极管具有非常短的反向恢复时间。由于无内部PN结，肖特基二极管不会出现迅速的反向恢复过程。因此，肖特基二极管适用于需要快速开关和低反向恢复时间的应用，如高频电路。　　快恢复二极管在反向恢复时间上相对较长。虽然它比传统PN结二极管具有更快的恢复速度，但仍不及肖特基二极管。因此，在一些需要更高速度的应用中，肖特基二极管是更好的选择。　　3、频率响应　　肖特基二极管具有较高的频率响应。由于其低正向压降和快速开关速度，肖特基二极管能够有效应对高频信号，适合高速开关应用，如功率放大器和射频调制解调器。　　快恢复二极管的频率响应相对较低。尽管它具有较快的恢复速度，但在高频应用中仍然受到其内部结构和电场控制的限制。因此，在高频电路中，肖特基二极管更常被使用。　　4、温度影响　　肖特基二极管对温度的变化比较敏感。随着温度的升高，肖特基二极管的正向压降会增加，导致性能下降。因此，在高温环境下，肖特基二极管可能需要进行更严格的热管理。　　快恢复二极管对温度的变化相对不敏感，其正向压降和恢复速度在一定范围内保持较稳定的性能。这使得快恢复二极管在高温环境下更为可靠，适合于高温或要求稳定性能的应用。　　三、适用场景　　1、肖特基二极管　　由于肖特基二极管具有低正向压降和快速开关速度，适用于以下场景：　　高频电路：肖特基二极管的快速开关速度使其成为射频调制解调器和功率放大器等高频电路的理想选择。　　低功耗应用：肖特基二极管的较低的正向压降可减少能量损耗，适合于需要低功耗的应用领域。　  2、快恢复二极管　　由于快恢复二极管具有较快的恢复速度和稳定性能，适用于以下场景：　　高温环境：快恢复二极管对温度变化相对不敏感，因此在高温环境下更为可靠。　　能量转换：快恢复二极管的快速恢复时间使其在能量转换电路中具有可靠的性能，如开关电源和逆变器。　　肖特基二极管和快恢复二极管在工作原理、特性和适用场景上存在明显的区别。肖特基二极管具有低正向压降和较快的开关速度，适用于高频电路和低功耗应用。而快恢复二极管具有较快的恢复速度和稳定性能，适合高温环境和能量转换电路。根据具体的需求和应用场景，选择适合的二极管类型可以提高系统的性能和效率。
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发布时间：2024-01-24 13:07 阅读量：1441 继续阅读>>
<span style='color:red'>肖特基二极管</span>的作用
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肖特基二极管的作用

　　肖特基二极管是一种重要的半导体器件，由金属-半导体接触形成。它具有许多独特的特性和应用。本文AMEYA360将详细介绍肖特基二极管的结构、工作原理以及它在电子领域中的重要作用。　　1.肖特基二极管的结构与原理　　结构：　　肖特基二极管由P型半导体和金属之间的异质接触组成。通常使用高功函数金属(如铝)和N型或P型半导体(如硅)之间的接触来构建肖特基二极管。这种接触使得形成的结构在一个方向上具有低阻抗，而在另一个方向上则存在高阻抗。　　工作原理：　　肖特基二极管的工作原理基于金属与半导体之间的巨大功函数差异。当肖特基二极管处于导通状态时，电子从P型半导体区域注入金属，同时空穴从金属注入P型半导体。这种注入现象导致形成了一个非平衡的空间电荷区，有利于电流的快速流动。　　阅读更多行业资讯，可移步与非原创，国产人形机器人产业发展现状、探寻北交所半导体行业的“隐形冠军”、本土电源管理芯片上市公司营收top10 等产业分析报告、原创文章可查阅。　　2.肖特基二极管的特性与应用　　低正向电压降：肖特基二极管的显著特点是在正向偏置时具有较低的电压降。这意味着相对于普通二极管，肖特基二极管可以在较低的电压条件下进行导通，从而减少能量损耗。这使得肖特基二极管特别适用于需要低功耗和高效率的电路设计。　　快速开关特性：由于肖特基二极管具有非常短的载流子寿命，它具有快速开关特性。肖特基二极管的快速开关速度使其在高频电路中发挥重要作用，例如射频收发器、调制解调器等。　　低反向漏电流：与普通二极管相比，肖特基二极管具有更低的反向漏电流。这是因为金属-半导体接触的障垒阻止了反向电流的流动。这种特性使得肖特基二极管在需要抑制反向漏电流的应用中非常有用，例如精密测量、传感器电路等。　　温度稳定性好：肖特基二极管的反向漏电流与温度变化关系较小。相对于普通二极管，肖特基二极管的温度稳定性更好，适用于需要在宽范围温度条件下工作的电路。　　高频调制器和检波器：由于肖特基二极管的快速开关特性和低正向电压降，它们广泛应用于高频调制器和检波器中。肖特基二极管能够以高效率进行信号调制和检测，使其成为无线通信系统中的重要组成部分。　　肖特基二极管是一种具有独特特性的半导体器件，由金属-半导体接触构成。它具有低正向电压降、快速开关特性、低反向漏电流和温度稳定性好等优点。这些特性使得肖特基二极管在电子领域中发挥重要作用。
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发布时间：2024-01-05 11:04 阅读量：1556 继续阅读>>
什么是<span style='color:red'>肖特基二极管</span> <span style='color:red'>肖特基二极管</span>优缺点分析
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什么是肖特基二极管 肖特基二极管优缺点分析

　　一提到低功耗、大电流、超高速的半导体器件，很多电子爱好者和电子工程师首先想到的是肖特基二极管。但你真的知道怎么使用肖特基二极管吗?与其他二极管相比，肖特基二极管有什么特别的地方?这篇文章我将会为大家解决这些问题，并且详细介绍肖特基二极管。　　一、什么是肖特基二极管?　　肖特基二极管，也被称为热载流子二极管，是一种具有低正向压降和非常快速的开关动作的半导体二极管。当电流流过肖特基二极管时，肖特基二级管端子上有一个小的电压降。普通二极管的电压压降在0.6V-1.7V之间，而肖特基二极管的电压降通常在0.15V-0.45V之间。　　这种较低的电压降提供了更好的系统效率和更高的开关速度。在肖特基二极管中，半导体和金属之间形成了一个半导体-金属结，从而形成了肖特基势垒。N型半导体作为阴极，金属侧作为二极管的阳极。这种肖特基势垒导致低正向电压降和非常快速的开关。　　二、肖特基二极管的优缺点　　1、优点　　低正向导通压降　　肖特基二极管的导通电压在硅二极管的0.2V-0.3V之间，而而标准硅二极管的导通电压在 0.6 到 0.7 伏之间。这使得它具有与锗二极管非常相同的开启电压。　　快速恢复时间　　由于存储电荷量少，恢复时间快，这意味着它可以用于高速开关应用。　　低结电容　　鉴于非常小的有源区域，通常由于在硅上使用线点接触，电容水平非常小。　　高电流密度　　肖特基二极管的耗尽区可以忽略不计。所以施加很小的电压就足以产生大电流。　　噪音更小　　与典型的PN结二极管相比，肖特基二极管产生的不需要的噪声更少。　　性能更好　　肖特基二极管将消耗更少的功率，可以轻松满足低压应用的要求。　 2、缺点　　较高反向电流　　由于肖特基二极管是金属半导体结构，反接电压时更容易漏电流。　　较低最大反向电压　　反向电压是当电压反向连接(从阴极到阳极)时二极管将击穿并开始传导大量电流的电压。这意味着肖特基二极管在不击穿和传导大量电流的情况下无法承受很大的反向电压。甚至在达到这个最大反向值之前，它仍然会泄漏少量电流。　　肖特基二极管作用与应用　　肖特基二极管具多有用的应用，从整流、信号调节、开关、电压钳位、太阳能电池到 TTL 和 CMOS 逻辑门，主要是因为它们的低功耗和快速开关速度。TTL 肖特基逻辑门由出现在其逻辑门电路代码中某处的字母 LS 标识。　　1、射频混频器和检波二极管　　肖特基二极管因其高开关速度和高频率能力而在射频应用中独树一帜。鉴于此，肖特基势垒二极管用于许多高性能二极管环形混频器。除此之外，它们的低开启电压和高频能力以及低电容使它们成为射频检测器的理想选择。　  2、功率整流器　　肖特基势垒二极管也用于大功率应用中，作为整流器。它们的高电流密度和低正向压降意味着与使用普通 PN 结二极管相比，浪费的功率更少。这种效率的提高意味着需要消散的热量更少，并且可以在设计中加入更小的散热器。　　3、电源或电路　　肖特基二极管可用于负载由两个独立电源驱动的应用。一个示例可以是主电源和电池电源。在这些情况下，一个电源的电源不能进入另一个电源是必要的。这可以使用二极管来实现。然而，重要的是要最小化二极管上的任何电压降以确保最大效率。　　与许多其他应用一样，鉴于其低正向压降，该二极管非常适合此应用。肖特基二极管往往具有较高的反向漏电流。这可能导致任何可能正在使用的传感电路出现问题。进入高阻抗电路的泄漏路径会导致错误读数。因此，这必须在电路设计中加以考虑。　　4、电压钳位/削波电路　　限幅器电路和钳位器电路通常用于波形整形应用。具有低压降特性的肖特基二极管可用作钳位二极管。　　5、反向电流和放电保护　　众所周知，肖特基二极管也被称为阻塞二极管，因为它阻止电流反向流动;可用作放电保护。例如，在应急闪光灯中，在超级电容器和直流电机之间使用了一个肖特基二极管，以防止超级电容器通过直流电机放电。　　6、采样保持电路　　正向偏置肖特基二极管没有任何少数电荷载流子，因此，它们可以比典型的 PN 结二极管更快地切换。因此使用肖特基二极管是因为它们从采样到保持步骤的转换时间较短，这会在输出端产生更准确的采样。　　7、太阳能电池　　肖特基二极管可以帮助最大限度地提高太阳能电池的效率，因为它们具有低正向电压降。它们还有助于保护电池免受反向充电。
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发布时间：2023-09-05 09:34 阅读量：2489 继续阅读>>
整流二极管和<span style='color:red'>肖特基二极管</span>的区别与联系
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整流二极管和肖特基二极管的区别与联系

　　整流二极管和肖特基二极管都是常见的电子元件，它们在电路中发挥着重要的作用。虽然它们都是二极管，但它们之间有很多区别。在本文中，AMEYA360电子元器件采购网将会详细介绍这两种二极管的区别。　　　　1. 结构　　整流二极管是由P型半导体和N型半导体组成的PN结构。PN结的正极连接P型半导体，负极连接N型半导体。　　肖特基二极管是由P型半导体和金属组成的结构。P型半导体和金属之间形成肖特基势垒，肖特基势垒的高度决定了二极管的特性。　　2. 正向电压下的导通特性　　整流二极管在正向电压下导通，其导通电压一般在0.6V左右。　　肖特基二极管在正向电压下导通，其导通电压一般比整流二极管低，一般在0.2V左右。　　3. 反向电压下的特性　　整流二极管在反向电压下，会产生反向漏电流，其大小与反向电压呈指数关系。　　肖特基二极管在反向电压下，也会产生反向漏电流，但其大小与反向电压呈指数关系的同时，还与肖特基势垒的高度有关。　　4. 可承受的反向电压大小　　整流二极管可承受的反向电压一般在几百伏左右。　　肖特基二极管可承受的反向电压一般比整流二极管低，一般在几十伏左右。　　5. 开关速度　　由于肖特基二极管的结构比整流二极管简单，因此其开关速度更快，适合用于高频电路中。　　6. 应用领域　　整流二极管主要用于电源电路中的整流和滤波。　　肖特基二极管主要用于高频电路中的检波、混频、调制等。　　本文旨在为读者提供对整流二极管和肖特基二极管的初步了解，并希望对读者有所帮助。
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发布时间：2023-08-30 09:20 阅读量：1818 继续阅读>>
罗姆发布<span style='color:red'>肖特基二极管</span>白皮书，助力汽车、工业和消费电子设备实现小型化和更低损耗！
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罗姆发布肖特基二极管白皮书，助力汽车、工业和消费电子设备实现小型化和更低损耗！

    近年来，随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及，应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。其中，中等耐压的二极管因其能有效整流和保护电路，而被广泛应用在从手机到电动汽车动力总成系统等各种电路和领域中，半导体厂商罗姆在这些领域中已经拥有骄人业绩（图1）。    VF（正向电压）和IR（反向电流）是二极管的重要性能指标，它们分别会影响到正向施加时的功率损耗和反向施加时的功率损耗。“理想的二极管”是VF和IR为0的二极管，也就是进行整流和开关工作时完全没有功率损耗的二极管。另外，VF和IR之间通常存在权衡关系，因此很难同时改善。而且，在实际的二极管中，当在开关工作期间关断二极管时，会产生一些功率损耗（因为电流在trr时段内会反向流动）。    肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的VF和trr低于其他类型的二极管，因此在整流电路和开关电路中使用这种二极管可以实现低损耗，然而由于其IR较大，存在发热量大于散热量，最终发生热失控而造成损坏的风险。    针对这种情况，罗姆开发出丰富的SBD系列产品群，客户可根据各种应用的需求（强调VF还是IR）选用产品。另外，还推出了更接近“理想二极管”的新系列产品，新产品不仅同时改善了本来存在权衡关系的VF和IR特性，还实现了SBD业内超高等级的trr特性。本文将概括介绍罗姆在SBD领域的行动以及罗姆各系列SBD产品的特点。    1. SBD需要具备的性能及其发展趋势    图3为SBD产品相关的市场情况示例，展示了一辆汽车中搭载的ECU数量。随着ADAS（高级驾驶辅助系统）和自动驾驶技术的发展，一辆汽车中所搭载的ECU数量与日俱增，其中所用的二极管数量也在持续增加，预计未来还会继续增加。由于汽车无法提供超出其电池和发电机能力的电力，因此制造商需要低损耗（低VF）的二极管，并且越来越多地采用VF和trr特性优异的SBD。而另一方面，燃油车的引擎外围电路、以及xEV的电池和电机外围电路是在高温环境中工作的，因此IR高的SBD的热失控风险成为直接关系到可靠性的重大课题。因此，在选择SBD时，关键在于如何在VF和IR之间取得平衡。    在消费电子设备中，随着应用产品的功能越来越多，电路板密度也变得越来越高，甚至密度超过车载设备，因此需要更小型和超低损耗（超低VF）的SBD。另外，在工业设备应用中，其对高可靠性的要求与车载应用相同，而且由于应用产品的机型寿命较长，因此长期稳定供应也很重要。综上所述，身为通用器件的SBD，在不同的领域和应用中，其发展趋势大不相同，制造商在其产品开发过程中，要求一些存在权衡关系（例如更低损耗和更高可靠性、更小型和更大电流）的特性同等出色。为了满足如此广泛的需求，罗姆不断推动相应产品的开发，并建立了以垂直统合型生产体系为中心的长期稳定供应体系。在下一节中，将具体介绍罗姆的SBD产品阵容。    2. 罗姆 SBD系列产品阵容    罗姆最新的SBD产品有5个系列，客户可以根据对VF和IR的不同重视程度，从丰富的产品阵容中选择合适的产品（图4）。另外，每个系列都有丰富的封装阵容，客户还可以根据应用产品的性能要求选择小型封装（图5）。下页将对每种产品的特点分别展开介绍。    3-1.RBS系列　超低VF（耐压：20V）    该系列的VF最低，在主要用于正向电路中的损耗可大幅降低，非常适用于智能手机等使用电池低电压驱动的移动设备中的整流应用。    目标应用：笔记本电脑、移动设备等    3-2.RBR系列　低VF（耐压：30V／40V／60V）    该系列为通用型产品，与相同尺寸的罗姆以往产品相比，VF特性降低约25%。在车载应用中，正向损耗非常少，因此作为要求更高效率的汽车信息娱乐系统和车载LED灯等的保护二极管，非常受欢迎。2021年8月，封装阵容中又新增了车载用超小型PMDE封装，可满足市场对更小封装的需求。    目标应用：车载信息娱乐系统、车载LED灯、车载ECU、笔记本电脑等    3-3.RBQ系列　低IR（耐压：45V／65V／100V）    该系列利用罗姆自有的势垒形成技术，在VF特性与IR特性之间取得了良好的平衡。与罗姆以往产品相比，其反向功率损耗降低了60%，因此可以降低热失控风险，非常适用于需要在高温环境下运行的引擎ECU整流应用、高输出功率LED前照灯的保护应用、以及大电流工业设备电源等应用。    目标应用：xEV、引擎ECU、高输出功率LED前照灯、工业设备电源等    3-4.RBxx8系列　超低IR（耐压：30V／40V／60V／100V／150V／200V）    该系列产品具有超低IR，可以降低热失控风险，非常适用于需要在高温环境下运行的xEV电池和电机相关ECU、以及燃油车引擎ECU和变速箱ECU等的整流应用。该系列支持耐压高达200V，可以替换通常在这个耐压范围使用的整流二极管和快速恢复二极管，并可以大幅降低VF（与FRD相比，降低约11%），还有助于降低上述车载应用中的功耗。    目标应用：xEV电池管理系统、引擎ECU、工业设备逆变器等    3. 新产品：RBLQ/RLQ系列    RBLQ系列和RLQ系列新产品通过采用新技术和罗姆自有的沟槽MOS结构，与以往的平面结构产品相比，实现了更低的VF和IR。在采用普通沟槽MOS结构的产品中，由于结构上的原因，trr表现容易变差，而新产品两个系列的trr特性都得到了提升，并达到了与以往的平面结构产品同等级别（业界超高等级）。由于不容易发生热失控，并且可以降低开关损耗，因此新产品非常适用于用容易发热的车载LED前照灯驱动电路，以及xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。    目标应用：车载LED前照灯、xEV DC-DC转换器、工业设备电源、照明等    4-1.与以往产品相比，VF和IR均得到改善    RBLQ系列和RLQ系列采用罗姆自有的沟槽MOS结构，与耐压和耐受电流同等的以往产品相比，VF降低了约15%，可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗。此外，与以往的平面结构产品相比，IR也降低了约60%，这可以大大降低SBD最让人担心的热失控风险，从而使产品也可以用在温度条件等非常严苛的车载应用中（图6)。    4-2.实现业内超短的trr    在普通沟槽MOS结构中，寄生电容（元器件中的电阻分量）较大，因此trr要比平面结构差。而RBLQ系列和RLQ系列新产品不仅降低了VF和IR，而且还利用自有技术，通过优化材料，实现了与平面结构同等的trr特性。例如，从图7中可以看到使用LED前照灯评估板进行装机评估时的开关损耗比较情况。在开关过程中，因VF和trr引起的损耗比例比较高，但RBLQ系列和RLQ系列的trr损耗降低了约37%，VF也同时降低，因此开关总损耗降低达26%，这将有助于降低车载LED前照灯驱动电路、以及xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用产品功耗。    4. 未来计划    随着消费电子领域家电的多功能化，以及在车载设备中用来实现自动驾驶的各种传感器模块等各领域应用的发展，预计未来应用产品中搭载的二极管数量将会继续增加。另外，在工业设备和xEV等车载设备领域，由于电机性能日益提高，预计电路中的电流也会越来越大，因此需要继续增强大电流产品阵容。罗姆为了满足更小型、更大电流、更低损耗、更高性能等诸多难以同时实现的需求，一直在推进超越需求的开发。例如，作为小型且支持大电流的封装，罗姆计划增强TO-277封装（6.5mm×4.6mm尺寸）的产品阵容，并且已经开始了部分产品的量产。还有，预计200V耐压产品在xEV车载逆变器和车载充电器等应用中的需求将会迅速增加，因此罗姆已经在开发200V耐压的新产品，并计划在2022年内投入市场。未来，罗姆将继续扩充产品阵容，满足市场多样化的需求，并为日新月异的下一代车载应用实现更高性能、更多功能和更低功耗贡献力量。
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发布时间：2022-11-07 11:50 阅读量：2956 继续阅读>>

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