双栅场效应管

发布时间：2023-02-03 16:01

作者：Ameya360

来源：网络

阅读量：1706

　　双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极，在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，其中两个栅极是互相独立的，使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。

双栅场效应管原理

　　双栅场效应管也称为双栅MOS管。它是一个管子中有两个控制极。从结构上来看可以认为是两个单栅场效应管的串联，增加了第二栅极g2，它具有一定的屏蔽作用，使得漏极与第一栅极之间的反馈电容变得很小，如图所示是彩色电视机高频调作用的双栅场效应管高频放大器。双栅场效应管高频放大器从结构上来说可以认为是共源-共栅放大器的形式。值得注意的是栅g2的电压时可以改变场效应管正向传输特性曲线的斜率，从而改变高频放大器的增益。

双栅场效应管检测方法

　　1．判定栅极G

　　将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

　　2．判定源极S、漏极D

　　由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

　　3．测量漏-源通态电阻RDS（on）

　　将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

　　由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

　　4．检查跨导

　　将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：参数交流稳压电源

下一篇：信号放大器

在线留言询价

品牌

型号

数量

联系人

联系电话

邮箱

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
remark

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址