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君正丨络明芯推出UART接口矩阵LED驱动 IS32FL3776，简化 I<span style='color:red'>SD</span> 设计架构

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君正丨络明芯推出UART接口矩阵LED驱动 IS32FL3776，简化 ISD 设计架构

　　光影为媒，音律为伴　　——车外灯光也能玩出新花样!　　让车灯听懂音乐的情绪，跟随旋律起伏呼吸;以节奏为序，将无形声波转化为多彩视觉盛宴。无论是露营欢聚时的氛围烘托，还是街头停留时的个性展示，光影与音律同频律动，让座驾瞬间成为全场焦点，用科技重新定义出行仪式感。　　酷炫音乐律动是如何实现的呢?　　RGB ISD方案：由6片IS32FL3776(36x6 UART接口矩阵LED驱动芯片)+ 2片IS32PM3430(6A降压恒压芯片)组成，可独立控制323pcs RGB LEDs。　　102像素ADB大灯方案：由1片IS32LT3960(双路带SPI升降压CV/CC芯片)+ 2片IS32LT3964(双路带SPI同步降压恒流驱动)+9片IS32LT3365A(12路矩阵管理器)组成，可实现对102个像素点独立控制。　　音乐律动工作原理：蓝牙模块接受外部音频信号，输出左、右声道音频，经2片IS32AP2123A单声道 D 类音频功放芯片驱动扬声器完成音乐外放;主控MCU 通过 ADC 采集音频信号，经 FFT 运算、加权归一化处理，将模拟音频波形转化为标准化灯光控制数字信号;MCU通过三组CAN 总线同步分发数据至左、右RGB ISD灯与 ADB 大灯，实现车灯跟随音乐节奏律动和各种交互显示。图1、音乐律动RGB ISD+ADB系统框图。　　图1、RGB ISD+ADB系统框图　　要实现动画流畅、音乐同步、动态交互的酷炫效果，同时还要控制系统成本，LED驱动芯片需要攻克哪些难题呢?　　细腻调光，无频闪、低噪声、拍照无摩尔纹干扰。　　高效的热管理，有效抑制芯片温升，避免高温度影响寿命和可靠性。　　适配跨车身远距离布线通信，无惧整车复杂电磁环境与强干扰工况，满足车载严苛 EMC 电磁兼容规范。　　简化系统整体架构设计，有效降低成本与开发难度。　　通信稳定可靠，动画不卡顿、音乐律动精准同步。　　精准状态监控，完善的故障保护，保证系统安全可靠。　　别慌!络明芯重磅推出全新车规级UART接口矩阵LED驱动芯片——IS32FL3776 ，一款芯片解决所有痛点，直接把复杂设计变简单!　　IS32FL3776 是一款UART接口矩阵LED驱动芯片，单颗芯片支持36x6(216) LED矩阵独立控制，芯片采用全集成设计，内置36路恒流源和6路扫描开关管，集成动态电压反馈 (DCFB)、10bit ADC、去鬼影，以及完善故障保护功能。专为汽车ISD 尾灯、ISD日行灯、贯穿式交互氛围灯等应用场景量身打造。图2、典型应用图。　　图2、IS32FL3776典型应用图　　1.细腻调光、无频闪、无摩尔纹、低噪声　　IS32FL3776 内置36路恒流源，最大电流为60mA/CH;6bit GCC寄存器可分别调节R、G、B三组的亮度级别，搭配8bit SL寄存器进一步微调每个通道之间的亮度偏差，确保LED 色彩均匀性与亮度的一致性。芯片提供 16-bit/15-bit/14-bit/12-bit/8-bit 多种 PWM 精度，最高支持 65536 级细腻调光，完美还原细微亮度和颜色变化;此外芯片还支持12+4bit/7+7bit/6+2bit多种 PWM dithering 模式，不仅实现平滑无频闪的亮度控制，还能避免手机拍摄时摩尔纹问题;支持大于20KHz扫描频率，有效降低人耳可听到电容啸叫声，满足高端ISD对灯光严苛标准。　　2.高效热管理提升系统效率　　在 ISD 智能车灯与高像素 LED 矩阵应用中，芯片自身热功耗直接影响产品稳定性与长期可靠性，过高的发热不仅会降低系统效率，还会加剧器件老化、触发过热保护，甚至影响车灯功能安全。 IS32FL3776动态电压反馈功能，通过内部 10 bit ADC 测量 VCS电压，然后比较出所有通道的最小值存储在 VOUT_MIN 寄存器中。MCU可以通过UART/SPI接口读取最小VCS电压，然后通过软件算法控制FBO引脚的电流(灌电流或抽电流)，动态改变FB反馈网络的电压，精准控制前级 DC-DC 的输出电压，使芯片处在最优的工作点，减少芯片的热功耗，优化系统效率。图3、动态电压反馈DCFB。　　图3、动态电压反馈(DCFB)　　为了能够进一步降低芯片的热应力，芯片SW可配置为外部扫描PMOS的控制时序，将高侧扫描管的导通损耗转移至外部 PMOS管，大大降低芯片自身的温升。采用外部扫描PMOS 与动态电压反馈(DCFB) 相结合，可保持芯片温升裕量，提高整个系统的的可靠性，这对于高亮度、高像素的ISD车灯应用尤为为重要。图4、内置/外置扫描管温度对比。测试条件:VCS=0.7V, I=1.5A　　图4、内置/外置扫描管温度对比　　3.UART/SPI双通信口，灵活切换　　在ISD 智能车灯系统中，通信的可靠性直接决定灯效流畅度与行车安全，是实现大规模像素点独立控制与稳定交互显示的关键。IS32FL3776支持2MHz UART或33MHz SPI两种通信接口，方便用户根据不同的应用场景和硬件设计需求进行选择。　　UART接口：　　支持25个芯片地址，单总线支持5400个像素点独立控制(2MHz Lumibus 总线速率下，5400像素点最高帧率可达 22Hz)。搭配通用的CAN-PHY可以实现远距离、抗干扰的跨板通信，无需额外本地MCU，大幅度简化系统架构并降低硬件成本，非常适合分布式车载应用场合。图5、分布式ISD系统架构图。　　图5、分布式ISD系统架构图(UART)　　SPI 接口:　　支持菊花链级联，具备更高传输速率，支持更大数据量传输，能够轻松实现各种炫酷动态灯效，适合对数据更新速度要求较高的应用场景。　　通讯CRC校验：　　IS32FL3776的UART/SPI 接口均支持通信CRC 校验，能检测出单比特错误，多比特错误，突发数据错误等，是面向车载智能交互灯的关键通信安全机制，核心作用是实时校验指令与数据完整性。芯片具备优异车规级 EMI/EMS 抗干扰能力，能够有效应对线束干扰、电源纹波、瞬态脉冲，过滤异常错误指令，避免灯光误动作，保障灯光系统稳定可靠。　　4.优秀EMI+鬼影消除　　内置可编程扩频技术，优化EMI性能。可配置输出通道180°相位延迟功能大大减小电源的浪涌电流，有助于进一步降低EMI，轻松满足 CISPR-25 标准。此外IS32FL3776集成可编程去鬼影电路，芯片内部为每个SWx和CSy引脚提供了独立的可编程下拉/上拉电压源。用户可根据实际的LED正向电压与PCB布局，灵活设置最佳的下拉与上拉电压，从根本上抵消寄生电容的电荷积累，消除鬼影。通过精准控制下拉 / 上拉电压差，减少LED 的反向负压，提升可靠性，保证车载高温环境下的 LED 寿命。　　5.全面保护与监控，安全可靠　　IS32FL3776 集成10-bit高精度ADC，支持对芯片 PVCC 电源电压、CS 引脚电压、LED 正向压降 VF、芯片结温 PTAT 电压以及 DCFB 反馈电压等关键信号进行实时采集，为车载 LED 驱动系统提供全面的状态监测与故障诊断能力。针对RGB LED随温度亮度衰减不一致导致色偏问题，芯片通过内部ADC实时采集芯片结温和LED VF电压，通过软件算法对R、G、B灯实施不同温度补偿曲线，保证不同温度条件下颜色的一致和亮度恒定，避免因为温漂导致色偏影响RGB ISD显示效果。　　IS32FL3776内置了多种保护功能，确保了芯片在各种工作条件下的稳定性和可靠性。支持逐周期 LED 开路 / 短路检测，并可配置开路、短路阈值，实现对 LED 负载状态的精准监控。同时具备热关断保护、过流保护以及欠压检测功能，可在异常工况下快速响应，保障系统安全稳定运行。此外，检测到的故障信息存储在寄存器中，方便用户进行故障排查和维修。芯片符合AEC-Q100 Grade 1 车规标准，工作温度覆盖 - 40℃~+125℃，采用 QFN-60 紧凑封装，完美适配车载严苛环境，是智能交互灯、氛围灯、尾灯、日行灯等高端车载照明的理想选择。　　6.方案2 DEMO展示　　IS32FL3776 ISD智能交互灯方案　　贯穿式ISD智能交互灯由LUMISSIL 20片IS32FL3776 (36*6 矩阵LED驱动芯片)+ 5片IS32PM3427(4A降压恒压芯片)组成，整个demo由一块主控制板+五块灯板拼接而成，控制多达4275颗白光LED，实现各种动画效果。图6、具体方案框图。　　图6、 ISD智能交灯框图　　IS32FL3776主要特性　　工作电压：3.0V ~ 5.5V　　36 路恒流通道，最大 60mA / 路，集成 6 路分时扫描管，SW 输出还可以配置为外部扫描管的时序控制　　电流精度： ±3.5%(通道间, ±5%(芯片间)　　通信接口：UART (2MHz)/SPI (33MHz),通信CRC　　内置 10 位 ADC 用于引脚电压测量(LED VF, PVCC, VCS)及芯片结温　　3 组6-bit全局电流调节(GCC)+ 每点8-bit DC电流调节　　PWM 调光模式:16-bit/12+4-bit/15-bit/12-bit/14-bit/7+7-bit/8-bit/6+2-bit　　CS 引脚与 SW 引脚(内置 PMOS)集成去鬼影电路　　DCFB功能：动态调节 DC-DC 输出电压，优化系统效率　　内置相位延迟，以减少电源噪声　　内置扩频功能，优化 EMI 性能　　LED 开路 / 短路检测(可配置阈值)　　TSD/OCP/UV　　AEC-Q100 车规认证：Grade 1 等级　　封装：QFN-60　　工作温度范围: - 40℃ ~ +125℃。

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君正

发布时间：2026-04-30 11:06 阅读量：367 继续阅读>>

重磅！佰维Mini S<span style='color:red'>SD</span>荣膺爱迪生铜奖，全球荣誉版图再扩张

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重磅！佰维Mini SSD荣膺爱迪生铜奖，全球荣誉版图再扩张

　　近日，被誉为“科技界奥斯卡”的爱迪生奖(Edison Awards)颁奖典礼在美国佛罗里达州举行。佰维存储凭借其创新研发的超小型Mini SSD，斩获爱迪生奖铜奖，成唯一获奖的中国存储企业。这一荣耀不仅彰显了佰维在存储领域的颠覆性创新和行业领导力，更展示了中国存储企业在国际舞台上的硬科技实力。　　问鼎科技界“奥斯卡”　　Mini SSD全球影响力再创新高　　自1987年创立以来，以发明家托马斯·爱迪生命名的爱迪生奖(Edison Awards)始终被誉为“科技界的奥斯卡”，是全球创新领域最具声望的荣誉殿堂。该奖项旨在表彰那些重塑行业格局、推动人类进步的突破性成就。其评审委员会由3000余名全球顶尖学者、行业领袖及跨界专家组成，依托“理念、价值、影响力、成就”四大严苛维度进行遴选。从史蒂夫·乔布斯、埃隆·马斯克到NVIDIA首席执行官黄仁勋，从可口可乐、通用汽车到IBM，历届获奖者皆是定义时代的创新标杆。　　佰维存储Mini SSD此次荣膺爱迪生奖铜奖，彰显了Mini SSD 从“中国标准”走向“全球标杆”的巨大影响力。产品颠覆了存储行业长期存在的“不可能三角”——即尺寸、性能与扩展性三者不可兼得的铁律。　　佰维将旗舰级SSD的强大性能载入仅15×17×1.4mm的半枚硬币大小空间内，实现了高达2TB的容量与3700MB/s、3400MB/s的读写速度，在体积逼近物理极限的同时，性能却媲美主流消费级。其首创的标准化卡槽插拔设计，打破了存储扩容的专业门槛，系列创新不仅为AI PC、游戏掌机等新一代智能互联设备提供了“小体积、强性能、可扩展”的存储方案，更推动了存储从单纯的配件转变为驱动终端产品力革新的核心角色。　　从行业认可到全球瞩目　　Mini SSD 荣誉版图遍及世界　　这并非佰维Mini SSD首次在国际舞台上获得权威认可。2025年，国际权威杂志《TIME》正式发布“2025年度最佳发明”榜单，佰维凭借创新设计与硬核产品力强势入选，成为当年唯一上榜的存储品牌。此后，产品相继在CES 2026斩获“TWICE Picks Awards”、Embedded World 2025摘得“Best-in-Show”大奖、MWC 2026再获“Best-in-Show”殊荣，构建起一张覆盖技术创新、市场价值与产业影响力的荣誉版图。　　《TIME》2025年度最佳发明　　全球创新风向标　　作为美国三大时事周刊之一，《时代》周刊的“年度最佳发明”榜单被誉为全球创新成就的“风向标”，从全球数千项发明中优中选优。佰维Mini SSD成为2025年唯一入选的存储产品，被评价为“重新定义便携式存储边界”的关键创新。　　CES 2026 TWICE Picks Awards　　消费电子顶级荣誉　　由美国权威消费电子媒体《TWICE》颁发的“TWICE Picks Awards”，是CES官方合作伙伴设立的标杆性荣誉，从4000余家参展商、上万款展品中严选，被誉为“消费电子品质与创新通行证”。Mini SSD凭借“技术突破性、市场前瞻性、用户体验优越性”的综合表现获奖，被评价为“精准解决用户存储扩展痛点的革命性产品”。　　MWC 2026 “Best-in-Show”　　移动通信领域全球权威　　由TechRadar、Tom’s Guide等全球头部科技媒体联合评选的MWC“Best-in-Show”，是移动通信与科技领域的顶级荣誉，从数千款新品中仅甄选数十项，代表Mini SSD技术创新与用户体验获全球行业广泛认可。　　Embedded World 2025 “Best-in-Show”　　嵌入式领域专业认可　　由全球顶级嵌入式展会Embedded World与权威媒体联合颁发的“Best-in-Show”，是嵌入式系统领域最具权威性的奖项之一，由一线工程师与行业专家基于技术成熟度、可靠性与应用价值综合评定，印证了Mini SSD在终端应用场景中的专业认可度。　　在国内领域，Mini SSD凭借前瞻的技术优势与商业化落地成果，获得2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”，并助力公司荣膺2025年度“‘中国芯’优秀支撑服务企业”称号，获得中国半导体行业多项权威认可。　　掌机、AIPC已规模化应用，　　加速导入机器人等AI端侧场景　　在市场应用端，佰维Mini SSD已规模化应用于壹号本、GPD等品牌的旗舰游戏掌机、AIPC产品;同时，正加速机器人、轻薄本、Mini PC等领域生态伙伴的适配与导入。在消费端，Mini SSD上线主流电商平台后，迅速登顶固态硬盘热销榜，用户好评率极高，印证了其“小体积、强性能、可扩展”的核心价值，满足多类型智能终端的多场景应用需求。　　轻薄本/AI PC：Mini SSD以“即插即用”的卡槽设计颠覆传统扩容模式，解决AI PC本地大模型运行时的“存储容量瓶颈”;对厂商而言，标准化卡槽设计大幅降低多SKU管理成本，助力轻薄本在“极致便携”与“高性能”之间找到最优解。　　游戏掌机：Mini SSD成为“空间与性能平衡”的关键。其15×17×1.4mm的硬币大小，仅为传统M.2 SSD体积的40%，为掌机内部腾出宝贵空间以优化散热与电池布局;3700MB/s读取、3400MB/s写入的旗舰级速度，让3A大作加载时间缩短60%以上，玩家可随时插拔更换游戏库，真正实现“容量自由”与“体验升级”的双重突破。　　机器人等物理AI：Mini SSD凭借高速读写、低延迟与良好的抗震性，确保机器人视觉、激光雷达等海量传感器数据实时写入无卡顿，支撑AI模型“秒级唤醒”与实时决策;“BGA SSD+Mini SSD”的组合方案更实现“系统盘(稳定运行AI模型)+数据盘(灵活扩容训练数据)”的分区存储，为机器人“终身学习”提供安全可靠的存力支撑。　　无人机：Mini SSD以“极致轻量化”与“高可靠性”解决航拍痛点。1克的超轻重量几乎不增加机身负载，2TB大容量可支持录制4K/8K高清视频长时间连续录制。　　NAS等外置存储：即插即用设计支持多设备数据共享，无论是家庭NAS的素材备份，还是移动工作站的即时扩容，都能实现“容量与体验双升级”。　　构建产业生态，　　前瞻布局下一代产品　　此次Mini SSD获得爱迪生奖，是对其“以创新重构存储价值”的全球性认可，彰显了中国存储产业从技术突破到生态引领的进阶实力。目前，佰维已联合英特尔、龙旗、比亚迪电子等头部企业构建产业生态，协同伙伴加速技术验证与量产导入，推动关键领域规模化落地。　　同时，依托“研发封测一体化”技术优势，公司前瞻布局PCIe Gen4×4/Gen5×4接口，基于32层叠Die封装工艺推进4TB及以上容量研发，持续提升Mini SSD产品性能与容量边界，为全球端侧AI生态的提供更灵活、更高效、更可靠的存力解决方案。

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佰维

发布时间：2026-04-30 09:39 阅读量：273 继续阅读>>

广和通丨广通远驰AN778车规级5G模组：D<span style='color:red'>SD</span>A双卡双通技术突破，赋能高阶智驾通信

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广和通丨广通远驰AN778车规级5G模组：DSDA双卡双通技术突破，赋能高阶智驾通信

　　广通远驰5G-A车规级模组AN778基于MediaTek 天玑汽车联接平台 MT2739 开发(四核Cortex-A55，CPU 25K DMIPS)，支持400MHz带宽、NR 5CC，下行速率峰值9.8Gbps、上行速率峰值 1.875Gbps，率先在模组侧完成 DSDA 3TX(双卡双通)通信能力验证，为车载多网融合与高阶智驾筑牢通信底座。　　设计亮点：　　双通道+冗余链路，重构车载通信　　• 新一代DSDA硬件射频架构：独立射频前端实现两路SIM卡并行收发+智能协同，构建真双通道通信基座。　　• 灵活制式组合：支持LTE+5G、5G+5G等多种组合，结合DL 4RX/UL 3TX领先射频性能，从容应对多网融合场景，建立高可靠冗余链路。　　• 智能信号管理：双路信号实时侦听+无缝切换，解决数据中断风险，数据传输稳定性、实时性跃升，保障高速移动、多网交织下的可靠连接。　　实测硬核数据：　　切换快、吞吐量高、可靠性强　　网络异常快速切换：　　• 单TCP链路：卡间切换时延≤1s，成功率99.99%;　　• 双TCP(MPTCP)链路：切换时延≤10ms，成功率99.99%; 连续多次切换，通信过程全程稳定。　　双卡数据聚合：双卡同时在线时系统无明显掉线，整体数据吞吐量较单卡提升约60%。　　底层设计逻辑：　　从“双活”到“聚合”的全栈优化　　• ECU层：支持2路VLAN，每路对应SIM卡数据通道，通过VLAN选双链路发送(如MPTCP);　　• NAD层：绑定不同VLAN流量与SIM卡，让两张卡同时“活跃”，底层实现“双活”;　　• 云端：接收两路通道数据后聚合，最大化利用多网资源。　　AN778的DSDA功能验证，不仅为产品迭代提供技术支撑，更为车企通信系统设计、车型迭代提供确定性参考，加速车载多链路通信能力落地，助力高阶智驾与全域互联时代到来。

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广和通

发布时间：2026-04-29 09:15 阅读量：286 继续阅读>>

永铭47~100µF/35V聚合物钽电容：AI服务器S<span style='color:red'>SD</span>限高1.9mm/1.5mm下的PLP选型分析

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永铭47~100µF/35V聚合物钽电容：AI服务器SSD限高1.9mm/1.5mm下的PLP选型分析

　　前言：新一代SSD形态对电容选型提出更严苛要求　　以EDSFF(企业与数据中心存储形态)为代表的新一代SSD标准——E1.S、E3.S、E1.L、E3.L——正在高密度数据中心中快速取代传统2.5英寸U.2和M.2形态，每个服务器单元可实现2至5倍的存储密度提升。与此同时，U.2接口的超薄5mm SATA盘作为启动盘，在1U/2U服务器中也广泛应用，其整板高度限制更为严格。　　AI服务器的存储架构已从“通用可靠”跃迁至“AI极致性能”。新一代SSD必须在极端负载与高温环境下持续输出极致性能，同时面对PCB空间极度受限的现实。PLP(断电保护)电容的选型已从“保障基础可靠”升级为“决定性能上限”的关键元件。　　永铭针对不同SSD形态提供三款代表性聚合物钽电容选型方案，可分别满足E1.S/E3.S SSD(限高2.05 mm)与U.2超薄5mm SATA启动盘(限高1.6mm)的PLP需求。该系列进行核心结构升级，可替代原松下TQS系列薄型化产品(如35TQS47MEU，7343-1.4mm封装)，并在国产化供应与新型结构上形成显著优势。　　应用中的挑战　　2.1 物理尺寸约束：两种限高，两大痛点　　E1.S/E3.S SSD：单面布板，整板器件高度≤2.05mm。常规聚合物钽电容高度普遍超过2.0mm，选型受限。　　U.2超薄5mm SATA启动盘：盘体厚度仅5mm，PCB双面布板后器件限高通常≤1.6mm。常规钽电容高度难以满足，若强行降低容值或改用高ESR的小型化器件，会直接导致PLP性能不足。　　2.2 PLP性能不足引发数据丢失风险　　PLP电路核心原理：正常供电期间，电容通过RC回路充电储能;断电时放电为控制器和缓存提供毫秒级工作窗口，以完成最后的NAND写入。充电时间受RC时间常数及ESR影响，ESR越高则充电越慢、储能越少。在AI服务器频繁读写、异常断电概率较高的工况下，PLP电容若选型不当，可能造成数据丢失甚至文件系统损坏。　　2.3 供应链与成本压力　　进口品牌(如松下)交期通常长达12周以上，且价格持续波动，给项目量产爬坡带来不确定性，同时也难以满足整机厂商的国产化率指标要求。永铭作为国产电容厂家，在交期响应、成本控制及供应链安全方面具有明显优势。　　永铭技术解决方案　　3.1 推荐选型表(三款，按应用场景区分)　　TQW19 35V/100μF 7.3*6.0*1.9mm(底部端子封装)　　3.2 核心技术优势　　①高度精确适配：TQD19/TQW19系列高度1.9mm，直接满足E1.S/E3.S SSD单面布板限高;TQD15系列高度1.5mm，完美适配U.2超薄5mm SATA启动盘。　　②新型钽电容的核心结构升级：将端子设计在元件底部，大幅缩短电流回路，ESL(等效串联电感)比传统结构降低约50%，高频特性优异。针对ESR(120mΩ)略高于松下TQS系列(100mΩ)的情况，永铭通过底部端子设计强化了高频去耦能力，ESL更好，更适用于AI服务器SSD中高速开关瞬态响应场景。　　③高密度聚合物钽芯+薄型封装：在1.9mm/1.5mm极限高度下，依然实现68μF/100μF/47μF容量与35V耐压，性能不妥协。　　④全固态高可靠结构：工作温度-55℃~105℃，满足AI服务器7×24小时高温工况。　　3.3 供应与国产化优势　　作为国产电容厂商，永铭在该类应用中除满足产品选型需求外，还能够兼顾交付效率与成本控制：　　①交期响应更灵活(常规4~6周)，可紧密配合客户项目节奏;　　②全链路国产化，满足整机厂商供应链安全与国产化率指标;　　③相较进口方案，整体导入成本更低，助力客户BOM优化。　　场景化Q&A　　Q1：E1.S/E3.S SSD限高2.05mm，永铭能否提供1.9mm以下、容量不缩水的钽电容?　　A1：可以。永铭TQD19(68µF)和TQW19(100µF)高度均为1.9mm，耐压35V。采用高密度聚合物钽芯+薄型封装，不牺牲容量和耐压。底部端子设计使ESL降低约50%，高频特性优于传统结构。　　Q2：永铭TQW19的ESR为120mΩ，相比松下TQS系列(100mΩ)略高，是否影响PLP性能?　　A2：在实际PLP电路中，影响充电速度和断电保持时间的不仅是ESR，还包括回路总电阻和ESL。永铭底部端子设计大幅降低了ESL(降低约50%)，改善了高频瞬态响应;同时宽体封装有助于降低接触电阻。该方案已在多家AI服务器SSD客户中通过PLP功能验证。建议客户进行实际板级验证。　　Q3：U.2超薄5mm SATA启动盘限高仅1.6mm，永铭有对应产品吗?　　A3：有。永铭TQD15系列高度仅1.5mm，容量47µF，耐压35V，专门针对超薄盘体设计。同样采用底部端子结构，ESL低、可靠性高。　　Q4：永铭相比进口品牌在交期和成本上有多大优势?　　A4：永铭常规交期4~6周，远低于进口品牌的12周以上，且供应稳定性高。在相同性能等级下，可帮助客户优化综合导入成本，同时满足国产化率指标。　　总结　　在AI服务器SSD断电保护应用中，电容选型不仅要考虑板级空间限制，还要兼顾断电保护性能、项目导入效率以及供应稳定性。　　永铭聚合物钽电容针对不同场景提供精准选型：TQD19/TQW19系列(1.9mm高度)适用于E1.S/E3.S SSD(限高2.05mm);TQD15系列(1.5mm高度)适用于U.2超薄5mm SATA启动盘(限高1.6mm)。产品采用底部端子结构，ESL降低约50%，高频特性优异;全固态、宽温、长寿命;同时以国产化优势保障交期与成本。　　如您需进行实际测试，可联系我们申请样品，同时我们也将提供规格书、测试报告及选型表。

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永铭

发布时间：2026-04-27 09:46 阅读量：374 继续阅读>>

美光丨当存储设备加入冷却回路：专为冷板设计的S<span style='color:red'>SD</span>

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美光丨当存储设备加入冷却回路：专为冷板设计的SSD

　　我们现在使用的 GPU 服务器可能很快就会告别风冷散热。举个例子，目前的风冷系统可能占据 8U 机架空间，如果在前方部署 8 块 SSD，充足的气流可确保所有设备均在规格要求范围内运行。而在新推出的服务器中，由于标配液冷系统，同样的 8 路 GPU 配置所占空间已缩减至 2U。¹突然之间，机箱之内已经没有足够宽敞的空间来从容部署 8 块 SSD 了。这 8 块 SSD 只能挤在一个狭小的空间内，热量聚集，温度很快上升，如果不能及时排出，很容易引发问题。　　面对这一新现实，美光开始进行液冷 SSD 设计。存储设备必须主动接入冷却回路，不能被动等待。采用 E1.S(9.5 毫米)外形规格的美光 9650 NVMe™ SSD，正是美光为了上述目的从零开始打造的新一代液冷 SSD 产品。　　在本博客中，我会详细介绍液冷技术对 SSD 的重要性、冷板散热的工作原理，以及为何 9650 SSD 的单面架构是实现高效冷板接触的理想设计。　　有关散热效率的数学计算　　在我们的技术简报中，我们针对配备 32 块 NVMe SSD(每块功耗 25W，总功耗 800W)的服务器，在两种温度场景下进行了建模。对于风扇驱动的气流和泵驱动的液冷系统，我们使用了标准的传热方程，并结合了与实际相符的效率假设。我们模拟了两种情况：一种情况下，数据中心环境温度与 SSD 温度相差 11.1°C，另一种情况温差较小，为 8.3°C。如果温差较大，风冷的效率会提高，这也意味着风冷系统对数据中心环境温度的变化更为敏感。　　图 1：风冷散热需要 38-81W 功耗才能带走 32 块 SSD 产生的热量;而液冷系统仅需 0.4-1.4W 即可完成相同任务——功耗降低了约 98%　　冷板可将高导热性金属块和高速流动的冷却液放在尽可能靠近热源的位置，而风冷系统只能在插满 SSD 的硬盘托架上方向 SSD 吹送空气。液冷系统既能降低组件温度，又能大幅减少将热量从服务器中排出所需的能耗。　　而且，液冷系统还能扩展。Vertiv 的一份案例研究跟踪了四种数据中心配置(液冷采用率逐步增加)。² 当液冷比例从 0% 提升至 75%，设施总能耗降低了 10.7%!这不仅包括计算功耗，还涵盖了所有其他方面：暖通空调、风扇、照明，等等。　　图 2：随着液冷采用率从 0% 升至 75%，数据中心总能耗下降了 10.7%(来源：Vertiv)　　SSD 冷板散热工作原理　　冷板是一种经过机械加工的金属块，内部带有微通道，通过热界面材料 (TIM) 安装在 SSD 外壳上。水-乙二醇等冷却液流过冷板，直接从器件上吸收热量，然后将热量输送到设施的冷却回路中。　　新设计普遍采用带弹簧的冷板，并配备盲插式快速断开集合管。拔出 SSD 后，冷却液管路会自动断开。将替换件插入到位，它们就会重新连接。这种设计完全保留了热插拔维护能力，对企业级和超大规模部署而言，这种能力是不可或缺的。　　图 3：SSD 冷板组件的横截面图，展示了冷却液流动、冷板、热界面材料 (TIM)，以及搭载了控制器、DRAM 和 NAND 的印刷电路板 (PCB)　　美光 9650 NVMe PCIe 6.0 SSD：　　专为液冷设计　　在传统 SSD 设计中，控制器、DRAM 和 NAND 等发热器件分散在 PCB 的两个面上。如果冷板只接触其中一侧，另一侧的热量就必须穿过 PCB 板才能传导至冷板。这种设计会增加热阻，降低散热效率，并导致各 NAND 芯片的温度出现差异。诸如双冷板、加厚外壳和辅助散热片等解决方案，不仅会增加成本和复杂性，而且无法从根本上解决问题。这是一个磁盘层面的设计问题，而非系统层面的散热管路架设问题。　　图 4：概念设计——传统的双面 E1.S 设计与美光 9650 SSD 的单面液冷优化设计　　美光 9650 SSD 采用了一种创新方案。从上面的示意图中，您可能已经注意到了——我们将大约 90% 的发热器件集中在 PCB 的一侧，而传统设计中这一比例仅为大约 60%。这种创新设计，只需搭配一块冷板，便可让整个散热架构开始工作，并具备以下优势：　　冷板直接接触：在主要发热表面上覆盖一层均匀的传热界面，最大限度降低热阻　　更均匀一致的 NAND 温度：芯片间温差减小，从而提升耐用性和可靠性　　充分释放 PCIe 6.0 速度：即使在更高带宽和功耗下，散热性能仍可与搭配液冷系统的上一代 PCIe 5.0 SSD 相媲美　　标准 E1.S 外形规格：兼容现有 9.5 毫米 EDSFF 液冷机箱，支持热插拔　　对系统层的影响　　磁盘层的设计固然重要，但这种设计的真正价值在于为系统层带来的回报。当 SSD 能够主动接入液冷回路，而非依赖流过自身的气流时，系统设计师便获得了从未拥有过的全新选择：　　存储区域内风扇数量减少(或者完全取消)：可以减少为磁盘散热的风扇数量，或者完全取消风扇，从而节省功耗并降低噪音。　　更高的每服务器 SSD 密度：没有了气流间距限制，可以在更小的机架空间内放置更多磁盘。　　对于持续运行的 AI 工作负载，热特性更可预测：液冷系统消除了因 GPU、CPU 和存储设备共享气流而产生的温度波动。　　这些优势，并非停留在理论上。台达电子等生态系统合作伙伴已经开始出货集成 SSD 冷板的全液冷服务器平台。³美光 9650 支持这些平台，其 E1.S(9.5 毫米)外形规格专为冷板环境设计。ASHRAE TC 9.9 发布的工业环境热指南定义了数据处理设备的允许温度范围⁴，而液冷技术可确保即使在高磁盘密度下，设备的运行温度也低于建议限值。　　还有一个很容易被忽视的因素：效率倍增。人们通常从散热余量角度来讨论液冷技术，但该技术的更大益处体现在每瓦性能上。当数据中心不再因高转速风扇而消耗电力，并且降低了系统级散热开销时，这些节约下来的电力就能转而供其他资源使用。凭借液冷架构，9650 在能效方面较前几代产品显著提升，这不仅有助于实现可持续发展目标，还可直接降低总拥有成本。　　展望未来　　在高密度 AI 基础设施中，SSD 液冷系统正逐渐成为必备配置。Uptime Institute 的《2024 年全球数据中心调查报告》指出，约 20% 的运营商正在部署或计划部署液冷系统。⁵美光 9650 采用的单面架构专为冷板接触而设计，能让 SSD 液冷系统充分发挥作用。　　还有一点：当我们为 SSD 营造出更适宜的工作环境温度时，我们便有可能获得更高的控制器时钟频率、写入吞吐量，以及持续稳定的工作负载性能。美光正在朝着这一目标努力，敬请期待。

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发布时间：2026-04-23 11:10 阅读量：476 继续阅读>>

磁盘阵列RAID写缓存掉电保护怎么做？永铭双电层超级电容模块<span style='color:red'>SD</span>M 8.0F/13.5V为服务器存储提供短时后备供电解决方案

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磁盘阵列RAID写缓存掉电保护怎么做？永铭双电层超级电容模块SDM 8.0F/13.5V为服务器存储提供短时后备供电解决方案

　　在企业级服务器、磁盘阵列、边缘存储等设备中，磁盘阵列RAID通常会将正在写入的数据和关键元数据暂存在Cache(高速缓冲存储器)中，以提升写性能。当整机突发掉电时，若后备能源不能及时接管供电，Cache中尚未落盘的数据可能来不及回写到Flash(闪存)或后端磁盘，进而带来数据一致性与业务连续性风险。　　传统备电电池BBU虽然可用于后备供电，但在长期7×24运行场景下，往往还伴随容量衰减、自放电、定期校准、更换维护等缺陷，以及高密度服务器内部空间与散热压力等问题。基于这一应用需求，永铭推荐采用磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块SDM系列，为磁盘阵列RAID控制器提供短时后备供电，用于保障Cache→Flash完成回写。　　应用场景与典型挑战　　磁盘阵列RAID写缓存保护常见于服务器存储、数据中心、企业级存储、磁盘阵列、工业服务器与边缘存储等场景。其典型触发条件包括市电闪断、电源模块故障、热插拔意外、PDU 异常等，这些情况都可能导致磁盘阵列RAID主电源中断。　　一旦主电源异常中断，常见风险主要集中在三个方面：　　· 写缓存中的脏数据与关键元数据来不及写入Flash或后端磁盘　　· 控制器异常掉电，阵列恢复时间变长，业务中断风险上升　　· 传统BBU在容量衰减后，可能无法稳定覆盖完整回写窗口，增加后续维护与停机管理负担　　对于高密度 1U/2U 服务器而言，这类问题还会进一步叠加空间受限、布线受限、散热压力上升等约束，使后备电源方案的安装与维护更加复杂。　　问题根源：　　磁盘阵列RAID写缓存保护并不是“长时间续航”　　磁盘阵列RAID写缓存保护的核心，不是让后备电源在掉电后持续工作很久，而是要求在输入电源丢失后，后备单元能够立刻接管，并在控制器最低工作电压以上维持一个足够的短时能量窗口，使 Cache中的数据与关键元数据完成回写。　　这类保护是否能够成功，取决于几个关键因素之间的匹配关系：　　可释放有效能量：　　模块输出电流能力连接路径损耗　　控制器回写耗时　　当后备单元响应慢、有效容量或工作电压不足、最大放电电流不足，或者线束与连接损耗过大时，控制器电压就可能过快跌落，导致 Flash 写入中断。也就是说，这类方案并非面向长时间续航场景，而是面向“掉电瞬间短时接管”的保护场景。　　永铭解决方案：　　双电层超级电容模块SDM系列　　针对磁盘阵列RAID掉电保护场景，永铭提供磁盘阵列RAID 写缓存保护超级电容模块(8.0F/13.5V)。该方案围绕“掉电后写完那一段”设计，用于在主电源异常中断后，为磁盘阵列RAID控制器提供短时有效能量储备。　　其对应的应用特征包括：　　· 容量 8.0F，工作电压13.5V：用于为 Cache→Flash 回写提供短时有效能量储备　　· 掉电自动上线：主电源异常中断时，可立即接管供电，减少切换迟滞带来的保护窗口损失　　· 最大放电电流 1.5A：覆盖磁盘阵列RAID控制器及缓存保护阶段的瞬时输出需求　　· 标准化尺寸+长/短延长线配置：便于适配服务器主流结构规格和不同安装位置　　· 工作温度-40°C~70°C，仓储温度-40°C~85°C：兼顾机箱温升环境与仓储运输适应性　　· 符合RoHS要求：满足应用合规需求　　相较于需要定期更换、校准与健康检查的传统BBU路径，双电层超级电容模块更偏向长寿命、免维护的应用方向，可减少后期运维动作，适合7×24数据中心运行环境。　　推荐规格　　推荐产品：永铭磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块SDM系列　　规格口径：8.0F/13.5V　　配件：长延长线×1、短延长线×1　　场景化Q&A　　Q1：我们在做RAID卡写缓存保护验证，需求不是让后备电源撑很久，而是掉电后能立刻接管，让Cache里的数据顺利写到Flash。请问有没有适合这种短时接管场景的超级电容模块，最好是8F/11V左右、还能自动上线工作的方案?　　A1：推荐永铭RAID写缓存保护超级电容模块，型号规格：8.0F / 13.5V。该模块针对RAID控制器写缓存保护“短时接管、快速回写”的特定需求设计，具备以下关键特性：　　掉电自动上线：主电源正常时自动充电;当输入电源异常中断时，模块能够立即接管供电，切换延迟极低，无需软件干预，避免保护窗口被迟滞损耗。　　容量与电压匹配：容量8.0F，工作电压13.5V。可释放有效能量按公式E = ½ × C × (Vstart² - Vend²)计算，与主流RAID控制器(如LSI、Marvell等)从Cache到Flash的完整回写窗口所需能量精确匹配。　　输出能力充足：最大放电电流1.5A，可覆盖控制器与缓存回写阶段的瞬时峰值电流需求。　　无需复杂管理：模块自动完成充放电切换，无需额外充放电管理电路或校准流程。　　因此，该模块是满足“8F/11V左右、自动上线”需求的直接选型方案，适用于RAID卡写缓存掉电保护场景。　　Q2：我们现在做服务器RAID卡，原来一直用BBU，但后期维护太频繁了，要换电池、做校准，还担心容量衰减。有没有适合长期7×24运行、免维护的RAID缓存保护方案，可以替代传统BBU?　　A2：永铭 RAID写缓存保护超级电容模块(8.0F/13.5V)完全符合上述要求。针对高密度服务器(1U/2U)的适配设计。传统BBU需要定期校准、2~3年更换电池，且容量衰减明显，还需额外健康监测电路，高温环境下老化快。而永铭超级电容模块无需校准、无更换周期、容量衰减远低于BBU、无需监测电路，且工作温度达-40℃~+70℃，适配服务器长期运行。　　Q3：高密度1U/2U服务器空间紧、温升高，后备电源选型要看什么?　　A3：这类场景通常需要同时关注：尺寸与安装适配性、掉电瞬间输出能力、工作温度范围、连接路径损耗。永铭磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块提供标准化尺寸、长短延长线配置，最大放电电流1.5A，工作温度-40°C~70°C，可用于适配高密度服务器的安装与应用要求。　　总结　　对于磁盘阵列RAID写缓存保护而言，关键不在“长时间供电”，而在“掉电瞬间是否能够及时接管，并完成关键数据安全回写”。　　永铭超级电容模块以8.0F/13.5V、最大1.5A放电、掉电自动上线、标准化尺寸与延长线配置，为服务器存储场景提供短时后备供电支持，用于应对突发掉电下的 Cache→Flash 回写需求。　　如需进一步评估具体应用，可联系永铭获取规格书、样品、应用资料与选型支持。

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永铭

发布时间：2026-04-20 11:29 阅读量：429 继续阅读>>

上海雷卯丨器件级E<span style='color:red'>SD</span> vs系统级 E<span style='color:red'>SD</span>—— 硬件工程师必懂

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上海雷卯丨器件级ESD vs系统级 ESD—— 硬件工程师必懂

　　很多硬件工程师把HBM/CDM当成系统抗ESD 依据，导致整机过不了IEC 61000-4-2、现场死机、返修率高。　　本文一次性讲清：本质区别、失效风险、选型规则、设计步骤。　　简单来说，两者的关注点截然不同：　　器件级ESD保护：关注的是芯片在制造、组装环节的“存活率”。　　系统级ESD保护：关注的是整机设备在用户实际使用中的“生存能力”。　　它们在测试标准、方法和防护目标上有着天壤之别。　　核心一句话(必须背下来)　　器件级 ESD(HBM/MM/CDM)：保芯片生产不死　　系统级 ESD(IEC 61000-4-2)：保整机使用不挂　　两者不能互相替代!集成电路(IC)在其生命周期的任何阶段——从器件装配、PCB焊接到最终测试——都可能遭受静电放电(ESD)损伤。为了在生产过程中“活下来”，所有IC内部都集成了专门的ESD保护结构。　　为了模拟和评估这些制造环节的ESD风险，业界主要采用三种器件级模型：　　1、人体模型(HBM)：模拟人体携带静电后接触IC引发的放电事件。　　2、机器模型(MM)：模拟自动化生产设备等金属物体接触IC引发的放电事件。　　3、带电器件模型(CDM)：模拟IC自身因摩擦等原因带电后，引脚接触导体时发生的快速放电事件。　　这些模型都适用于受控的工厂环境。在这样的环境下，从装配到PCB焊接的每一步都需要严格的静电控制，以将IC承受的ESD应力降到最低。典型的IC能承受2kV的HBM应力，但随着器件尺寸不断微缩，部分小型器件的耐受电压已降至500V。　　系统级ESD：考验整机的“实战测试”　　虽然器件级模型在工厂里很管用，但它完全不足以应对真实世界。终端用户环境中的ESD事件，其电压和电流强度都远超制造环境。　　因此，业界采用国际标准IEC 61000-4-2定义的系统级ESD测试，来模拟真实使用条件下用户可能遇到的ESD冲击。这个测试的对象是完整的成品设备，目的是评估它在“实战”中的抗干扰能力。　　一句话概括：器件级测试(HBM、MM、CDM)的核心是保障IC在制造过程中的可靠性;而系统级测试(IEC 61000-4-2)的目标是评估成品设备在实际使用环境中抵抗ESD事件的能力。　　以下是详细的对比表格：维度器件级ESD (HBM, MM, CDM）保护系统级ESD(IEC 61000-4-2)保护核心目标保护芯片在制造、封装、运输、贴片过程中免受静电损伤。保护成品设备在用户日常使用中（如触摸、插拔、摩擦）免受静电放电干扰或损坏。测试对象独立的、未上电的芯片（IC）已组装完成的、通常处于上电工作状态的整机或系统。测试模型1. HBM (人体模型)2. CDM (充电器件模型)3. MM (机器模型，已较少使用)IEC 61000-4-2 标准模型（包含接触放电和空气放电）测试波形HBM：上升时间 25ns，脉冲宽度~150ns;CDM：上升时间 <400ps, 脉冲宽度 ~1ns;MM ：脉冲宽度 ~80ns 上升时间 0.7-1ns，第一个峰值电流极高（如8kV接触放电时达30A以上），脉冲总宽度约150ns典型电压等级HBM：（500V-2000V)CDM： (250-2000V)MM: (100-200V) 接触放电：±4kV, ±6kV, ±8kV空气放电：±8kV, ±15kV (最高可达±30kV)施加2 kV电压时的峰值电流（APK）HBM：1.33ACDM： 5A 7.5A电压冲击次数HBM：2CDM：2MM: 2 20防护策略芯片内部集成 ESD钳位结构板级应用：1. TVS二极管（最常用）2. 压敏电阻、气体放电管3. RC吸收电路、铁氧体磁珠4. 屏蔽、接地、绝缘设计成本和面积占用芯片面积，增加工艺复杂度，但无额外BOM成本。增加PCB面积和物料成本，但设计灵活，可针对高风险接口重点防护。典型应用场景裸片、封装好的芯片（在托盘/卷带中）。手机、笔记本电脑、汽车电子、工业控制接口（USB, HDMI, RS232等）。　　为什么不能混用?(几个致命原因)　　1. 电流和能量差异　　器件级：2kV HBM测试的峰值电流约1.33A。能量相对较小。　　系统级：2kV IEC接触放电的峰值电流约7.5A。能量比器件级高,5倍能量。如果用器件级防护(如芯片内部结构)去抗系统级静电，瞬间就会烧毁。　　2. 失效模式差异　　器件级：主要是物理损伤(烧熔、击穿)。测完如果参数正常，芯片就是好的。　　系统级：除了物理损伤，更头痛的是逻辑混乱。高速静电脉冲会耦合到内部总线、时钟线、复位线，导致CPU误触发、寄存器翻转、锁死。即使没有任何元件烧坏，设备也可能死机或重启。　　3. 电压尖峰上升时间差异　　器件级：HBM的规定上升时间为25ns。　　系统级：IEC模型的上升时间<1ns，其在最初3ns消耗掉大部分能量。如果HBM额定的器件需25ns来做出响应，则在其保护电路激活以前器件就已被损坏。　　4.电击次数不同　　两种模型在测试期间所用的电击次数不同。　　HBM仅要求测试一次正电击和一次负电击。　　IEC模型却要求10次正电击和10次负电击。可能出现的情况是，器件能够承受第一次电击，但由于初次电击带来的损坏仍然存在，其会在后续电击中失效。　　图1显示了CDM、HBM和IEC模型的ESD波形举例。很明显，相比所有器件级模型的脉冲，IEC模型的脉冲携带了更多的能量。　　(图1) 器件级和IEC模型的ESD波形　　常见误区澄清　　1.误区：“芯片引脚标注了±8kV HBM，所以直接接USB口没问题”　　这是最常见且危害最大的误区。根据技术文献的对比数据：　　即使电压数值相同(如8kV)，IEC标准的峰值电流也是HBM的5倍以上。此外，IEC标准的放电上升时间小于1ns(HBM为25ns)，能量更集中、破坏性更强。因此芯片内部的HBM防护结构完全无法承受IEC标准的ESD脉冲。　　2.误区：“系统级测试通过，说明芯片本身ESD很强”　　系统级ESD测试的对象是完整的成品设备(含外壳、PCB、TVS、屏蔽层等)，而不是裸芯片。系统级测试通过，可能得益于以下因素的共同作用：　　(1)PCB板级TVS管的分流　　(2)外壳的屏蔽和绝缘设计　　(3)接地路径的优化　　(4)多层板布局的寄生效应　　因此，系统级测试通过不能直接推导出芯片本身的ESD鲁棒性高。实际上，HBM/CDM测试才是评估芯片自身抗ESD能力的标准方法。　　3. 误区：“器件级HBM Class 3A (4000V) 比 Class 2 (2000V) 好在系统中更可靠”　　HBM等级与系统级可靠性之间的相关性很低。根据权威研究结论：　　(1)HBM与IEC 61000-4-2之间不存在直接相关性　　(2)CDM与IEC 61000-4-2之间也不存在直接相关性　　(3)系统级ESD性能更多取决于板级防护设计(TVS选型、布局、接地)，而非芯片自身的HBM等级　　不过需要补充一点：虽然相关性低，但HBM等级过低的芯片(如<500V)在制造和组装阶段就容易受损，这会间接影响系统可靠性。因此，不能完全忽视器件级ESD等级，只是不应将其作为系统级可靠性的预测指标。　　设计建议　　1、芯片选型时：关注芯片引脚说明中的 IEC 61000-4-2 等级(若有)，这代表该引脚内置了系统级防护。对于普通引脚，只关注HBM/CDM即可。　　2、板级设计时：　　对外接口(USB、音频、按键、SIM卡、天线触点)必须加系统级TVS。　　TVS的钳位电压应低于被保护芯片的绝对最大额定值。　　TVS应紧靠接口或紧靠被保护芯片，走线尽量短、直，减小寄生电感。　　3、测试顺序：建议先完成器件级ESD测试(在芯片未贴板前)，再贴板进行系统级IEC测试。如果器件级已损坏，系统级测试会失败得更惨烈。　　总结一句：最终总结(工程师极简版)　　器件级ESD = 保生产　　系统级ESD = 保现场　　芯片内部ESD ≠ 系统防护　　接口不加TVS，IEC 一定挂　　永远不要用HBM 去硬扛 IEC 静电枪!

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上海雷卯

发布时间：2026-04-17 09:39 阅读量：439 继续阅读>>

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上海雷卯丨明明选了对的TVS，芯片为何还是被ESD击穿？

　　在项目复盘会上，我们是不是经常听到这样的抱怨：“明明选了一颗标称能抗30kV的TVS管，数据手册上的参数也完全符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，为什么量产时还是有板子因为静电死机?甚至昂贵的CPU被击穿?”　　这恐怕是很多硬件工程师最头疼的问题。我们往往迷信数据手册首页那个醒目的“30kV”或“15kV”，却忽略了在静电放电(ESD)发生的那短短几纳秒内，这颗TVS到底表现如何。　　今天，我们就来扒一扒TVS数据手册里最核心、却最常被误读的“照妖镜”——TLP曲线，并对比国际大厂与国产头部品牌(如上海雷卯电子)的实测数据，看看如何真正选对那颗“守门员”。　　一、极短的时间窗口：ESD的暴力美学　　首先，我们要明确对手是谁。ESD并不是一个温和的直流电源，它是一个极高压、极高速的瞬态能量脉冲。根据 IEC 61000-4-2 标准，一个 8kV 接触放电的波形具有极其严苛的特征：　　极快的前沿：上升时间小于 1ns(0.7ns - 1ns)。　　巨大的峰值电流：在第一峰值，电流可达数十安培(8kV对应约30A峰值，15kV对应约56A峰值)。　　这意味着，TVS必须在 1纳秒左右的时间内，从“高阻抗绝缘体”转变为“低阻抗导体”。如果它的反应慢了半拍，那个高达数千伏的电压尖峰就会长驱直入，击穿你昂贵的CPU或FPGA。　　二、数据手册里的“甜蜜陷阱”：静态参数与动态真相　　当我们翻开任意一颗TVS的数据手册，首先映入眼帘的通常是VRWM(反向截止电压)和VC(钳位电压)。很多工程师认为，只要后级芯片的耐压高于VC，就是安全的。　　但这里存在一个巨大的认知偏差：数据手册中的大部分参数是在“缓慢”的浪涌条件下测得的(如 10/1000μs 或 8/20μs 波形)，这与ESD 的纳秒级冲击完全不同。而真实的IEC 61000-4-2静电冲击，上升时间小于1ns，峰值电流在8kV接触放电下可瞬间飙升至30A以上。　　在如此巨大的di/dt面前，TVS不再是理想的开关，而是一个电阻。此时，真正决定生死的，是TLP(传输线脉冲)测试下的动态钳位电压。　　三、TLP曲线：一眼看穿TVS的“内功”　　TLP曲线模拟了真实的ESD环境。在解读曲线时，我们主要关注三个核心维度：　　斜率(动态电阻RDYN)：曲线击穿后越陡峭(越接近垂直)，代表动态电阻越小。这意味着即使电流激增，电压也不会随之大幅抬升。　　16A定律：在TLP曲线上找到16A这个点(对应8kV接触放电的典型有效电流)，此时对应的电压值，才是你芯片真正承受的“渡劫电压”。　　折回特性(Snapback)：优秀的TVS在触发后，电压会迅速回落到一个较低的水平，这种特性在高速接口保护中尤为重要。　　四、巅峰对决：　　国际品牌 vs 上海雷卯电子　　为了验证国产TVS的真实水平，我们选取了市面上主流的USB 3.0接口保护方案，将国际一线品牌infineon英飞凌为例与上海雷卯电子(Leiditech)的同规格产品进行TLP参数对比。　　测试条件：IEC 61000-4-2接触放电，TLP脉宽100ns。　　从对比数据可以看出, 上海雷卯电子的ULC0342CDNH在动态电阻控制上表现优异。在16A的大电流冲击下，它将电压死死钳位在9.8V，而竞品ESD113-B1-02EL的电压已经爬升到了14V。　　对于耐压极限仅为10V的先进制程芯片来说，选竞品可能意味着“听天由命”，而选雷卯则能提供确定的安全余量。这也打破了部分工程师对国产TVS“只能做低端”的刻板印象。　　五、避坑指南：如何像专家一样选型?　　基于上述物理特性，为了有效保护系统免受ESD损害，在实际设计中有三个原则至关重要：　　1.布局：最小化“动态电感”　　TVS的响应再快，也快不过PCB走线产生的寄生电感。电感公式 V=L×di/dt。在ESD下，di/dt极其巨大，哪怕1nH的电感也会产生显著的压降。　　法则：TVS必须紧贴在需要保护的IO口或电源引脚上。　　路径：确保TVS到GND的过孔尽量短而粗。先经过TVS，再进入后级芯片，利用“分叉”原则将能量导走。　　2.选型：不仅要看VRWM，更要看VC(at IPP)　　不要只看静态参数。去数据手册里找IEC 61000-4-2的钳位电压波形图，或者TLP曲线。确认：在16A(对应8kV接触放电的典型电流)下的钳位电压，这个电压必须低于被保护芯片的绝对最大额定电压(建议留有20%以上的降额裕度)。　　3.高速信号：注意电容CJ　　对于HDMI 2.1(12Gbps)或USB 3.2 Gen 2(10Gbps)接口，传统的TVS(结电容几十pF)会直接把信号“吃掉”。　　必须选用：低电容TVS(通常<0.5pF)且具有Snapback特性的TVS，或者集成TVS的ESD抑制器。上海雷卯研发的Snapback特性ESD 既能保证信号完整性，又能提供极低的钳位电压。　　ESD防护不是玄学，而是一场关于纳秒级响应速度与动态电阻的较量。　　通过TLP曲线，我们能透过数据手册华丽的营销参数，看到器件真实的物理特性。从对比中可以看出，以上海雷卯电子为代表的国产厂商，在核心动态参数上已经具备了与国际大厂掰手腕的实力，甚至在低钳位电压和低电容控制上更具优势。　　作为工程师，我们需要做的，就是用数据的眼光去审视每一颗器件，确保在静电来袭时，我们的系统不仅能“幸存”，更能“安然无恙”。

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上海雷卯

发布时间：2026-04-16 10:06 阅读量：508 继续阅读>>

佰维Mini S<span style='color:red'>SD</span>荣获2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”

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佰维Mini SSD荣获2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”

　　近日，由Aspencore主办的2026国际集成电路展览会暨研讨会(IIC SHANGHAI)在上海举办。在同期举行的“2026中国IC设计成就奖”颁奖典礼上，佰维存储 Mini SSD 斩获“年度存储器”荣誉。这一殊荣不仅是对佰维Mini SSD 技术创新与市场价值的权威认可，更是对佰维在存储领域持续深耕、引领产业变革的高度肯定。　　突破传统SSD逻辑与形态　　佰维Mini SSD揽获多项国际大奖　　中国IC设计成就奖作为中国半导体行业最具权威性和公信力的专业奖项之一，已深耕行业二十四载，旨在表彰在技术创新、市场应用和产业贡献方面表现卓越的企业与产品。其中，“年度存储器”奖项作为核心评选单元，致力于甄选出在存储领域具备创新设计、规模化落地能力且能推动行业技术进步的优质产品。　　佰维Mini SSD并非单纯追求物理体积的“微型化”，而是彻底打破了传统存储产品“性能、体积、扩展性不可兼得”的固有逻辑，通过“创新存储解决方案+先进封装”的综合创新，为AI PC、游戏掌机等端侧设备提供了“小体积、强性能、可扩展”的全新存储方案，解决了M.2 SSD体积过大、Micro SD卡性能瓶颈以及UFS/eMMC无法灵活扩展的痛点。　　极致小巧，性能强悍：在仅有M.2 2230 SSD 的40%体积与约1克的重量下，实现了高达2TB的容量，以及3700MB/s读取和3400MB/s写入的旗舰级速度。　　硬核防护，稳定可靠：具备IP68级防尘防水、3米防跌落防护及超过12,000次的插拔耐用性，无惧复杂移动场景。　　便捷扩展，体验革新：首创标准化卡槽插拔设计，用户无需专业工具即可轻松完成TB级扩容，极大地提升了设备的可维护性与使用价值。　　自问世以来，佰维Mini SSD迅速在全球范围内赢得了广泛赞誉，已接连荣获《TIME》“2025年度最佳发明”、CES 2026 TWICE Picks Awards、Embedded World“Best-in-Show”、MWC 2026“Best-in-Show”等多项国际顶级大奖，并入围被誉为“科技界奥斯卡”的2026年爱迪生奖决赛。此次再获国内权威奖项，充分印证了Mini SSD从技术理念到商业前景的全方位领先优势。　　加速产品迭代与生态伙伴适配　　推动Mini SSD走向“全球标准”　　佰维Mini SSD不仅是一款创新产品，更是一个开放生态的起点。目前，它已成功赋能壹号本、GPD、Waterworld等知名品牌，在AI PC、游戏掌机等领域实现商业化落地。为加速产业普及，佰维已联合英特尔、龙旗、比亚迪电子、立讯等产业链头部企业，共同构建Mini SSD产业生态。　　统一规格标准，降低适配成本：通过成立IP公司、制定激励方案与权益金分配规则，绑定生态伙伴利益;同时开放技术规格与接口标准，降低行业适配成本;　　加速AI终端导入，实现规模化落地：聚焦AI PC、智能机器人、游戏掌机等核心场景，多个目标客户正积极推动产品适配。佰维将协同伙伴加快技术验证与导入进度，加速Mini SSD在关键领域的规模化应用。　　迭代技术性能，提升产品竞争力：前瞻规划PCIe Gen4×4、Gen5×4接口产品，提升接口带宽;基于32层叠Die封装工艺，推进4TB及以上更大容量产品研发。　　全栈技术筑基，　　深度服务“端-边-云”全场景客户　　佰维Mini SSD的成功，根植于佰维存储“研发封测一体化”的全栈技术能力。公司始终以高强度、高密度的研发投入筑牢创新根基，2025年研发费用达6.32亿元，同比增长41.34%，已累计斩获521项境内外专利及66项软件著作权。依托在存储解决方案研发、芯片设计、先进封测等核心领域的持续深耕，公司构建起覆盖AI新兴端侧、智能终端、工业车规级与企业级的全场景存储产品矩阵，以强大的技术转化能力与市场竞争力，深度服务“端-边-云”全场景客户。　　在AI新兴端侧，公司凭借ePoP系列产品的超薄堆叠封装技术与低功耗固件算法协同优势，成为Google、Meta、小米、Rokid等全球头部企业的核心存储解决方案，精准适配AI眼镜、智能手表等设备的轻薄化、低延迟、长续航需求;在智能汽车领域，公司产品已切入20余家国内主流主机厂及核心Tier1供应商供应链，实现车规级存储产品的批量交付与规模销售;在云端，企业级存储产品成功导入多家头部OEM、AI服务器厂商及头部互联网厂商核心供应体系，实现批量出货。　　斩获2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”奖项，印证了佰维Mini SSD技术实力与市场价值。佰维将继续秉持长期主义，以技术创新响应AI时代的存储需求，驱动公司高质量发展，提升公司长期价值。

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佰维

发布时间：2026-04-13 10:45 阅读量：479 继续阅读>>

ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的E<span style='color:red'>SD</span>保护二极管

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ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

　　2026年4月2日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出兼具业界超低动态电阻(Rdyn)*1和超低电容特性的ESD(静电放电)保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。　　近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统(电路板、模块)层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气过载(EOS)和静电放电(ESD)的耐受能力呈下降趋势。因此，对于兼具“低电容(抑制高速通信时的信号劣化)”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中，微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而，降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾通信质量和IC保护，成为亟待解决的课题。　　对此，ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品，新产品不仅实现更低电容，还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口，需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容*3仅为0.24pF(双向)和0.48pF(单向)的超低电容特性。同时，与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比，其钳位电压*4降低了约40%，确保了优异的IC保护性能。　　这些优势有助于提高各种高速数据通信设备(例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备，笔记本电脑和游戏机等消费电子产品)的可靠性。另外，DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes*5通信的ADAS(高级驾驶辅助系统)、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。　　新产品已于2026年3月开始量产(样品价格70日元/个，不含税)，并已经开始网售，可通过AMEYA360商城购买，如有需要请联系AMEYA客服。　　ROHM今后将继续扩充低电容ESD保护二极管和TVS二极管的产品阵容，助力AI服务器、通信基础设施、自动驾驶系统等电子技术的发展，为实现安全、安心且舒适的数字社会贡献力量。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　适用于支持USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、DisplayPort、PCI Express、LVDS、MIPI D-PHY/C-PHY、车载SerDes以及车载以太网(10/100/1000Mbps)等各种接口的设备。　　◆工业设备：AI服务器、数据中心、路由器、光模块、5G/6G通信基站、FA设备用摄像头等　　◆消费电子：PC、服务器、USB加密狗、智能手机、平板电脑、游戏机、影音设备、通信天线等　　◆车载设备：ADAS(高级驾驶辅助系统)/AD(自动驾驶)/全景影像系统/倒车影像系统用的摄像头、车载信息娱乐系统、车身控制ECU、中控台(影音系统、显示屏)等。　　<网售信息>　　开始销售时间：2026年3月起　　新产品在AMEYA360商城将逐步发售。　　<术语解说>　　*1) 动态电阻(Dynamic Resistance)　　表示ESD保护二极管在保护IC时，其电压随电流变化的增量程度的指标，又称“交流电阻”。该值越小，表示即使流过相同的放电电流时，也能将引脚电压的上升幅度控制得越低，从而减轻IC承受的电气应力，提高保护性能。　　*2) ESD保护二极管　　用来保护电路免受过电压、浪涌和ESD(Electro-Static Discharge：静电放电)影响的半导体器件。通过吸收突发的电压和电流尖峰(浪涌)，来防止电路损坏和误动作。在车载环境中，对于电气方面发生严重波动时的保护至关重要。　　*3) 引脚间电容(Capacitance Between Terminals)　　电子元器件中产生的不必要的电容分量。如果引脚间电容较大，高速通信时信号就会劣化，因此在车载通信应用中降低引脚间电容非常重要。　　*4) 钳位电压　　ESD保护二极管抑制浪涌等引起的过电压时电路内维持的电压。该电压越低，越可以有效地保护电路和设备，从而提高车载设备的可靠性。　　*5) SerDes　　成对使用IC实现大容量数据高速传输的通信方式。信息发送端的串行器(Serializer)将多个数字信号数据转换为一个高速串行信号发出，信息接收端的解串器(Deserializer)则将其还原为原始数据。因其能以数Gbps至数十Gbps的速度高速传输大量数据，而被广泛应用于PC、服务器及车载摄像头系统等的高速接口。

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发布时间：2026-04-02 15:58 阅读量：561 继续阅读>>

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MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

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TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
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BP3621	ROHM Semiconductor
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