方舟微电子推出150V N沟道耗尽型MOSFET-DMZ1520E

发布时间：2023-01-09 09:31
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：1743

　　DMZ1520E

　　ARK（方舟微）DMZ1520E产品在工业自动化、汽车电子、新能源等应用电路中，可用于LDO供电。

　　如下图所示，电路中只使用了一个DMZ1520E，它可以将高输入电压转换为稳定的低电压为LDO供电，同时为LDO提供瞬态浪涌抑制。

方舟微电子推出150V N沟道耗尽型MOSFET-DMZ1520E

　　为LDO供电

　　LDO的输入输出电压满足关系式: Vs=Vout+|VGS(OFF)|。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。

　　ARK（方舟微）DMZ1520E产品不仅能提供稳定的电源，而且能在复杂的电子、磁环境中抵抗较大的瞬变电压，特别适用于智能变送器IC的应用，如AD421、SD2421A、JHM1101等，对标 BSS169、MMBF4393。

方舟微电子推出150V N沟道耗尽型MOSFET-DMZ1520E


（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：安森美和Ampt携手合作，助力光伏电站供应商提高能效

下一篇：陶瓷电容的加工生产步骤是什么

在线留言询价

相关阅读
方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用
行业新闻

方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用

　　ARK（方舟微）研发的UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压60V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。　　该系列耗尽型MOSFET具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中，既能实现PWM IC的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　01　　典型电路　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路 (以DMZ1015E为例)如下：　　图1. UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路　　02　　应用原理　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用原理：　　如图1电路所示，PWM IC与DMZ1015E的S-G并联，因此PWM IC的VCC电压就等于DMZ1015E的|VGS|电压。当输入电压较低时，DMZ1015E基本直通，仅在D-S两端有较小压降。当DMZ1015E工作在稳压状态时，MOSFET自身会工作在饱和区，根据耗尽型MOSFET的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流IDS下都会有唯一的VGS电压相对应，且该VGS电压数值上与同样IDS电流下的|VGS(OFF)|相等。　　而在图1所示电路中，VGS≤0V，因此VGS电压的范围为：0V≤|VGS|≤|VGS(OFF)|(MAX)，即VCC的电压大小根据IDS电流的不同，只能在DMZ1015E的阈值电压范围内变化，IDS电流越大，|VGS|数值越小。当IDS电流一定时，输出电压|VGS|也唯一确定。　　因此使用ARK（方舟微）UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET可以直接给PWM IC进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。
2023-11-17 15:49 阅读量：1917
新品发布 I ARK（方舟微）电路保护专家
行业新闻

新品发布 I ARK（方舟微）电路保护专家

　　过压过流保护器　　过压过流保护器（30V/30mA）　　外形图　　AKF30V30MPD为ARK（方舟微）研发的30V/30mA集成功率保护器件，特别适合应用于工业领域（如4～20mA电流环）的过流过压保护方案，产品响应速度快，以集成控制的方式，提供更高的稳定性及便捷性，使被保护的器件或电路的工作电压不超过30V，电流不超过30mA，能有效避免瞬态浪涌造成损伤，同时可以简化电路，节省空间，减低成本。　　应用示意图如下：　　Form B 固态继电器　　100V / 400V Form B 固态继电器　　外形图　　ARK（方舟微）依据自身多年来在MOSFET研发与制造领域的独特优势，开发出了100V、400V等不同耐压等级的Form-B系列光MOSFET固态继电器，产品可靠性高，性能优异，封装类型包含SOP-4、SOP-6等通用形式，非常适合应用于需要使用高端继电器产品的设备。　　专用于射频领域的LDMOS　　130V N沟道耗尽型 LDMOS　　外形图　　DLZ1304E系列产品是ARK（方舟微）最新研发的N沟道耗尽型LDMOS，产品采用平面工艺，性能优良，可靠性高。该系列产品的耐压值为130V，相较于JFET或射频功率MOSFET，具有更高的耐压值和更低的泄漏电流，同时具有很低的阈值电压及输入电容，非常适合用于高频率的射频应用，以及气体传感器的放电回路。产品封装类型为SOT-23。　　有源钳位MOSFET　　小型有源钳位MOSFET　　外形图　　AKZSS04R06A是ARK（方舟微）研发的小型有源钳位MOSFET，器件采用平面工艺，可靠性高，稳定性好，其内部采用有源钳位结构，封装类型为SOT-23，特别适合用于驱动机械继电器等电感负载。　　集成高阈值双芯MOSFETs　　集成高阈值双芯MOSFETs　　外形图　　ARK（方舟微）研发的N沟道、P沟道增强型集成高阈值双芯MOSFETs，产品采用PDFN3*3封装，特别适合用于四线制PCB测试机等设备，能有效提高测试机测试精度。如图所示，M1为高压MOSFET，M2为低压、高阈值MOSFET，在如下图所示的应用电路中，当G、S短接时，M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通，因此在接触电阻Rl有所增大的情况下，M2依然能够限制通过的电流大小，可有效提高测试机的测试精度。　　M1为高压MOSFET，M2为低压、高阈值MOSFET，在应用电路中，当G、S短接时，M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通，因此在接触电阻Rl有所增大的情况下，M2依然能够限制通过的电流大小，可有效提高测试机的测试精度。
2023-07-12 10:50 阅读量：1306
方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用
热门应用

方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用

　　应用电路如下　　在上述电路中，仅使用DMD4523E和电阻R1，就能很好的限制流过负载回路的电流大小，为负载回路提供过流保护。该电路特点如下：　　DMD4523E能为负载回路提供瞬态浪涌防护，如果输入端Vin出现瞬态浪涌，流过电路的电流会增加，电阻R1两端的电压VR1也会增加，当VR1增大到等于DMD4523E的阈值电压时，VR1被钳位，即流过电阻R1的电流会被限制，从而实现良好的过电压浪涌防护。　　DMD4523E能为负载提供过流保护，当电路电流异常增大时，流过负载回路的电流同样会因为电阻R1两端的电压被钳位而被限制。通过选取合适的R1阻值，即可限制流过负载回路的最大电流。　　响应速度快，电路结构简单，成本低。　　DMD4523E　　DMD4523E系列产品在容性负载、仪表、通讯设备中用于瞬态浪涌抑制、过流过压保护的应用。　　该电路通过选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压Vout。　　该系列产品可工作在较高电压下，能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。当负载出现短路时，为负载提供过流保护。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。
2023-05-08 09:32 阅读量：2314
方舟微DMZ1520E在MCU供电与保护方案中的应用
热门应用

方舟微DMZ1520E在MCU供电与保护方案中的应用

　　目前常见的MCU的工作电压大多为2.7V～5.5V，在高输入电压供电的应用里，MCU的供电大多使用耗尽型MOSFET+LDO的方案。如图1电路所示，使用耐压值为150V的DMZ1520E搭配LDO给MCU提供精确的供电电压。同时，为进一步简化电路和节约成本，也可以仅仅使用DMZ1520E直接给MCU供电，如图2电路所示，在1mA～5mA的工作电流条件下，DMZ1520E的输出电压（VDD电压）约为3.5V。电路示意图如下：　　图2电路特点如下：　　DMZ1520E的工作电压最高为150V，可直接工作于高输入电压条件下。　　DMZ1520E既能够稳定的给MCU供电，又能够为MCU提供良好的瞬态浪涌保护。　　DMZ1520E可靠性高，稳定性好，电路结构简单，可有效节约成本。　　通常MCU的工作电流约为1mA～5mA，因此在该条件下使用典型的DMZ1520E样品按照图2电路进行测试，　　测得VDD电压值与电流的关系如图3所示。此外，该VDD电压值与DMZ1520E的阈值电压参数VGS(OFF)相关，典型DMZ1520E样品的VGS(OFF)参数值随结温的变化关系如图4所示：
2023-05-06 11:17 阅读量：2437
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
TPS63050YFFR Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。