方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供过压保护的应用

发布时间:2023-04-24 11:03
作者:AMEYA360
来源:网络
阅读量:1928

  耗尽型MOSFET

  应用电路如下:

  方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供过压保护的应用

  在上述电路中,选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压Vout。

  输出电压Vout与稳压二极管VD1的稳压值Vz满足关系式:Vout=Vz+VR1=Vz+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)。

  使用DMD4523E时输入电压最高可达400V(需考虑DMD4523E的功耗)。上述应用可以为负载电路提供良好的过压保护。

  DMD4523E

  DMD4523E系列产品在容性负载、仪表、通讯设备中用于瞬态浪涌抑制、过流过压保护的应用。

  该电路中仅使用一颗耗尽型MOSFET+电阻R,就能限制流过负载回路的电流大小,为负载回路提供过流保护。

  方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供过压保护的应用

  该系列产品可工作在较高电压下,能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。当负载出现短路时,为负载提供过流保护。该系列MOSFET响应速度快,电路结构简单。


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