瑞萨率先推出第二代面向服务器的DDR5 MRDIMM完整<span style='color:red'>内存</span>接口芯片组解决方案
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瑞萨率先推出第二代面向服务器的DDR5 MRDIMM完整内存接口芯片组解决方案

　　全新多路复用寄存时钟驱动器、多路复用数据缓冲器和PMIC，使下一代MRDIMM速度提升至高达每秒12,800兆次传输，满足AI和高性能计算应用需求。　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布率先推出面向第二代DDR5多容量双列直插式内存模块(MRDIMM)的完整内存接口芯片组解决方案。　　人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和其它数据中心应用对内存带宽的要求不断提高，这就需要新的DDR5 MRDIMM。它们的运行速度高达每秒12,800兆次传输(MT/s);与第一代解决方案相比内存带宽提高1.35倍。瑞萨与包括CPU和内存供应商在内的行业领导者以及终端客户合作，在新型MRDIMM的设计、开发与部署方面发挥了关键作用。　　瑞萨设计并推出三款全新关键组件：RRG50120第二代多路复用寄存时钟驱动器(MRCD)、RRG51020第二代多路复用数据缓冲器(MDB)，和RRG53220第二代电源管理集成电路(PMIC)。此外，瑞萨还批量生产温度传感器(TS)和串行存在检测(SPD)集线器解决方案，并为包括行业标准下一代MRDIMM在内的各类服务器和客户端DIMM提供全面的芯片组解决方案。作为内存接口领域的卓越厂商，瑞萨致力于为用户提供高质量、高性能的产品和服务。　　Davin Lee, Senior Vice President and General Manager of Analog & Connectivity and Embedded Processing表示：　　“AI和HPC应用对更高性能系统的需求持续增长。瑞萨紧跟这一趋势，与行业领导者携手开发下一代技术及规范。这些公司依靠瑞萨提供的专业技术知识和生产能力来满足日益增长的需求。我们面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片组解决方案，体现了瑞萨在这一市场领域的卓越地位。”　　瑞萨RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM，缓冲主机控制器与DRAM之间的命令/地址(CA)总线、芯片选择和时钟。与第一代产品相比，其功耗降低45%。这对于超高速系统的热管理而言是一个关键指标。RRG51020 Gen 2 MDB是MRDIMM中使用的另一个关键器件，用于缓冲从主机CPU到DRAM的数据。瑞萨的新MRCD和MDB均支持高达每秒12.8吉比特(Gbps)的速度。此外，瑞萨的RRG53220下一代PMIC提供出色的电气过压保护和卓越的能效，并针对高电流及低电压操作进行优化。
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发布时间：2024-11-22 09:23 阅读量：240 继续阅读>>
佰维特存推出工业级ECC DDR4 SODIMM<span style='color:red'>内存</span>条，守护极端环境下的工业存储需求
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佰维特存推出工业级ECC DDR4 SODIMM内存条，守护极端环境下的工业存储需求

　　为应对严苛环境下的数据存储挑战，近日，佰维特存推出工业宽温级ECC SODIMM内存条，精选宽温颗粒，数据速率达3200Mbps，容量覆盖4GB～16GB。产品通过抗硫化与稳定性测试，从容应对高温、低温、高湿度、强震动等恶劣环境，满足电力设备、电信设备、工控机、轨道交通、自助终端、医疗设备等场景对数据可靠、稳定存储的需求。　　【工业级宽温标准，严苛环境的可靠之选 】　　-严选宽温颗粒，4 corner全方位测试评估，耐受-40°C至85°C的极端温度;　　-通过ANSI/ISA-71.04-2013抗硫化认证，适应恶劣高污染环境;　　-产品经过TC、THB、HTOL、LTOL等严苛测试，确保长时间稳定运行。　　【ECC护航，构筑持久稳定存算系统】　　-先进ECC纠错技术，智能检测并修复数据错误，有效保障数据完整性;　　-严格遵循JEDEC设计规范，确保高可靠性;　　-助力存储系统稳定性和持久性，提升系统生命周期。　　【高效内存架构，释放强劲算力】　　-多容量可选(4GB、8GB、16GB)，满足不同应用场景;　　-数据速率高达3200Mbps，保障工业自动化数据高速传输;　　-多架构支持(1R×16，1R×8)　　【稳定内核，构建智能制造基石】　　-专为智能制造与AI领域设计，助力工业自动化高效落地;　　-内置温度传感器，实时监控温度，提升系统稳定性;　　-30μ"金手指镀金层厚度，高抗振抗冲击性能，满足工业设备严苛标准。
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发布时间：2024-11-15 13:31 阅读量：189 继续阅读>>
佰维存储推出新一代高效能LPDDR5X<span style='color:red'>内存</span>，加速高性能终端设备AI应用
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佰维存储推出新一代高效能LPDDR5X内存，加速高性能终端设备AI应用

　　根据IDC预测，到2024年底，全球内置GenAI功能的智能手机出货量将达2.342亿部，同比增长363.6%，占整体出货量的19%;到2028年，这一数字预计将增长至9.12亿部，2024年至2028年的年复合增长率将达到78.4%。这种快速增长反映了市场对智能化服务和用户体验升级的强烈需求。GenAI功能不仅提供更个性化和智能的服务，还对智能手机硬件提出了更高要求，包括高算力SoC和高速可靠的嵌入式存储器，以确保手机流畅运行。　　近日，佰维存储推出了新一代高效能内存——LPDDR5X，产品采用了1bnm制程工艺，与上一代产品相比，数据传输速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，容量为8GB、12GB、16GB(ES阶段)，为旗舰智能手机等终端设备提供卓越的性能与节能优势。　　01速率提升33%，加速高性能移动设备AI应用　　佰维LPDDR5X的数据传输速率高达8533Mbps，较上代产品提升33%。这一提升主要得益于LPDDR5X采用了更先进的时钟技术和电路设计，支持更高的时钟频率，从而实现更快的数据传输。同时，为了在更高的频率下保持信号的稳定性和可靠性，LPDDR5X引入了更先进的信号完整性和抗干扰技术。　　此外，LPDDR5X通过降低电压摆幅和采用更高效的驱动器和接收器设计，提高了信号的驱动能力和接收灵敏度，从而支持更高的数据传输速率。LPDDR5X还优化了内部时序参数，降低了CAS Latency，减少了数据访问等待时间，并通过改进行激活时间和行预充电时间，提高了整体效率，确保在高频率下仍能保持稳定和高效的数据传输，助力高性能移动设备AI应用。　　02功耗降低25%，更高能效提升设备续航能力　　佰维LPDDR5X采用了先进的1bnm制程工艺和创新的电路设计。产品通过降低辅助电源电压(VDD2)，减少了整体功耗。产品还进一步优化了动态电压和频率调节技术(DVFS)，可根据实际负载情况动态调整工作电压和频率，在低负载时降低电压和频率，从而显著减少功耗;在空闲时进入深度睡眠模式(Deep-sleep mode)，大幅降低功耗，延长电池寿命。　　此外，LPDDR5X引入了自适应刷新技术，可根据实际工作条件动态调整刷新周期。这使得内存可以在保持数据完整性的同时，减少不必要的刷新操作，从而降低功耗。这些技术改进共同确保了LPDDR5X在高性能移动设备和计算平台中的高效能和长续航能力。　　03先进测试能力加持，打造高品质与一致性　　DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试。佰维存储基于对半导体存储器的全维度深入理解，采用了行业领先的半导体测试机台Advantest T5503HS2，并结合自研的自动化测试设备，以及自研测试软件平台、核心测试算法，覆盖了从设计验证到量产测试的全过程。通过先进的测试技术和严格的品质控制流程，佰维存储能够有效识别和排除潜在的质量问题，确保每一颗LPDDR5X芯片在性能、可靠性和稳定性方面均符合严苛标准，打造产品的高品质和一致性。　　/ 结语 /　　佰维存储LPDDR5X内存凭借其显著提升的数据传输速率和更低的功耗，可为高端智能手机、笔记本电脑、5G设备等高性能设备提供卓越的操作体验，并助力其实现更长的电池续航和更高的整体性能。展望未来，随着端侧AI应用的不断普及和发展，本地实现流畅运行大模型对终端设备的存储能力带来更高要求，驱动存储提速、扩容。佰维存储将继续发挥其研发封测一体化布局优势，通过在存储芯片设计、解决方案研发、封测制造等领域的持续研发投入和技术创新，不断满足智能终端市场对更高性能、更低功耗、更高可靠性的存储解决方案的需求，助力客户提升产品竞争力。
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发布时间：2024-11-12 10:38 阅读量：300 继续阅读>>
<span style='color:red'>内存</span>的种类都有哪些?有什么区别
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内存的种类都有哪些?有什么区别

　　在计算机领域中，内存是一种关键的硬件组件，用于存储数据和程序代码，以便 CPU 快速访问。不同类型的内存具有各自独特的特点和用途，本文将详细介绍几种常见的内存类型及它们之间的区别。常见的内存类型　　1. RAM　　RAM 是计算机中最常见的内存类型之一，用于临时存储正在运行的程序和数据。RAM 可以快速读写数据，但是当电源关闭时数据会被清空。RAM 主要分为以下两种类型：　　DRAM(Dynamic RAM)：DRAM 需要定期刷新以保持数据的有效性，是最常见的 RAM 类型之一。　　SRAM(Static RAM)：相比 DRAM，SRAM 不需要刷新，速度更快，但成本更高，通常用于高速缓存。　　2. ROM　　ROM 是另一种类型的内存，其中的数据通常由制造商预设并固化在芯片中，用户无法直接修改。ROM 中的数据在断电后仍然保持不变，因此常用于存储启动程序和固件。　　3. EEPROM　　EEPROM 具有可擦写功能，允许用户多次写入和擦除数据，通常用于存储设备配置信息和小程序。　　4. Flash Memory　　Flash 存储器类似于 EEPROM，但更快、更便宜，广泛用于移动设备、SSD 和 USB 驱动器等应用。　　5. Cache Memory　　高速缓存内存在 CPU 和主内存之间起到桥梁作用，加快数据访问速度。Cache 分为多级，包括 L1 Cache、L2 Cache 和 L3 Cache 等。　　2.内存种类之间的区别　　1. 存储速度　　不同类型的内存具有不同的存储速度。例如，Cache Memory 是最快的，而 ROM 在读取数据时速度较慢。　　2. 数据保持性　　RAM 是易失性内存，关机后数据丢失，而 ROM 和 Flash Memory 是非易失性内存，数据可以长时间保持。　　3. 擦写能力　　EEPROM 和 Flash Memory 具有擦写能力，用户可以多次修改其中的数据，而 RAM 和 Cache Memory 只能暂时存储数据。　　4. 用途　　不同类型的内存用途各异，例如 RAM 用于运行程序，Cache Memory 用于提高数据访问速度，ROM 用于存储程序固件等。　　内存是计算机系统中重要的组件，不同类型的内存各有优劣，适用于不同的场景和需求。了解各种内存类型的特点和区别，可以帮助人们选择适合其需求的存储解决方案，并更好地理解计算机系统的工作原理。
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发布时间：2024-09-14 09:25 阅读量：484 继续阅读>>
详解DDR<span style='color:red'>内存</span>条测试座的性能优势及其适用范围
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详解DDR内存条测试座的性能优势及其适用范围

　　DDR内存条测试座是一种全新的内存测试工具，它具有应用范围广泛和性能优势的特点。本文欣同达从六个方面讨论DDR内存条测试座的性能优势及其适用范围：技术参数和特性、质量稳定性、操作简单性、安全性、性价比和普及度。　　一、技术参数和特性　　DDR内存条测试座具有先进的技术参数，可以满足不同类型的内存测试需求。它有一个高性能的ARM处理器，可以支持多个设备同时工作，以及支持大量处理器和控制器，用户可以根据自己的需求，定制不同的硬件配置和软件程序。此外，它还支持多种连接接口，如USB、PCIe、SATA、LPC等，可以快速接入各类设备，无论是普通的内存条，还是高级的内存条，都可以轻松接入。　　二、质量稳定性　　DDR内存条测试座的质量稳定性得到了充分的保障，采用先进的生产工艺，经过严格的质量检测，保证了产品的可靠性和稳定性。此外，它还使用可靠的材料，结构紧凑，重量轻，安装方便，使用寿命长，能够在多种恶劣环境中正常工作，从而有效地保证了整个系统的稳定运行。　　三、操作简单性　　DDR内存条测试座操作简单，采用了人性化的设计，让操作者能够快速上手，只需要几分钟就可以完成内存测试，而不用花费大量的时间和精力。此外，它还提供了一个友好的用户界面，可以让用户更方便地操作，更容易理解，更容易完成内存测试。　　四、安全性　　DDR内存条测试座采用了严格的安全策略，专为内存测试设计，采用多种电子锁，保证了系统的安全性。此外，它还采用了高精度的测试技术，可以保证测试结果的准确性，以及支持多种安全技术，如电子防火墙、口令保护等，可以有效地防止恶意攻击，保证系统的安全性。　　五、性价比　　DDR内存条测试座价格合理，性价比极高，可以有效满足不同用户的不同需求，无论是个人用户还是商业用户，都可以轻松购买到一款合适的内存测试座。此外，它还支持多种折扣优惠，可以有效降低用户的购买成本，为用户节约更多的费用。　　六、普及度　　DDR内存条测试座的普及度很高，它受到了广泛的使用，不仅广泛应用于个人用户，还被商业用户所采用，如电脑制造商、芯片制造商等。此外，它还支持多种国际标准，可以在全球范围内使用，为用户提供更加优质的内存测试服务。　　综上所述，DDR内存条测试座具有技术参数和特性优越、质量稳定性高、操作简单性强、安全性高、性价比高、普及度高等优势，可以满足不同类型的内存测试需求，是一款十分优秀的内存测试工具。此外，DDR内存条测试座也可以提供故障诊断、热插拔等功能，增强了其实用性，为用户提供更加优质的内存测试服务。
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发布时间：2024-07-17 15:27 阅读量：414 继续阅读>>
<span style='color:red'>内存</span>和SDD价格或再涨20%！
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内存和SDD价格或再涨20%！

　　6月4日消息，近日，PC厂商戴尔透露，预计今年内存和固态硬盘价格将再升20%。　　戴尔公司首席运营官杰夫-克拉克(Jeff Clarke)表示，大部分市场需求将围绕功能强大的人工智能服务器展开，这些服务器需要高带宽内存和高速内部及外部存储。　　预计今年下半年固态硬盘和DRAM的成本将增加15%至 20%，对于厂商来说，则要把压力转嫁给买家。　　DRAM和NAND芯片行业陷入动荡已有一段时间。2023年，芯片制造商发现自己面临着库存过剩的问题，这导致固态硬盘和内存价格屡创新低，虽然这对消费者来说是好事，但对企业来说就不是那么美好了。　　几家制造商在今年下半年缩减了生产规模以帮助纠正库存问题，但根据戴尔的最新警告，他们似乎做得太过分了，现在要解决的问题恰恰相反：需求太多，供应不足。
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发布时间：2024-06-04 13:33 阅读量：464 继续阅读>>
TDK 推出增强型嵌入式电机控制器，<span style='color:red'>内存</span>、功率和可靠性均有提升
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TDK 推出增强型嵌入式电机控制器，内存、功率和可靠性均有提升

　　•可提供4 x 1 A 峰值电流，适用于驱动无刷直流(BLDC)、有刷直流(BDC)和步进电机　　•采用 4 KB SRAM、2 KB EEPROM(32 KB)和 64 KB 闪存设备　　•SEooC ASIL B 级，符合 ISO 26262 标准，可支持功能安全应用场景　　TDK 株式会社(TSE：6762)进一步扩充 Micronas 嵌入式电机控制器系列 HVC 5x，完全集成电机控制器与 HVC-5222D 和 HVC-5422D，以驱动小型有刷(BDC)、无刷(BLDC)或步进电机。*与热门型号 HVC 5221D 相比，此系列已实现显著增强，驱动电流、SRAM 加倍，EEPROM 是原来的四倍，同时可保持引脚兼容。样品现可供客户评估。计划于 2025 年第一季度投产。　　最新款电机控制器型号 HVC 5222D 和 HVC 5422D 分别提供 32 KB 和 64 KB 的扩展闪存容量，BLDC 和步进电机支持高达 1 A 的电流，直流电机支持高达 2 A 的电流，外加先进的电机专用功能，例如针对微步进和集成相位电压比较器的电流编程、虚拟星点，以及面向基于传感器和无传感器电机控制的电流检测放大器等，符合 ISO26262 标准，并适用于 ASIL 应用。　　HVC 系列已扩充至包含 9 个完全集成电机控制器，配备 3 到 6 个电机端口输出，能够提供从 500 mA 到 2 A 的峰值电流。每台设备均由 32 位 Arm® Cortex®-M3 CPU 内核供电，提供 32 KB 或 64 KB 闪存选项。这些设备配备了用于多种测量的 12 位 1-µs ADC，可以无缝集成 TDK 的霍尔传感器和 TMR 传感器。此外，HVC 系列设备配有用于通信的 LIN 收发器和 UART，支持通过总线分流方法(BSM)进行自动寻址，从而增强其在各种应用中的适应性。此系列还支持通过 LIN 通信引脚进行 PWM 控制。所有 HVC 设备均已通过汽车 AEC-Q100 标准的一级温度认证，能够确保可靠性，并满足功率要求高达 30W 的汽车和工业应用。
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发布时间：2024-04-09 11:40 阅读量：487 继续阅读>>
三星独家供货英伟达12层HBM3E<span style='color:red'>内存</span>
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三星独家供货英伟达12层HBM3E内存

　　据媒体报道，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E，后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。在日前的GTC 2024中，黄仁勋曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证(JENSEN APPROVED)"的签名。SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。　　今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H(12层堆叠)HBM3E DRAM内存。　　据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。　　同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。　　在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。　　据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20 petaflops的AI性能。
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发布时间：2024-03-25 16:30 阅读量：805 继续阅读>>
传英伟达向SK海力士和美光大量预购HBM3<span style='color:red'>内存</span>
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传英伟达向SK海力士和美光大量预购HBM3内存

　　据消息人士透露，英伟达除了大量预定台积电产能外，还投入了巨资以确保其 HBM3 内存的供应。该公司从美光和 SK 海力士那里预购了价值介于 700 亿至 1 万亿韩元的 HBM3 内存。虽然目前没有公开关于这些款项具体用途的信息，但业内人士普遍认为这是为了确保 2024 年 HBM 供应的稳定。　　此外，还有业内人士透露，三星电子、SK 海力士、美光三大存储公司明年的 HBM 产能已完全售罄。业内人士预计，在AI领域半导体公司的激烈竞争推动下，HBM市场有望在未来两年内迎来爆发式增长。　　据悉，英伟达正在筹备两款搭载HBM3E内存的新品：分别是配备高达141GB HBM3E内存的H200 GPU和GH200超级芯片。这两款产品的推出无疑将进一步提升英伟达对HBM内存的需求。　　H200 是目前世界上最强的 AI 芯片，也是世界上首款采用 HBM3e 的 GPU，基于 NVIDIAHopper 架构打造，与 H100 相互兼容，可提供 4.8 TB/s 速度。　　在人工智能方面，英伟达表示，HGX H200 在 Llama 2(700 亿参数 LLM)上的推理速度比 H100 快了一倍。HGX H200 将以 4 路和 8 路的配置提供，与 H100 系统中的软件和硬件兼容。它将适用于每一种类型的数据中心(本地、云、混合云和边缘)，并由 Amazon Web Services、Google Cloud、Microsoft Azure 和 Oracle Cloud Infrastructure 等部署，将于 2024 年第二季度推出。　　英伟达一直是人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域的领先者。英伟达的决策表明其对高带宽内存(HBM3)供应的重视，这将有助于确保其未来产品的高性能和竞争力。
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发布时间：2024-01-02 16:50 阅读量：1412 继续阅读>>
三星计划于2025年推出新一代<span style='color:red'>内存</span>HBM4
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三星计划于2025年推出新一代内存HBM4

　　三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。　　他透露，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF(非导电粘合膜)组装技术和HCB(混合键合)技术，以应用于该产品。　　此外，三星还计划提供尖端的定制交钥匙封装服务，公司今年年初为此成立了AVP(高级封装)业务团队，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。　　行业机构预测，2023年HBM需求量将年增58%，2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而备受青睐，存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。　　虽然HBM4技术将有重大突破，但它的推出时间并不会很快，因此讨论其应用和普及还为时过早。业内人士指出，当前HBM市场主要以HBM2e为主，未来HBM3和HBM3e将成为主流。　　据悉，HBM芯片是一种高带宽内存芯片，被广泛应用于高性能计算、数据中心、人工智能等领域。HBM芯片采用3D堆叠工艺，将多个DRAM芯片堆叠在一起，以实现更高的内存带宽和容量，同时减小了芯片面积，降低了功耗和成本。
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发布时间：2023-10-13 09:20 阅读量：1372 继续阅读>>

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