方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供过压保护的应用

发布时间：2023-04-24 11:03
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：1959

　　耗尽型MOSFET

　　应用电路如下：

　　方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供过压保护的应用

　　在上述电路中，选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压Vout。

　　输出电压Vout与稳压二极管VD1的稳压值Vz满足关系式：Vout=Vz+VR1=Vz+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)。

　　使用DMD4523E时输入电压最高可达400V（需考虑DMD4523E的功耗）。上述应用可以为负载电路提供良好的过压保护。

　　DMD4523E

　　DMD4523E系列产品在容性负载、仪表、通讯设备中用于瞬态浪涌抑制、过流过压保护的应用。

　　该电路中仅使用一颗耗尽型MOSFET+电阻R，就能限制流过负载回路的电流大小，为负载回路提供过流保护。

　　方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供过压保护的应用

　　该系列产品可工作在较高电压下，能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。当负载出现短路时，为负载提供过流保护。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。


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