君正丨络明芯推出U<span style='color:red'>AR</span>T接口矩阵LED驱动 IS32FL3776，简化 ISD 设计架构
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君正丨络明芯推出UART接口矩阵LED驱动 IS32FL3776，简化 ISD 设计架构

　　光影为媒，音律为伴　　——车外灯光也能玩出新花样!　　让车灯听懂音乐的情绪，跟随旋律起伏呼吸;以节奏为序，将无形声波转化为多彩视觉盛宴。无论是露营欢聚时的氛围烘托，还是街头停留时的个性展示，光影与音律同频律动，让座驾瞬间成为全场焦点，用科技重新定义出行仪式感。　　酷炫音乐律动是如何实现的呢?　　RGB ISD方案：由6片IS32FL3776(36x6 UART接口矩阵LED驱动芯片)+ 2片IS32PM3430(6A降压恒压芯片)组成，可独立控制323pcs RGB LEDs。　　102像素ADB大灯方案：由1片IS32LT3960(双路带SPI升降压CV/CC芯片)+ 2片IS32LT3964(双路带SPI同步降压恒流驱动)+9片IS32LT3365A(12路矩阵管理器)组成，可实现对102个像素点独立控制。　　音乐律动工作原理：蓝牙模块接受外部音频信号，输出左、右声道音频，经2片IS32AP2123A单声道 D 类音频功放芯片驱动扬声器完成音乐外放;主控MCU 通过 ADC 采集音频信号，经 FFT 运算、加权归一化处理，将模拟音频波形转化为标准化灯光控制数字信号;MCU通过三组CAN 总线同步分发数据至左、右RGB ISD灯与 ADB 大灯，实现车灯跟随音乐节奏律动和各种交互显示。图1、音乐律动RGB ISD+ADB系统框图。　　图1、RGB ISD+ADB系统框图　　要实现动画流畅、音乐同步、动态交互的酷炫效果，同时还要控制系统成本，LED驱动芯片需要攻克哪些难题呢?　　细腻调光，无频闪、低噪声、拍照无摩尔纹干扰。　　高效的热管理，有效抑制芯片温升，避免高温度影响寿命和可靠性。　　适配跨车身远距离布线通信，无惧整车复杂电磁环境与强干扰工况，满足车载严苛 EMC 电磁兼容规范。　　简化系统整体架构设计，有效降低成本与开发难度。　　通信稳定可靠，动画不卡顿、音乐律动精准同步。　　精准状态监控，完善的故障保护，保证系统安全可靠。　　别慌!络明芯重磅推出全新车规级UART接口矩阵LED驱动芯片——IS32FL3776 ，一款芯片解决所有痛点，直接把复杂设计变简单!　　IS32FL3776 是一款UART接口矩阵LED驱动芯片，单颗芯片支持36x6(216) LED矩阵独立控制，芯片采用全集成设计，内置36路恒流源和6路扫描开关管，集成动态电压反馈 (DCFB)、10bit ADC、去鬼影，以及完善故障保护功能。专为汽车ISD 尾灯、ISD日行灯、贯穿式交互氛围灯等应用场景量身打造。图2、典型应用图。　　图2、IS32FL3776典型应用图　　1.细腻调光、无频闪、无摩尔纹、低噪声　　IS32FL3776 内置36路恒流源，最大电流为60mA/CH;6bit GCC寄存器可分别调节R、G、B三组的亮度级别，搭配8bit SL寄存器进一步微调每个通道之间的亮度偏差，确保LED 色彩均匀性与亮度的一致性。芯片提供 16-bit/15-bit/14-bit/12-bit/8-bit 多种 PWM 精度，最高支持 65536 级细腻调光，完美还原细微亮度和颜色变化;此外芯片还支持12+4bit/7+7bit/6+2bit多种 PWM dithering 模式，不仅实现平滑无频闪的亮度控制，还能避免手机拍摄时摩尔纹问题;支持大于20KHz扫描频率，有效降低人耳可听到电容啸叫声，满足高端ISD对灯光严苛标准。　　2.高效热管理提升系统效率　　在 ISD 智能车灯与高像素 LED 矩阵应用中，芯片自身热功耗直接影响产品稳定性与长期可靠性，过高的发热不仅会降低系统效率，还会加剧器件老化、触发过热保护，甚至影响车灯功能安全。 IS32FL3776动态电压反馈功能，通过内部 10 bit ADC 测量 VCS电压，然后比较出所有通道的最小值存储在 VOUT_MIN 寄存器中。MCU可以通过UART/SPI接口读取最小VCS电压，然后通过软件算法控制FBO引脚的电流(灌电流或抽电流)，动态改变FB反馈网络的电压，精准控制前级 DC-DC 的输出电压，使芯片处在最优的工作点，减少芯片的热功耗，优化系统效率。图3、动态电压反馈DCFB。　　图3、动态电压反馈(DCFB)　　为了能够进一步降低芯片的热应力，芯片SW可配置为外部扫描PMOS的控制时序，将高侧扫描管的导通损耗转移至外部 PMOS管 ，大大降低芯片自身的温升。采用外部扫描PMOS 与动态电压反馈(DCFB) 相结合，可保持芯片温升裕量，提高整个系统的的可靠性，这对于高亮度、高像素的ISD车灯应用尤为为重要。图4、内置/外置扫描管温度对比。测试条件:VCS=0.7V, I=1.5A　　图4、内置/外置扫描管温度对比　　3.UART/SPI双通信口，灵活切换　　在ISD 智能车灯系统中，通信的可靠性直接决定灯效流畅度与行车安全，是实现大规模像素点独立控制与稳定交互显示的关键。IS32FL3776支持2MHz UART或33MHz SPI两种通信接口，方便用户根据不同的应用场景和硬件设计需求进行选择。　　UART接口：　　支持25个芯片地址，单总线支持5400个像素点独立控制(2MHz Lumibus 总线速率下，5400像素点最高帧率可达 22Hz)。搭配通用的CAN-PHY可以实现远距离、抗干扰的跨板通信，无需额外本地MCU，大幅度简化系统架构并降低硬件成本，非常适合分布式车载应用场合。图5、分布式ISD系统架构图。　　图5、分布式ISD系统架构图(UART)　　SPI 接口:　　支持菊花链级联，具备更高传输速率，支持更大数据量传输，能够轻松实现各种炫酷动态灯效，适合对数据更新速度要求较高的应用场景。　　通讯CRC校验：　　IS32FL3776的UART/SPI 接口均支持通信CRC 校验，能检测出单比特错误，多比特错误，突发数据错误等，是面向车载智能交互灯的关键通信安全机制，核心作用是实时校验指令与数据完整性。芯片具备优异车规级 EMI/EMS 抗干扰能力，能够有效应对线束干扰、电源纹波、瞬态脉冲，过滤异常错误指令，避免灯光误动作，保障灯光系统稳定可靠。　　4.优秀EMI+鬼影消除　　内置可编程扩频技术，优化EMI性能。可配置输出通道180°相位延迟功能大大减小电源的浪涌电流，有助于进一步降低EMI，轻松满足 CISPR-25 标准。此外IS32FL3776集成可编程去鬼影电路，芯片内部为每个SWx和CSy引脚提供了独立的可编程下拉/上拉电压源。用户可根据实际的LED正向电压与PCB布局，灵活设置最佳的下拉与上拉电压，从根本上抵消寄生电容的电荷积累，消除鬼影。通过精准控制下拉 / 上拉电压差，减少LED 的反向负压，提升可靠性，保证车载高温环境下的 LED 寿命。　　5.全面保护与监控，安全可靠　　IS32FL3776 集成10-bit高精度ADC，支持对芯片 PVCC 电源电压、CS 引脚电压、LED 正向压降 VF、芯片结温 PTAT 电压以及 DCFB 反馈电压等关键信号进行实时采集，为车载 LED 驱动系统提供全面的状态监测与故障诊断能力。针对RGB LED随温度亮度衰减不一致导致色偏问题，芯片通过内部ADC实时采集芯片结温和LED VF电压，通过软件算法对R、G、B灯实施不同温度补偿曲线，保证不同温度条件下颜色的一致和亮度恒定，避免因为温漂导致色偏影响RGB ISD显示效果。　　IS32FL3776内置了多种保护功能，确保了芯片在各种工作条件下的稳定性和可靠性。支持逐周期 LED 开路 / 短路检测，并可配置开路、短路阈值，实现对 LED 负载状态的精准监控。同时具备热关断保护、过流保护以及欠压检测功能，可在异常工况下快速响应，保障系统安全稳定运行。此外，检测到的故障信息存储在寄存器中，方便用户进行故障排查和维修。芯片符合AEC-Q100 Grade 1 车规标准，工作温度覆盖 - 40℃~+125℃，采用 QFN-60 紧凑封装，完美适配车载严苛环境，是智能交互灯、氛围灯、尾灯、日行灯等高端车载照明的理想选择。　　6.方案2 DEMO展示　　IS32FL3776 ISD智能交互灯方案　　贯穿式ISD智能交互灯由LUMISSIL 20片IS32FL3776 (36*6 矩阵LED驱动芯片)+ 5片IS32PM3427(4A降压恒压芯片)组成，整个demo由一块主控制板+五块灯板拼接而成，控制多达4275颗白光LED，实现各种动画效果。图6、具体方案框图。　　图6、 ISD智能交灯框图　　IS32FL3776主要特性　　工作电压：3.0V ~ 5.5V　　36 路恒流通道，最大 60mA / 路，集成 6 路分时扫描管，SW 输出还可以配置为外部扫描管的时序控制　　电流精度： ±3.5%(通道间, ±5%(芯片间)　　通信接口：UART (2MHz)/SPI (33MHz),通信CRC　　内置 10 位 ADC 用于引脚电压测量(LED VF, PVCC, VCS)及芯片结温　　3 组6-bit全局电流调节(GCC)+ 每点8-bit DC电流调节　　PWM 调光模式:16-bit/12+4-bit/15-bit/12-bit/14-bit/7+7-bit/8-bit/6+2-bit　　CS 引脚与 SW 引脚(内置 PMOS)集成去鬼影电路　　DCFB功能：动态调节 DC-DC 输出电压，优化系统效率　　内置相位延迟，以减少电源噪声　　内置扩频功能，优化 EMI 性能　　LED 开路 / 短路检测(可配置 阈值)　　TSD/OCP/UV　　AEC-Q100 车规认证：Grade 1 等级　　封装：QFN-60　　工作温度范围: - 40℃ ~ +125℃。
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发布时间：2026-04-30 11:06 阅读量：362 继续阅读>>
瑞萨电子与中科创达签署合作备忘录，R-Car X5H多域融合系统亮相北京车展
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瑞萨电子与中科创达签署合作备忘录，R-Car X5H多域融合系统亮相北京车展

　　4月24日-5月3日，2026北京国际汽车展览会盛大举办。开展首日，瑞萨电子与中科创达在展会现场共同签署合作备忘录。双方基于半导体和智能汽车领域的深厚专业知识和前瞻性战略，秉持互补优势、长期共赢和协作创新的原则，围绕下一代智能驾驶舱和车载智能计算平台，达成对软件定义车辆未来的深厚合作，将建立长期合作伙伴关系。中科创达执行总裁兼智能汽车事业群总裁常衡生、瑞萨电子中国总裁刘芳见签，中科创达智能汽车事业群副总裁徐东超、瑞萨电子中国汽车销售高级总监张佳浩代表双方签约。　　右一：中科创达执行总裁兼智能汽车事业群总裁 常衡生　　右二：中科创达智能汽车事业群副总裁 徐东超　　左一：瑞萨电子中国总裁 刘芳　　左二：瑞萨电子中国汽车销售高级总监 张佳浩　　本次合作主要围绕瑞萨R-Car X5H SoC平台，融合中科创达滴水AIOS及交互引擎的能力进行深化技术协同与创新，联合探索下一代智能座舱、大语言模型、端侧AI推理、多模态交互、跨域融合以及面向高端汽车SoC平台的视觉感知等前沿领域，打造标杆级技术解决方案和参考设计。北京车展期间，由瑞萨电子与中科创达联合开发的R-Car X5H多域融合系统演示方案也亮相中科创达展台。　　R-Car X5H多域融合系统演示方案　　3D渲染功能演示　　端侧VLM大模型功能演示　　碰撞提示功能演示　　展出时间：4月24日-5月3日　　展位号：中国国际展览中心(顺义馆)E1馆09号　　作为瑞萨第五代R-Car产品家族的新成员，R-Car X5H是业内首款采用3nm制程的车规级多域融合SoC，可同时运行先进辅助驾驶系统(ADAS)、车载信息娱乐系统(IVI)和网关系统等多项功能。　　在核心算力方面，R-Car X5H集成了高达1400k DMIPS的CPU算力、400 TOPS的NPU算力，以及4 TFLOPS的GPU算力。此外，芯片内置FFI硬件级隔离机制，可确保多域融合系统不同功能域的安全隔离;功能安全等级达到ASIL D，满足高安全应用场景要求。同时，瑞萨提供RoX(R-Car Open Access)开放开发环境，便于合作伙伴快速进行软件与算法部署。　　滴水AIOS(AquaDrive AIOS)是中科创达面向全球市场推出的AI原生汽车操作系统产品，是构建下一代智能汽车软件平台的核心基础。系统以AI为中心，融合端侧大模型能力、多模态人机交互与异构计算调度技术，支持复杂AI应用在车端的实时运行与持续演进。通过统一的软件底座与跨域融合架构，滴水AIOS能够高效整合座舱、驾驶辅助及车载通信等多域功能，在保障功能安全与系统可靠性的前提下，实现资源的最优分配与系统复杂度的显著降低，为车企提供面向量产的高性能、高可扩展智能汽车解决方案。　　基于R-Car X5H SoC构建的多域融合系统解决方案，是一套完整的软硬件一体化平台，旨在通过单芯片同时承载智能座舱、高级驾驶辅助系统(ADAS)、网关通信等关键任务。在功能层面，方案支持8K×2K超高清人机界面、3D数字仪表、多媒体娱乐、导航、游戏、驾驶员监控、ADAS感知与环视等多应用运行。同时集成了端到端舱内AI能力，支持基于实时摄像头的大语言模型/视觉语言模型应用场景，以及增强型哨兵模式。　　本次合作标志着中科创达与瑞萨电子在软件定义汽车与多域融合计算架构领域的合作进入全新阶段。展望未来，双方将以更加开放共赢的姿态，持续深化在多域融合、端侧AI及下一代智能座舱等领域的技术创新，共同推动汽车产业从芯片到系统的全面升级，为全球客户提供更具竞争力的量产级解决方案，推动行业迈向全新智能化时代。
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发布时间：2026-04-28 09:47 阅读量：398 继续阅读>>
3nm上车、100Gbps：瑞萨R-Car X5H重新定义车载TSN网络
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3nm上车、100Gbps：瑞萨R-Car X5H重新定义车载TSN网络

　　4月15日-16日，2026第七届中国国际汽车以太网峰会(AES2026)于上海举办。在“车载网络架构创新与Serdes技术路径”分会场，瑞萨电子高性能运算产品市场应用技术部经理李高伟，发表了《赋能下一代E/E架构：瑞萨以太网TSN交换机IP解决方案》的主题演讲，系统介绍了瑞萨面向集中式E/E架构的R-Car X5H SoC与RH850 U2B24-E MCU，以及集成其中的R-Switch 3.0以太网TSN交换机IP。　　瑞萨电子高性能运算产品市场应用技术部经理李高伟发表演讲　　车载交换机面临的新挑战　　随着汽车电子电气架构从多域控制器向“中央计算+区域控制”(HPC + Zonal ECU)加速演进，以太网与TSN交换机已成为决定整车实时性与安全性的关键环节。传统分布式架构中，交换机仅承担简单的数据转发。而在集中式架构下，一个中央计算平台需同时服务智能座舱、ADAS、网关、车身控制等多个功能域，并运行多个操作系统(QNX、Android、Linux等)。演讲中指出，车载交换机必须具备：低延迟无阻塞交换能力、完整的TSN特性支持、多核SoC/MCU及多虚拟机的协同能力，以及满足混合安全等级(ASIL-B/D)的硬件隔离机制。瑞萨的解决方案是将高性能TSN交换机IP直接集成到中央计算SoC中，并为之设计了第三代R-Switch架构——R-Switch 3.0。　　R-Car X5H：　　业界首款3nm车规级多域融合处理器　　R-Car X5H是本次演讲的核心亮点。作为业界首款采用3nm制程的车规级多域融合中央计算芯片，它在特定工作负载下能效比上一代提升30–35%，在部分应用场景下，无需液冷即可满足车规级散热要求，对整车成本与可靠性意义重大。　　X5H的性能参数树立了行业新标杆：　　CPU：32个Cortex-A720AE，总计1400K DMIPS　　实时核：12个Cortex-R52，最高64.6K DMIPS，也可配置为锁步核支持ASIL-B/D　　NPU：高达400 TOPS(稀疏)，用于360°感知　　GPU：最高4 TFLOPS，支持超过10个显示器，最高8K输出　　内存：LPDDR5x，250GB/s带宽　　扩展：通过UCIe支持Chiplet，可灵活升级NPU/GPU　　此外，X5H内置了多级安全架构和硬件FFI(混合安全等级隔离)，允许ASIL-D与非安全应用在同一芯片上安全共存，无需额外Hypervisor开销。这一设计前瞻性地回应了软件定义汽车对安全与灵活性的双重需求。　　R-Switch 3.0：　　集成在X5H内的TSN交换核心　　R-Switch 3.0是瑞萨自研以太网车载交换机IP的第三代产品，专门针对车载混合架构和高千兆速率设计，符合IEEE 802.1DG和OPEN TC11标准。其硬件规格充分满足未来五年车载网络的需求：　　端口配置：最多8个外部网口(支持1Gbps–10Gbps)、8个内部网口、2个CPU专用口　　总带宽：外部输入总和50Gbps，内部交换能力100Gbps　　安全：所有外部网口支持MACsec，内、外口支持VLAN隔离机制　　转发架构：基于流水线的无阻塞存储转发，集成CAM/TCAM转发表　　路由能力：硬件完成从Layer 1 (Port) – Layer 2 (MAC/Stream ID) – Layer 3 (IPv4/IPv6) – Layer 4 (UDP/TCP) 等各层转发　　多路以太网专用DMA直接内存访问机制　　在TSN特性上，R-Switch 3.0几乎覆盖了所有车载所需的关键标准：802.1AS-rev(双时钟域)、802.1Qav(信用感知调度)、802.1Qbv(时间感知调度)、802.1Qbu + 802.3br(帧抢占)、802.1Qci(输入流监管)、802.1CB(帧复制与消除)。这些特性确保了音频、视频、控制数据在同一网络中确定性传输，彻底告别为不同流量单独布置专用总线的时代。　　现场演示：　　全以太网AVB音频方案　　演讲现场，李高伟展示了基于R-Car X5H与RH850 U2B24-E的以太网AVB音频演示系统。通过R-Switch 3.0的8路以太网端口和内置通用DSP，实现了多路麦克风、扬声器的低延迟音频传输。整套方案无需外置音频DSP，由R52实时核独立控制，完全不占用A720主核资源。　　该演示直观地证明：在集中式架构下，过去需要单独走专用总线的功能，现在可以统一到以太网骨干网上，且性能更好、成本更低、软件兼容性更强。这也是瑞萨一直倡导的“网络融合”理念的具体体现。　　展望：　　从功能集成走向网络融合　　下一代汽车E/E架构的竞争，不再仅仅是算力的比拼，更是网络交换能力与TSN生态完整性的较量。瑞萨R-Car X5H将3nm制程、400 TOPS AI算力、100Gbps TSN交换机整合在一颗芯片中，并支持Chiplet扩展，为车厂提供了一条从当前Zonal架构到未来完全软件定义汽车的平滑演进路径。面向未来，瑞萨将持续深耕车载以太网TSN技术，携手合作伙伴共同推动智能汽车网络向更高效、更安全、更开放的方向迈进。
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发布时间：2026-04-22 09:40 阅读量：424 继续阅读>>
技术干货丨瑞萨最具成本效益的Arm Core MCU：轻松为现有系统添加新功能
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技术干货丨瑞萨最具成本效益的Arm Core MCU：轻松为现有系统添加新功能

　　在消费、工业和建筑自动化市场，制造商面临持续压力，需要增加新功能、加强安全功能或提升用户体验，同时不增加系统成本或重新设计核心电子设备。但升级现有系统往往会引发元件更换、更紧张的电路板空间限制或新的电源管理挑战。对许多工程师来说，即使是像安全联锁、电机控制辅助功能或基本感测任务这样的小幅功能添加，也可能需要更昂贵的MCU或额外的外部组件。这些权衡减缓了开发速度，提高了物料清单成本，并使在成本敏感市场中维持竞争性定价变得更加困难。　　这正是RA0E3设计要填补的空白。作为瑞萨RA系列中最具成本效益的32位Arm® Cortex-M23® MCU，它为工程师提供了一种无需重新修改主设计即可扩展系统功能的简单方式。凭借宽广的1.6V至5.5V工作区间、±1%高精度片上振荡器、低功耗架构以及最高可达125°C工作温度的稳健运行，RA0E3无需外部振荡器、电压移位器或额外的散热考虑。无论是作为子MCU来分担安全关键任务，还是添加新的辅助功能，它都帮助团队提升产品性能，同时保持设计紧凑、高效和成本优化。　　随着终端产品的更新和用户期望的提升，这些挑战变得越来越普遍。工程师们越来越需要一种直接且可靠的方式来引入新功能，而无需增加物料成本或重新设计架构。考虑到这些背景，我们来看看RA0E3如何帮助制造商在不增加成本的情况下扩展系统性能。　　RA0E3有什么独特之处?　　基于这种简单且经济的扩展需求，RA0E3以能力、效率和设计灵活性的结合脱颖而出。它专为成本敏感设计而开发，这些设计仍要求在宽电压和宽温度范围内保持可靠运行，采用流线型架构、适度内存和精心挑选的外设实现这一目标。　　通过在极小空间内结合精确的片上时序、5V系统兼容性和低功耗模式，RA0E3使工程师能够灵活添加此前需要更大、更昂贵MCU才能实现的子功能或辅助控制逻辑。这种在简洁性与性能之间的平衡使其在大批量家电、紧凑型工业设备和小型消费电子产品中展现出独特的实用性。　　尽管是RA系列中最实惠的MCU，RA0E3依然提供了强大且可靠的性能，适合广泛应用。　　作为子微控制器的完美契合　　RA0E3最大的优势之一是其在支持主处理器时的可靠性。　　考虑家庭电器，比如食品处理器或厨房搅拌机。这些装置通常配备安全锁机制，除非所有部件都牢固组装，否则无法正常工作。许多设计不再让主处理器承担这一安全功能管理，而是将其分包给专用的子微控制器。　　这正是RA0E3的出色之处：　　在5V系统中无缝运行，无需额外元件　　即使在意外高温条件下也能保持稳定工作　　增加安全或辅助功能，同时不增加系统复杂度　　扩展功能而不重新设计系统　　上面的例子只是其中一个情景。在消费电子、工业设备等多种应用中，RA0E3实现了：　　低成本功能扩展　　恶劣环境中的可靠控制　　易于与现有架构整合　　对于希望提升产品而无需重新审视整个系统设计的工程师来说，RA0E3提供了高效且可靠的前进路径。
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发布时间：2026-03-17 10:01 阅读量：506 继续阅读>>
<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）技术赋能快充：DMZ6012E 高压启动及 DMZ1015E 线性稳压方案
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ARK（方舟微）技术赋能快充：DMZ6012E 高压启动及 DMZ1015E 线性稳压方案

　　典型方案　　DMZ1015E-PD快充专用高压线性稳压器　　DMZ1015E 是 ARK(方舟微)自主研发的一款 100V 超高阈值耗尽型 MOSFET，采用先进的 UltraVt® 高阈值专利技术，专为 PWM IC 的宽电压范围供电设计而优化。　　该器件能够直接将高输入电压高效转换为稳定的低电压 / 电流输出，大幅简化系统电路设计，同时具备极低的静态功耗，有助于提升系统整体效率与长期运行可靠性。　　DMZ6012E-理想的高压600V启动元件　　DMZ6012E 是 ARK(方舟微)推出的 600V 高压耗尽型 MOSFET，具备低导通电阻、大通流能力以及增强型 ESD 设计，专为快充启动电路量身打造。　　该器件可有效替代传统启动电阻方案，消除静态功耗，显著提高电源转换效率并降低系统发热，从而全面提升电源系统的可靠性与稳定性。
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发布时间：2026-03-09 16:46 阅读量：477 继续阅读>>
申矽凌搭载高通新一代Snapdragon Wear™ Elite平台 打造个性化智能穿戴体验
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申矽凌搭载高通新一代Snapdragon Wear™ Elite平台 打造个性化智能穿戴体验

　　申矽凌近日宣布，公司正与高通技术公司合作，在其Snapdragon Wear™ Elite平台上实现微型化高精度温度传感。此举正值业界致力于通过新一代智能可穿戴设备实现传感领域能够更好地理解用户需求，提供主动服务，并带来高度个性化的体验。　　申矽凌传感器家族凭借其突破性的精度、极致的小型化外形尺寸和出色的可靠性，为基于新一代Snapdragon Wear Elite平台的设备提供了关键的生理和环境感知能力，助力打造更智能、更可靠的个性化医疗保健体验。　　CT7117是申矽凌在微型化高精度温度传感领域的里程碑式产品。它专为对空间和精度有极高要求的可穿戴设备和便携式设备而设计，并具有显著的核心优势：　　临床级温度测量精度：在20°C至50°C的关键生理温度范围内，其温度测量精度高达±0.1°C(最大值)。这一卓越性能使其能够满足连续体温监测、女性健康管理和发热预警等高端健康应用中对数据精度的严格要求，为算法模型提供了可靠的数据基础。　　极致微型化设计：芯片尺寸仅为0.73毫米×0.73毫米，在同等精度水平下，是市场上最小的温度传感器之一。其超小的占用空间为内部设备设计腾出了宝贵空间，尤其适用于智能手表、无线耳机、智能戒指和皮肤贴片等极其紧凑的产品形态。　　与先进平台无缝兼容：该芯片支持最低1.4V至最高5.5V的工作电压，能够与Snapdragon Wear Elite等新一代低功耗可穿戴平台实现高效、低功耗通信，从而简化系统设计。　　此外，申矽凌最近还推出了升级版温度传感器芯片CT7337，该产品在关键参数上提升了性能，支持更低的1.2V输入/输出电平，以增强低功耗兼容性，在20°C至50°C的温度范围内，精度最高可达±0.08°C(最大值)，并增强了封装可靠性，以提高量产良率。同时还支持I3C接口，进一步实现了更快、更节能的通信，并简化了系统集成。　　申矽凌董事长兼首席执行官王玉表示：“我们坚信，智能可穿戴设备的未来在于‘感知、理解和预测用户需求’。我们的传感器芯片与高通技术公司(Qualcomm Technologies)所追求的高性能、低功耗和强大的AI处理能力高度契合。精准的传感器数据是下一代主动式、个性化健康服务的基础。我们致力于推动芯片层面的创新，帮助我们的客户打造出更懂用户、更值得信赖的智能可穿戴设备。”　　此次合作不仅是硬件层面的升级，更是推动申矽凌产品向主动式、情境化智能服务转型的核心动力。申矽凌期待与高通技术公司携手，进一步推动智能可穿戴行业的发展，实现更高的智能化、专业化和个性化。　　上海申矽凌微电子科技股份有限公司是一家专注于高性能传感器芯片以及混合信号芯片的半导体设计公司。自2015年成立以来，公司已成功研发并量产300多款具有完全自主知识产权、富有竞争力的产品。产品涵盖温湿度传感器、环境光传感器、数模转换、数字接口以及安全芯片等多个品类，可广泛应用于工业、汽车、通讯以及消费电子等领域。
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发布时间：2026-03-05 15:21 阅读量：556 继续阅读>>
<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）:耗尽型MOSFET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例
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ARK（方舟微）:耗尽型MOSFET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例

　　01 产品特点　　▲ N沟道耗尽型(Normally-on)　　▲ 优异的热稳定性　　▲ 极低的泄漏电流　　▲ 开关速度快　　▲ VGS(off)：-2.9V～-1.8V　　▲ 低导通电阻：RDS(on)<6Ω　　02 产品应用　　● 智能变送器　　● 传感器　　● 汽车电子　　● 充电桩　　● 非隔离线性电源　　● 恒流源　　● 常闭开关　　03 典型应用及产品优势　　Ø典型应用　　在智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案的数模转换电路中，常使用耗尽型MOSFET给DAC芯片供电并提供过压保护，典型电路方案如下：　　Ø使用耗尽型MOSFET的优势　　★ 可直接将较高环路电压转换为稳定的低电压。　　★ DAC芯片供电电压降低，可有效降低功耗，有利于长期稳定运行。　　★ 耗尽型MOSFET能在复杂的电磁环境中抵抗较大的瞬变电压干扰，有效抑制电路浪涌，为DAC芯片提供过压保护。　　04 选型推荐　　在环路供电型4~20mA数模转换器(DAC)的供电及保护方案中，ARK(方舟微)研发的DMZ42C10S、DMX1072、DMX4022E可对Infineon的BSS169实现Pin-to-Pin替代，产品主要参数如下：
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发布时间：2026-02-28 14:31 阅读量：612 继续阅读>>
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线径更大，连接更稳｜泰科电子TE SOLARLOK PV5 光伏连接器新品核心解读

　　在光伏电站的生命周期里，每一个细节都在为“降本增效”的目标服务。TE Connectivity(以下简称“TE”)近期正式推出的 SOLARLOK PV5 大线径光伏连接器并非一次简单的迭代，而是精准响应行业高功率、大电流、高效率发展趋势的针对性解决方案。　　此次新品的核心升级，在于 “更大线径” 的设计，TE 的 SOLARLOK PV5 光伏连接器提供了10 mm2 (8 AWG)和16 mm2 (6 AWG)的线径尺寸选择。　　看似简单的物理变化，却直接解决了当前电站设计中的几个关键挑战：　　应“需”而生　　随着单块组件功率的不断提升，组串汇流处的电流载流量正逐步升高，原有的连接方案可能面临瓶颈。SOLARLOK PV5 光伏连接器更大的线径设计，在组串汇流连接场景中能够提供更可靠、更便捷的快速连接。　　顺“势”而为　　更高的电流承载能力，已是行业明确的发展趋势。SOLARLOK PV5 光伏连接器使电站从设计阶段即可提前为未来的更高功率需求做好准备，为电站的长期可靠性与后期扩容提供基础。　　“省”于细节　　在汇流箱或分支连接处，SOLARLOK PV5 光伏连接器可以直接与现有的 SOLARLOK PV4-S 等小线径光伏连接器进行对插连接，直接省去了一根跳线。这不仅简化了安装，降低了物料成本，更减少了系统中的潜在故障点，提升了整体可靠性。　　FAQ　　SOLARLOK PV5 光伏连接器推出后，TE 收到了全球各地客户的积极问询，我们汇集了第一手常见问题，为大家提供官方详细解答：　　问　　SOLARLOK PV5 光伏连接器的 UL 测试温度是多少?　　答　　行业常规的 UL 测试在25°C标准环境下进行。而 TE 的 SOLARLOK PV5 光伏连接器的UL 6703 认证，选择在55°C的严苛环境下完成。这确保光伏连接器在更接近实际工况(如设备内部升温、炎热气候等)的条件下，依然能提供稳定可靠的性能，为电站的长期安全运行，提供超出标准的额外保障。　　问　　除了标准的 IEC 和 UL 要求外，TE 还对 SOLARLOK PV5 光伏连接器进行了哪些额外测试?　　答　　我们的 SOLARLOK PV5 光伏连接器超越了标准规定的要求：　　UL 热循环 (UL 6703 §35)：标准不要求带载测试;这款产品在额定电流下完成了200次循环　　IEC 热冲击 (IEC 62852 §6.3.11)：标准要求200次循环;这款产品完成了1,200次循环　　IP68 防水：标准要求在1米水深浸泡1小时;TE 对这款产品进行了24小时测试　　问　　TE 的 SOLARLOK 光伏连接器采用何种接口?　　答　　所有的 SOLARLOK 光伏连接器系列，包括 PV5、PV4-S 和 SLK 2.0，均采用标准光伏接口，确保连接平滑可靠，相互间能够直接互连互通。　　问　　SOLARLOK PV5 光伏连接器的“蝠翼”(Manta Wings)设计有什么作用?　　答　　其特殊设计的“蝠翼”压接结构，能够均匀分布压接力道。这使得压接操作更轻松、更易到位，同时确保了压接点的电气连接更稳定、性能更高。　　问　　SOLARLOK PV5 光伏连接器安装后是否可以解锁并重复使用?　　答　　是的，我们的 SOLARLOK PV5 光伏连接器在安装后可以解锁并与其他连接器重新配对。但是，与市场上所有其他光伏连接器一样，它不可被重新安装到另一条不同的电缆上。　　TE 的 SOLARLOK 系列光伏连接器在光伏电站的逆变器直流输入侧一直发挥关键作用。该系列产品通过严格的产品材料选择、高于行业标准的耐久性测试，以及全生命周期的性能模拟，系统性地塑造并验证了其耐用、可靠、稳定的核心性能，致力于为电站的长期安全高效运行提供基础保障。
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发布时间：2026-02-27 15:05 阅读量：621 继续阅读>>
静态电流＜20μA！<span style='color:red'>AR</span>K（方舟微）高压集成稳压器，集成温度补偿与高耐压！（上）
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静态电流＜20μA！ARK（方舟微）高压集成稳压器，集成温度补偿与高耐压！（上）

　　01 产品简介　　ARK(方舟微)基于专利MOSovp®技术，推出AKZ16V18R、AKZ25V19R和AKZ35V20R三款高压集成稳压器(HVIR)，专为宽输入电压场景设计。该系列产品静态电流均低于20μA，集成温度补偿电路，具备优异的温度特性和高可靠性。通过内部集成的高耐压N沟道耗尽型MOSFET，实现快速瞬态响应和高效浪涌抑制，可为负载提供稳定的电压输出与过压保护。　　产品提供SOT-23(0.5W)、SOT-89(1.0W)和SOT-223(1.5W)等多种封装，适配不同功率与布局需求，尤其适用于空间受限的紧凑型设计。　　02 产品特性　　▲超高耐压：全面覆盖宽电压输入场景　　· AKZ16V18R：输入电压0～180V　　· AKZ25V19R：输入电压0～190V　　· AKZ35V20R：输入电压0～200V　　▲高稳定性：输出电压波动小，具备优异的温度特性(参见图示温度曲线)。　　▲快速响应：内部集成耗尽型MOSFET，可快速箝位瞬态高压，有效抑制浪涌。　　▲高可靠性：工作温度范围-40℃至150℃，满足工业级应用要求。　　▲多封装选项：SOT-23(0.5W)、SOT-89(1.0W)、SOT-223(1.5W)，适配不同功率与散热需求。　　03 应用领域　　▲快充系统：如QC2.0/3.0/4.0、USB Type-C PD快充中为PWM IC供电。　　▲工业控制：传感器电源稳压与保护。　　▲汽车电子：车载充电器电路。　　▲光伏系统：低压辅助电源稳压。　　▲家用电器：空调、冰箱等高压电源模块的稳压设计。
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发布时间：2026-01-30 14:57 阅读量：752 继续阅读>>
<span style='color:red'>AR</span>K方舟微丨DMZ(X)0622E：70V耗尽型MOSFET，一颗替代“三极管+齐纳+电阻”，高压辅助电源优选
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ARK方舟微丨DMZ(X)0622E：70V耗尽型MOSFET，一颗替代“三极管+齐纳+电阻”，高压辅助电源优选

　　产品简介　　DMZ(X)0622E是ARK(方舟微)推出的70V N沟道耗尽型MOSFET，在0615基础上将阈值电压再提升一档：VGS(OFF) 典型–22V(–25V~–19V)，可以钳位18V~23V输出，完全覆盖QC4.0/Type-C PD3.1快充、工业24V总线、伺服驱动等高压辅助电源需求。SOT-23与SOT-89两种封装，一颗器件替代“三极管+齐纳+电阻”三元组。　　产品特性　　· 产品类型：N沟道耗尽型MOSFET。　　· 超高阈值电压：-25V≤VGS(OFF)@ID=8μA≤-19V。　　· 输入耐压： BVDSX≥70V。　　· 导通电阻：RDS(on)(MAX)≤15Ω。　　· 饱和电流：IDSS≥120mA　　QC4.0/Type-C快充 PWM IC 供电　　Ø采用三极管+齐纳二极管+电阻的传统供电电路　　图2为Type-C PD充电器的示意图。其中采用三极管、电阻、齐纳二极管等组成电压调节器，给PWM IC的VCC供电。由于充电器的输出电压较宽，可达3.3-20V，因此偏置绕组的输出电压变化范围也较大。在充电器输出较高电压时，齐纳二极管击穿，将电压钳位，给VCC提供稳定的电压。此方案采用较多元件，增加BOM成本和PCB面积，占用较多的宝贵空间，同时耗能较多，降低能效。　　Ø采用DMZ(X)0622E的新型供电电路　　成都方舟微电子有限公司利用其专有技术开发的具有超高阈值电压(超高关断电压)的耗尽型MOSFET DMZ(X)0622E，仅用此一个器件就实现了宽电压输入电压调节器的功能。对追求极致最小尺寸的充电器或适配器的设计工程师，是一个理想的选择。此方案不仅节约空间及面积，而且更加节能。图3是DMZ(X)0622E在Type-C PD充电器的典型应用电路。　　图3中的双极型晶体管、齐纳二极管及限流电阻网络可被单颗耗尽型MOSFET DMZ(X)0622E直接取代，从而在减少元器件数量的同时显著压缩PCB占用面积，并降低整体BOM成本。　　启动阶段由耗尽型MOSFET DMZ6005E负责：当充电器接入市电并开始工作后，辅助绕组随即建立电压并向PWM IC供电;此时DMZ6005E自动关断，将通路电流降至漏电流级别，使系统待机功耗大幅降低。DMZ6005E的详细技术资料可在ARK(方舟微)官网获取。　　电流/电压源　　Ø 电流/电压源　　DMZ(X)0622E可用作电流或电压源，为负载提供电力，如图4所示。　　输出电压Vout由负载RL、电流ID以及VGS(关断状态)决定：　　ID=IDSS*(1+ID*RL/VGS(OFF))2　　其中：ID*RL=-VGS=Vout　　由上述关系可见，耗尽型MOSFET工作于亚阈值区(弱反型区)，其输出电压Vout始终被限制在略低于或接近于栅-源截止电压VGS(OFF) 的电位，且与输入电压Vout的变化无关。因此，器件除为后级IC提供工作电源外，还利用VGS(OFF)实现主动钳位，有效抑制输入瞬态或负载突变引起的电压、电流波动，对IC起到次级保护作用。DMZ(X)0622E最高可承受70V输入，Vin与Vout的关系满足以下公式：　　If Vin<∣VGS(OFF)∣, then Vout≈Vin　　If Vin≥∣VGS(OFF)∣, then Vout≤VGS(OFF)　　DMZ(X)0622E是ARK(方舟微)基于其专利工艺开发的超高阈值耗尽型功率MOSFET。器件关断电压VGS(OFF)分布在−19V至−25V之间，可为反激变换器中的PWM IC等负载提供足够的栅-源驱动电压。　　由于VGS(OFF)呈工艺正态分布，不同批次器件的钳位电压存在差异。图6给出了VGS(OFF)最高(−19V)与最低(−25V)两颗样品的输出电压Vout随结温Tj变化的曲线，表明 Vout的钳位值会随温度及VGS(OFF)漂移而相应变化。　　图7和图8分别展示了DMZ(X)0622E的输出电压Vout与负载电流IRL以及结温TJ的关系特性，这两款MOSFET的VGS(OFF)分别为，最高-19V，最低-25V。
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发布时间：2026-01-27 13:24 阅读量：632 继续阅读>>

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