三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载S<span style='color:red'>SD</span>
  256GB AM9C1使用先进的V-NAND技术,  5nm制程控制器,  提供SLC模式选项,速度目前为三星最快  更高的性能和可靠性,  使此款SSD支持端侧AI功能,  更适配下一代车载解决方案  2024年9月24日,三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性,成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。  三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991,能效提高约50%,顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。  “三星电子副总裁兼存储器事业部  汽车业务负责人Hyunduk Cho表示:  我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作,为这些企业提供高性能、高容量的车载产品。三星将继续推动涵盖从自动驾驶到机器人技术的物理人工智能(Physic AI)¹ 存储器市场的发展。”  AM9C1基于三星的5纳米(nm)控制器,提供单层单元(SLC)命名空间²功能,其优异的性能让访问数据密集型文件更为轻松。用户将初始的三层单元(TLC)状态切换至SLC模式,即可体验大幅提升的读写速度,其中读取速度高达4,700MB/s,写入速度高达1,400MB/s,同时还能享有SLC SSD可靠性增强所带来的优势。  当前,三星的主要合作伙伴正在进行256GB版本AM9C1的样品测试,这款产品预计将于今年年底开始量产。为了满足对高容量车载SSD日益增长的需求,三星计划推出128GB到2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容。其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。  三星的新款车载SSD通过了更为严苛的板级测试,能够满足汽车半导体质量标准AEC-Q100³的2级温度测试标准,在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。  为了进一步满足汽车行业在可靠性和稳定性方面的高标准,三星电子获得了基于ISO/SAE 21434标准的CSMS⁴(网络安全管理体系)认证。今年3月,三星的车载UFS 3.1产品通过了ASPICE⁵(汽车软件过程改进与能力评定)CL3认证。  “三星电子存储器事业部  执行副总裁Hwaseok Oh表示:  ASPICE和ISO/SAE 21434认证是证明三星技术可靠性和稳定性的里程碑。三星将继续提升产品的稳定性和品质,为关键合作伙伴提供优秀解决方案。”
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发布时间:2024-09-24 10:07 阅读量:496 继续阅读>>
里阳半导体:SOT23封装的这款E<span style='color:red'>SD</span>你一定用过
  随着汽车工业的不断发展,车载电子系统的复杂度日益提升,车载中控作为车辆信息处理和控制的中心,其稳定性和可靠性显得尤为重要。  在车载中控系统的信息传递中,静电放电(ESD)保护器件扮演着至关重要的角色,其中SOT23封装的这款ESD你一定用过。  产品概述  LY23DC24-Q是里阳半导体推出的一款车规级ESD,它采用SOT-23的封装,使其能够适应车载中控系统对空间布局和散热性能的要求,确保系统的高效稳定运行。  图为LY23DC24-Q的封装图▲  产品特性  车载中控系统的显示触摸屏是驾驶员与车辆进行交互的重要界面。触摸屏将捕捉到的触摸数据通过内部电路进行处理,解析出用户的操作指令。  处理后的操作指令会通过数据总线(如 CAN 总线、LIN总线或专用通信协议)传输给中控主机(或称为中央控制单元)。  数据总线是汽车内部各个电子控制单元之间通信的桥梁,它负责将各个控制单元产生的数据和信息进行传输和共享。  CAN总线和LIN总线分别用于连接控制区域网络和局域互联网络中的设备。这两种线路分别有高数据传输速率和广泛的分布的特点,特别容易受到静电的影响。  一旦这些线路遭受静电冲击,可能会导致数据传输错误,严重时甚至会损坏连接在这些线路上的电子控制单元。  此时,LY23DC24-Q就派上了用场。该产品具有极低的漏电流和快速的响应时间,能够在极短的时间内对静电进行有效抑制,保护车载中控系统中的通信线路免受损害。  其参数如下图所示。  测试标准  LY23DC24-Q满足IEC61000-4-2的测试标准:VESD (Air Discharge):±30kV,VESD (Contact Discharge):±30kV。  可以及时吸收静电并将电压稳定在安全范围内,可以有效抑制静电放电、保护通信质量和增强系统稳定性。  产品应用  CAN线作为汽车内部的主干通信网络,其数据传输速度快、可靠性高,是车辆各系统间信息交换的重要通道。  然而,CAN线也容易受到静电放电的干扰,导致数据传输错误或系统故障。  LY23DC24-Q的应用可以有效解决这一问题。通过将其集成到CAN线接口电路中,能够迅速将静电放电的能量引导至地,保护CAN线接口电路不受损坏,确保数据传输的稳定性和可靠性。  未来展望  随着汽车智能化、网联化趋势的加速发展,汽车电子系统正在经历着不断的变革。  作为汽车电子系统中的重要组成部分,ESD防护器件的角色愈发关键。  里阳半导体的LY23DC24-Q将在更多领域发挥其重要作用,为汽车电子系统的稳定性和可靠性提供有力保障。  稳定,让智能出行更加安心;  可靠,让科技守护每一段旅程;  耐用,让每一程都坚实长久。  里阳半导体,与您共创智慧驾享舒适体验!
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发布时间:2024-09-19 09:58 阅读量:708 继续阅读>>
佰维存储推出工业级宽温<span style='color:red'>SD</span> Card & micro<span style='color:red'>SD</span> Card,高效稳定录影不掉帧
  近日,针对新一代高性能、高可靠性的工业视频监控及影像长时间稳定录制要求,佰维存储推出了工业级宽温 TGC 207 SD Card&TGC 209 microSD Card,传输速度高达160MB/s,覆盖32GB~256GB容量规格,-40℃~85℃宽温应用,支持4K高清多路视频稳定连续录入,适应安防监控、轨道交通、智慧医疗影像、车载记录仪以及工业自动化等领域户外拍摄、高强度工作、复杂路况等多变场景与冷热环境冲击。  高性能自研固件,产品经久耐用  多路视频稳定写入不掉帧  佰维存储TGC系列工业级宽温SD Card& microSD Card精选工业级3D TLC闪存颗粒,擦写次数(P/E Cycle)达3000次,拥有出色的耐久性,并提供32GB~256GB多种容量选择。系列产品搭载佰维自研固件,采用了闪存磨损均衡技术(Wear Leveling),可实现每个NAND闪存block擦写次数的相对均衡性,从而延长产品使用寿命。性能方面,系列产品符合C10速度等级与U3性能指标,最高读写速度达160MB/s,保证持续写入的速度不低于30MB/s,支持4K高清视频录制,录制时间可高达90,000小时。  在应用表现方面,TGC系列工业存储卡满足V30视频处理性能等级以及A1应用程序性能等级,随机读/写性能达到1500 IOPS和500 IOPS以上,带来更快的应用程序响应速度。针对多路视频写入场景,通过固件特殊优化,该产品保证最低10MB/s的稳定写入性能,录制画面流畅稳定不掉帧。  此外,佰维自研固件还针对GC算法、坏块管理算法进行了优化,通过合理规划数据在NAND上的布局,减少GC对写入数据延时的影响,保障读写效能;有效避免录影中的卡顿、中断和掉速问题,守护数据的完整性和有效性。  守护数据安全与可靠,  硬核实力无惧环境挑战  佰维存储TGC系列工业级宽温SD Card& microSD Card可在-40℃~85℃宽温范围内运行,耐得住极寒与酷暑等温度冲击。产品在硬件设计上增加了IP67防水防尘/抗磨损/抗震/抗X-Ray/抗静电/抗磁/抗落摔等可靠性特性。  依托公司多年来积累的高性能测试设备与丰富的测试算法库,佰维存储旗下工规级产品线均历经了专业且严苛的可靠性测试流程,确保每一款存储卡拥有坚强的“体魄”,不畏环境挑战,MTBF>2,000,000小时。在技术特性上,佰维TGC系列存储卡支持S.M.A.R.T监控与LDPC ECC智能纠错技术,一方面通过健康监测及时预警卡片寿命状况,防止关键数据意外丢失,另一方面可及时进行数据检错和纠错,确保数据的完整性和准确性。此外,TGC系列工业宽温存储卡设计了无备电断电数据保护机制,在发生异常断电时,可保证已写入闪存的数据不被破坏,保障数据的一致性。  锁定BOM+高品质稳定供应  兼容性无忧  佰维存储始终致力于为客户提供全面而周到的技术支持与配套服务。TGC系列工业级宽温SD Card & microSD Card经过与市场主流平台、操作系统以及设备的全面兼容性测试,并已通过CE/FCC/UKCA/RCM/VCCI/RoHS/REACH等国际安全与环保认证,兼具安全、绿色与高品质特性。在产品供应方面,佰维积极配合客户完成产品长周期的导入验证,确保产品符合各类行业应用标准。TGC系列工业级宽温存储卡支持BOM(主控、固件与NAND)锁定服务,通过稳定长周期的供应,避免因物料清单更换而导致的兼容性问题和验证资源浪费。  佰维TGC系列工业级宽温存储卡产品兼顾高稳定、高可靠与持久耐用等优势,满足工业录像设备在多路摄像头写入、7x24全天候监控摄影场景下稳定不掉速、数据完整性的严苛要求。随着高清显示技术和影像系统的不断升级迭代,对数据的传输速度和容量提出了更高的要求。佰维存储凭借其在存储解决方案研发、先进封装测试等领域的核心能力,致力于持续开发更高性能、更大容量、更高可靠性的工规级存储卡产品,以满足安防监控、轨道交通、智慧医疗影像、车载记录仪以及工业自动化等高阶工业数据存储需求。
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发布时间:2024-08-19 14:02 阅读量:569 继续阅读>>
里阳半导体: SOT23封装的这款E<span style='color:red'>SD</span>你一定用过!
  随着汽车工业的不断发展,车载电子系统的复杂度日益提升,车载中控作为车辆信息处理和控制的中心,其稳定性和可靠性显得尤为重要。  在车载中控系统的信息传递中,静电放电(ESD)保护器件扮演着至关重要的角色,其中SOT23封装的这款ESD你一定用过。  产品概述  LY23DC24-Q是里阳半导体推出的一款车规级ESD,它采用SOT-23的封装,使其能够适应车载中控系统对空间布局和散热性能的要求,确保系统的高效稳定运行。  图为LY23DC24-Q的封装图  产品特性  车载中控系统的显示触摸屏是驾驶员与车辆进行交互的重要界面。触摸屏将捕捉到的触摸数据通过内部电路进行处理,解析出用户的操作指令。  处理后的操作指令会通过数据总线(如 CAN 总线、LIN总线或专用通信协议)传输给中控主机(或称为中央控制单元)。  数据总线是汽车内部各个电子控制单元之间通信的桥梁,它负责将各个控制单元产生的数据和信息进行传输和共享。  CAN总线和LIN总线分别用于连接控制区域网络和局域互联网络中的设备。这两种线路分别有高数据传输速率和广泛的分布的特点,特别容易受到静电的影响。  一旦这些线路遭受静电冲击,可能会导致数据传输错误,严重时甚至会损坏连接在这些线路上的电子控制单元。  此时,LY23DC24-Q就派上了用场。该产品具有极低的漏电流和快速的响应时间,能够在极短的时间内对静电进行有效抑制,保护车载中控系统中的通信线路免受损害。  其参数如下图所示。  测试标准  LY23DC24-Q满足IEC61000-4-2的测试标准:VESD (Air Discharge):±30kV,VESD (Contact Discharge):±30kV。  可以及时吸收静电并将电压稳定在安全范围内,可以有效抑制静电放电、保护通信质量和增强系统稳定性。  产品应用  CAN线作为汽车内部的主干通信网络,其数据传输速度快、可靠性高,是车辆各系统间信息交换的重要通道。  然而,CAN线也容易受到静电放电的干扰,导致数据传输错误或系统故障。  LY23DC24-Q的应用可以有效解决这一问题。通过将其集成到CAN线接口电路中,能够迅速将静电放电的能量引导至地,保护CAN线接口电路不受损坏,确保数据传输的稳定性和可靠性。  LY23DC24-Q在CAN线上的应用  未来展望  随着汽车智能化、网联化趋势的加速发展,汽车电子系统正在经历着不断的变革。  作为汽车电子系统中的重要组成部分,ESD防护器件的角色愈发关键。  里阳半导体的LY23DC24-Q将在更多领域发挥其重要作用,为汽车电子系统的稳定性和可靠性提供有力保障。  稳定,让智能出行更加安心;  可靠,让科技守护每一段旅程;  耐用,让每一程都坚实长久。  里阳半导体,与您共创智慧驾享舒适体验!
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发布时间:2024-08-07 09:02 阅读量:467 继续阅读>>
海凌科:两轮车B<span style='color:red'>SD</span>雷达,让骑行更安全
  在快节奏的现代生活中,交通拥堵现象日益加剧,迅猛发展的外卖行业,使得电动车和摩托车的使用数量激增,在2023年已经突破3亿。然而,摩托车和电动车的出行安全问题也日益严重,每年两轮车车祸死亡人数可能有47万人。  PART.ONE  两轮电动车和摩托车出现事故的主要原因?  目前,电动车和摩托车发生事故,除了超速行驶、不按规定车道行驶以及酒后驾驶等违法违规行驶的原因之外,还有一个常见的主要事故原因是车辆突然变道或者急转弯。一般是由于驾驶者在转弯时或者变道时没有关注到附近的交通环境,而且与其他车辆发生碰撞。  为此,海凌科推出了LD2451,一款价格低至40元左右的24G车辆状态检测雷达模块,改变传统电动车骑车时难以同时观察到左右和后方车辆的现状,通过雷达感知后方车辆距离、速度等信息,“透视”周围车辆信息,避免视野盲区,车辆靠近实时示警。  PART.TWO  LD2451雷达模块运用在电动车上有什么作用?  视野盲区监测  实时监控车辆后方和两边视野盲区的车辆情况并上报其他车辆的距离、速度等信息。  车辆碰撞示警  其他车辆靠近10米/30米/50米(可自定义设置)自动示警,避免意外发生。  变道/转弯辅助  变道和转弯一直是摩托车和电动车事故高发场景,雷达实时预警周围靠近车辆,减少风险。  PART.THREE  LD2451雷达模块的产品优势?  模块参数  工作频段 24GHz~24.25GHz  扫频带宽:250MHZ(符合CE/FCC认证标准)  供电要求 DC 5V,供电能力>300mA  平均工作电流 107mA  调制方式 FMCW  接口 2个GPIO、IO电平3.3V 1个UART  目标应用 室外车辆目标检测  探测距离 最远100m  探测角度 ±20°  扫频带宽 <200MHz  符合FCC、CE、无委会认证标准  工作温度 -40~85℃  外形尺寸 70mm x 35mm  超宽覆盖范围  HLK-LD2451雷达模块可以在100米范围内感应周边5辆车辆的运动状况,探测角度 ±20°,感应范围远,可实时感知车辆后方的车辆运动情况。  适应多种复杂天气  在下雨、雾天、下雪等容易出现事故的天气下,HLK-LD2451雷达模块也可以正常工作。  APP个性化设置  HLK-LD2451雷达模块支持通过APP设置距离、方向、速度、检测延时以及灵敏度等参数,检测距离可设置范围0~100m,检测速度可设置范围0~120km/h。  超高性价比  HLK-LD2451雷达模块单价40元左右,安装简单,即插即用,批量化用于电动车以及摩托车中,可大幅度降低成本。  提问&解答  Q:有无电脑端测试工具?  A:暂未开发PC端工具,LD2451雷达模块使用场景是在户外,检测后方来车情况,带着电脑连接上位机工具很不方便。  Q:APP成功连上模块蓝牙怎么看不到数据?  A:LD2451雷达模块应用场景主要在室外,为了防止误触,默认检测速度参数会过滤掉室内大部分干扰目标,室内要想看到检测数据需调整下参数即可。  Q:下雨或大雾天气对雷达探测有无影响?  A:LD2451雷达模块支持设置速度、方向、灵敏度参数设置,理论上是可以过滤掉像下雨、雾天、下雪这种特殊场景。  Q:LD2451雷达模块应该怎么安装?  A:雷达天线面垂直向下,安装高度1-1.3m,尽量保证天线正对检测区域且四周开阔无遮挡;要保证传感器的安装位置牢固、稳定,雷达本身的晃动将影响检测效果。  错误安装示例  正确安装示例
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发布时间:2024-08-05 11:15 阅读量:457 继续阅读>>
AMEYA360:纳芯微GaN HEMT驱动芯片N<span style='color:red'>SD</span>2017助力解决激光雷达应用挑战
  自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向,而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片NSD2017,专为激光雷达发射器中驱动GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)而设计,助力应对激光雷达应用中的各项挑战。  1)激光雷达系统结构介绍  自动驾驶中使用的激光雷达通常采用DToF(Direct Time-of-Flight)测距方式,即通过直接测量激光的飞行时间来进行距离测量和地图成像。下图为DToF激光雷达系统的典型结构,其中信号处理单元通过记录激光发射器发出光脉冲的时刻,以及激光接收器收到光脉冲的时刻,根据时间间隔和光速即可计算出目标距离。  激光雷达为了实现高分辨率与宽检测范围,需要极窄的激光脉冲宽度、极快的激光脉冲频率和极高的激光脉冲功率,这对激光发射器中功率开关器件的性能提出了更高的要求。相比传统的Si MOSFET,GaN HEMT具有更优越的开关特性,非常适合DToF激光雷达应用。GaN HEMT的性能表现依赖于高速、高驱动能力和高可靠性的GaN栅极驱动芯片,NSD2017凭借其优异的产品特性,充分发挥了GaN HEMT在激光雷达中的优势。  2)NSD2017产品特性  - 推荐工作电压:4.75V~5.25V  - 峰值拉灌电流:7A/5A  - 最小输入脉宽: 1.25ns  - 传输延时: 2.6ns  - 脉宽畸变: 300ps  - 上升时间@220pF负载: 650ps  - 下降时间@220pF负载: 850ps  - 封装:DFN6(2mm*2mm),WLCSP(1.2mm*0.8mm)  - 满足AEC-Q100车规认证  - 同相和反相输入引脚可用于产生极窄脉宽  - 具备UVLO、OTSD保护  3) NSD2017关键性能应对激光雷达应用挑战  1. 大电流驱动能力,支持激光雷达远距离探测  激光雷达的远距离探测能力使自动驾驶车辆能够提前发现障碍物并及时避让,从而提升自动驾驶速度上限。为实现更远的探测距离,通常需要在保证不损伤人眼的前提下,采用更大功率的激光发射器,这就需要更大电流的GaN HEMT以及驱动能力更高的驱动芯片。纳芯微的NSD2017具备7A峰值拉电流和5A灌电流能力,可用于驱动大电流GaN HEMT,从而产生高峰值激光功率,实现远距离探测。  2. 极窄输入脉宽,满足激光雷达高测距精度要求  DToF激光雷达通过测量脉冲激光发射和接收的时间间隔来实现测距,但是如果来自两个相邻目标的反射光脉冲发生重叠,系统将无法分辨出这两个相邻目标的距离信息。为了满足厘米级别的距离分辨率的要求,激光雷达需要极窄的光脉冲宽度,通常低至几纳秒,并且具有快速的上升沿和下降沿。NSD2017的最小输入脉宽典型值仅为1.25ns,且开启和关断路径具有优异的延迟匹配,输入到输出的脉冲宽度失真低至300ps。此外在220nF负载下,NSD2017的上升时间典型值为650ps,下降时间典型值为850ps,也有利于产生更窄的脉冲激光。  3. 小封装和高频开关,优化激光雷达角分辨率与点频性能  激光雷达的角分辨率表示扫描过程中相邻两个激光点之间的角度差,点频则表示在三维视场内每秒发出的激光点数。一般来说,激光雷达的角分辨率越小,相邻点云之间越密集,往往点频越高,激光雷达的感知能力也就越强。为实现更高的角分辨率和点频,激光雷达需要布置更多的激光发射器,因而对驱动芯片的封装尺寸提出了更高的要求。NSD2017车规级芯片不但提供DFN (2mm*2mm) 封装,还可以提供更小尺寸的WLCSP (1.2mm*0.8mm) 封装。NSD2017支持最高60MHz开关频率,传输延时典型值低至2.6ns,确保了系统控制环路具有足够快的响应时间,也有利于提高激光雷达点频性能。  4. 强抗干扰能力,保证激光雷达的安全可靠  在激光发射器中,为了快速开关GaN HEMT,栅极驱动芯片外部的栅极串联电阻通常设置为零;栅极驱动芯片的峰值拉电流和灌电流,会通过芯片的封装寄生电感和PCB寄生电感,引起芯片内部的VDD和GND产生较大的抖动,从而可能导致驱动电路工作异常。NSD2017通过优化封装寄生电感,并且在芯片内部集成去耦电容,有效地滤除驱动电路抽载产生的高压毛刺,从而提升了抗噪声能力。此外,NSD2017具备过温保护和欠压保护功能,保证激光雷达安全可靠地工作。  4)总结  GaN HEMT栅极驱动芯片NSD2017具备高开关频率、低传输延时、极窄脉宽、低失真、强驱动能力和抗干扰等特性,采用小尺寸车规级封装,能够助力应对激光雷达各项应用挑战,提升感知能力,确保其安全可靠运行。
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发布时间:2024-07-17 13:10 阅读量:492 继续阅读>>
上海雷卯:E<span style='color:red'>SD</span>管E<span style='color:red'>SD</span>113-B1-02EL(S)国产替代型号ULC0342CDNH,ULC0321CDNH参数对比
  雷卯型号全,能替代大量infineon型号。具体如下:  应用于3.3V高速信号静电保护器件,infineon的ESD113-B1-02EL(DFN1006)和ESD113-B1-02ELS(DFN0603),交期长,价格高。已经有很多客户选雷卯的 ULC0342CDNH(DFN1006),ULC0321CDNH(DFN0603),可以获得更好的价格和更快的交期,  ULC0321CDNH带回扫 ,钳位电压Vc比ESD113-B1-02EL更低只有5.5V,并且IPP为6A,能很好的保护后级电路。  我们可以参看下面列出的参数对比。  判断ESD二极管是否可以替代需注意的几点:  1.VRWM是否接近;  2.抗静电能力是否接近;  3.VBR是否接近  4.IPP是否接近;  5.CJ是否接近。  ULC0342CDNH,ESD113-B1-02EL封装都是 DFN1006。  ULC0342CDNH的 VRWM,VBR,CJ ESD(air,contact)参数都几乎同ESD113-B1-02EL一样,但IPP, Vc两个参数更优优于ESD113-B1-02EL。  ULC0321CDNH,ESD113-B1-02ELS封装都是 DFN0603。  ULC0321CDNH的VRWM,VBR,CJ ESD(air,contact)参数都几乎同ESD113-B1-02ELS一样,但IPP, Vc两个参数更优优于ESD113-B1-02ELS。  ULC0342CDNH,ULC0321CDNH主要应用于:USB3.0,HDMI,DVI,显示接口,移动HDMI,MDDI,MIPI,SWP/NFC 保护。  规格书主要部分展示如下:  上海雷卯专业研发销售ESD TVS产品。我们致力于为客户提供高品质的ESD TVS产品,以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。我们的产品涵盖广泛的应用领域,包括电子、通讯、计算机、汽车、医疗等行业。我们拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务。我们的目标是成为全球领先的ESD TVS供应商之一,为客户提供最优质的解决方案和服务。
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发布时间:2024-07-15 11:18 阅读量:413 继续阅读>>
雷卯推出小封装高压防静电二极管<span style='color:red'>SD</span>60C
  一.高电压通讯信号线静电防护的为何有难度  高电压通讯信号线静电防护很多公司普遍可以做到1.8至36V,48V ESD静电防护,比如上海雷卯的36V ESD二极管SD36C,LC36CI,GBLC36C ,分别可以用于低数据速率到高数据速率静电防护。48V 的ESD二极管有SD48C。  如果信号电压再高,比如60V ,此时的信号线,大多工厂没有合适的静电防护器件。如果你说可以用TVS 比如 SMAJ60CA,SMBJ60CA 等等。要知道这是通讯用的信号线,这些TVS 结电容接近1nF,用于信号线会严重影响信号质量。所以这一直是一些高压通信设备的痛处。  二.上海雷卯推出SD60C高压静电防护器件  上海雷卯为了帮助广大客户解决实际问题,研发生产推出一款Vrwm 为60V的ESD二极管SD60C,适用于通讯信号线静电保护。  在此举例说明SD60C在高压故障保护方面的作用。  在某些应用中,由于各种原因(如电源直接短路、误接线故障、连接器故障、电缆损坏以及工具误用),RS-485 总线可能会承受高电压,使用SD60C ,总线接口引脚可在高于 ±70V 的直流过压条件下受到保护,比如,A 和 B 引脚在工业自动化设备中意外短接到 70V 或更高电压,SD60C 在超过击穿电压69V后迅速导通,保护RS485接口后端设备。同样CAN总线也可能遇到上述情况,因此,在RS485和CAN 总线应用出现有高压环境情况下,SD60C 可以发挥安全保障作用。  三. SD60C性能特点  具有如下性能特点:  封装小 :SOD-323封装 ,管脚容易焊接  大功率:峰值功率为 650W  抗静电能力:IEC 61000-4-2 (ESD) 空气放电:±20kV,接触放电:±15kV  满足静电等级4  抗浪涌能力:IEC61000-4-5 7A (8/20μs),具有一定的抗浪涌能力  低钳位电压:Vc =78V 测试条件IPP = 1A (8 x 20μs pulse)  Vc =90V 测试条件IPP = 7A (8 x 20μs pulse)  低结电容 :Cj 典型值为12PF ,最大20PF 查看下图“结电容数据速率关系图”,可以满足数据速率20M以下信号线静电防护使用,具体以电路应用环境测试为准。  测试附图如下:  双向ESD二极管,图片如下:  应用场景  适合通信环境有高压存在,希望做好高压防护的环境。  (1)汽车电子系统:汽车电子设备通常需要承受较高的电压峰值,例如车辆启动时产生的电压冲击。  (2)通信设备:在通信领域,如基站、网络交换设备等。  (3)工程建筑设备:在建筑和工程设备中,如智能楼宇系统、安全监控设备。  (4)工业自动化等设备。  四. 规格书部分展示如下
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发布时间:2024-07-10 10:31 阅读量:731 继续阅读>>
纳芯微电子GaN HEMT驱动芯片N<span style='color:red'>SD</span>2017助力应对激光雷达应用挑战
  自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向,而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片NSD2017,专为激光雷达发射器中驱动GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)而设计,助力应对激光雷达应用中的各项挑战。  一、激光雷达系统结构介绍  自动驾驶中使用的激光雷达通常采用DToF(Direct Time-of-Flight)测距方式,即通过直接测量激光的飞行时间来进行距离测量和地图成像。下图为DToF激光雷达系统的典型结构,其中信号处理单元通过记录激光发射器发出光脉冲的时刻,以及激光接收器收到光脉冲的时刻,根据时间间隔和光速即可计算出目标距离。  DToF激光雷达典型系统  激光雷达为了实现高分辨率与宽检测范围,需要极窄的激光脉冲宽度、极快的激光脉冲频率和极高的激光脉冲功率,这对激光发射器中功率开关器件的性能提出了更高的要求。相比传统的Si MOSFET,GaN HEMT具有更优越的开关特性,非常适合DToF激光雷达应用。GaN HEMT的性能表现依赖于高速、高驱动能力和高可靠性的GaN栅极驱动芯片,NSD2017凭借其优异的产品特性,充分发挥了GaN HEMT在激光雷达中的优势。  二、NSD2017产品特性  推荐工作电压:4.75V~5.25V  峰值拉灌电流:7A/5A  最小输入脉宽: 1.25ns  传输延时: 2.6ns  脉宽畸变: 300ps  上升时间@220pF负载: 650ps  下降时间@220pF负载: 850ps  封装:DFN6(2mm*2mm),WLCSP(1.2mm*0.8mm)  满足AEC-Q100车规认证  同相和反相输入引脚可用于产生极窄脉宽  具备UVLO、OTSD保护  NSD2017典型应用框图  三、NSD2017关键性能应对激光雷达应用挑战  1)大电流驱动能力,支持激光雷达远距离探测  激光雷达的远距离探测能力使自动驾驶车辆能够提前发现障碍物并及时避让,从而提升自动驾驶速度上限。为实现更远的探测距离,通常需要在保证不损伤人眼的前提下,采用更大功率的激光发射器,这就需要更大电流的GaN HEMT以及驱动能力更高的驱动芯片。纳芯微的NSD2017具备7A峰值拉电流和5A灌电流能力,可用于驱动大电流GaN HEMT,从而产生高峰值激光功率,实现远距离探测。  2)极窄输入脉宽,满足激光雷达高测距精度要求  DToF激光雷达通过测量脉冲激光发射和接收的时间间隔来实现测距,但是如果来自两个相邻目标的反射光脉冲发生重叠,系统将无法分辨出这两个相邻目标的距离信息。为了满足厘米级别的距离分辨率的要求,激光雷达需要极窄的光脉冲宽度,通常低至几纳秒,并且具有快速的上升沿和下降沿。NSD2017的最小输入脉宽典型值仅为1.25ns,且开启和关断路径具有优异的延迟匹配,输入到输出的脉冲宽度失真低至300ps。此外在220nF负载下,NSD2017的上升时间典型值为650ps,下降时间典型值为850ps,也有利于产生更窄的脉冲激光。  3)小封装和高频开关,优化激光雷达分辨率与点频性能  激光雷达的角分辨率表示扫描过程中相邻两个激光点之间的角度差,点频则表示在三维视场内每秒发出的激光点数。一般来说,激光雷达的角分辨率越小,相邻点云之间越密集,往往点频越高,激光雷达的感知能力也就越强。为实现更高的角分辨率和点频,激光雷达需要布置更多的激光发射器,因而对驱动芯片的封装尺寸提出了更高的要求。NSD2017车规级芯片不但提供DFN (2mm*2mm) 封装,还可以提供更小尺寸的WLCSP (1.2mm*0.8mm) 封装。NSD2017支持最高60MHz开关频率,传输延时典型值低至2.6ns,确保了系统控制环路具有足够快的响应时间,也有利于提高激光雷达点频性能。  4)强抗干扰能力,保证激光雷达的安全可靠  在激光发射器中,为了快速开关GaN HEMT,栅极驱动芯片外部的栅极串联电阻通常设置为零;栅极驱动芯片的峰值拉电流和灌电流,会通过芯片的封装寄生电感和PCB寄生电感,引起芯片内部的VDD和GND产生较大的抖动,从而可能导致驱动电路工作异常。NSD2017通过优化封装寄生电感,并且在芯片内部集成去耦电容,有效地滤除驱动电路抽载产生的高压毛刺,从而提升了抗噪声能力。此外,NSD2017具备过温保护和欠压保护功能,保证激光雷达安全可靠地工作。  四、总结  GaN HEMT栅极驱动芯片NSD2017具备高开关频率、低传输延时、极窄脉宽、低失真、强驱动能力和抗干扰等特性,采用小尺寸车规级封装,能够助力应对激光雷达各项应用挑战,提升感知能力,确保其安全可靠运行。
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发布时间:2024-07-01 10:50 阅读量:701 继续阅读>>
稳先微:车规W<span style='color:red'>SD</span>7020AF双通道高边智能开关
  稳先微发布DFN5x6-14L封装的车规级双通道高边智能开关WSD7020AF,为客户提供多样化的产品选择。  图 | 产品选型roadmap  WSD7020AF专为汽车应用领域设计,用于驱动12V汽车接地负载,导通阻抗23mΩ,具备包括配置闭锁功能的过热关断保护、动态过温保护、负载过流保护、高精度比例负载电流检测、输出过载和对地短路警报以及VCC短路诊断和OFF状态开路诊断等多种安全特性。  图 | 产品实拍  01产品特点  1)符合AEC-Q100标准  2)用于通过3V和5V驱动12V汽车驱动接地负载应用,最大电源电压为38V,工作电压范围为4.5-28V  3)导通电阻RDS(ON)=23mΩ(Typ,per Ch)  4)待机电流<2.0μA,更加适配车身控制域的低功耗需求  5)高精度比例负载电流检测:精确实时电流检测,提供更快诊断,检测需求  6)完整的诊断与保护功能:电池电压反馈和芯片温度检测,过流和对地短路保护,以及对电池短路和负载开路检测等  7)封装:DFN5X6-14L  02产品应用场景  WSD7040AF适用于各种阻性、感性及容性负载的驱动,应用于车内饰灯、头尾灯、座椅和方向盘加热、电磁阀、门锁、电机等多种场景,为汽车系统的稳定运行保驾护航。  图 | WSD7020AF应用框图  03产品的关键功能与特性  WSD7020AF的导通电阻为23mΩ(Typ,per Ch),较低的导通电阻意味着WSD7020AF能减少车身的热损耗,提升汽车系统性能,提供稳定的电流供应,同时进一步简化系统设计,利于汽车轻量化制造,保障汽车电子系统的稳定性与安全性,并适用于广泛的应用场景。  WSD7020AF也支持容性、阻性和感性负载,以下是相关的测试波形图及具体信息。  01、支持阻性负载  试验条件:  VCC=13V,IN0=5V@1KHz,Rload=1.7Ω(负载电流约7.5A)  通道说明:  CH1:IN0 CH2:VOUT0  CH3:VCC CH4:IOUT0  02、支持容性负载  试验条件:  VCC=13V,IN0=5V@2.5ms,Cload=220uF,Rload=4Ω  通道说明:  CH1:IN0 CH2:VOUT0  CH3:VCC CH4:IOUT0  03、支持感性负载  试验条件:  VCC=13V,IN0=5V@1.6ms,Lload=6mH  通道说明:  CH1:IN0 CH2:VOUT0  CH3:VCC CH4:IOUT0  04、短路特性     负载先短接到地,再开启通道  通道先打开,负载再短接到地  试验条件:  VCC=13V,IN0=5V@500us  通道说明:  CH1:IN0 CH2:VOUT0 CH4:IOUT0  稳先微始终秉持着积极创新的研发理念,致力于为汽车驱动类芯片的国产化发展提供助力,密切关注终端应用的需求,推出能够让市场满意的车规芯片产品,力求为客户提供更全面、高效的汽车电子解决方案。
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发布时间:2024-06-14 17:44 阅读量:598 继续阅读>>

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