英特尔,超威,英伟达助攻 MOSFET第二季度也喊涨

发布时间：2018-03-23 00:00
作者：
来源：网络整理
阅读量：1849

除了MLCC、电阻、铝电解电容第二季度将迎涨价外，MOSFET供应缺口恐怕也将因超威、英特尔与NVIDIA推出新平台的推波助澜下更趋严重，第二季价格喊涨5～10％。

MOSFET因国际大厂退出，自去年下半年起供给渐趋吃紧，加上6吋与8吋晶圆代工厂产能不足，就连上游的EPI磊晶一样无法全额供货，导致市场供不应求压力持续上扬，报价也自今年首季起真正开始起涨。

进入第二季后，因为英特尔第二季将推出搭载Z390芯片组Coffee Lake处理器平台，即将进入出货旺季；超威将推出第二代Zen+架构处理器平台及新款Vega绘图卡，受惠于电竞市场维持一定热度，加上比特币、以太币等加密货币挖矿需求动能续强，绘图卡市场目前仍处于缺货状态，

另外NVIDIA方面同样受惠于电竞及加密货币挖矿需求，业界传出将在第二季陆续推出可用于挖矿的绘图卡，搭载最新Volta绘图芯片的电竞GeForce绘图卡也会赶在暑假前推出。

英特尔及超威的计算机平台出货转旺，超威及NVIDIA的绘图卡销售热度不减，明显带动MOSFET需求。在英特尔、超威与辉达均将相继推出新平台后，新一代计算机平台及绘图卡的运算效能大幅提升，导致PC单机搭载MOSFET数量，平均较上代产品增加3∼5成。

然而，MOSFET市场受到晶圆代工及EPI硅晶圆产能不足限制，供给量一直无法有效放大，导致MOSFET在第二季缺货更为严重，MOSFET业者订单可见度达到今年第三季，产品报价也将顺利在第二季调涨，涨幅约在5～10％。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：继运营商之后,美国零售商百思买也将停售华为手机

下一篇：4月1日起,MLCC再涨50%

在线留言询价

相关阅读
上海雷卯：MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥？
行业新闻

上海雷卯：MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥？

　　作为上海雷卯电子的一名资深工程师，我经常被问及MOSFET器件的参数计算问题。在本文中，我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ(结温)、TA(环境温度)和TC(外壳温度)。　　1. MOSFET温度参数的重要性　　在电力电子应用中，温度是影响MOSFET性能和寿命的关键因素。过高的温度会导致器件性能下降，甚至损坏。因此，了解和计算这些温度参数对于确保MOSFET器件的稳定运行至关重要。　　2. 温度参数定义TJ、TA、TC　　l TJ(结温)(Junction Temperature)：是指 MOSFET 芯片内部 PN 结的温度。它是 MOSFET 工作时所能承受的最高温度限制，超过这个温度可能会导致器件性能下降、损坏甚至失效。　　l TA(环境温度)(Ambient Temperature)”，指 MOSFET 所处的周围环境的温度。　　TC(外壳温度)Case Temperature)：MOSFET外壳表面的温度。 计算结温需要用到热阻参数，下面介绍热阻参数。　　3. 热阻定义及计算　　热阻(Rθ)是衡量热量传递难易程度的参数。　　l 结到壳的热阻(RθJC)：表示从 MOSFET 的结(Junction)到壳(Case)的热阻。　　l 壳到环境的热阻(RθCA)：表示从 MOSFET 的壳到周围环境的热阻。　　l 结到环境的热阻(RθJA)：RθJA = RθJC + RθCA。　　MOSFET 通常会给出结到壳(RθJC)、结到环境(RθJA)等热阻参数。热阻可以通过数据手册获取。　　4. TJ、TA、TC 三个温度参数关系　　TJ(结温)= TC(壳温)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC); 公式1　　TC(壳温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(壳到环境的热阻 RθCA);公式2　　代入公式1，综合可得：　　TJ(结温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC + 壳到环境的热阻 RθCA)　　其中功率损耗(Pd)主要由导通损耗和开关损耗组成。　　导通损耗 = I² × Rds(on) (其中 I 是导通电流，Rds(on) 是导通电阻)　　开关损耗的计算较为复杂，通常需要考虑开关频率、驱动电压等因素，并且可能需要参考 MOSFET 的数据手册提供的公式或曲线。　　5.温度计算实例　　以下为您提供几个 MOSFET 温度参数计算的实际案例：　　例一：　　一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.1Ω，导通电流 Id 为 10A，结到环境的热阻 RθJA 为 50°C/W，环境温度 TA 为 25°C。首先计算功率损耗：P = Id²×RDS(on) = 10²×0.1 = 10W　　然后计算结温：TJ = TA + P×RθJA = 25 + 10×50 = 525°C　　例二：　　另一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.05Ω，导通电流 Id 为 5A，结到壳的热阻 RθJC 为 2°C/W，壳到环境的热阻 RθCA 为 30°C/W，环境温度 TA 为 20°C。　　先计算导通损耗：P = Id²×RDS(on) = 5²×0.05 = 1.25W　　由于热阻是串联的，总热阻 RθJA = RθJC + RθCA = 2 + 30 = 32°C/W结温 TJ = TA + P×RθJA = 20 + 1.25×32 = 60°C　　例三：　　某 MOSFET 在高频开关应用中，开关损耗为 5W，导通损耗为 3W，结到环境热阻 RθJA 为 60°C/W，环境温度 TA 为 30°C。　　总功率损耗 P = 5 + 3 = 8W　　结温 TJ = TA + P×RθJA = 30 + 8×60 = 510°C　　6.结论　　通过上述计算，我们可以看到，MOSFET的结温可能达到非常高的水平。一般来说，MOSFET 所能承受的最高结温是有限制的，在设计和使用时，需要确保结温不超过这个极限值，因此，设计合适的散热方案和监控温度是至关重要的。作为上海雷卯电子的工程师，我们始终致力于提供高性能的MOSFET器件，并为客户提供准确的参数计算指导，以确保器件的长期稳定运行。　　请注意，本文中的计算仅为示例，实际应用中应根据具体的器件参数和工作条件进行计算。上海雷卯电子提供的器件数据手册和技术支持将帮助您更准确地进行温度参数的计算和评估。　　雷卯电子专业为客户提供电磁兼容EMC的设计服务，提供实验室做摸底免费测试，为客户高效，控本完成设计，能快速通过EMC的项目，提高产品可靠性尽力。
2024-08-23 11:15 阅读量：502
增强型和耗尽型MOSFET之间的区别是什么
行业新闻

增强型和耗尽型MOSFET之间的区别是什么

　　在现代电子领域中，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种关键的器件，被广泛用于数字集成电路、模拟电路和功率电路中。其中，增强型和耗尽型MOSFET是两种常见类型，它们在工作原理、特性以及应用方面存在着明显的区别。　　1. 增强型MOSFET　　增强型MOSFET是一种N沟道或P沟道MOSFET，在没有栅极电压的情况下，处于截止状态。当栅极电压施加到增强型MOSFET上时，会形成一个导电通道，使得器件能够导通电流。主要特点包括：　　需要正向栅压：增强型MOSFET需要在栅极上施加正向电压，才能形成导电通道。　　高输入阻抗：由于没有直接的电流流过栅极，增强型MOSFET具有较高的输入阻抗。　　用途广泛：在数字集成电路和大多数应用中，增强型MOSFET是最常用的器件之一。　　2. 耗尽型MOSFET　　耗尽型MOSFET在没有栅极电压的情况下是导通的，而当施加负向栅极电压时，会在沟道中形成势垒，使其截止导通。耗尽型MOSFET的特点包括：　　需要负向栅压：耗尽型MOSFET需要在栅极上施加负向电压，才能实现截止导通。　　低输入阻抗：由于栅极上的电流会直接影响器件导通状态，耗尽型MOSFET通常具有较低的输入阻抗。　　适用于某些特定应用：耗尽型MOSFET通常用于一些特殊场合，如功率放大器和特定模拟电路。　　阅读更多行业资讯，可移步与非原创，AI产业链光模块企业分析之二——新易盛、产研：消费先行，车载可期，星闪的主战场?、MCU主要新品梳理 | 2024年上半年 等产业分析报告、原创文章可查阅。　　3.区别总结　　1. 工作状态不同：　　增强型MOSFET：需正向栅压激活。　　耗尽型MOSFET：无需栅极电压即可导通，需要负向栅压来截止导通。　　2. 输入阻抗不同：　　增强型MOSFET：具有高输入阻抗。　　耗尽型MOSFET：具有低输入阻抗。　　3. 应用范围不同：　　增强型MOSFET：在数字集成电路和大多数应用中普遍使用。　　耗尽型MOSFET：通常用于功率放大器等特殊应用。　　无论是在数字电路设计还是在模拟电路方面，深入了解它们的特性可以帮助工程师更好地优化系统性能，并确保所选器件符合特定应用的要求。
2024-07-04 10:17 阅读量：542
MOSFET器件选型考虑哪些因素？4大法则搞定MOSFET器件选型
行业新闻

MOSFET器件选型考虑哪些因素？4大法则搞定MOSFET器件选型

　　俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。　　功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗?关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件相关选型法则，相信看完你会大有收获。　　第一步：选用N沟道还是P沟道　　为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。　　要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。　　第二步：确定额定电流　　第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。　　选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。　　第三步：确定热要求　　选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。　　器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS(ON)。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量;即要求印刷电路板和封装不会立即升温。　　第四步：决定开关性能　　选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。
2024-03-25 13:13 阅读量：1150
MOSFET和IGBT有什么不同之处
行业新闻

MOSFET和IGBT有什么不同之处

　　MOS晶体管是MOSFET，中文全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，称为金氧半场效应晶体管是一种场效应晶体管可广泛用于模拟电路和数字电路。因为该FET的栅极由绝缘层隔离，所以也称为绝缘栅极FET。MOSFET可分为N沟道耗尽型和增强型；有四大类P沟耗尽型和增强型。接下来由Ameya360电子元器件采购网讲给大家进行介绍！　　IGBT即绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅FET）组成的复合型全控电压驱动功率半导体器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低，载流密度大，但驱动电流大；MOSFET驱动功率小，开关速度快，但传导压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有较小的驱动功率和降低的饱和电压。非常适用于直流电压600V及以上的变流器系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。　　MOSFET有多种类型，但与IGBT最可比的是功率MOSFET。它设计用于处理重要的功率级别。它们只在“开”或“关”状态下使用，这使它们成为使用最广泛的低压开关。与IGBT相比，功率MOSFET在低电压下工作时具有更快的换向速度和更高的效率。　　更重要的是，它可以保持高阻断电压和高电流。这是因为大多数功率MOSFET结构是垂直的（不是平面的）。其额定电压是N外延层掺杂和厚度的直接函数，其额定电流与沟道宽度有关（沟道越宽，电流越高）。由于其效率，功率MOSFET被用于电源、DC/DC转换器和低压电机控制器。　　MOSFET和IGBT绝缘栅双极大功率管和其他器件在源极和栅极之间具有绝缘硅结构，直流电流无法通过，因此低频行为驱动功率接近于零。然而，栅极电容器Cgs形成在栅极和源极之间，因此当高频交替接通和需要关断时，需要一定的动态驱动功率。　　由于大的栅极电容Cgs，低功率MOSFET的Cgs通常在10-100pF之间，对于高功率绝缘栅极功率器件。通常在1-100nF之间，需要较大的动态驱动功率。此外，由于漏极到栅极的米勒电容Cdg，栅极驱动功率通常不可忽略。由于IGBT具有电流拖尾效应，因此在停机期间需要更好的抗扰性，并且需要负电压驱动。MOSFET比较快，可以在没有负电压的情况下关断，但当干扰严重时，负电压关断对提高可靠性非常有利。　　MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源，IGBT专注于焊接、逆变器、逆变器、电镀电源、超级音频感应加热等领域。
2023-02-13 10:40 阅读量：1162
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
TPS63050YFFR Texas Instruments
BP3621 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。