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君正丨络明芯推出UART接口矩阵LED驱动 IS32FL3776，简化 ISD <span style='color:red'>设计</span>架构

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君正丨络明芯推出UART接口矩阵LED驱动 IS32FL3776，简化 ISD 设计架构

　　光影为媒，音律为伴　　——车外灯光也能玩出新花样!　　让车灯听懂音乐的情绪，跟随旋律起伏呼吸;以节奏为序，将无形声波转化为多彩视觉盛宴。无论是露营欢聚时的氛围烘托，还是街头停留时的个性展示，光影与音律同频律动，让座驾瞬间成为全场焦点，用科技重新定义出行仪式感。　　酷炫音乐律动是如何实现的呢?　　RGB ISD方案：由6片IS32FL3776(36x6 UART接口矩阵LED驱动芯片)+ 2片IS32PM3430(6A降压恒压芯片)组成，可独立控制323pcs RGB LEDs。　　102像素ADB大灯方案：由1片IS32LT3960(双路带SPI升降压CV/CC芯片)+ 2片IS32LT3964(双路带SPI同步降压恒流驱动)+9片IS32LT3365A(12路矩阵管理器)组成，可实现对102个像素点独立控制。　　音乐律动工作原理：蓝牙模块接受外部音频信号，输出左、右声道音频，经2片IS32AP2123A单声道 D 类音频功放芯片驱动扬声器完成音乐外放;主控MCU 通过 ADC 采集音频信号，经 FFT 运算、加权归一化处理，将模拟音频波形转化为标准化灯光控制数字信号;MCU通过三组CAN 总线同步分发数据至左、右RGB ISD灯与 ADB 大灯，实现车灯跟随音乐节奏律动和各种交互显示。图1、音乐律动RGB ISD+ADB系统框图。　　图1、RGB ISD+ADB系统框图　　要实现动画流畅、音乐同步、动态交互的酷炫效果，同时还要控制系统成本，LED驱动芯片需要攻克哪些难题呢?　　细腻调光，无频闪、低噪声、拍照无摩尔纹干扰。　　高效的热管理，有效抑制芯片温升，避免高温度影响寿命和可靠性。　　适配跨车身远距离布线通信，无惧整车复杂电磁环境与强干扰工况，满足车载严苛 EMC 电磁兼容规范。　　简化系统整体架构设计，有效降低成本与开发难度。　　通信稳定可靠，动画不卡顿、音乐律动精准同步。　　精准状态监控，完善的故障保护，保证系统安全可靠。　　别慌!络明芯重磅推出全新车规级UART接口矩阵LED驱动芯片——IS32FL3776 ，一款芯片解决所有痛点，直接把复杂设计变简单!　　IS32FL3776 是一款UART接口矩阵LED驱动芯片，单颗芯片支持36x6(216) LED矩阵独立控制，芯片采用全集成设计，内置36路恒流源和6路扫描开关管，集成动态电压反馈 (DCFB)、10bit ADC、去鬼影，以及完善故障保护功能。专为汽车ISD 尾灯、ISD日行灯、贯穿式交互氛围灯等应用场景量身打造。图2、典型应用图。　　图2、IS32FL3776典型应用图　　1.细腻调光、无频闪、无摩尔纹、低噪声　　IS32FL3776 内置36路恒流源，最大电流为60mA/CH;6bit GCC寄存器可分别调节R、G、B三组的亮度级别，搭配8bit SL寄存器进一步微调每个通道之间的亮度偏差，确保LED 色彩均匀性与亮度的一致性。芯片提供 16-bit/15-bit/14-bit/12-bit/8-bit 多种 PWM 精度，最高支持 65536 级细腻调光，完美还原细微亮度和颜色变化;此外芯片还支持12+4bit/7+7bit/6+2bit多种 PWM dithering 模式，不仅实现平滑无频闪的亮度控制，还能避免手机拍摄时摩尔纹问题;支持大于20KHz扫描频率，有效降低人耳可听到电容啸叫声，满足高端ISD对灯光严苛标准。　　2.高效热管理提升系统效率　　在 ISD 智能车灯与高像素 LED 矩阵应用中，芯片自身热功耗直接影响产品稳定性与长期可靠性，过高的发热不仅会降低系统效率，还会加剧器件老化、触发过热保护，甚至影响车灯功能安全。 IS32FL3776动态电压反馈功能，通过内部 10 bit ADC 测量 VCS电压，然后比较出所有通道的最小值存储在 VOUT_MIN 寄存器中。MCU可以通过UART/SPI接口读取最小VCS电压，然后通过软件算法控制FBO引脚的电流(灌电流或抽电流)，动态改变FB反馈网络的电压，精准控制前级 DC-DC 的输出电压，使芯片处在最优的工作点，减少芯片的热功耗，优化系统效率。图3、动态电压反馈DCFB。　　图3、动态电压反馈(DCFB)　　为了能够进一步降低芯片的热应力，芯片SW可配置为外部扫描PMOS的控制时序，将高侧扫描管的导通损耗转移至外部 PMOS管，大大降低芯片自身的温升。采用外部扫描PMOS 与动态电压反馈(DCFB) 相结合，可保持芯片温升裕量，提高整个系统的的可靠性，这对于高亮度、高像素的ISD车灯应用尤为为重要。图4、内置/外置扫描管温度对比。测试条件:VCS=0.7V, I=1.5A　　图4、内置/外置扫描管温度对比　　3.UART/SPI双通信口，灵活切换　　在ISD 智能车灯系统中，通信的可靠性直接决定灯效流畅度与行车安全，是实现大规模像素点独立控制与稳定交互显示的关键。IS32FL3776支持2MHz UART或33MHz SPI两种通信接口，方便用户根据不同的应用场景和硬件设计需求进行选择。　　UART接口：　　支持25个芯片地址，单总线支持5400个像素点独立控制(2MHz Lumibus 总线速率下，5400像素点最高帧率可达 22Hz)。搭配通用的CAN-PHY可以实现远距离、抗干扰的跨板通信，无需额外本地MCU，大幅度简化系统架构并降低硬件成本，非常适合分布式车载应用场合。图5、分布式ISD系统架构图。　　图5、分布式ISD系统架构图(UART)　　SPI 接口:　　支持菊花链级联，具备更高传输速率，支持更大数据量传输，能够轻松实现各种炫酷动态灯效，适合对数据更新速度要求较高的应用场景。　　通讯CRC校验：　　IS32FL3776的UART/SPI 接口均支持通信CRC 校验，能检测出单比特错误，多比特错误，突发数据错误等，是面向车载智能交互灯的关键通信安全机制，核心作用是实时校验指令与数据完整性。芯片具备优异车规级 EMI/EMS 抗干扰能力，能够有效应对线束干扰、电源纹波、瞬态脉冲，过滤异常错误指令，避免灯光误动作，保障灯光系统稳定可靠。　　4.优秀EMI+鬼影消除　　内置可编程扩频技术，优化EMI性能。可配置输出通道180°相位延迟功能大大减小电源的浪涌电流，有助于进一步降低EMI，轻松满足 CISPR-25 标准。此外IS32FL3776集成可编程去鬼影电路，芯片内部为每个SWx和CSy引脚提供了独立的可编程下拉/上拉电压源。用户可根据实际的LED正向电压与PCB布局，灵活设置最佳的下拉与上拉电压，从根本上抵消寄生电容的电荷积累，消除鬼影。通过精准控制下拉 / 上拉电压差，减少LED 的反向负压，提升可靠性，保证车载高温环境下的 LED 寿命。　　5.全面保护与监控，安全可靠　　IS32FL3776 集成10-bit高精度ADC，支持对芯片 PVCC 电源电压、CS 引脚电压、LED 正向压降 VF、芯片结温 PTAT 电压以及 DCFB 反馈电压等关键信号进行实时采集，为车载 LED 驱动系统提供全面的状态监测与故障诊断能力。针对RGB LED随温度亮度衰减不一致导致色偏问题，芯片通过内部ADC实时采集芯片结温和LED VF电压，通过软件算法对R、G、B灯实施不同温度补偿曲线，保证不同温度条件下颜色的一致和亮度恒定，避免因为温漂导致色偏影响RGB ISD显示效果。　　IS32FL3776内置了多种保护功能，确保了芯片在各种工作条件下的稳定性和可靠性。支持逐周期 LED 开路 / 短路检测，并可配置开路、短路阈值，实现对 LED 负载状态的精准监控。同时具备热关断保护、过流保护以及欠压检测功能，可在异常工况下快速响应，保障系统安全稳定运行。此外，检测到的故障信息存储在寄存器中，方便用户进行故障排查和维修。芯片符合AEC-Q100 Grade 1 车规标准，工作温度覆盖 - 40℃~+125℃，采用 QFN-60 紧凑封装，完美适配车载严苛环境，是智能交互灯、氛围灯、尾灯、日行灯等高端车载照明的理想选择。　　6.方案2 DEMO展示　　IS32FL3776 ISD智能交互灯方案　　贯穿式ISD智能交互灯由LUMISSIL 20片IS32FL3776 (36*6 矩阵LED驱动芯片)+ 5片IS32PM3427(4A降压恒压芯片)组成，整个demo由一块主控制板+五块灯板拼接而成，控制多达4275颗白光LED，实现各种动画效果。图6、具体方案框图。　　图6、 ISD智能交灯框图　　IS32FL3776主要特性　　工作电压：3.0V ~ 5.5V　　36 路恒流通道，最大 60mA / 路，集成 6 路分时扫描管，SW 输出还可以配置为外部扫描管的时序控制　　电流精度： ±3.5%(通道间, ±5%(芯片间)　　通信接口：UART (2MHz)/SPI (33MHz),通信CRC　　内置 10 位 ADC 用于引脚电压测量(LED VF, PVCC, VCS)及芯片结温　　3 组6-bit全局电流调节(GCC)+ 每点8-bit DC电流调节　　PWM 调光模式:16-bit/12+4-bit/15-bit/12-bit/14-bit/7+7-bit/8-bit/6+2-bit　　CS 引脚与 SW 引脚(内置 PMOS)集成去鬼影电路　　DCFB功能：动态调节 DC-DC 输出电压，优化系统效率　　内置相位延迟，以减少电源噪声　　内置扩频功能，优化 EMI 性能　　LED 开路 / 短路检测(可配置阈值)　　TSD/OCP/UV　　AEC-Q100 车规认证：Grade 1 等级　　封装：QFN-60　　工作温度范围: - 40℃ ~ +125℃。

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君正

发布时间：2026-04-30 11:06 阅读量：363 继续阅读>>

MathWorks携手瑞萨：通过基于模型的<span style='color:red'>设计</span>与硬件支持包（HSP）加速瑞萨MCU的开发与部署

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MathWorks携手瑞萨：通过基于模型的设计与硬件支持包（HSP）加速瑞萨MCU的开发与部署

　　嵌入式控制系统的设计与验证正变得日益复杂。工程师在使用仿真工具与实体硬件协同工作的同时，必须在实时性能、系统安全性和开发速度之间取得平衡。基于模型的设计(MBD)通过支持工程师在早期阶段对算法进行仿真、测试和迭代，有效应对了这些挑战。在设计初期对算法进行建模，基于合成数据进行仿真和结果可视化，有助于提升对系统设计的信心，并与传统以大量原型为主的工作流程相比，大幅降低了后期出现复杂问题的风险。　　在瑞萨，我们很高兴地宣布：我们与MathWorks®合作，由MathWorks开发的作为Simulink®全新插件的瑞萨RA微控制器(MCU)嵌入式编码器支持包和RH850 MCU嵌入式编码器支持包，现已随MATLAB® R2026a版本正式发布。这些支持包通常被称为硬件支持包(HSP)，使工程师能够将Simulink模型直接部署到受支持的瑞萨RA和RH850微控制器上，大幅简化了从算法开发到嵌入式实现的过渡过程。　　什么是基于模型的设计(MBD)　　以及为什么要使用它?　　基于模型的设计(Model-Based Design，MBD)是一种基于数学和可视化的方法，用于在Simulink中设计复杂系统，并在构建物理原型之前对系统进行仿真和测试。MBD已被广泛应用于工业自动化、机器人技术和汽车工程等多个行业。　　例如，工程师在开发一款新型集成式洗烘一体机系统时，需要考虑在不同洗涤和烘干程序中应启用哪些电机、系统在不同衣物负载下(如厚重的床上用品与较轻的夏季衣物)如何运行，从而确保主滚筒电机能够高效驱动等多个因素。在电动自行车(e-bike)系统的开发过程中，工程师必须综合考虑电机驱动、制动接口、照明控制，以及在不同路面条件和天气环境下的牵引性能。　　如果不采用基于模型的设计方法，上述许多测试就必须依赖实体硬件和原型来完成。每一次设计变更都需要重建和重新测试硬件，这不仅增加了成本，也延长了开发周期。　　相比之下，通过在Simulink中对系统进行建模和仿真，工程师可以在设计早期阶段评估系统在不同负载和使用场景下的性能。这能够减少设计迭代次数、降低成本，并加快产品上市时间。　　Simulink的基于模型的设计环境　　从基于模型的设计到真实硬件落地　　对于嵌入式系统而言，MBD的真正价值体现在：经过验证的模型能够顺利部署到具备量产能力的硬件上。在这一过程中，建模工具与微控制器之间的深度集成显得尤为关键。　　许多开发工作通常始于以下应用领域：　　● 电机控制(工业系统、HVAC、机器人)　　● 汽车系统(xEV、电机运动控制、动力总成、区域控制器和域控制器)　　● 实时控制应用　　这些应用需要对实时行为有深入了解，有效利用MCU资源，并确保在仿真中验证过的算法在部署到实际硬件后能够按预期方式运行。　　MathWorks为瑞萨MCU提供的硬件支持包　　为弥合仿真与嵌入式部署之间的差距，MathWorks为瑞萨RA和RH850微控制器提供了两款专用的硬件支持包——瑞萨RA微控制器嵌入式编码器支持包和RH850微控制器嵌入式编码器支持包。这些HSP使工程师能够将Simulink模型直接在受支持的瑞萨器件上执行、测试并完成部署。　　从支持RA6T2电机控制MCU和RH850/U2A汽车级MCU开始，这些HSP为算法驱动开发提供了理想的切入点，适用于对实时和性能要求极高的应用场景。　　MathWorks的硬件支持包包括：　　● 片上外设模块，利用瑞萨RA智能配置器(用于RA控制器)和第三方MCAL工具(用于RH850控制器)将Simulink模型与外设配置进行连接　　●自动化构建与部署，无需手动集成生成算法代码与驱动代码　　● 自动生成量产级ANSI/ISO C代码，帮您将精力更多聚焦于功能实现，而非编码　　● PIL(Processor-in-the-Loop)验证，确保模型与生成代码在数值上的一致性，便于查看和对比标准仿真与PIL仿真的结果。同时通过性能分析功能，深入了解代码在目标控制器上的执行时间和内存使用情况。　　通过这些能力，工程师可以始终保持在一个统一的、基于模型的工作流程中——从算法设计与仿真、到验证、再到最终的硬件部署。　　如何快速上手　　从系统级设计入手　　从系统层面开始，一旦确定了需求，例如需要驱动多少个电机、控制器需要与哪些组件和子系统进行接口等，大多数工程师都会着手参考并构建符合自身需求的系统架构。瑞萨的成功产品组合系统框图可以为工程师提供起点框架，帮助工程师专注于系统行为和控制策略的规划。通过这些系统框图，工程师可以轻松过渡到Simulink等基于模型的设计环境。　　以洗衣机或烘干机系统为例，电机控制器不仅需要驱动主滚筒电机，还必须与阀门、传感器以及各类安全组件进行交互。工程师可以以系统框图为指导，将这些子系统映射到Simulink中，并将其与相应的MCU外设资源关联起来——例如模数转换器(ADC)、脉宽调制器(PWM)、通用输入/输出接口(GPIO)以及中断等，这些外设在RA6T2等器件上均可用。　　采用PFC成功产品组合的瑞萨集成式　　洗烘一体系统系统框图　　硬件支持包中片上外设模块的信息示意图，　　用于为硬件目标定制Simulink模型　　评估与调优系统行为　　在完成系统和外设的建模之后，工程师可以使用Simulink对实时信号进行监控，并直接调整控制参数。通过以监控与调优模式(Monitor and Tune)运行模型，工程师能够观察系统在不同工况下的行为表现，同时修改控制器增益等参数，并且这些修改会即时反映到硬件上。这种方式避免了每次参数调整都需要重新生成和编译代码，从而加快了调优速度。　　以洗衣机或烘干机应用为例，滚筒电机在多种变化条件下都必须保持稳定且可预测的运行状态，例如不同负载重量(轻载、重载或负载不均)、加速进入高速脱水过程中的动态变化等。诸如控制增益等参数决定了控制器(如RA6T2)对系统变化的反应能力。通过在Simulink中对增益参数进行建模和调整，工程师可以直观地分析系统行为：例如，当增益设置过低时，重负载是否会导致电机响应滞后或转速下降，或者当增益设置过高时，系统是否对微小误差产生过度校正。　　在Simulink中进行增益参数调整及仿真演示　　使用PIL(Processor-in-the-Loop)验证设计　　在完成算法开发与仿真之后，可以通过PIL(Processor-in-the-Loop)验证来确认生成的代码能够在目标瑞萨处理器上正确运行。在这一阶段，编译后的代码会运行在实际的MCU上，并将其行为与仿真结果进行对比。PIL验证有助于验证执行时序、内存使用情况和数值行为，弥合软件模型与硬件测试之间的差距。　　PIL验证结果示例　　部署瑞萨硬件　　完成PIL验证之后，工程师即可将模型直接部署到瑞萨的开发板上。借助MathWorks硬件支持包，代码生成和部署可通过Simulink一键完成，从而在多种平台(例如RA6T2 MCU的灵活电机控制套件和RH850/U2A入门套件)实现高效的快速原型开发。　　利用Simulink在瑞萨硬件上部署模型　　总结与资源　　借助MathWorks提供的硬件支持包，工程师可以在熟悉的Simulink环境中设计复杂的嵌入式系统，并高效地将其部署到瑞萨器件上。这种基于模型的工作流程有助于减少开发迭代、提前发现问题，并加快从算法设计到量产级硬件实现的过渡过程。　　探索RA6T2或RH850/U2A开发板，下载相应MathWorks硬件支持包，您便能即刻开始开发基于模型的电机控制。

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瑞萨

发布时间：2026-04-30 09:15 阅读量：270 继续阅读>>

美光丨当存储设备加入冷却回路：专为冷板<span style='color:red'>设计</span>的SSD

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美光丨当存储设备加入冷却回路：专为冷板设计的SSD

　　我们现在使用的 GPU 服务器可能很快就会告别风冷散热。举个例子，目前的风冷系统可能占据 8U 机架空间，如果在前方部署 8 块 SSD，充足的气流可确保所有设备均在规格要求范围内运行。而在新推出的服务器中，由于标配液冷系统，同样的 8 路 GPU 配置所占空间已缩减至 2U。¹突然之间，机箱之内已经没有足够宽敞的空间来从容部署 8 块 SSD 了。这 8 块 SSD 只能挤在一个狭小的空间内，热量聚集，温度很快上升，如果不能及时排出，很容易引发问题。　　面对这一新现实，美光开始进行液冷 SSD 设计。存储设备必须主动接入冷却回路，不能被动等待。采用 E1.S(9.5 毫米)外形规格的美光 9650 NVMe™ SSD，正是美光为了上述目的从零开始打造的新一代液冷 SSD 产品。　　在本博客中，我会详细介绍液冷技术对 SSD 的重要性、冷板散热的工作原理，以及为何 9650 SSD 的单面架构是实现高效冷板接触的理想设计。　　有关散热效率的数学计算　　在我们的技术简报中，我们针对配备 32 块 NVMe SSD(每块功耗 25W，总功耗 800W)的服务器，在两种温度场景下进行了建模。对于风扇驱动的气流和泵驱动的液冷系统，我们使用了标准的传热方程，并结合了与实际相符的效率假设。我们模拟了两种情况：一种情况下，数据中心环境温度与 SSD 温度相差 11.1°C，另一种情况温差较小，为 8.3°C。如果温差较大，风冷的效率会提高，这也意味着风冷系统对数据中心环境温度的变化更为敏感。　　图 1：风冷散热需要 38-81W 功耗才能带走 32 块 SSD 产生的热量;而液冷系统仅需 0.4-1.4W 即可完成相同任务——功耗降低了约 98%　　冷板可将高导热性金属块和高速流动的冷却液放在尽可能靠近热源的位置，而风冷系统只能在插满 SSD 的硬盘托架上方向 SSD 吹送空气。液冷系统既能降低组件温度，又能大幅减少将热量从服务器中排出所需的能耗。　　而且，液冷系统还能扩展。Vertiv 的一份案例研究跟踪了四种数据中心配置(液冷采用率逐步增加)。² 当液冷比例从 0% 提升至 75%，设施总能耗降低了 10.7%!这不仅包括计算功耗，还涵盖了所有其他方面：暖通空调、风扇、照明，等等。　　图 2：随着液冷采用率从 0% 升至 75%，数据中心总能耗下降了 10.7%(来源：Vertiv)　　SSD 冷板散热工作原理　　冷板是一种经过机械加工的金属块，内部带有微通道，通过热界面材料 (TIM) 安装在 SSD 外壳上。水-乙二醇等冷却液流过冷板，直接从器件上吸收热量，然后将热量输送到设施的冷却回路中。　　新设计普遍采用带弹簧的冷板，并配备盲插式快速断开集合管。拔出 SSD 后，冷却液管路会自动断开。将替换件插入到位，它们就会重新连接。这种设计完全保留了热插拔维护能力，对企业级和超大规模部署而言，这种能力是不可或缺的。　　图 3：SSD 冷板组件的横截面图，展示了冷却液流动、冷板、热界面材料 (TIM)，以及搭载了控制器、DRAM 和 NAND 的印刷电路板 (PCB)　　美光 9650 NVMe PCIe 6.0 SSD：　　专为液冷设计　　在传统 SSD 设计中，控制器、DRAM 和 NAND 等发热器件分散在 PCB 的两个面上。如果冷板只接触其中一侧，另一侧的热量就必须穿过 PCB 板才能传导至冷板。这种设计会增加热阻，降低散热效率，并导致各 NAND 芯片的温度出现差异。诸如双冷板、加厚外壳和辅助散热片等解决方案，不仅会增加成本和复杂性，而且无法从根本上解决问题。这是一个磁盘层面的设计问题，而非系统层面的散热管路架设问题。　　图 4：概念设计——传统的双面 E1.S 设计与美光 9650 SSD 的单面液冷优化设计　　美光 9650 SSD 采用了一种创新方案。从上面的示意图中，您可能已经注意到了——我们将大约 90% 的发热器件集中在 PCB 的一侧，而传统设计中这一比例仅为大约 60%。这种创新设计，只需搭配一块冷板，便可让整个散热架构开始工作，并具备以下优势：　　冷板直接接触：在主要发热表面上覆盖一层均匀的传热界面，最大限度降低热阻　　更均匀一致的 NAND 温度：芯片间温差减小，从而提升耐用性和可靠性　　充分释放 PCIe 6.0 速度：即使在更高带宽和功耗下，散热性能仍可与搭配液冷系统的上一代 PCIe 5.0 SSD 相媲美　　标准 E1.S 外形规格：兼容现有 9.5 毫米 EDSFF 液冷机箱，支持热插拔　　对系统层的影响　　磁盘层的设计固然重要，但这种设计的真正价值在于为系统层带来的回报。当 SSD 能够主动接入液冷回路，而非依赖流过自身的气流时，系统设计师便获得了从未拥有过的全新选择：　　存储区域内风扇数量减少(或者完全取消)：可以减少为磁盘散热的风扇数量，或者完全取消风扇，从而节省功耗并降低噪音。　　更高的每服务器 SSD 密度：没有了气流间距限制，可以在更小的机架空间内放置更多磁盘。　　对于持续运行的 AI 工作负载，热特性更可预测：液冷系统消除了因 GPU、CPU 和存储设备共享气流而产生的温度波动。　　这些优势，并非停留在理论上。台达电子等生态系统合作伙伴已经开始出货集成 SSD 冷板的全液冷服务器平台。³美光 9650 支持这些平台，其 E1.S(9.5 毫米)外形规格专为冷板环境设计。ASHRAE TC 9.9 发布的工业环境热指南定义了数据处理设备的允许温度范围⁴，而液冷技术可确保即使在高磁盘密度下，设备的运行温度也低于建议限值。　　还有一个很容易被忽视的因素：效率倍增。人们通常从散热余量角度来讨论液冷技术，但该技术的更大益处体现在每瓦性能上。当数据中心不再因高转速风扇而消耗电力，并且降低了系统级散热开销时，这些节约下来的电力就能转而供其他资源使用。凭借液冷架构，9650 在能效方面较前几代产品显著提升，这不仅有助于实现可持续发展目标，还可直接降低总拥有成本。　　展望未来　　在高密度 AI 基础设施中，SSD 液冷系统正逐渐成为必备配置。Uptime Institute 的《2024 年全球数据中心调查报告》指出，约 20% 的运营商正在部署或计划部署液冷系统。⁵美光 9650 采用的单面架构专为冷板接触而设计，能让 SSD 液冷系统充分发挥作用。　　还有一点：当我们为 SSD 营造出更适宜的工作环境温度时，我们便有可能获得更高的控制器时钟频率、写入吞吐量，以及持续稳定的工作负载性能。美光正在朝着这一目标努力，敬请期待。

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美光

发布时间：2026-04-23 11:10 阅读量：474 继续阅读>>

瑞萨丨技术干货借助GaN双向开关革新电源<span style='color:red'>设计</span>

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瑞萨丨技术干货借助GaN双向开关革新电源设计

　　随着全球电源需求正出现前所未有的激增，设计人员不断面临挑战，需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸，并以更高的效率提供更高的功率水平。氮化镓(GaN)以其优越的半导体特性，正在推动一场变革，引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。　　高电压GaN双向开关(BDS)通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断，从而助力打造更加高效、紧凑且更具成本效益的功率转换器。此类开关支持创新的单级功率变换器拓扑结构，从而在AI数据中心基础设施、太阳能微型逆变器、电池系统以及汽车车载充电器等应用中减少了元器件数量并提高了效率。　　单级功率转换　　利用瑞萨GaN BDS，设计人员可以摒弃带电解直流母线电容的传统两级式交流/直流转换器，实现元器件更少、重量更轻、效率更高的单级拓扑结构。此类拓扑支持双向能量流动，对于交流/直流转换和直流/交流逆变器均十分有用。这些设备还实现了非隔离多电平T型中点钳位(T-NPC)拓扑(如Vienna整流器)。这类拓扑具有更低的传导损耗，并且适用于三相AI基础设施和电机驱动器，同时提供双向流动特性并能降低EMI。　　Figure 1. Renesas GaN BDSs enable innovative topologies such as single-stage AC/DC converters, resulting in lower part count for smaller, lighter, more efficient power systems　　瑞萨电子的TP65B110HRU 650V、110mΩ高电压GaN双向开关可在单个器件中同时阻断正向和反向电流，与传统单向硅基或碳化硅开关相比，能够以更少的元器件实现更高效率的单级功率转换。该器件减少了开关数量并省去了太阳能微型逆变器中的中间直流母线电容，根据美国加州能源委员会(CEC)标准，其功率转换效率可达97.5%以上。　　这些创新的D模式氮化镓BDS产品具有650V连续电压额定值、低导通电阻、顶部散热的表面贴装封装(集成硅基MOSFET)，并与标准栅极驱动器兼容。对于设计人员来说，只要使用标准驱动器和简单的栅极电阻，驱动D模式氮化镓器件就和驱动硅基MOSFET一样简单。这与E模式氮化镓形成鲜明对比——后者需要额外元器件，不仅占用更多电路板空间，还会增加物料清单(BOM)成本和驱动损耗。　　Figure 2. GaN BDS implementation in a solar microinverter application and TP65B110HRU efficiency curves at different panel voltages, reaching 97.5% CEC efficiency　　该GaN BDS具有快速开关特性，以及清晰的波形和出色的效率(在太阳能微型逆变器中最高可达97.5%)。产品通过了JEDEC和其他针对氮化镓的可靠性标准测试(包括交流和直流偏置测试)，确保满足工业和汽车应用的稳健性要求。您可以在评估板用户手册和氮化镓BDS技术白皮书中阅读有关性能测试和资格认证的更多信息。　　亲自使用GaN BDS评估板来评估这些新型开关，测试不同的驱动选项，进行交流过零检测，并实施ZVS软开关。我们还将GaN BDS与其他兼容组件相结合，开发了系统级解决方案，以实现优化且低风险的设计，从而加快各类电力电子应用中的产品上市速度，其中包括500W太阳能微型逆变器、3.6kW功率因数校正(PFC)Vienna整流器以及多种单级家用电器。　　深入了解TP65B110HRU GaN双向开关及其在高能效电源系统中的应用，并阅读我们的白皮书以进一步了解该技术的架构设计及部署优势。

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瑞萨

发布时间：2026-04-21 09:38 阅读量：404 继续阅读>>

佰维Mini SSD荣获2026年中国IC<span style='color:red'>设计</span>成就奖“年度存储器”

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佰维Mini SSD荣获2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”

　　近日，由Aspencore主办的2026国际集成电路展览会暨研讨会(IIC SHANGHAI)在上海举办。在同期举行的“2026中国IC设计成就奖”颁奖典礼上，佰维存储 Mini SSD 斩获“年度存储器”荣誉。这一殊荣不仅是对佰维Mini SSD 技术创新与市场价值的权威认可，更是对佰维在存储领域持续深耕、引领产业变革的高度肯定。　　突破传统SSD逻辑与形态　　佰维Mini SSD揽获多项国际大奖　　中国IC设计成就奖作为中国半导体行业最具权威性和公信力的专业奖项之一，已深耕行业二十四载，旨在表彰在技术创新、市场应用和产业贡献方面表现卓越的企业与产品。其中，“年度存储器”奖项作为核心评选单元，致力于甄选出在存储领域具备创新设计、规模化落地能力且能推动行业技术进步的优质产品。　　佰维Mini SSD并非单纯追求物理体积的“微型化”，而是彻底打破了传统存储产品“性能、体积、扩展性不可兼得”的固有逻辑，通过“创新存储解决方案+先进封装”的综合创新，为AI PC、游戏掌机等端侧设备提供了“小体积、强性能、可扩展”的全新存储方案，解决了M.2 SSD体积过大、Micro SD卡性能瓶颈以及UFS/eMMC无法灵活扩展的痛点。　　极致小巧，性能强悍：在仅有M.2 2230 SSD 的40%体积与约1克的重量下，实现了高达2TB的容量，以及3700MB/s读取和3400MB/s写入的旗舰级速度。　　硬核防护，稳定可靠：具备IP68级防尘防水、3米防跌落防护及超过12,000次的插拔耐用性，无惧复杂移动场景。　　便捷扩展，体验革新：首创标准化卡槽插拔设计，用户无需专业工具即可轻松完成TB级扩容，极大地提升了设备的可维护性与使用价值。　　自问世以来，佰维Mini SSD迅速在全球范围内赢得了广泛赞誉，已接连荣获《TIME》“2025年度最佳发明”、CES 2026 TWICE Picks Awards、Embedded World“Best-in-Show”、MWC 2026“Best-in-Show”等多项国际顶级大奖，并入围被誉为“科技界奥斯卡”的2026年爱迪生奖决赛。此次再获国内权威奖项，充分印证了Mini SSD从技术理念到商业前景的全方位领先优势。　　加速产品迭代与生态伙伴适配　　推动Mini SSD走向“全球标准”　　佰维Mini SSD不仅是一款创新产品，更是一个开放生态的起点。目前，它已成功赋能壹号本、GPD、Waterworld等知名品牌，在AI PC、游戏掌机等领域实现商业化落地。为加速产业普及，佰维已联合英特尔、龙旗、比亚迪电子、立讯等产业链头部企业，共同构建Mini SSD产业生态。　　统一规格标准，降低适配成本：通过成立IP公司、制定激励方案与权益金分配规则，绑定生态伙伴利益;同时开放技术规格与接口标准，降低行业适配成本;　　加速AI终端导入，实现规模化落地：聚焦AI PC、智能机器人、游戏掌机等核心场景，多个目标客户正积极推动产品适配。佰维将协同伙伴加快技术验证与导入进度，加速Mini SSD在关键领域的规模化应用。　　迭代技术性能，提升产品竞争力：前瞻规划PCIe Gen4×4、Gen5×4接口产品，提升接口带宽;基于32层叠Die封装工艺，推进4TB及以上更大容量产品研发。　　全栈技术筑基，　　深度服务“端-边-云”全场景客户　　佰维Mini SSD的成功，根植于佰维存储“研发封测一体化”的全栈技术能力。公司始终以高强度、高密度的研发投入筑牢创新根基，2025年研发费用达6.32亿元，同比增长41.34%，已累计斩获521项境内外专利及66项软件著作权。依托在存储解决方案研发、芯片设计、先进封测等核心领域的持续深耕，公司构建起覆盖AI新兴端侧、智能终端、工业车规级与企业级的全场景存储产品矩阵，以强大的技术转化能力与市场竞争力，深度服务“端-边-云”全场景客户。　　在AI新兴端侧，公司凭借ePoP系列产品的超薄堆叠封装技术与低功耗固件算法协同优势，成为Google、Meta、小米、Rokid等全球头部企业的核心存储解决方案，精准适配AI眼镜、智能手表等设备的轻薄化、低延迟、长续航需求;在智能汽车领域，公司产品已切入20余家国内主流主机厂及核心Tier1供应商供应链，实现车规级存储产品的批量交付与规模销售;在云端，企业级存储产品成功导入多家头部OEM、AI服务器厂商及头部互联网厂商核心供应体系，实现批量出货。　　斩获2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”奖项，印证了佰维Mini SSD技术实力与市场价值。佰维将继续秉持长期主义，以技术创新响应AI时代的存储需求，驱动公司高质量发展，提升公司长期价值。

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佰维

发布时间：2026-04-13 10:45 阅读量：472 继续阅读>>

瑞萨电子丨电动出行数字仪表盘<span style='color:red'>设计</span>：适用于电动滑板车、自行车及城市电动车的 TFT 仪表系统

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瑞萨电子丨电动出行数字仪表盘设计：适用于电动滑板车、自行车及城市电动车的 TFT 仪表系统

　　为什么电动出行需要更出色的仪表盘　　电动滑板车、电动摩托车以及紧凑型城市电动车的驾驶者每天都穿梭在拥挤的城市交通中，行程短、启停频繁，因此在做出快速决策时高度依赖仪表盘。他们需要在小尺寸的显示屏上即时查看续航里程、电池健康状态以及各类警告，这些显示屏还经常暴露在强烈阳光和各种天气下。与此同时，OEM厂商必须在严格控制成本、功耗和空间布局的前提下，还能为骑行者和车队运营方提供连接与通信功能。　　　　现代电动出行仪表盘，骑行者真正期待什么?　　无论是个人骑行者还是配送人员都希望他们的“数字仪表盘”更像一部简化版智能手机，而不是传统的机械仪表。　　清晰显示续航与电量状态：紧凑型薄膜晶体管(TFT)显示屏需要一目了然地显示车速、电池电量以及预估剩余续航里程，并在白天强光和夜间骑行条件下都具备良好的可读性。　　充电与电池健康可视化：通过简洁的图标界面显示充电状态、故障信息和维护提示，有助于建立用户信任，尤其是在共享或频繁更换使用者的车队车辆场景中更为重要。　　轻量级连接能力：支持Bluetooth®和Wi-Fi®，实现手机配对、应用集成以及基础导航功能，正逐渐成为标配，即便是在入门级电动滑板车和电动自行车上也日益普及。　　基于TFT的数字仪表盘可完全满足这些需求，因为同一硬件平台仅需通过软件调整和界面设计变化，即可扩展应用于多种车辆类型。　　面向日常电动滑板车的高性价比TFT仪表盘　　对于通勤电动滑板车、配送滑板车、电动自行车以及小型货运三轮车而言，成本与能效几乎决定了每一项设计选择。我们的具有远程信息处理功能的低成本TFT仪表盘解决方案采用以MCU为核心的架构，在保持电子系统紧凑设计的同时，仍可提供现代化的用户体验。　　在典型的电动出行应用中，具备图形处理能力的车规级微控制器可直接驱动小尺寸彩色TFT显示屏，并渲染2D/2.5D车速、电量状态、续航里程及告警指示。　　双车辆网络接口，如双CAN，将仪表盘连接至电机控制器、电池管理系统及辅助ECU，同时保留独立的诊断通道，用于售后诊断工具接入。　　集成式远程信息处理选项(Wi-Fi镜像、Bluetooth Low Energy、以太网、GPS以及可选4G)无需额外的通信盒，即可在同一设计中实现手机配对、基础导航及车队追踪功能。　　车规级高清(HD)视频链路通过单对双绞线连接低成本模拟后视摄像头，为配送滑板车和轻型货运车辆提供简单的后视功能，且成本影响极低。　　具有AI就绪远程信息处理功能的　　可扩展型TFT仪表盘　　在基础的MCU仪表盘与完整Android驾驶舱系统之间，部分电动出行平台需要更丰富的图形、内建远程信息处理功能，以及面向未来智能化升级的扩展空间，同时又无需引入Linux或Android系统栈。我们的配备蓝牙音频和远程信息处理功能的TFT仪表盘解决方案正好定位于这一中间层，它采用双核RA8P1微控制器，并集成片上神经网络处理单元(NPU)，支持边缘侧智能分析。　　该配置包含以下特性　　双核RA8P1微控制器在单芯片上同时运行主仪表应用与远程信息处理功能，降低整体系统成本与电路板复杂度。　　片上NPU使系统能够支持AI就绪的应用场景，例如本地异常检测、使用数据分析或预测性维护，在边缘侧即可完成处理，而无需依赖云端连接。　　提供示例应用软件和固件，可采用裸机C语言开发，或基于Azure RTOS或FreeRTOS等RTOS，帮助快速启动开发，无需具备Linux/Android相关经验。　　参考板上集成了即用型连接接口，包括CAN、Wi-Fi、Bluetooth Low Energy、GPS和GSM 4G，可简化车队追踪、远程诊断以及基于智能手机的服务功能集成。　　该平台支持类似手机的用户界面，可兼容Qt、Crank、Segger和LVGL等主流HMI框架，使在紧凑型TFT屏上实现现代化图形界面和丰富视觉呈现变得更加容易。　　面向功能丰富型城市电动车的互联驾驶舱　　部分城市电动车以及高端电动摩托车已不再满足于基础仪表系统，而是作为导航、丰富HMI以及基于应用服务的核心枢纽。我们的Android系统互联车载仪表盘解决方案面向此类场景，采用基于SoC的架构设计，可扩展至多显示屏配置，支持完整的互联驾驶舱体验。　　该配置包含以下特性　　采用多核处理架构的R-Car车规级SoC，可驱动主仪表系统，并可根据需求扩展至中控或乘客显示屏，支持复杂图形、地图和多媒体。　　由Android承载信息娱乐与互联应用，同时配合实时运行环境，确保车速显示、警告提示及其他安全关键型仪表功能具备确定性响应。　　内置Wi-Fi、蓝牙和可选LTE连接，实现OTA升级、共享出行及车队管理服务，同时支持更深层次的智能手机集成。　　车载网络如CAN/CAN FD和Ethernet传输动力总成、电池电量和底盘数据，为驾驶员和骑手提供先进的能量可视化和场景感知告警功能。　　推动新一代电动出行仪表系统发展　　电动滑板车、电动自行车以及紧凑型城市电动车的持续演进，源于市场对更高效率、更强互联能力以及更友好骑行体验车辆的需求。通过将成本优化的MCU架构TFT仪表系统与可扩展的Android驾驶舱方案相结合，制造商能够在整个电动出行产品线中实现清晰显示、互联能力与系统性能之间的最佳平衡。　　借助经过验证的应用设计，例如我们的具有远程信息处理功能的低成本TFT仪表盘和Android系统互联车载仪表盘，有助于降低设计风险，并加速新一代数字仪表系统的上市进程。　　如需了解更多瑞萨成功产品组合，请访问renesas.com/win。

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瑞萨电子

发布时间：2026-04-03 09:45 阅读量：628 继续阅读>>

纳芯微丨AI服务器机架供电架构解析：PSU、BBU 与 CBU 的<span style='color:red'>设计</span>逻辑及关键芯片方案

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纳芯微丨AI服务器机架供电架构解析：PSU、BBU 与 CBU 的设计逻辑及关键芯片方案

　　随着人工智能算力需求的持续增长，数据中心服务器功率密度快速提升，驱动供电架构向更高功率等级与更高可靠性演进。在这一过程中，PSU、BBU 与 CBU 逐步形成协同供电体系，对电源系统的效率、稳定性与系统集成能力提出更高要求。　　围绕服务器供电架构的演进，本文重点解析 PSU 及 BBU、CBU 备电系统的设计逻辑与关键芯片需求。纳芯微基于供电与备电全链路，提供覆盖电流检测、电压采样、驱动控制、通信隔离及电源管理等环节的系统级芯片解决方案，支撑高功率服务器电源系统在效率与可靠性方面实现综合优化。　　1.PSU迈向高压与高功率密度核心供电单元　　在数据中心供电体系中，服务器电源模块(PSU)负责将交流电转换为稳定直流电源。近年来，随着AI服务器功率需求的提升，PSU功率等级也持续升级：从早期3kW、5.5kW级服务器电源模块，逐步发展到面向AI与云计算时代数据与算力中心的8kW、12kW、18kW级别，并进一步提升至面向下一代AI服务器的单体30+kW级PSU。高功率密度电源正在成为新一代数据中心基础设施的重要组成部分。　　随着功率等级的持续提升，大功率PSU输入形式也由传统单相交流变为了三相交流输入，输出电压也从传统的12V升上至48V(54V)或更高的HVDC电压(±400V或800V)，以降低电流并改善系统热设计条件。　　从系统结构来看，服务器PSU通常由功率因数校正(PFC)级和隔离DC/DC变换级构成。输入交流电首先在PFC级完成整流与功率因数校正，并建立稳定的高压直流母线(DC Link);随后通过LLC谐振变换级实现高效率隔离变换，输出稳定的12V、48V(54V)或HVDC电压，为服务器负载供电。　　随着功率密度要求的不断提升，PSU中的功率器件技术路线也在持续升级。宽禁带器件能够显著降低开关损耗，并支持更高开关频率，从而提升系统效率与功率密度。因此，PFC级逐步由传统Si MOSFET向SiC MOSFET演进，而LLC则开始越来越多地采用SiC或GaN器件。　　在此类高功率电源系统中，除了功率器件本身，电流检测、电压采样以及栅极驱动等模拟与隔离器件同样是系统稳定运行的重要基础。　　电流检测模块需要实时监测输入电流、谐振电流以及输出电流，以支持系统闭环控制与保护功能;电压检测模块用于实现母线电压与输出电压的精确采样;而隔离栅极驱动器则负责驱动Si、SiC或GaN功率器件，实现高速开关控制。　　在 PSU中，输入侧、谐振侧、输出侧与备电支路对电流检测的带宽、隔离等要求不同，因此可根据具体节点选择分流器+检测放大器、隔离放大器、霍尔电流传感器等不同实现方式。　　在电流检测方面，纳芯微提供包括NSM201x、NSM211x、NSM204x系列霍尔电流传感器，以及 NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器在内的多种方案，可满足高带宽与高精度电流监测需求，为电源控制环路提供稳定的反馈信号。　　在高 dv/dt 开关环境下，隔离栅极驱动与隔离采样链路的 CMTI、延迟等特性将直接影响系统效率与稳定性。纳芯微提供多款隔离栅极驱动器，其中NSI6601、NSI6601M、NSI6601xE、NSI6801E系列单通道驱动器以及NSI6602V系列半桥驱动器，均可在高 dv/dt 环境下保持稳定驱动能力，适用于SiC与GaN功率器件的高速开关控制。　　此外，在系统电压检测与反馈控制环节，纳芯微提供NSI1400、NSI1300、NSI1200C、NSI1312、NSI1311、NSI1611及NSI36xx系列隔离放大器，以及NSOPA9xxx、NSOPA8xxx、NSOPA610x系列运算放大器，可实现高精度电压采样，为系统控制器提供稳定的反馈信号。通过在电流检测、电压采样及驱动控制等关键节点进行协同设计，可进一步提升服务器 PSU 系统的整体效率与可靠性。　　随着AI服务器功率持续提升，高功率、高效率服务器PSU将成为数据中心电源系统的重要发展方向。围绕功率器件驱动、隔离采样以及精密信号链等关键环节，高性能模拟与隔离芯片也将在下一代数据中心电源架构中发挥越来越重要的作用。　　2.BBU与CBU构建多层级备电体系的关键支撑　　BBU通常由锂电池组和DC/DC电源模块组成。当市电或主电源出现中断时，BBU可在短时间内为服务器系统提供持续供电，通常可维持数分钟，以保障关键数据完成写入，并支持系统安全关机。机架级BBU的输出能力通常需要与对应机架PSU的供电等级相匹配。　　在系统拓扑上，BBU中的DC/DC模块多采用非隔离双向变换结构，以实现电池充放电过程中的双向能量流动。常见实现方式包括多相Buck-Boost结构或四开关Buck-Boost拓扑，并由MCU或数字控制器实现电池管理与能量调度。　　在实际数据中心系统中，BBU与CBU承担的角色有所不同。BBU主要用于应对电源中断场景，提供分钟级持续供电;CBU更偏“毫秒到秒级”的瞬态功率波动的吸收或补偿。　　CBU通常采用超级电容作为储能介质。相比电池，超级电容具有更高功率密度、更快充放电速度以及更长循环寿命，更适合用于短时间功率补偿。　　当服务器负载发生快速变化时，CBU可以在极短时间内释放或吸收能量，从而稳定系统母线电压。在部分应用场景中，CBU也可在短时间掉电情况下提供瞬态能量支撑，保障关键系统状态平稳过渡。　　在系统架构上，CBU同样通过双向DC/DC模块实现超级电容与系统母线之间的能量交换，其拓扑结构通常与BBU类似，多采用Buck-Boost架构，并通过控制器进行动态调节。　　在BBU与CBU系统中，需要对电池或超级电容的电流、电压以及系统运行状态进行实时监测，同时通过驱动电路控制功率器件实现能量转换。因此，电流检测、电压采样以及通信隔离等功能模块是系统稳定运行的重要基础。　　针对上述需求，纳芯微提供多类关键器件解决方案。例如，NSM201x、NSM211x、NSM2311、NSM204x系列霍尔电流传感器，以及NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器可用于电池充放电电流检测;NS800RT1137、NS800RT3025系列MCU可承担系统主控功能，并结合NSI822x、NSI823x、NSI824x、NIRS21、NIRS31系列数字隔离器及NSI1042、NSI1050 隔离 CAN 接口，实现系统通信与隔离控制。　　在辅助电源(AUX power)部分，纳芯微提供覆盖反激与 Buck 拓扑的电源管理芯片，包括 NSR28C4x、NSR284x、NSR2240x、NSR2260x 系列反激电源芯片及即将发布的NSV2801/2系列，以及NSR1143x、NSR1103x系列 Buck 转换器，为控制、驱动、采样及通信模块提供稳定供电支撑，提升服务器供电系统的整体可靠性。　　随着AI服务器功率规模不断提升，备电系统在数据中心供电架构中的作用也愈发关键，通过合理的系统设计与关键芯片协同应用，可以有效提升服务器备电系统的稳定性与安全性。

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发布时间：2026-03-30 09:53 阅读量：863 继续阅读>>

瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关，标志着功率转换<span style='color:red'>设计</span>规范的重大变革

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瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关，标志着功率转换设计规范的重大变革

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布，推出业界首款采用耗尽型(d-mode)氮化镓(GaN)技术的双向开关——TP65B110HRU：该产品能够在单一器件中阻断正负电流的功能。该款器件主要应用于单级太阳能微型逆变器、人工智能(AI)数据中心和电动汽车车载充电器等系统，可大幅简化功率转换器设计，以单个低损耗、高速开关且易驱动的产品替代传统背靠背FET开关。　　单级拓扑结构：提升效率，减少元件数量　　目前高功率转换设计中所用的单向硅或碳化硅(SiC)开关在关断状态下仅能单向阻断电流。因此，功率转换必须分阶段进行，并使用多个开关桥接电路。例如，典型的太阳能微逆变器需采用四开关全桥电路完成第一级DC-DC转换，随后经第二级转换产生最终交流输出以接入电网。尽管电子行业正朝着更高效的单级转换器方向发展，但设计人员仍需应对开关器件本身的物理局限。因此现在许多单级设计都是采用背靠背的传统单向开关，导致开关数量增加四倍，整体效率降低。　　双向GaN技术的出现彻底改变了这一局面。通过在单个GaN产品中集成双向阻断功能，仅需更少的开关即可实现单级功率转换。以典型的太阳能微逆变器为例，仅需两颗瑞萨SuperGaN®双向高压器件即可——相较传统方案，可省去中间的直流链路电容器，并将开关数量减半。此外，GaN器件具备高速开关特性与低存储电荷，可实现更高开关频率和功率密度。在实际单级太阳能微型逆变器应用中，这种新型GaN架构由于无需背靠背连接和低效的硅开关，其功率效率可超过97.5%。　　兼具强劲性能与可靠性，兼容硅基驱动器　　瑞萨650V SuperGaN®产品已在市场中获得验证，其基于专有的常关断技术，具有驱动简单、可靠性高的特点。此次推出的TP65B110HRU将高压双向耗尽型GaN芯片与两颗低压硅基MOSFET进行共同封装。这两颗低压MOSFET具备高阈值电压(3V)、高栅极耐压裕量(±20V)以及内置体二极管，可实现高效的反向导通。相较于增强型(e-mode)双向GaN产品，瑞萨的这款双向GaN开关可兼容无需负栅极偏置的标准栅极驱动器。这不仅简化了栅极回路设计，降低了成本，还使其在软开关和硬开关操作模式下，均能实现快速、稳定的开关过渡，且不影响整体性能表现。对于维也纳式整流器等需要硬开关的电源转换拓扑结构，凭借其超过100V/ns的高dv/dt能力，该器件在开关导通/关断过程中可最大程度的减少振铃并缩短延迟。总而言之，瑞萨的这款GaN新品实现了真正意义上的双向开关功能，将高可靠性、高性能和易用性集于一身。　　Rohan Samsi, Vice President, GaN Business Division at Renesas表示：“将我们的SuperGaN技术拓展至双向GaN平台，标志着功率转换设计规范的重大变革。现在，我们的客户能够以更少的开关元件、更小的PCB面积和更低的系统成本，实现更高的效率。同时，他们还可借助瑞萨在系统级集成方面的优势——包括栅极驱动器、控制器和电源管理IC——来加速设计进程。”　　TP65B110HRU的关键特性　　±650V连续峰值交流/直流额定电压，±800V瞬态额定电压　　2kV人体模型ESD防护等级(HBM与CDM)　　25℃环境下典型导通电阻(Rdson)为110mΩ　　Vgs(th)典型值3V　　无需负驱动　　Vgs最大值±20V　　超过100V/ns的dv/dt抗扰度　　1.8V，VSS,FW续流二极管压降　　采用行业标准引脚布局的TOLT顶部散热封装　　瑞萨电子于2026年3月22日至26日，在美国得克萨斯州圣安东尼奥举行的国际应用功率电子会议(APEC)1219号展位上，展示这款最新双向GaN开关及其不断丰富的智能电源解决方案产品组合。　　供货信息　　TP65B110HRU双向GaN开关现已批量供货。客户还可选购RTDACHB0000RS-MS-1评估套件，用于测试不同驱动方案、检测交流零交叉点以及实现软开关功能。　　成功产品组合　　瑞萨将新型GaN双向开关与产品组合中众多兼容器件相结合，打造了500W太阳能微逆变器和三相维也纳整流器解决方案。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win　　感受瑞萨动力　　以创新、品质与可靠性为核心驱动，瑞萨引领功率电子行业的发展，每年出货量超过40亿颗组件，产品组合包括电源管理IC、分立和宽带隙GaN产品、计算功率器件等。这些产品覆盖汽车、物联网、基础设施和工业应用等所有主要市场。瑞萨的功率产品组合无缝对接其领先的MCU、MPU、SoC与模拟解决方案，借助数百种经工程验证的“成功产品组合(Winning Combinations)”以及PowerCompass™和PowerNavigator™等创新设计工具，显著简化并加速了客户设计流程。更多信息，请访问：renesas.com/power。

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发布时间：2026-03-25 13:11 阅读量：515 继续阅读>>

纳芯微PrimeDrive隔离栅极驱动发布小封装版本，助力紧凑型<span style='color:red'>设计</span>

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纳芯微PrimeDrive隔离栅极驱动发布小封装版本，助力紧凑型设计

　　隔离栅极驱动，首选纳芯微PrimeDrive　　PrimeDrive是纳芯微打造的隔离栅极驱动产品家族，提供高可靠、全品类的隔离栅极驱动解决方案。　　针对高压、高dv/dt及复杂电磁环境，PrimeDrive隔离栅极驱动在驱动能力、智能保护功能、长期可靠性及系统鲁棒性等方面持续领先，助力客户降低设计与验证风险。　　产品覆盖隔离半桥栅极驱动、隔离单管栅极驱动、智能隔离栅极驱动、功能安全栅极驱动等多种品类，广泛适用于汽车、工业控制、可再生能源与电源、消费电子等应用领域，为多样化的系统设计提供稳定、可信的驱动解决方案。　　智能隔离栅极驱动NSI67xx-Q1推出SSOW20小封装版本　　在高功率密度电驱系统中，布板空间愈发成为关键约束。纳芯微PrimeDrive隔离栅极驱动NSI67xx-Q1全新推出SSOW20小封装版本，在保持原有性能与可靠性的基础上，封装尺寸较SOW16减小约40%，更适配对PCB面积要求严苛的应用场景，尤其适用于搭配紧凑型功率模组设计。　　助力电驱系统实现ASIL C功能安全目标　　基于NSI67xx-Q1的电驱系统方案，已通过德凯(DEKRA)权威评估，可支持系统实现ASIL C功能安全目标。　　方案在满足功能安全等级要求的前提下，通过合理的硬件冗余设计与系统架构优化，减少主功率回路改动，缩短开发周期，覆盖400V/800V高压平台，全面兼容SiC与IGBT功率架构，成为电驱系统实现功能安全等级的高性价比路径之一。

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发布时间：2026-03-19 09:20 阅读量：885 继续阅读>>

ROHM一举推出17款高性能运算放大器，提升<span style='color:red'>设计</span>灵活性

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ROHM一举推出17款高性能运算放大器，提升设计灵活性

　　中国上海，2026年3月10日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出适用于车载设备、工业设备及消费电子设备等众多领域的CMOS运算放大器“TLRx728系列”和“BD728x系列”产品。作为高性能运算放大器，新产品出色地兼顾了低输入失调电压*1、低噪声及高压摆率*2，通过丰富的产品阵容可为用户提供便捷的选型体验。另外，新产品支持轨到轨输入输出，能够充分利用电源电压范围，因此可确保更宽的动态范围。　　近年来，随着汽车领域车载系统的迭代升级以及工业设备中机器人技术等对感测精度的要求不断提升，市场对能够精确处理微小电压信号的运算放大器需求正快速增长。尤其是在需要精确放大传感器输出的应用场景中，将信号误差和延迟控制在最低限度是必不可缺的功能，这就要求运算放大器具备输入失调电压、噪声、压摆率等主要特性的均衡表现。针对这样的市场需求，ROHM推出了可满足需求的新系列产品——不仅这些特性均表现优异，而且具备支持更广泛应用领域的通用性。利用新产品，可在众多领域实现高精度且稳定的信号处理。　　新产品系列适用于对精度要求高的传感器信号处理、电流检测电路、电机驱动控制及电源监控系统等众多应用领域。采用的是不局限于特定用途、同时注重通用性和高性能的设计理念。另外，除单通道、双通道、4通道结构外，还提供多样化的封装形式，用户可根据具体应用场景和电路板尺寸选择合适的产品。　　目前，新产品已逐步投入量产(样品价格：单通道产品280日元/个，双通道产品350日元/个，4通道产品480日元/个，不含税)。此外，新产品已经开始通过电商进行销售。　　今后，ROHM将继续致力于开发满足市场需求的高性能模拟产品，助力提升客户的设计灵活性。　　<应用示例>　　车载设备、工业设备、消费电子等领域均适用　　应用示例：传感器信号处理、电流检测电路、电机驱动控制、电源监控系统等　　<术语解说>　　*1) 输入失调电压　　运算放大器输入引脚间产生的误差电压。　　*2) 压摆率　　表示运算放大器的输出电压在单位时间内变化程度的性能指标。该数值越高，在输入矩形波和高速信号时，输出越能快速跟上输入的变化，可防止削波现象和波形失真问题。

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发布时间：2026-03-12 13:20 阅读量：574 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments

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