士兰微AI服务器<span style='color:red'>电源</span>全链功率半导体解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit
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士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit

　　4月10日，2026 Open AI Infra Summit在北京举行。大会群英荟萃，来自行业的院士专家、领军企业共聚一堂，聚焦MW级算力系统以及GW级数据中心的核心热点议题，分享交流宝贵经验，共商算力集群部署的关键瓶颈，为AI算力发展贡献一份力量。　　士兰微受邀出席本次峰会，士兰微电子系统应用专家胡豆豆发表以《算力引擎·功率领航 | 士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案》为题的讲演，向与会的专家学者、友商、用户们分享了士兰微AI数据中心供电的全链路功率半导体解决方案。　　针对当前50Vdc母线的AI数据中心的供电架构，士兰微提出了高度匹配的立体化产品矩阵：在前段高压的HVDC部分，士兰微提供业界领先的1200V、650V SiC MOSFET，助力高压高效转换;在PSU部分，士兰微针对5.5kW功率段推出的整套方案包含650V SiC MOSFET(料号为SCDP65R040NB2LB)、600V DPMOS(料号为SVSP60R022LBS5)、80V LVMOS(料号为SVGP081R8NL5-3HF)，该方案表现亮眼，已助力服务器电源客户实现97.5%效率，在LV IBC、VRM和热插拔等应用，士兰微推出各电压等级的低压MOSFET、宽SOA MOSFET、多相控制器、DrMOS、POL、eFuse方案。　　而随着AI数据中心供电向800Vdc母线演进，针对SST应用、HV IBC应用，士兰微的配套功率器件方案包含2300V、1200V SiC MOSFET、各电压等级的低压MOSFET。以上覆盖各应用场景的功率器件解决方案构成了“从电网到核心”的完整方案链条，保障数据中心能源供应的高效稳定。　　展望未来，AI日新月异，算力浪潮奔腾不息，士兰微将持续深耕数据中心供电领域，迭代推出更高性能的半导体集成电路产品与解决方案，与行业伙伴携手，共同为下一代算力基础设施提供强劲、高效、可靠的“芯”脏动力。
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发布时间：2026-04-30 11:01 阅读量：394 继续阅读>>
海凌科30W(LD)<span style='color:red'>电源</span>模块
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海凌科30W(LD)电源模块

　　在智能设备、工业控制和通讯设备的开发中，电源模块的体积和稳定性往往是设计的核心挑战。你是否曾因为电源尺寸偏大而不得不“放大”产品外壳?是否担心电源在复杂电网环境下工作不稳?海凌科最新推出的30W(LD)系列模块电源，正是为解决这些痛点而生。　　一、产品概述　　30W(LD)系列是海凌科电子为客户打造的新一代紧凑型开关模块电源。该系列包含七款型号：　　覆盖从5V到48V的常见电压需求。　　模块外壳尺寸为69.5×39×24mm，在同类产品中实现了领先的体积控制。采用高品质环保防水导热胶灌封，不仅防潮、防振，更满足IP65防水防尘标准，可在潮湿、多尘等环境下稳定工作。　　参考资料：海凌科30W(LD)系列电源模块规格书　　二、技术亮点　　1. 全球通用输入，适应性强　　支持85～305Vac超宽输入电压范围，同时兼容100～430Vdc直流输入。适用于全球绝大部分地区。空载损耗低于0.15W，符合绿色环保要求。　　模块外壳尺寸为69.5×39×24mm，在同类产品中实现了领先的体积控制。采用高品质环保防水导热胶灌封，不仅防潮、防振，更满足IP65防水防尘标准，可在潮湿、多尘等环境下稳定工作。　　参考资料：海凌科30W(LD)系列电源模块规格书　　二、技术亮点　　1. 全球通用输入，适应性强　　支持85～305Vac超宽输入电压范围，同时兼容100～430Vdc直流输入。适用于全球绝大部分地区。空载损耗低于0.15W，符合绿色环保要求。　　智能家居　　智能窗帘、智能门锁、网关、传感器节点等设备需要长期在线且内部空间有限。30W(LD)模块可直接嵌入86盒或设备内部，为MCU、Wi-Fi模块、电机驱动提供稳定的5V/12V电源。IP65防护等级也适用于厨房、浴室等潮湿环境。　　工业自动化　　PLC、工业仪表、电机驱动器、报警器等设备对电源的抗干扰能力和可靠性要求严苛。模块确保在工厂电网谐波、雷击浪涌环境下依然稳定输出。工作温度-40℃～+85℃，满足机柜使用需求。　　通讯设备　　路由器、交换机、基站设备、光纤收发器需要高效率、低纹波的电源。30W(LD)系列的低纹波特性可保障高速信号传输的稳定性。同时，其紧凑的外形有利于高密度PCB布局，节省设备内部空间。　　仪器仪表　　医疗设备、环境监测仪、电力仪表对电源的安全隔离要求较高。模块的2000Vac隔离耐压和UL/CE设计符合安规标准，降低系统设计难度，大大提升整机可靠性。　　LED照明与商业显示　　24V/48V型号可直接为LED灯带、广告屏供电。85～305Vac宽压输入适应全球电网，无需跳线切换，便于出口设备的设计。　　四、总结　　海凌科30W(LD)系列模块电源，以紧凑的体积、超高的效率、超宽的输入三大核心优势，为智能硬件开发者提供了“空间友好、性能强悍”的供电方案。它简化了电源设计流程，缩短了产品上市周期，同时保证了长期运行的稳定性和安全性。无论你是在开发下一代智能家居产品，还是升级工业控制设备，30W(LD)系列都是值得信赖的选择。海凌科提供完整的技术支持文档，助你快速完成产品落地。
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发布时间：2026-04-28 09:43 阅读量：314 继续阅读>>
车规<span style='color:red'>电源</span>防护再添48V架构利器！思瑞浦多款全新理想二极管控制器
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车规电源防护再添48V架构利器！思瑞浦多款全新理想二极管控制器

　　汽车智能化发展带来零部件功率增加、供电网络复杂等挑战，其中电源防反灌是供电安全必不可缺的一环。传统二极管防反因其导通压降的存在，导致大电流下功耗高的问题，用PMOS构建防反电路存在成本高、选型难的现状。通过驱动控制+成本较低的NMOS构建的“理想二极管”成为优势显著的防反解决方案，这种驱动控制芯片即“理想二极管控制器”。　　思瑞浦理想二极管控制器芯片已规模化上车，量产突破1000万片，为汽车电源系统提供可靠保障。今年将同步推出多款全新理想二极管控制器产品，全面覆盖12V/24V/48V电池系统，适配更多元应用架构，包括理想二极管+热插拔、电源合路、MOS背靠背等，精准满足防反灌、抛负载等汽车实际应用需求。　　图1、思瑞浦理想二极管控制器产品路线图　　表1、思瑞浦理想二极管控制器产品列表　　TPW80R01Q　　电压、电流快速防反灌，多种保护集一身　　应用：智能座舱、车灯、T-Box、域控、DCDC等　　随着汽车应用功能安全要求逐渐提高，器件自身需要具备的诊断要求也逐渐提高，思瑞浦为满足市场应用需求，推出具备背靠背双MOS驱动、超低静态功耗、支持限流关断和48V电源架构的理想二极管控制器TPW80R01Q。该型号同时增加了多个电路保护功能，除了支持防反向电压电流外，还增加了输入欠压/过压、输出过流、过温和短路等保护响应。其在使能关断静态电流只有2.5uA、休眠电流(EN为高, SLEEP为高) 仅有6uA以及500uA的静态工作电流，对供电系统十分友好。　　图2、TPW80R01Q典型应用设计　　关于48V电池系统，LV148和VDA320中定义的静态电压范围要求能够满足60V的电击防护(Protection against electrical shock)电压。在ISO 21780中定义48V系统也需要满足60V的电压上限(Upper overvoltage range)要求，且关于器件的耐压要求能够满足在70V电压下维持40ms不损坏。　　理想二极管控制器作为模块供电最前端防护器件，TPW80R01Q将供电耐压提升至80V，并可支持最大100V电压冲击，预留充足保护余量，为系统电源链路筑牢第一道可靠防线。　　图3、ISO 21780中关于器件耐压的测试　　TPS65R01Q　　导通电压低、电流快速防反灌　　应用：ADAS、座舱、车灯、整车控制器等　　作为思瑞浦的首款车规级理想二极管控制器，TPS65R01Q在防止电源倒灌上表现优异。其控制的NMOS正向导通压降达到最小20mV，与普通肖特基二极管相比，可显著降低功率损耗。支持3.2V~60V的宽工作电压范围，可承受最大−65V的反向电压。当检测到供电出现超过−11mV的反向电压时，TPS65R01Q会在700ns 内关断NMOS，确保前级电源不会受到反向电流影响。TPS65R01Q在ADAS、座舱、车灯和车身域控等应用已实现规模上车，现已累计出货超1000万片。　　图4、TPS65R01Q电源合路供电应用　　TPW65R10Q/TPW80R10Q　　支持电流回传　　应用：车身控制模块、车载娱乐系统等　　在汽车应用中有感性负载模块，比如马达电机，需要前级供电的控制模块支持负载端电流回流到源端，这种情况就需要支持电流回传的理想二极管控制器。支持电流回流特性的TPW65R10Q继承了TPS65R01Q的低功耗(50uA工作电流)特性，同时推出的TPW80R10Q能够支持3.2V~80V工作电压和-80V反向电压，应对48V电池系统更高耐压需求。　　图5、需要支持电流回传应用　　TPW65R12Q/TPW80R12Q　　支持电流回传，可关断负载　　应用：ADAS、车灯、T-Box等　　由于MOS管体二极管(寄生二极管)的存在，导致在控制关断单个MOS供电时，电压会从体二极管导通到负载端，对于汽车上需要休眠降低功耗的部件无法完全关断输出。TPW65R12Q/TPW80R12Q支持2个MOS管“背靠背”设计，在需要下电时可控制关断输出，达到低电耗的要求。　　思瑞浦理想二极管控制器在能效、保护能力、工况适配性和系统设计便捷性上实现全面突破，可满足现代汽车电子对低功耗、可靠、小型化需求，同时适配新能源汽车、自动驾驶等新兴场景下的大功率、大电流工作要求，为汽车电源系统升级提供坚实支撑与优选方案。　　思瑞浦始终致力于解决客户痛点，针对各类汽车模块与部件需求，打造系列化、高可靠的理想二极管控制器产品矩阵。在48V新电源架构趋势下，思瑞浦基于COT工艺模式，依托60V高压BCD自有工艺平台，将器件最大耐压提升至100V，为48V电池系统提供可靠保障。思瑞浦通过全栈技术整合能力、严格车规级品质保障和本土化深度服务，助力客户在汽车领域实现性能、成本、可靠性的三重跃升。
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发布时间：2026-04-21 10:19 阅读量：401 继续阅读>>
瑞萨丨技术干货 借助GaN双向开关革新<span style='color:red'>电源</span>设计
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瑞萨丨技术干货 借助GaN双向开关革新电源设计

　　随着全球电源需求正出现前所未有的激增，设计人员不断面临挑战，需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸，并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓(GaN)以其优越的半导体特性，正在推动一场变革，引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。　　高电压GaN双向开关(BDS)通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断，从而助力打造更加高效、紧凑且更具成本效益的功率转换器。 此类开关支持创新的单级功率变换器拓扑结构，从而在AI数据中心基础设施、太阳能微型逆变器、电池系统以及汽车车载充电器等应用中减少了元器件数量并提高了效率。　　单级功率转换　　利用瑞萨GaN BDS，设计人员可以摒弃带电解直流母线电容的传统两级式交流/直流转换器，实现元器件更少、重量更轻、效率更高的单级拓扑结构。 此类拓扑支持双向能量流动，对于交流/直流转换和直流/交流逆变器均十分有用。这些设备还实现了非隔离多电平T型中点钳位(T-NPC)拓扑(如Vienna整流器)。这类拓扑具有更低的传导损耗，并且适用于三相AI基础设施和电机驱动器，同时提供双向流动特性并能降低EMI。　　Figure 1. Renesas GaN BDSs enable innovative topologies such as single-stage AC/DC converters, resulting in lower part count for smaller, lighter, more efficient power systems　　瑞萨电子的TP65B110HRU 650V、110mΩ高电压GaN双向开关可在单个器件中同时阻断正向和反向电流，与传统单向硅基或碳化硅开关相比，能够以更少的元器件实现更高效率的单级功率转换。该器件减少了开关数量并省去了太阳能微型逆变器中的中间直流母线电容，根据美国加州能源委员会(CEC)标准，其功率转换效率可达97.5%以上。　　这些创新的D模式氮化镓BDS产品具有650V连续电压额定值、低导通电阻、顶部散热的表面贴装封装(集成硅基MOSFET)，并与标准栅极驱动器兼容。对于设计人员来说，只要使用标准驱动器和简单的栅极电阻，驱动D模式氮化镓器件就和驱动硅基MOSFET一样简单。这与E模式氮化镓形成鲜明对比——后者需要额外元器件，不仅占用更多电路板空间，还会增加物料清单(BOM)成本和驱动损耗。　　Figure 2. GaN BDS implementation in a solar microinverter application and TP65B110HRU efficiency curves at different panel voltages, reaching 97.5% CEC efficiency　　该GaN BDS具有快速开关特性，以及清晰的波形和出色的效率(在太阳能微型逆变器中最高可达97.5%)。产品通过了JEDEC和其他针对氮化镓的可靠性标准测试(包括交流和直流偏置测试)，确保满足工业和汽车应用的稳健性要求。您可以在评估板用户手册和氮化镓BDS技术白皮书中阅读有关性能测试和资格认证的更多信息。　　亲自使用GaN BDS评估板来评估这些新型开关，测试不同的驱动选项，进行交流过零检测，并实施ZVS软开关。我们还将GaN BDS与其他兼容组件相结合，开发了系统级解决方案，以实现优化且低风险的设计，从而加快各类电力电子应用中的产品上市速度，其中包括500W太阳能微型逆变器、3.6kW功率因数校正(PFC)Vienna整流器以及多种单级家用电器。　　深入了解TP65B110HRU GaN双向开关及其在高能效电源系统中的应用，并阅读我们的白皮书以进一步了解该技术的架构设计及部署优势。
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发布时间：2026-04-21 09:38 阅读量：403 继续阅读>>
4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效<span style='color:red'>电源</span>新方案
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4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
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发布时间：2026-04-10 09:29 阅读量：425 继续阅读>>
萨科微AC-DC芯片UC3843AC<span style='color:red'>电源</span>应用方案
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萨科微AC-DC芯片UC3843AC电源应用方案

　　为了方便广大电子硬件工程师用好萨科微的产品，为客户提供配套的技术服务，为客户创造价值，萨科微推出反激开关电源UC3843AN应用电路等系列方案：　　　　 名称：萨科微AC-DC芯片UC3843AC电源应用方案　　 UC3843AN是开关电源用电流控制方式的脉宽调制集成电路。与电压控制方式相比在负载响应和线性调整度等方 面有很多优越之处。　　　　产品特点;　　内含欠电压锁定电路;　　低起动电流(典型值为 70uA );　　稳定的内部基准电压源;　　大电流推挽输出(驱动电流达 1A );　　工作频率可到 500kHz ;　　 自动负反馈补偿电路;　　双脉冲抑制，较强的负载响应特性。　　输出电平兼容TTL,DTL,ECL,MOS和CMOS逻辑系统　　图一　　图二　　图三 萨科微UC3843AN应用在120W开关电源反面　　图四 萨科微UC3843AN应用在120W开关电源正面　　应用原理：220V交流电压经C2、L1 C31的 EMI滤波，由D14桥式整流，C15滤波后产生大约310V的直流电压。该电压一路通过T1初级绕组①、②加到开关管漏极(D);另一路经过启动电阻R12 R16 R17加至U2(UC3843AN)的供电端⑦脚，使U2输出端⑥脚产生约15V的正向脉冲，通过R6去驱动开关管的栅极，使开关管导通。在开关管导通的同时，开关变压器T1的反馈绕⑤，⑥感应出上正、下负的感应电压，通过D1、R23、C22整流滤波，产生约18V的正电压并加至UC3843AN的供电端⑦脚，使U2、开关管工作于正常的开关状态。开关管导通时T1储能，开关管截止时T1释放储能。这时T1次级感应出上正、下负的感应电势，经D3、C12、C13、C14整流滤波后得到+24V直流电压。　　原理图中：C3、R26、R27、D13组成开关管的尖峰吸收保护网络，萨科微AC-DC芯片UC3843AN开关电源的稳压过程：U2的③脚是电流检测端，用于检测开关变压器初级和开关管的电流，如果电网电压升高，则开关变压器初级电流就要上升，流过采样电阻R4的电流就会增加。那么U2的③脚电位将会升高，导致输出端⑥脚控制脉冲宽度变窄，开关管的导通时间缩短，流过开关变压器的初级电流将会下降，从而达到稳压的目的。这也是萨科微半导体在AC-DC产品卖的火热的原因，很多小伙伴咨询这个芯片怎么用，外围电阻如何选型，下面是这颗芯片的规格书参数，起动电流Ist。　　上图为萨科微UC3843AN规格书客户在www.slkormicro.com下载规格书，这 里我设计的启动电流为(310V-8.4V)/100k=3.1mA大于芯片启动电流,萨科微UC3843AN正常开启。该芯片70uA时候就可以起动并且功耗很低。　　图二为萨科微整流桥MSB40M，这颗芯片最大平均整流电流达到4A 耐压1KV，峰值浪涌电流8.3mS，9.5A，在电源产品热销，抗浪涌能力强。电路在前端设计加了EMI电路防浪涌设计，因此改整流桥在这里非常合适。在开关电源里面会用到萨科微半导体很多产品，还有尖峰吸收电路里面的快恢复二极管RS5MB耐压1KV反向恢复时间(Trr)只有500ns,整流电流5A，能为MOS管 关断时候提供更好的泄放路径。　　在变压器输出端用了一颗萨科微高功率肖特基二极管MBRF20200CT采用TO-220F封装，是一个共阴极肖特基整流二极管，每个通道10A，最大20A,在120W开关电源，输出24V在5A时候，该肖特基二极管在TA=25°C环境，0.8*5=4W，根据萨科微这颗规格书提到芯片到外壳RθJC为4°C/W那么4*4=16℃°，在120W/24V=5A情况下，实际芯片内部温度很高，必须加散热片来降低外壳到环境的热阻。公式TJ=TC+P*RθJC，这里TC是环境温度。萨科微MBRF20200CT是一个共阴极双10A的肖特基二极管，外加散热片，在应对中高功率开关电源整流时候也非常合适。　　图二变压器选型和计算，反激开关变压器匝数与输出关系式。　　VOUT=NS/NP*D/(1-D)*Vin这里宽压输入(85-265VAC)占空比取0.45左右，开关频率52KHZ,NS/NP=7/56=1/8　　这里初级匝数NP为56次级匝数NS为7辅助匝数5(副绕组提供13-15V)反馈输出电压计算公式为2.5V(1+R1/R2)=2.5V(1+44K/5.1K)=24V　　采用萨科微TL431配合光耦萨科微PC817B作为参考、隔离、取样，电路中将萨科UC3843AN内部的误差放大器反向输入端2脚直接接地，PC817B的三极管集电极直接接在误差放大器的输出端1脚，跳过芯片内部的误差放大器，直接用1脚做反馈，然后与电流检测输入的第3脚进行比较，通过锁存脉宽调制器输出PWM驱动信号。当输出电压升高时，经电阻R9，R10分压后输入到TL431的参考端的电压也升高，此时流过光耦中发光二极管的电流增大，PC817B三极管集射级电压减小，UC3843AN的6脚输出驱动信号占空比减小，输出电压下降达到稳压的目的。当电源过载或者短路时候1脚电压低于1V,UC3843AN 就会关闭6脚输出 ，从而保护电源。萨科微规格VI(MAX)最大输入信号是指电流检测比较器的阀值电压(3脚)，当1脚为5V时候电流检测阀值为1V，低于1V时候阀值会更低。　　图三和图四是demo应用PCB设计，萨科微技术支持给工程师的建议：开关电源PCB主要注意安规间距设计，功率回路要短!保险丝前面电气距离大于2.5mm和保险丝后面的功率和低压部分大于2mm，初次级绕组爬电间距大于4.6mm，光耦下面做挖槽增加爬电距离。可以看到这个电源板上面已经有60%的元器件是用的萨科微品牌的包括快恢复二极管 ，MOS管，超快恢复肖特基二极管，整流桥，普通整流二极管，光耦，TL431等，说明萨科微半导体产品稳定性非常好!　　萨科微UC3843AN反激电源120W应用DEMO：　　萨科微(www.slkormicro.com)半导体为了终端客户、代理商方便使用“slkor”品牌的新产品，加强对客户的配套技术服务，接下来萨科微半导体会推出一系列DEMO应用产品。萨科微 芯动未来!　　萨科微slkor(www.slkormicro.com)技术团队来自清华大学，是国家级高新技术企业，较早研发出碳化硅功率器件，发展成为集研发、设计、销售和应用技术服务于一体的公司，企业文化有包容性、开放性和创新性。“SLKOR”品牌已在国际上拥有知名度、美誉度，市场占有率持续攀升，取得ISO9001体系和RoHS、REACH、加州65等认证。　　萨科微在北京和苏州设有研发机构，深圳总部附设实验室和中心仓。主要产品有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片三大系列，逐步推研制霍尔传感器、ADC、BMS、高速光耦、无源晶振等新产品，应用在智能手机、手提电脑、机器人、电动工具、车联网、3C数码、万物智联等行业，与全球二万多家合作伙伴携手共进!在电源管理芯片产品的领域，萨科微DC-DC电源芯片以高效率和稳定性备受市场青睐，热销型号如LM2596S-5.0、LM2596S-ADJ、LM2596S-12，以及LM2575S-5.0、LM2576S-5.0，广泛用于通信设备与消费电子;线性稳压器(LDO)方面，LM317与SL4949为供电提供了可靠保障;在功率器件领域，晶闸管(可控硅)系列如BTA16-800B、BTA12-600B、BTA41-800B、BTA08-800B，以及场效应管(MOSFET)SL9945、IRFR5305，共同构成了强大的功率处理阵容。此外，驱动与接口芯片如栅极驱动芯片SL27524、SL27511，逻辑输出光耦6N137S、SLM601，RS232芯片SL3232E，晶体管输出光耦SL247N，以及功率电子开关BSP75N，可以平替TI德州仪器UCC27511、ST意法半导体、Infineon英飞凌、RENESAS瑞萨PS2801C-4-F3-A/M、ON安森美等品牌和型号，以稳定性能服务于医疗设备、电池供电设备及车载定位等领域。　　“萨科微，芯动未来”，萨科微官网(www.slkoric.com)已经打造成为半导体同行学习交流的平台，“slkor”品牌在世界范围有了知名度和美誉度，公司的愿景是经过三十年不懈努力，发展成为“半导体行业的领军企业”!另外要告诉大家，金航标电子和萨科微半导体已经搬迁到深圳市龙华区龙华街道油松社区利金城中心T2栋18层，谢谢大家成就以来的关心和支持，萨科微近年来才可以发展迅速，欢迎大家来做客交流!
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发布时间：2026-04-09 09:38 阅读量：493 继续阅读>>
海凌科电子丨大功率DC-DC<span style='color:red'>电源</span>：为工业设备注入强劲动力
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海凌科电子丨大功率DC-DC电源：为工业设备注入强劲动力

　　在现代电子设备中，电源模块就像人体的心脏，负责为整个系统稳定供血。而在工业、通信、轨道交通等高可靠性场景中，大功率DC-DC电源更是不可或缺的核心部件。它们需要在高电压、宽范围、恶劣环境下稳定运行，同时还要兼顾效率、体积和散热。　　一、大功率电源　　大功率DC-DC电源是一种能够将宽范围输入电压高效转换为稳定直流输出的供电模块，通常功率在几十瓦到数百瓦以上。它广泛应用于工业控制、轨道交通、通信基站、医疗设备及军工等领域，要求具备高转换效率、宽工作温度、高隔离电压及完善的保护功能(如过压、过流、短路保护等)，以满足严苛环境下的长期可靠运行需求。　　砖块电源为其中一种大功率电源，它是指按照行业标准尺寸设计的模块化电源，常见的有全砖、半砖、1/4砖和1/8砖等规格。它们采用标准化封装，便于集成和散热设计，尤其适合对空间和可靠性要求严苛的场景。　　海凌科的大功率DC-DC半砖和1/4砖电源输入电压覆盖9-36V、36-75V、43-160V、66-160V、180-425V乃至300-900V等多个宽压范围，输出电压从5V到48V，功率范围从100W到600W。所有产品均采用稳压单路输出，无最小负载要求，可在-40℃至+105℃的严苛温度下稳定工作。　　二、半砖与1/4砖系列　　1. 半砖系列　　海凌科半砖DC-DC模块主要面向中高功率需求，功率覆盖100W至600W。根据输入电压范围，可分为多个子系列：　　低压输入系列：输入9-36V、16-40V和36-75V，输出功率最高600W，典型型号如300W输出的300H-24S24A，典型效率高达90%以上，适用于电池供电或车载设备。　　高压输入系列：输入43-160V、66-160V，功率最高400W，广泛用于轨道交通和工业控制。例如400W输出的400H-110S24，输入66-160V，输出24V/16.6A，典型效率达90%。　　超高压输入系列：输入180-425V或300-900V，功率最高350W，适用于光伏、电力等高电压场景。　　2. 1/4砖系列　　1/4砖系列体积更小，适合空间受限但功率需求较高的场景，功率覆盖50W至250W。海凌科的1/4砖产品同样提供多种输入范围：　　宽压输入：14-160V、43-160V等，典型型号如200Q-110S24，输入66-160V，输出24V/200W，典型效率高达90%。该型号专为铁路应用设计，符合EN50155标准，具备高隔离电压(输入-输出3000VAC)。　　超宽输出范围：支持5V、12V、15V、24V、28V、48V等多种电压。　　3.型号解读　　以“200Q-110S24”为例：　　开头的数字“200”代表输出功率为200W;　　紧随其后的字母“Q”表示该产品为1/4砖系列(若为“H”则代表半砖系列);　　末尾的数字“24”表示输出电压为24V;　　若型号尾缀带有字母“A”，则代表该产品具备4:1的宽电压输入范围。　　这两个系列模块均标配输入欠压保护、输出过流、过压、过温、短路保护，并支持远程遥控、远端补偿和输出电压调节功能，满足复杂系统的灵活设计需求。　　三、应用场景　　海凌科大功率DC-DC电源模块凭借高可靠性和宽适应性，在多个关键行业得到广泛应用：　　轨道交通：列车系统对电源的可靠性要求极高。海凌科的半砖和1/4砖产品符合EN50155铁路标准，具备宽压输入(66-160V)和高隔离电压，广泛应用于列车控制系统、信号设备、车载显示屏等。　　电力系统：在变电站、储能设备、光伏逆变器中，高压输入(如300-900V)的电源模块可将高压直流转换为低压稳定电源，为监控、通信和保护装置供电。　　通讯设备：基站、交换机、路由器等需要高效率和宽压输入的电源模块，海凌科9-36V和36-75V输入产品可满足供电架构和电池备份场景。　　医疗设备：医疗仪器对电源的安全性和稳定性要求严苛。高隔离电压、低纹波噪声的特性，使其适用于影像设备、监护仪、手术机器人等。　　四、总结　　海凌科电子依托多年电源研发经验，结合严格的品质管控，为用户提供性能优异、可靠性高的大功率DC-DC砖块电源。除了半砖和1/4砖系列外，海凌科还拥有全砖、1/8砖等多种规格，以及AC-DC电源模块、定制电源等丰富的产品线，可满足不同场景的多样化需求。未来，海凌科将继续深耕电源技术，不断推出更高效、更紧凑、更可靠的电源解决方案，为中国高端制造注入源源不断的动力。
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发布时间：2026-04-02 10:49 阅读量：544 继续阅读>>
数字<span style='color:red'>电源</span>算法配置工具DPACT——重新定义<span style='color:red'>电源</span>开发，效率提升触手可及
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数字电源算法配置工具DPACT——重新定义电源开发，效率提升触手可及

　　小华半导体数字电源算法配置工具(DPACT)是一款基于公司丰富参考设计方案，专为电力电子控制算法开发而设计的图形化开发工具。该工具深度集成XHCODE底层配置环境，支持用户以图形化方式，快速在现有参考设计算法基础上完成定制化开发，高效生成符合项目需求的算法程序;用户几乎不需要懂电力电子算法、显著降低开发门槛、缩短产品上市周期、既提升开发效率又提升电源转换效率。　　1. DPACT特色与优势　　多样化拓扑支持与代码快速生成：依托小华持续更新的参考设计方案库，支持多种电源拓扑结构，可一键生成基础控制代码，大幅提高开发效率。　　智能化元器件设计与选型辅助：根据用户输入的系统规格(SPEC)，自动分析并提供关键元器件(如功率器件、电感、电容等)的设计参数与选型建议，供客户参考。　　灵活可配置的硬件接口管理：支持PWM输出、电压电流采样、保护信号等控制器接口的图形化配置与快速调整，轻松适配不同硬件设计。　　可视化控制参数调试优化：提供PI调节器参数、保护阈值、调制参数等核心控制变量的直观修改界面。　　分阶段程序开发与测试支持：针对产品开发不同阶段(如驱动测试、开环验证、闭环运行)提供对应的程序模板与测试模式，实现渐进式开发与调试。　　底层功能配置扩展：依托XHCODE生态系统，可灵活添加和配置基础外设功能，如通用IO、扩展ADC采样、UART/I²C/SPI通信等，满足系统集成需求。　　2. DPACT界面介绍　　以下为您介绍基于DPACT平台首推的DAB参考设计及其图形化工具。平台的其他参考设计也正在加紧开发中，敬请持续关注。　　2.1 主界面介绍　　DPACT主界面如图1‑1，DPACT上方设有不同功能的选项卡，方便客户从拓扑选择、硬件设计、接口配置以及控制参数修改的全流程设置，配置完成后，可自动生成符合项目SPEC的算法程序。各选项卡功能如下：　　方案拓扑选择：该选项卡提供小华现有数字电源参考设计方案拓扑，用户可选择感兴趣或目标拓扑并了解参考设计资料;　　规格参数：用于输入客户目标规格参数，默认显示参考设计的规格参数;　　硬件参数：输入关键硬件元器件参数，默认显示参考设计的硬件参数;　　MCU接口匹配：配置MCU关键接口分配，默认显示参考设计的接口配置;　　控制参数匹配：设置关键控制和保护参数，默认显示参考设计的控制参数　　其它参数匹配：选择目标功能程序，控制中断源以及相关程序路径选择，默认显示参考设计配置参数。　　2.2 DAB配置示例　　2.2.1 方案拓扑选择界面　　用户可以通过“主流拓扑①”界面选择符合需求的拓扑，主要分成四大类：非隔离DC/DC，隔离DC/DC，AC<->DC和多级方案;如果没有符合要求的拓扑方案，可以通过“我要反馈②”向小华反馈需求。　　用户如果需求双向隔离型DC/DC应用，则可以选择隔离DCDC下的DAB拓扑，单击“DAB”后，右侧“原理图③”和“功能简介④”显示选择的“DAB”参考设计原理图，规格参数和功能简介。　　2.2.2 规格参数界面　　选择意向方案拓扑后，单击“规格参数”选项卡，进入规格参数界面，规格参数界面默认参数为原参考设计参数，如图1‑2为DAB拓扑下的规格参数输入，用户可根据需求SPEC修改“输入条件①”中有数字的部分，②中的原副边UI曲线会随之修改，并给出关键元器件和参数的计算结果③，包括变压器和电感参数，以及功率器件应力等。　　2.2.3 硬件参数　　完成规格参数输入后，单击规格“硬件参数”选项卡，进入硬件参数输入界面，该界面输入程序中需要用到的硬件参数，默认参数为参考设计采用的硬件参数，如图1‑3为DAB拓扑硬件参数界面，界面左侧为原理框图，并标出参考设计关键硬件元器件标号，用户需将实际使用的参数填入右侧的对应参数框中，包括磁性元器件参数和采样校准系数。　　2.2.4 MCU接口匹配界面　　选取“MCU接口匹配”界面选项卡，左侧为参考设计硬件拓扑，右侧为MCU与硬件重要接口配置选择界面，界面默认配置为参考设计硬件接口。该选项卡主要配置MCU硬件接口，包括采样接口，PWM发波接口，保护输入接口和PWM死区等，该界面修改的底层配置会在XHCODE中作相应修改。如图1‑4所示为DAB参考设计的MCU与硬件主要接口配置，用户可根据实际原理图修改硬件接口，快速适配硬件电路与控制器资源。　　2.2.5 控制参数匹配界面　　选取“控制参数匹配”界面选项卡，界面左侧为系统控制框图，右侧可设置控制参数，默认参数为参考设计控制参数，包括控制环路参数，保护参数以及控制阈值等。如图1‑5所示为DAB拓扑控制参数设置，用户可根据SPEC和实际需求对应修改，参数修改后会在程序中作对应修改。　　2.2.6 其他参数匹配界面　　选取“其它参数匹配”选项卡，该选项卡主要分为三个部分：程序功能选择，控制中断选择和工程配置保存路径;程序功能可选驱动测试程序，开环测试程序或闭环测试程序，同时可选择脉冲发波中断个数限制功能，以及发波个数设置，帮助客户进行系统测试。如图1‑6。　　工程配置需配置两个路径，一个是工程保存路径，另一个是驱动库DDL位置。　　3.总结　　小华半导体DPACT是一款面向数字电源开发的图形化算法配置工具。它基于丰富的参考设计方案，与XHCODE深度集成，支持用户通过可视化界面快速完成算法定制与参数调试，一键生成控制代码，大幅降低开发门槛、提升设计效率。　　该工具提供拓扑选择、硬件设计辅助、接口配置、参数可视化调试等全流程支持，并可根据开发阶段灵活适配测试需求，帮助工程师高效实现从设计到验证的完整闭环。
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发布时间：2026-03-23 13:11 阅读量：496 继续阅读>>
罗姆适配 800VDC 20～33kW 级<span style='color:red'>电源</span>单元的全套产品解决方案，精准匹配 AI 服务器需求！
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罗姆适配 800VDC 20～33kW 级电源单元的全套产品解决方案，精准匹配 AI 服务器需求！

　　AI 服务器向 + 800V/±400VDC 高压直流架构升级，推动核心部件电源单元(PSU)向更高功率、更高效率、更高功率密度方向发展，对半导体器件的耐压、低损耗、小型化等特性提出严苛要求。罗姆针对 800VDC 20～33kW 级电源单元，打造了覆盖电源侧架与 IT 机架的全套产品解决方案，充分发挥 SiC/GaN/Si 各功率元器件的技术特点，精准匹配 AI 服务器高压架构的供电需求，以下为核心方案详情。　　适用800VDC 20～30kW级电源单元的解决方案简介　　*SIM：PLECS®，仅功率元器件，不含电抗器等外围元器件的损耗　　本方案针对 AI 服务器 800VDC 架构的理想功率转换拓扑设计，核心围绕高效率与高功率密度两大关键指标，为电源侧架、IT 机架不同功率转换环节定制化搭配拓扑结构与元器件，充分发挥 SiC/GaN/Si 的各自技术优势。　　高效率：各电源模块效率达 99% 以上 *(仅计算功率元器件损耗)*(行业标准值为系统效率 97% 以上)　　高功率密度：现行 PSU 标准为 100W/in³，而采用 GaN 产品的服务器机架电源可达到 246W/in³　　AI 服务器供电架构分为电源侧架(Power Source)与服务器机架(IT 机架)，机架母线为 800V DC，经电源侧架、IT 机架功率转换后，输出 50VDC 或 IBV 至计算单元托盘，具体解决方案如下表：　　注：SIM 基于 PLECS® 仿真，仅计算功率元器件损耗，不含电抗器等外围元器件的损耗　　电源侧架用的 PFC+DC/DC 模块　　SIM：PLECS®，仅功率元器件，不含电抗器等外围元器件的损耗　　通过业界超低 RonA、扩展栅极偏置电压，助力实现更高效率(功率损耗降低 30%)　　第 5 代 SiC 产品将高温条件下的 RonA(导通电阻)降低约 30%，支持 AI 服务器所要求的在高温环境及高负载工况下的低损耗运行　　负栅极电压偏置额定值(Vgsn)范围扩大，可支持推荐关断驱动电压 - 5V(Vgsn 直流额定值为 - 7V)的工作条件　　罗姆的 SiC 开发路线图中，功耗损耗比较(第 4 代 vs 第 5 代)显示，导通损耗与开关损耗(关断损耗)相加的总损耗相比第 4 代减少约 30%，效率 SIM * 最多降低 33%。　　仿真条件：Vin=800VDC、Vout=800VDC、Pout=33kW、Ta=100°C、Cr=220nF、Lr=7.3µH、Lm=73µH、Fsw=125kHz　　IT 机架用的 DC 模块　　SIM：PLECS®，仅功率元器件，不含电抗器等外围元器件的损耗　　隔离型三相 LLC 拓扑解决方案　　IT 机架电源用解决方案，确保 AI 处理器、通信、散热空间成为重要课题，需考虑到功率效率和功率密度进行电源系统设计　　将 800VDC 转换为 50V(IBV)的隔离型 DC-DC 转换器　　采用三相隔离型 LLC 拓扑　　一次侧：推荐使用第 4 代 SiC　　推荐产品 SCT4011KR/KRG/KQ　　最大额定电压 1200V，ID TBD，导通电阻 11mΩ　　封装：TO247-4L/TO247HC-4L/QDPAK　　背景：可实现高速开关(100kHz)的 SiC MOSFET，采用表贴型功率封装器件可实现小型化　　效率 SIM * 达 99% 以上 (～125kHz)　　二次侧：推荐使用以下 Si MOSFET　　推荐产品 RSS7 系列：RS7N200CH　　最大额定电压 80V，ID 295A，1.43mΩ，DFN5060-8S　　RSJ2 系列：RJ2N17BCH　　最大额定电压 80V，ID 450A，0.86mΩ，TOLL-pkg　　背景：推荐适用于 50V 输出电压的 80V LV Si MOSFET，采用表贴型功率封装器件可实现小型化　　提升功率效率需采用搭载 SiC 元器件的功率解决方案，利用高耐压和低导通电阻(Ron)优势，有效降低开关损耗。　　针对高功率密度的 GaN 解决方案　　搭载高功率密度 GaN 产品的级联隔离型 LLC　　功率密度：7.8W/cc (129W/in³)，LLC 开关频率 100kHz，尺寸：40mm×91mm×700mm　　通过将开关频率提升至 500kHz，实现变压器等外围元器件的小型化，通过级联结构分担一次侧和变压器的电流，可提高效率　　功率密度：15W/cc (246W/in³)，LLC 开关频率 500kHz，尺寸：40mm×55mm×605mm　　行业标准功率封装产品部署　　提供行业标准封装产品群，通过与英飞凌合作实现通用设计和稳定供应，并提升表面散热和模块性能。　　针对不同拓扑电路搭配对应封装模块：　　Vienna 双向开关电路：DOT-247 共源 2 in 1 × 3pcs　　PSU 隔离型三相 LLC 一次侧：DOT-247 半桥 2 in 1 × 3pcs　　HSDIP20 隔离 顶部散热 六合一模块　　PSU 隔离型三相 LLC 二次侧：DOT-247 半桥 2 in 1 × 6pcs　　罗姆功率封装产品阵容 * 摘录(开发中，其他封装请另行咨询)，含与英飞凌合作开发的封装及罗姆原创封装，SiC 产品专用模块封装为 DOT-247，封装类型分为插装型与表贴型，具体适配如下：　　同时罗姆拥有 SiC 产品用的顶部散热平台 TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual、H-DPAK(H=2.3mm)。　　以上为罗姆针对 800VDC 20～33kW 级电源单元从拓扑设计、核心器件到封装部署的全套解决方案，解决了 AI 服务器高压架构下电源侧架与 IT 机架的功率转换、效率及密度难题。而完整的 AI 服务器供电系统，还需要热插拔控制器(HSC)保障设备插拔过程的安全稳定，后续将为大家详细介绍罗姆 AI 服务器热插拔控制器(HSC)用的全套产品解决方案。
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发布时间：2026-03-20 16:41 阅读量：639 继续阅读>>
罗姆半导体亮相AI PowerDC算力供电创新论坛 硬核<span style='color:red'>电源</span>方案赋能绿色AI服务器发展
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罗姆半导体亮相AI PowerDC算力供电创新论坛 硬核电源方案赋能绿色AI服务器发展

　　当前AI算力需求爆发式增长，数据中心供电向高效化、绿色化升级，800V高压直流架构渗透率提升，SST等核心技术加速迭代，行业面临技术革新与标准完善的双重需求。 基于此2026年4月25日“AI PowerDC 算力供电创新技术国际领军者论”将在深圳湾万丽酒店顺势召开，聚焦行业核心痛点，搭建技术交流与合作对接平台。　　全球知名半导体制造商罗姆半导体(ROHM)重磅亮相本次论坛，公司技术专家苏勇锦将于A会场11:20-11:50，发表题为《ROHM Power The Future of ECO AI Server》的主题演讲，深度解读AI服务器供电痛点，分享前沿电源技术解决方案，彰显罗姆在高端算力供电领域的核心技术实力。　　AI 硬件的急速成长，带来了数据中心对电力设施前所未有的负荷压力。Server Rack 单位消耗功率由数十~数百kW 向MW 级别的规模扩展，现有的48VDC 配电系统，以达到其物理性的、经济性的极限。为解决这一历史性的课题，包括HVDC电源架构等的技术变革正在发生。如何让AI服务器电源系统更节能，更高效，更智能，成为各大电源厂家和半导体厂家的目标和方向。罗姆半导体做为全球知名半导体制造商，充分利用常年以来积累的功率器件和模拟器件的技术经验，为AI服务器提供包括SiC，GaN，Si-MOS，DrMOS，模拟IC等电源解决方案，助力AI服务器向更加ECO的未来发展!　　4月25日AI算例论坛概要　　名称：AI PowerDC算力供电创新技术国际领军者论坛　　■主办：21世纪电源网　　■ 会场：深圳湾万丽酒店　　■ 时间：2026年4月25日　　■ 地址：广东省深圳市南山区粤海街道科技南路18号　　■交通：9号线高新南站A出口步行3分钟　　赞助企业
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发布时间：2026-03-12 17:50 阅读量：641 继续阅读>>

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