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瑞萨推出包括先进可编程14位S<span style='color:red'>AR</span> ADC在内的全新AnalogPAK可编程混合信号IC系列

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瑞萨推出包括先进可编程14位SAR ADC在内的全新AnalogPAK可编程混合信号IC系列

　　全新产品几乎适用于任何应用，大幅减少元件数量、BOM成本和占板空间　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出全新AnalogPAK™ IC系列，其中包括低功耗——SLG47001/3和车规级产品——SLG47004-A，以及业界先进的可编程14位SAR ADC(逐次逼近寄存器模数转换器)——SLG47011。　　AnalogPAK作为瑞萨GreenPAK™可编程混合信号矩阵产品家族的一员，是极具成本效益的非易失性存储器(NVM)可编程器件。它使创新者能够整合多种系统功能，同时最大限度地减少元件数量、占板空间和功耗。GreenPAK和AnalogPAK IC可实现混合信号标准产品和独立分立电路的功能替代，并为SoC及微控制器提供可靠的硬件监控功能。GreenPAK和AnalogPAK产品几乎适用于任何应用场景，包括消费电子、计算设备、白色家电、工业设备、通信设备和汽车电子等。借助Go Configure Hub和GreenPAK开发套件，设计人员可以在几分钟内创建定制电路并对其进行编程。　　全新AnalogPAK SLG47011　　配备14位SAR ADC的低功耗产品　　瑞萨全新SLG47011 AnalogPAK产品将可配置模拟集成电路的性能提升到新的水平，其集成丰富的数字和模拟功能，包括带可编程增益放大器(PGA)的可编程多通道14位SAR ADC。SLG47011还为所有宏单元提供灵活的用户定义省电模式，使设计人员能够在睡眠模式下关闭某些模块，从而将功耗降低至微安(µA)级别。　　SLG47011可用于提升MCU性能或卸载MCU任务，还能与MCU结合使用，替代复杂的模拟前端(AFE)。SLG47011支持的关键功能包括测量、数据处理、逻辑控制和数据输出。　　SLG47011的关键参数　　- Vdd=1.71至3.6V　　- SAR ADC：高达14位，在8位模式下高达2.35Msps　　- PGA：六种放大器配置，轨至轨输入/输出，1x至64x增益　　- DAC：12位，333ksps　　- 硬件数学运算模块，支持乘法、加法、减法和除法运算　　- 灵活的4096字内存表模块　　- 振荡器：2/10kHz和20/40MHz　　- 模拟温度传感器　　- 数量最多的高度可配置计数器/延时模块　　- I2C和SPI通信接口　　- 采用小型16引脚QFN(2.0mm x 2.0mm x 0.55mm)、0.4mm间距封装　　Davin Lee, Senior Vice President and General Manager of the Analog and Connectivity Group at Renesas表示：　　“瑞萨已向全球数千家客户交付了数十亿颗GreenPAK和AnalogPAK产品。凭借SLG47011，我们不仅满足了客户对于更多资源的需求，更实现了更高分辨率的模拟功能，我们满怀期待，相信这款产品将在众多应用中绽放光彩。”　　除了SLG47011之外，瑞萨还推出另外两款AnalogPAK产品，即成本优化的SLG47001/3和车规级SLG47004-A。　　SLG47001/3 AnalogPAK产品　　SLG47001和SLG47003能够以低廉的价格和非常紧凑的封装实现精确测量系统，适用于气体传感器、功率计、测量设备、服务器、可穿戴设备、工业机器人、工业和智能家居传感器模块等应用场景。　　- 两个超低偏移运算放大器——最大失调电压为9µV　　- 两个10位数字变阻器　　- 六通道采样比较器　　- 模拟开关　　- 电压基准　　- 59字节模式发生器　　- 2k/10k/25MHz振荡器　　- 完全可配置的模块：查找表(LUT)、触发器、移位寄存器、定时器、计数器、延时器

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发布时间：2024-11-15 13:20 阅读量：295 继续阅读>>

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瑞萨电子推出全新RA8入门级MCU产品群，提供极具性价比的高性能Arm Cortex-M85处理器

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布，推出RA8E1和RA8E2微控制器(MCU)产品群，进一步扩展其业界卓越和广受欢迎的MCU系列。2023年推出的RA8系列MCU是首批采用Arm® Cortex®-M85处理器的MCU，实现市场领先的6.39 CoreMark/MHz(注)性能。新款RA8E1和RA8E2 MCU在保持同等性能的同时，通过精简功能集降低成本，成为工业和家居自动化、办公设备、医疗保健和消费品等大批量应用的理想之选。　　RA8E1和RA8E2 MCU采用Arm Helium™技术，即Arm的M-Profile矢量扩展，与基于Arm Cortex-M7处理器的MCU相比，在数字信号处理器(DSP)和机器学习(ML)应用层面实现高达4倍的性能提升，使得快速增长的AIoT领域应用成为可能——在这一领域，高性能对于AI模型的执行至关重要。　　RA8系列产品集成低功耗特性和多种低功耗模式，在提供业界卓越性能的同时，可进一步提高能效。低功耗模式、独立电源域、更低的电压范围、快速唤醒时间，以及较低的典型工作和待机电流组合，使得系统整体功耗更低。帮助客户降低整体系统功耗并满足相关法规要求。新款Arm Cortex-M85内核还能以更低的功耗执行各种DSP/ML任务。　　RA8系列MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP带来所需的所有基础架构软件，包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和TrustZone支持，以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件，从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成，为应用开发打造充分的灵活性。借助FSP，可轻松将现有设计迁移至新的RA8系列产品。　　Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing 1st Business Division at Renesas表示：“我们的客户对RA8 MCU的卓越性能赞不绝口，现在他们期望获得性能更高且功能更优化的版本，以满足其成本敏感的工业、视觉AI和中端图形应用需求。RA8E1和RA8E2为这些市场打造了性能和功能的完美平衡，并且借助FSP实现了在RA8系列内部或从RA6 MCU的轻松迁移。”　　RA8E1 MCU的关键特性　　- 内核：360MHz Arm Cortex-M85，包含Helium和TrustZone技术　　- 存储：集成1MB闪存、544KB SRAM(包括带ECC的32KB TCM、带奇偶校验保护的512KB用户SRAM)、1KB待机SRAM、32KB I/D缓存　　- 外设：以太网、XSPI(八线SPI)、SPI、I2C、USBFS、CAN-FD、SSI、12位ADC、12位DAC、HSCOMP、温度传感器、8位CEU、GPT、LP-GPT、WDT、RTC　　- 封装：100/144引脚LQFP　　RA8E2 MCU的关键特性　　- 内核：480MHz Arm Cortex-M85，包含Helium和TrustZone技术　　- 存储：集成1MB闪存、672KB SRAM(包括带ECC的32KB TCM、带奇偶校验保护的512KB用户SRAM+额外128KB用户SRAM)、1KB待机SRAM、32KB I/D缓存　　- 外设：16位外部存储器接口、XSPI(八线SPI)、SPI、I2C、USBFS、CAN-FD、SSI、12位ADC、12位DAC、HSCOMP、温度传感器、GLCDC、2DRW、GPT、LP-GPT、WDT、RTC　　- 封装：224引脚BGA　　成功产品组合　　瑞萨将全新RA8E1和RA8E2产品群MCU与其产品组合中的众多兼容器件相结合，创建了广泛的“成功产品组合”，包括入门级语音和视觉人工智能系统以及家用电器人机界面(HMI)。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。

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瑞萨电子

发布时间：2024-11-12 10:55 阅读量：228 继续阅读>>

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广和通5G RedCap模组获2024 Mobile Breakthrough Award

　　10月24日，广和通5G RedCap模组FG132系列凭借其卓越的产品特性和典型商用案例在2024 Mobile Breakthrough Award(2024年度移动设备突破奖)中斩获Embedded Wireless Solution of the Year(年度最佳嵌入式无线解决方案)。 Mobile Breakthrough是行业领先的独立市场研究机构，其创办的Mobile Breakthrough Award奖项旨在表彰当今全球无线通信和移动市场的顶级公司、技术和产品。广和通RedCap模组FG132系列从多个参评项目中脱颖而出，展现了其在移动宽带、工业互联、智慧安防等高可靠低时延场景中的强劲性能。　　RedCap作为5G轻量化技术，满足中高速物联网需求，推动5G产业持续发展。目前，模组和终端在RedCap双向发力，在移动宽带、智能电网、工业互联、中高速视频上传等行业有望规模部署，满足低成本、低功耗、低时延的关键诉求。广和通采用多尺寸、高兼容、适合丰富行业应用的RedCap产品策略，已推出了多款RedCap模组，并为多个行业提供解决方案。目前，RedCap模组FG132-GL已成功通过多项国际认证，包括GCF认证、FCC、IC、PTCRB、CE认证等，满足全球多个市场对RedCap网络连接的严苛要求。广和通RedCap模组已应用于亚旭电脑等多家AIoT产业伙伴的RedCap终端，助力5G RedCap的商用部署，为5G应用注入新力量。　　Mobile Breakthrough 总经理Steve Johansson表示：　　广和通5G RedCap模组FG132可应用于高可靠的物联网场景，降低5G eMBB解决方案的复杂性和高成本。再者，目前低功耗物联网技术未充分满足现有应用需求，5G RedCap则提供了均衡功耗和成本的解决方案，为中高速物联网应用量身定制。祝贺广和通5G RedCap模组FG132摘得年度最佳嵌入式无线解决方案，在5G创新中始终保持领先地位。

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广和通

发布时间：2024-10-29 15:12 阅读量：246 继续阅读>>

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瑞萨推出高能效第四代R-Car车用SoC引领ADAS产品创新

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出面向入门级高级驾驶辅助系统(ADAS)的系统级芯片(SoC)——R-Car V4M系列，以扩展其广受欢迎的R-Car产品家族。全新R-Car V4M系列产品及扩展的R-Car V4H系列产品具有强大的AI处理能力和快速的CPU性能，同时具有良好的性能与功耗平衡。其卓越的TOPS/Watt性能和优化的节能特性使其成为前置智能摄像头系统、环视系统、自动泊车和驾驶员监控系统等入门级、成本敏感型ADAS应用的理想选择。　　全新R-Car V4M系列与功能强大的R-Car V4H系列一样，基于先进的7nm制造工艺技术，带来高达17 TOPS的深度学习性能，并借助车载摄像头、雷达和LiDAR实现高速图像处理及精确对象识别。随着新款R-Car V4M和R-Car V4H产品的推出，客户如今能够在可扩展的瑞萨ADAS产品组合中选择最适合的SoC，这些产品提供前沿的AI技术、性能与能效，满足多样化的ADAS应用需求。此外，新产品保持同系列内引脚的兼容性以及与现有R-Car产品的软件兼容性，让OEM和一级供应商能够复用现有软件，降低工程成本。　　Aish Dubey, Vice President & General Manager, High Performance Computing SoC Business Division at Renesas表示：“我们正在扩展ADAS产品组合，以满足大众市场对一级和二级ADAS解决方案日益增长的需求。同时，我们也在开发全新第五代R-Car SoC，以进一步加强我们在ADAS、驾驶舱、网关和信息娱乐领域的产品。我们致力于在RoX单一开发平台下，面向从入门级到豪华级的各类车型，打造最广泛的车用嵌入式处理器解决方案。”　　R-Car V4M和R-Car V4H系列具有多达四个Arm® Cortex®-A76内核，带来32K至81K DMIPS的应用处理性能。并配备三个Arm Cortex-R52锁步内核，实现高达25K DMIPS的实时操作性能。得益于高度集成的设计和先进的制造工艺技术，这些产品可提供9至34TOPS的算力，且功耗极低，性能达到9TOPS/瓦。在配备800万像素传感器的典型全功能智能摄像头中，R-Car V4M的功耗约为5瓦，相比市场上的同类产品低50%。　　迄今为止，瑞萨汽车级R-Car产品出货量已超过4.5亿颗，其中包括符合ASIL D质量评级的器件，ASIL D是汽车安全完整性等级中的最高级别，代表着风险降至最低。　　R-Car Open Access(RoX)平台支持SDV开发　　使用R-Car V4M系列和R-Car V4H系列进行开发的汽车工程师可以享受瑞萨完整SDV开发环境的最新功能。新推出的R-Car Open Access(RoX)SDV平台集成了汽车开发人员所需的所有基本硬件、操作系统(OS)、软件和工具，可快速开发具有安全性与持续软件更新功能的下一代汽车。RoX允许OEM和一级供应商灵活地为ADAS、IVI、网关和跨域融合系统，以及车身控制、域和区域控制系统等设计各类可扩展的计算解决方案。该平台附带软件开发工具包(SDK)，包含人工智能工作台(AI Workbench)，使开发人员能够验证和优化其模型，并在云端测试应用。　　关于R-Car Open Access(RoX)SDV平台的更多信息您可识别下方二维码或复制链接至浏览器中打开查看：　　R-Car V4M系列和R-Car V4H系列的关键特性　　▪ 多达四个用于应用处理的Arm® Cortex®-A76内核　　▪ 多达三个Arm Cortex-R52锁步内核;无需外部MCU即可支持ASIL D实时操作　　▪ 专用深度学习和计算机视觉IP　　▪ 3D图形处理单元(GPU)　　▪ 具有并行处理功能的图像信号处理器(ISP)，用于机器视觉和人类视觉　　▪ 用于鱼眼畸变校正或其它数学运算的图像渲染器(IMR)　　▪ 低功耗　　▪ 相机显示快速启动(小于1秒)　　▪ 可扩展内存大小的AUTOSAR软件分区　　▪ 专用车载接口：CAN、以太网AVB、TSN和FlexRay　　▪ 针对NCAP、GSR2、L2+优化的BOM，采用单芯片SoC，无需外部MCU　　▪ 在R-Car产品家族中的可扩展性　　▪ 配备专用的电源管理IC(PMIC)和功率晶体管　　供货信息　　瑞萨现已向领先的汽车制造商提供R-Car V4M和R-Car V4H产品样片，并计划于2026年第一季度量产。了解更多新产品信息，您可点击阅读原文查看。　　(备注)Arm和Arm Cortex是Arm Limited在欧盟和其它国家/地区的注册商标。本新闻稿中提及的所有产品或服务名称均为其各自所有者的商标或注册商标。

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发布时间：2024-09-27 11:30 阅读量：591 继续阅读>>

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佰维存储推出工业级宽温SD Card & microSD Card，高效稳定录影不掉帧

　　近日，针对新一代高性能、高可靠性的工业视频监控及影像长时间稳定录制要求，佰维存储推出了工业级宽温 TGC 207 SD Card&TGC 209 microSD Card，传输速度高达160MB/s，覆盖32GB~256GB容量规格，-40℃~85℃宽温应用，支持4K高清多路视频稳定连续录入，适应安防监控、轨道交通、智慧医疗影像、车载记录仪以及工业自动化等领域户外拍摄、高强度工作、复杂路况等多变场景与冷热环境冲击。　　高性能自研固件，产品经久耐用　　多路视频稳定写入不掉帧　　佰维存储TGC系列工业级宽温SD Card& microSD Card精选工业级3D TLC闪存颗粒，擦写次数(P/E Cycle)达3000次，拥有出色的耐久性，并提供32GB~256GB多种容量选择。系列产品搭载佰维自研固件，采用了闪存磨损均衡技术(Wear Leveling)，可实现每个NAND闪存block擦写次数的相对均衡性，从而延长产品使用寿命。性能方面，系列产品符合C10速度等级与U3性能指标，最高读写速度达160MB/s，保证持续写入的速度不低于30MB/s，支持4K高清视频录制，录制时间可高达90,000小时。　　在应用表现方面，TGC系列工业存储卡满足V30视频处理性能等级以及A1应用程序性能等级，随机读/写性能达到1500 IOPS和500 IOPS以上，带来更快的应用程序响应速度。针对多路视频写入场景，通过固件特殊优化，该产品保证最低10MB/s的稳定写入性能，录制画面流畅稳定不掉帧。　　此外，佰维自研固件还针对GC算法、坏块管理算法进行了优化，通过合理规划数据在NAND上的布局，减少GC对写入数据延时的影响，保障读写效能;有效避免录影中的卡顿、中断和掉速问题，守护数据的完整性和有效性。　　守护数据安全与可靠，　　硬核实力无惧环境挑战　　佰维存储TGC系列工业级宽温SD Card& microSD Card可在-40℃~85℃宽温范围内运行，耐得住极寒与酷暑等温度冲击。产品在硬件设计上增加了IP67防水防尘/抗磨损/抗震/抗X-Ray/抗静电/抗磁/抗落摔等可靠性特性。　　依托公司多年来积累的高性能测试设备与丰富的测试算法库，佰维存储旗下工规级产品线均历经了专业且严苛的可靠性测试流程，确保每一款存储卡拥有坚强的“体魄”，不畏环境挑战，MTBF>2,000,000小时。在技术特性上，佰维TGC系列存储卡支持S.M.A.R.T监控与LDPC ECC智能纠错技术，一方面通过健康监测及时预警卡片寿命状况，防止关键数据意外丢失，另一方面可及时进行数据检错和纠错，确保数据的完整性和准确性。此外，TGC系列工业宽温存储卡设计了无备电断电数据保护机制，在发生异常断电时，可保证已写入闪存的数据不被破坏，保障数据的一致性。　　锁定BOM+高品质稳定供应　　兼容性无忧　　佰维存储始终致力于为客户提供全面而周到的技术支持与配套服务。TGC系列工业级宽温SD Card & microSD Card经过与市场主流平台、操作系统以及设备的全面兼容性测试，并已通过CE/FCC/UKCA/RCM/VCCI/RoHS/REACH等国际安全与环保认证，兼具安全、绿色与高品质特性。在产品供应方面，佰维积极配合客户完成产品长周期的导入验证，确保产品符合各类行业应用标准。TGC系列工业级宽温存储卡支持BOM(主控、固件与NAND)锁定服务，通过稳定长周期的供应，避免因物料清单更换而导致的兼容性问题和验证资源浪费。　　佰维TGC系列工业级宽温存储卡产品兼顾高稳定、高可靠与持久耐用等优势，满足工业录像设备在多路摄像头写入、7x24全天候监控摄影场景下稳定不掉速、数据完整性的严苛要求。随着高清显示技术和影像系统的不断升级迭代，对数据的传输速度和容量提出了更高的要求。佰维存储凭借其在存储解决方案研发、先进封装测试等领域的核心能力，致力于持续开发更高性能、更大容量、更高可靠性的工规级存储卡产品，以满足安防监控、轨道交通、智慧医疗影像、车载记录仪以及工业自动化等高阶工业数据存储需求。

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发布时间：2024-08-19 14:02 阅读量：573 继续阅读>>

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庆科信息获HarmonyOS高级应用开发能力认证！助力品牌快速打造鸿蒙原生应用

　　近日，上海庆科信息技术有限公司荣获HarmonyOS应用开发者高级认证，公司在华为鸿蒙生态的开发能力得到进一步拓展，能够帮助客户快速开发基于HarmonyOS Next的鸿蒙原生应用，助力厂商全面拥抱鸿蒙生态。　　6月底举办的华为开发者大会(HDC 2024)上，新一代鸿蒙操作系统HarmonyOS Next(“纯血鸿蒙”)发布，它将不再兼容安卓应用，并即将于Q4商用。会上，华为公布鸿蒙生态设备数量已超过9亿，并正式宣布基于OpenHarmony打造的全场景智能操作系统HarmonyOS NEXT启动面向开发者和先锋用户的beta升级，带来全场景、鸿蒙原生智能、原生安全等创新体验。鸿蒙原生应用已进入全面冲刺阶段，5000多个常用应用已全部启动开发，其中超过1500家已完成上架。未来，智能设备厂商需要开发专门的鸿蒙原生应用，以确保华为终端或其他搭载 HarmonyOS Next 的智能终端用户提供优质的、一致的智能服务。　　庆科信息作为国内领先的物联网系统解决方案提供商，我们面向家电、照明电工、光伏储能、医疗健康等品牌客户提供“端云一体、软硬结合”的系统化服务，助力品牌快速实现硬件的智能化升级、打造品牌自有智能APP/小程序，并构建企业私有化、全球化、数字化的物联网云平台。庆科信息还为客户提供智能生态的快速接入服务，通过生态认证模组与专业的开发服务，助力品牌快速打造满足生态要求的智能硬件与App应用体验，同时对接平台智能语音助手与智能音箱，实现生态内设备跨品牌互联互通。庆科信息已深耕华为鸿蒙生态多年，早在HarmonyOS Connect(鸿蒙智联)生态体系初期，庆科便积极参与其中，从“Works With HUAWEI HiLink”、“Powered by HarmonyOS”，到现在全新升级的“HarmonyOS Connect”，推出了一系列华为认证Wi-Fi / Wi-Fi & BLE模组硬件，并帮助数百家设备品牌轻松接入HarmonyOS生态，实现设备的智能化、互联互通。　　无论是在嵌入式、移动应用、云平台等开发测试领域积累了深厚的经验，也获得了行业及客户的认可。此次，庆科信息多位资深移动应用开发专家参与了华为鸿蒙官方系统化体系课程培训，掌握HarmonyOS核心概念和端云一体化开发、数据、网络、媒体、并发、分布式、多设备协同等关键技术能力，具备了独立设计和开发鸿蒙应用能力，并掌握HarmonyOS高级应用开发能力，最终获得官方标准认证。这意味庆科可以帮助客户更快、更好拥抱HarmonyOS生态。未来，庆科信息计划推出更多基于HarmonyOS的原生应用和SDK，为相关厂商提供全面的产品、技术和服务，帮助他们在鸿蒙生态中快速落地产品和解决方案，帮助客户实现商业共赢。

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发布时间：2024-08-06 09:21 阅读量：186 继续阅读>>

<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）：耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

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ARK（方舟微）：耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

　　耗尽型MOSFET的基本特性：　　耗尽型MOSFET，与常见的增强型MOSFET不同，它在栅极电压为零时就已经处于导通状态，即沟道已经存在。耗尽型MOSFET在电路设计中具有独特的优势，包括高输入阻抗、低漏电流、可调性和高速性。其工作原理主要基于电场效应，通过改变栅极电压来控制沟道的导电性，从而实现对电流的精确调控。在稳压及过压保护中主要利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性。　　稳压应用中的优势　　简化电路设计　　图一：耗尽型MOSFET在供电电路中的应用　　耗尽型MOSFET在栅极电压为零即导通，这意味着在某些应用中可以省去额外的驱动电路，从而简化电路设计。例如，在实现PWM IC的VCC供电电路中，传统方法使用三极管、功率电阻和齐纳二极管等多颗器件，但这会导致PCB上的热量过高且效率低下。而采用耗尽型MOSFET的方法，可以用一颗器件代替，节省空间，简化电路，减小功耗。　　宽泛的直流工作电压范围　　图二：LDO应用电路　　图三：搭配耗尽型MOSFET应用电路　　耗尽型MOSFET具有宽泛的直流工作电压范围(Vin)，这使其在稳压应用中更加灵活。如图二中在线性电压调节器中，输入电压可能来自母线电压，存在较大的电压变化，包括电压尖峰。如图三所示耗尽型MOSFET(DMZ6012E)可以通过源极跟随器配置连接，减少电压瞬变，直至达到器件额定电压VDS的耐受能力。这种配置不仅保护了电路免受浪涌电压的影响，还通过低静态电流实现了最小功耗。　　过压保护应用中的优势：　　耗尽型MOSFET在过压保护应用中表现出色。如图四所示，在这种电路中，耗尽型MOSFET与电阻和稳压二极管相结合，利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性，通过选择合适的稳压二极管，可以设定一个稳定的输出电压值。当输入电压超过该值时，稳压二极管开始工作，将栅极电压钳制在一定水平，从而限制漏极电流，防止过压对后续电路造成损害。这种电路结构简单，成本低廉，适用于需要过压保护的多种场合。　　图四：过压保护电路　　某些耗尽型MOSFET产品具有超高的阈值电压参数，如ARK(方舟微)的UltraVt®系列，这些产品非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中。UltraVt®超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　它们既能实现PWM IC在宽电压范围输入下的供电需求，又能有效抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。这种高阈值电压特性使得耗尽型MOSFET在高压及宽电压输出条件下具有更高的可靠性和稳定性。典型应用电路 (以 DMZ1015E 为例)如图五：　　图五：耗尽型MOSFET稳压应用典型电路

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ARK（方舟微）

发布时间：2024-08-05 11:31 阅读量：450 继续阅读>>

思瑞浦发布高精度12位8通道S<span style='color:red'>AR</span> ADC-TPC502200

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思瑞浦发布高精度12位8通道SAR ADC-TPC502200

　　聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器的半导体供应商思瑞浦3PEAK(股票代码：688536)全新推出TPC502200，支持I2C接口的12位8通道SAR ADC。　　TPC502200集成了高精度基准源，同时可在极端温度范围(-40°C至+125°C)下稳定工作。TPC502200凭借强大的性能优势，可广泛应用于数据采集、工业测量与控制、以及自动测试设备等领域。　　TPC502200产品优势　　I2C接口　　TPC502200芯片配备了I2C通信接口，兼容标准模式、快速模式以及高速模式，以适应不同的通信速度需求。此外，通过A0和A1引脚与VDD或GND的灵活连接，用户可以方便地配置从设备的地址，从而简化了操作过程并提高了用户体验。　　多种参考电压　　TPC502200芯片提供了灵活的电压基准选项，同时支持内部电压基准和外部电压基准。内置2.5V电压基准，典型温漂性能为5ppm/℃。　　无丢码　　ADC的"无丢码"特性确保了在转换过程中数据的完整性，这通过DNL误差控制在±1LSB以内来实现。TPC502200具备12位无丢码能力，确保了高精度的转换性能，满足用户对数据精确度的严格要求。　　高通道隔离度　　ADC通道隔离度是衡量各个输入通道之间相互独立性的一个关键指标。高隔离度意味着通道间的串扰最小化，确保了测量的精准性。TPC502200的通道隔离度高达120dB，显著降低通道间的干扰，从而确保了数据采集的高可靠性和测量精度。　　TPC502200典型应用　　TPC502200常用于服务器中各类模拟量的检测。8通道的优势可用于多路电压轨的监测、温度监测、风扇工作状态监测等，I2C接口便于和Baseboard Management Controller(BMC)通信。同时，思瑞浦可为客户提供完整的模拟解决方案，包括运算放大器、仪表放大器等各种通用和特殊放大器、模数转换器、数模转换器、接口芯片、数字隔离器、电源(LDO、基准电压、开关电源、负载开关等)等产品。　　TPC502200产品特性　　具有I2C接口的8通道12bit分辨率SAR ADC　　单模拟电源供电范围：2.7V~5.5V　　支持单端和差分输入　　I2C接口支持标准、快速和高速三种模式　　多种参考电压：　　内置2.5V电压基准　　外置基准(最高到VDD)　　非线性度：　　DNL典型值0.5LSB　　INL典型值0.5LSB　　小尺寸封装：TSSOP16　　宽工作温度范围：-40℃ to +125℃

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思瑞浦

发布时间：2024-06-18 09:23 阅读量：742 继续阅读>>

ROHM：LiD<span style='color:red'>AR</span>技术的新时代：前景广阔，未来可期

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ROHM：LiDAR技术的新时代：前景广阔，未来可期

　　什么是LiDAR?　　LiDAR是Light Detection And Ranging(激光探测与测距)的缩写，是使用近红外光、可见光或紫外光照射对象物，并通过光学传感器捕获其反射光来测量距离的遥感(使用传感器从远处进行感应)方法。　　也被称为“Laser Imaging Detection And Ranging(激光成像检测与测距)”，通常以脉冲状近红外激光照射对象物，计量光线到达对象物并反射回来的时间差。LiDAR的特点在于它不仅可以准确地检测到达对象物的距离，还可以准确地检测位置和形状。　　LiDAR用激光二极管　　要提高LiDAR的性能，如实现“更长距离”和“更高空间分辨率”的感测，要求作为感测光源的激光二极管具有更高输出功率、更高效率以及更小的光束光斑。ROHM可以提供同时满足这两项要求的激光二极管。　　高输出功率半导体激光二极管　　ROHM已经拥有实现了更窄的激光线宽的自有专利技术，有助于LiDAR支持更远的距离并实现更高的精度。ROHM于2019年开发出25W的激光二极管“RLD90QZW5”，于2021年开发出75W的激光二极管“RLD90QZW3”。为了满足市场对更高输出功率的强劲需求，2023年ROHM又开发出输出功率高达120W的“RLD90QZW8”。　　“RLD90QZW8”是针对使用3D ToF系统进行测距和空间识别的LiDAR开发的一款120W高输出功率红外激光二极管。利用ROHM自有的元器件开发技术，与普通产品相比，新产品的激光波长温度影响减少了66%，仅为⊿11.6nm(平均0.10nm/℃)。　　该优势有助于使用更窄通带的带通滤光片，从而有助于LiDAR实现远距离检测。另外，新产品还实现了270μm业界超窄线宽，而且在264μm范围内(线宽的97%)实现了均匀而稳定的发光强度，有助于提高LiDAR的精度。此外，新产品还实现了出色的光电转换效率(PCE)，光输出效率更高，有助于降低LiDAR的功耗。　　产品阵容　　除此以外，ROHM还提供更智能的LiDAR解决方案，与具有出色开关特性的GaN器件相结合，可以进一步提高LiDAR的距离分辨率并增加可检测距离。　　2023年罗姆推出超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。该产品实现了纳秒(ns)量级的栅极驱动速度，从而使GaN器件可实现高速开关。之所以能实现该特性，离不开ROHM对GaN器件的深入研究以及对栅极驱动器IC性能的追求。通过最小栅极输入脉宽为1.25纳秒的高速开关，助力应用产品实现小型化、进一步节能和更高性能。　　另外，该产品通过采用ROHM自有的驱动方式、搭载栅极输入波形过冲(一直以来的难题)抑制功能，可以防止因过电压输入而导致的GaN器件故障;通过集成ROHM的EcoGaN™，还可以简化配套产品的设计，有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此，针对多样化的应用需求，还可以通过调整栅极电阻，来选择理想的GaN器件。

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ROHM

发布时间：2024-05-16 09:05 阅读量：542 继续阅读>>

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谷歌宣布推出Arm架构AI芯片Axion

　　人工智能热潮加剧，科技巨头正在寻找人工智能所需的稀缺芯片，摆脱依赖，加速竞争。谷歌近日透露新款数据中心AI芯片的详细讯息，并宣布推出一款基于Arm架构的中央处理器Axion，可支持搜寻引擎运行及AI相关任。　　首先是推出了一款基于Arm架构的数据中心芯片Axion。谷歌表示，Axion芯片的性能比通用Arm芯片高出30%，比英特尔当前一代的芯片高出50%，预计这款芯片将于今年晚些时候上市。通过推出基于Arm的定制芯片，谷歌也希望能让其云计算业务更加经济适用，以此来和亚马逊以及微软竞争。　　据悉，2022年谷歌占到云计算市场份额的7.5%，而与此同时亚马逊和微软加在一起占到了61.5%的市场份额。　　近来谷歌在消费者AI产品方面频频遭遇挫折，但随后迅速调整策略，将重心转向企业用户市场，并发布了一系列针对企业用户的AI产品更新。在当前生成式AI热潮中，谷歌相对于其他科技巨头稍显滞后，分析人士指出，谷歌最新举措显示出其希望向市场展示在AI领域的实力。

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谷歌

发布时间：2024-04-12 09:19 阅读量：530 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
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